JP4337890B2 - 半導体製造システム、制御装置、半導体製造システムの制御方法、及び処理液の回収方法 - Google Patents
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Description
前記半導体製造装置を制御する第1の制御部と、
前記半導体製造装置の補機と、
前記補機を制御する第2の制御部と、
前記第1の制御部と前記第2の制御部を電気的に接続する第3の制御部と、
を具備し、
前記第2の制御部は、前記補機が動作している場合には補機動作中信号を前記第3の制御部に出力し、前記補機が停止している場合には補機停止中信号を前記第3の制御部に出力し、かつ前記第3の制御部から受信した指示信号に従って前記補機を動作又は停止させ、
前記第1の制御部は、前記第3の制御部を介して前記補機動作中信号又は前記補機停止中信号を受信し、かつ前記補機動作中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動又は待機状態にし、
前記第3の制御部は、前記半導体製造装置が待機中であることを検出した場合に、前記補機を停止させ、かつ前記第2の制御部から受信した前記補機停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力する。
前記処理液を前処理する前処理槽と、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ搬送する第1の配管と、
前記前処理槽で前処理された前記処理液を前記処理槽へ戻す第2の配管と、
前記第1の配管に設けられた第1のバルブと、
廃液となる前記処理液が導入される廃液槽と、
前記第1の配管のうち前記第1のバルブより下流側に設けられた第2のバルブと、
前記第1の配管のうち前記第1のバルブと前記第2のバルブの間に位置する部分と、前記廃液槽とを接続する第3の配管と、
前記第3の配管に設けられた第3のバルブと、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ導入する前処理槽導入モードの場合に前記第1のバルブを開く第1の制御部と、
前記第2のバルブ及び前記第3のバルブを制御する第2の制御部と、
を具備し、
前記第2の制御部は、前記処理槽に保持されている前記処理液を前記廃液槽へ導入する場合に、前記第2のバルブを閉じて前記第3のバルブを開き、かつ前記第1の制御部に、前記前処理槽導入モードへの移行を指示する前処理槽導入移行信号を出力し、
前記第1の制御部は、前記第2の制御部から前記前処理槽導入移行信号を受信した場合に、前記第1のバルブを開く。
前記第2の制御部が出力した信号であって、前記補機が動作していることを示す補機動作中信号、及び前記補機が停止していることを示す補機停止中信号を受信する受信部と、
前記補機動作中信号及び前記補機停止中信号を前記第1の制御部に出力する出力部と、
前記第2の制御部を介して前記補機を制御する演算制御部と、
を具備し、
前記演算制御部は、前記半導体製造装置が待機中であることを検出した場合に、前記補機を停止させ、かつ前記出力部から、前記第2の制御部から受信した前記補機停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力する。
前記処理液を前処理する前処理槽と、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ搬送する第1の配管と、
前記前処理槽で前処理された前記処理液を前記処理槽へ戻す第2の配管と、
前記第1の配管に設けられた第1のバルブと、
廃液となる前記処理液が導入される廃液槽と、
前記第1の配管のうち前記第1のバルブより下流側に設けられた第2のバルブと、
前記第1の配管のうち前記第1のバルブと前記第2のバルブの間に位置する部分と、前記廃液槽とを接続する第3の配管と、
前記第3の配管に設けられた第3のバルブと、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ導入する前処理槽導入モードの場合に前記第1のバルブを開く制御部と、
を具備する半導体製造システムに用いられ、前記第2のバルブ及び前記第3のバルブを制御する制御装置であって、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記廃液槽へ導入する場合に、前記第2のバルブを閉じて前記第3のバルブを開き、かつ前記制御部に、前記前処理槽導入モードへの移行を指示する前処理槽導入移行信号を出力する。
前記半導体製造装置の補機と、
前記半導体製造装置を制御し、かつ前記補機の動作を指示する指示信号を出力する第1の制御部と、
前記指示信号に従って前記補機を制御し、前記補機が動作している場合には補機動作中信号を、前記補機が停止している場合には補機停止中信号を、それぞれ前記第1の制御部に出力する第2の制御部と、
を具備し、前記第1の制御部は、前記補機動作中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動又は待機状態にする半導体製造システムの制御方法であって、
前記第1の制御部及び前記第2の制御部を、第3の制御部を介して電気的に接続し、
前記第2の制御部に、前記補機動作中信号又は前記補機停止中信号を前記第3の制御部に出力させ、
前記第1の制御部に、前記指示信号を前記第3の制御部に出力させ、
前記第3の制御部が、前記第2の制御部を介して前記補機を制御し、前記半導体製造装置が待機中であることを検出した場合に、前記補機を停止させ、かつ前記第2の制御部から受信した前記補機停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力する。
前記処理液を前処理する前処理槽と、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ導入する第1の配管と、
前記前処理槽で前処理された前記処理液を前記処理槽へ戻す第2の配管と、
前記第1の配管に設けられた第1のバルブと、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記前処理槽へ導入する旨を指示する前処理槽導入移行信号を受信した場合に前記第1のバルブを開く制御部と、
を具備する半導体製造システムから廃液となる前記処理液を回収する処理液の回収方法であって、
前記第1の配管のうち前記第1のバルブより下流側に、第2のバルブを設け、
廃液となる前記処理液が導入される廃液槽と、前記第1の配管のうち前記第1のバルブと前記第2のバルブの間に位置する部分とを第3の配管を用いて接続し、
前記第3の配管に第3のバルブを設け、
前記第2及び第3のバルブを、制御装置を用いて制御し、
前記処理槽に保持されている前記処理液を前記廃液槽へ導入する場合に、前記制御装置が、前記第2のバルブを閉じて前記第3のバルブを開き、その後、前記制御部に前記前処理槽導入移行信号を出力して前記第1のバルブを開かせることにより、前記処理槽から前記処理液を前記廃液槽に回収する。
表示装置12は、受信した信号に基づいて、半導体製造装置10が待機中であることを示す表示、稼動中であることを示す表示、又は異常であることを示す表示を行う。
このため、制御装置7,8を改造しなくても、半導体製造装置10が待機中のときに省エネルギーのためにドライポンプ6を停止することができる。
本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
表示装置57は、受信した信号に基づいて、半導体製造装置50が待機中であることを示す表示、稼動中であることを示す表示、又は異常であることを示す表示を行う。
このため、制御装置56,62を改造しなくても、半導体製造装置50が待機中のときに、省エネルギーのために燃焼式除害装置60を停止することができる。
Claims (8)
- 半導体製造装置と、
前記半導体製造装置を制御する第1の制御部と、
前記半導体製造装置の補機と、
前記補機を制御する第2の制御部と、
を具備し、
前記第1の制御部は、前記半導体製造装置が駆動している場合及び前記半導体製造装置が待機している場合には前記補機を動作させる指示信号を出力し、
前記第2の制御部は、前記補機が動作している場合には補機動作中信号を出力し、前記補機が停止している場合には補機停止中信号を出力し、
前記第1の制御部と前記第2の制御部を電気的に接続する第3の制御部をさらに有し、
前記第1の制御部は、前記第2の制御部が出力した前記補機動作中信号又は前記補機停止中信号を前記第3の制御部を介して受信し、かつ前記補機動作中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動又は待機状態にし、前記補機停止中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動させない状態にし、
前記第2の制御部は、前記第1の制御部が出力した前記指示信号を前記第3の制御部を介して受信し、かつ前記指示信号を受信している場合に前記補機を動作状態にし、
前記第3の制御部は、前記半導体製造装置が待機状態であることを検出した場合に、前記指示信号を前記第2の制御部に受信させず、前記補機を停止させ、かつ前記第2の制御部から受信した前記補機停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力し、前記半導体製造装置の待機状態を維持する半導体製造システム。 - 前記半導体製造装置が動作中であることを示す装置動作中信号を受信した場合には動作中であることを示す表示を行い、前記半導体製造装置が待機中であることを示す装置待機中信号を受信した場合には待機中であることを示す表示を行う表示装置を更に具備し、
前記第1の制御部は、前記表示装置及び前記第3の制御部に、前記装置動作中信号又は前記装置待機中信号を出力し、
前記第3の制御部は、前記装置待機中信号を受信した場合に、前記半導体製造装置が待機中であることを検出する請求項1に記載の半導体製造システム。 - 前記半導体製造装置は真空チャンバー内で処理を行う装置であり、
前記補機は、前記真空チャンバーを排気する真空ポンプである請求項1又は2に記載の半導体製造システム。 - 前記半導体製造装置と前記真空ポンプを接続する排気管と、
前記排気管に設けられ、前記半導体製造装置が待機中の時に閉まり、前記半導体製造装置が動作中のときは開く第1のバルブと、
を具備し、
前記第3の制御部は、前記第1のバルブが閉じた場合に、前記半導体製造装置が待機中であると判断する請求項3に記載の半導体製造システム。 - 前記排気管に設けられ、前記第1のバルブと前記真空ポンプの間に位置し、前記第3の制御部から出力される制御信号に従って開閉する第2のバルブと、
前記第1のバルブと前記第2のバルブの間に位置する前記排気管の圧力を測定する真空計と、
を具備し、
前記第3の制御部は、
前記第2のバルブを、前記半導体製造装置が待機中であって前記補機を停止させる時に閉め、前記補機が動作中のときは開き、
前記半導体製造装置が待機中であることを検出して前記補機を停止させた後に、前記真空計によって測定された前記排気管の圧力が基準値以上になった場合に、前記第2の制御部を介して前記真空ポンプを動作させ、かつ前記第2のバルブを開く請求項4に記載の半導体製造システム。 - 前記半導体製造装置は、真空チャンバー内に処理ガスを導入して処理を行う装置であり、
前記補機は、前記真空チャンバーからの排気を除害する除害装置である請求項1又は2に記載の半導体製造システム。 - 半導体製造装置を制御する第1の制御部と、前記半導体製造装置の補機を制御する第2の制御部を電気的に接続する制御装置であって、
前記第2の制御部が出力した信号であって、前記補機が動作していることを示す補機動作中信号、及び前記補機が停止していることを示す補機停止中信号を受信する受信部と、
前記補機動作中信号又は前記補機停止中信号を前記第1の制御部に出力する出力部と、
前記第2の制御部を介して前記補機を制御する演算制御部と、
を具備し、
前記受信部は、前記半導体製造装置が駆動している場合及び前記半導体製造装置が待機している場合に、前記第1の制御部から出力される前記補機を動作させる指示信号を受信し、
前記出力部は、前記受信部で受信した前記指示信号を前記第2の制御部に出力し、
前記第2の制御部は、前記指示信号を受信している場合に前記補機を動作状態にし、
前記第1の制御部は、前記出力部から出力した前記補機動作中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動又は待機状態にし、前記出力部から出力した前記補機停止中信号を受信している場合に前記半導体製造装置を駆動させない状態にし、
前記演算制御部は、前記半導体製造装置が待機状態であることを検出した場合に、前記指示信号を前記第2の制御部に前記出力部から出力させず、前記補機を停止させ、かつ前記出力部から、前記第2の制御部から受信した前記補記停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力し、前記半導体製造装置の待機状態を維持する制御装置。 - 半導体製造装置と、
前記半導体製造装置の補機と、
前記半導体製造装置を制御し、かつ前記半導体製造装置が駆動又は待機状態である場合には前記補機を動作させる指示信号を出力する第1の制御部と、
前記補機が動作している場合には補機動作中信号を、前記補機が停止している場合には補機停止中信号を、それぞれ出力する第2の制御部と、
前記第1の制御部と前記第2の制御部を電気的に接続する第3の制御部と、
を具備し、前記第1の制御部は、前記第2の制御部から出力した前記補機動作中信号を前記第3の制御部を介して受信している場合に前記半導体製造装置を駆動又は待機状態にし、前記第2の制御部から出力した前記補機停止中信号を前記第3の制御部を介して受信している場合に前記半導体製造装置を駆動させない状態にする半導体製造システムの制御方法であって、
前記第2の制御部が、前記第1の制御部から出力された前記指示信号を前記第3の制御部を介して受信し、かつ前記指示信号を受信している場合に前記補機を動作状態にし、
前記第3の制御部が、前記半導体製造装置が待機状態であることを検出した場合に、前記指示信号を前記第2の制御部に受信させず、前記補機を停止させ、かつ前記第2の制御部から受信した前記補機停止中信号の代わりに、前記補機動作中信号を前記第1の制御部に出力し、前記半導体製造装置の待機状態を維持する半導体製造システムの制御方法。
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