JP4336342B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
消去対象として選択された前記メモリセルの前記電気的属性を前記消去用分布範囲内に属するように消去する消去手段と、前記電気的属性が前記消去用分布範囲内に属するメモリセルの前記電気的属性を前記2以上の書き込み用分布範囲の中から記憶される前記データ値に応じて選択される1の前記書き込み用分布範囲に属するように書き込む書込手段と、を具備することを特徴とする。
制御回路31は、外部からの書き込み信号を受け、回路13〜19を制御する制御、ワード線電圧及びビット線電圧の設定、ビット線電圧を印加する選択メモリセルの選択等を行う。更に、制御回路31は、センスアンプ・アレイ15からの信号を受け、ベリファイ動作時に判定を行ったり、読み出し動作時に外部の出力端子に信号を出力したりする。
まず、ワード線電圧供給回路13は消去電圧発生回路18から発生された消去ゲート電圧(例えば、“−10V”)を消去対象の選択メモリセルアレイに対応する各ワード線に印加する。また、消去対象の選択メモリセルアレイに対応する共通ウエルに対して消去ウエル電圧(例えば“8V”)を供給する。更に、選択メモリセルアレイ内の各メモリセルのドレインをオープン状態にするとともに、各メモリセルのソースもオープン状態とする。これにより、選択メモリセルアレイ内の全てのメモリセルの情報が消去される(ST51)。このとき、予め決められた単位時間の消去動作を間欠的に繰り返すことにより、徐々に情報の消去を行う。よって、単位時間の消去動作毎に消去ベリファイ動作も行う(ST52)。そして、選択メモリセルアレイ内の全てのメモリセルの閾値電圧が、消去用分布範囲に属したと判定するまで、消去ベリファイ動作と消去ゲート電圧の印加とを繰り返すことにより、情報の消去を行う。
最初に、“11”書き込み対象の選択メモリセルの閾値電圧を、“11”分布範囲とするように、データ“11”の書き込みを行う。このとき、選択メモリセルの閾値電圧は、消去用分布範囲に属している。まず、書き込み電圧の印加を実施する前に、選択メモリセルの閾値電圧が“11”分布範囲に属するか否かを判定する(書き込みベリファイ動作)(ST53)。このとき、過剰に消去されたメモリセルの影響を回避するために、書き込みベリファイ時に、非選択ワード線電圧を、非選択メモリセルの閾値電圧以下とする。また、“11”分布範囲の下限値に等しいワード線電圧を“11”ベリファイ用のリファレンスセルの制御ゲートに供給して、電流量Irefの電流がリファレンスセルに流れるようにする。
まず、“11”書き込み対象の選択メモリセルの閾値電圧が“11”分布範囲に属するか否かを判定する。このとき、書き込みベリファイ時に、非選択ワード線電圧を、非選択メモリセルの閾値電圧以下とする。また、“11”分布範囲の下限値に等しいワード線電圧を“11”ベリファイ用のリファレンスセルの制御ゲートに供給して、電流量Irefの電流がリファレンスセルに流れるようにする。
(1)上記実施形態では、データ“11”、“10”、“01”、“00”の順番に書き込み電圧を印加したが、任意の順番で書き込み電圧を印加することも可能である。
12 :リファレンスメモリセルアレイ
13 :ワード線電圧供給回路
14 :ビット線電圧供給回路
15 :センスアンプ・アレイ
16 :書き込み電圧発生回路
17 :読み出し発生回路
18 :消去電圧発生回路
19 :基板電圧供給回路
20 :制御ゲート
21 :層間絶縁膜
22 :フローティングゲート
23 :酸化膜
24 :ドレイン
25 :ソース
26 :チャネル領域
31 :制御回路
100 :メモリセルアレイ
SL :共通ソース線
WL0〜WLn:ワード線
BL0〜BLm:ビット線
Claims (13)
- 電気的属性の変化により情報を記憶可能で、当該電気的属性を電気的に変化させることにより、情報の消去及び書き込みを可能とするメモリセルを複数配列してなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセルは、前記電気的属性が2以上の相互に重なり合わない書き込み用分布範囲の内の何れか1つに属することに対応して、前記書き込み用分布範囲と同数のデータ値から選択される1のデータ値を記憶することとし、
すべての前記メモリセルの前記電気的属性に、前記2以上の書き込み用分布範囲と、前記書き込み用分布範囲の何れとも完全には一致せず、記憶される前記データ値の何れとも対応しない消去用分布範囲を割り当て、
消去対象として選択された前記メモリセルの前記電気的属性を前記消去用分布範囲内に属するように消去する消去手段と、
前記電気的属性が前記消去用分布範囲内に属するメモリセルの前記電気的属性を前記2以上の書き込み用分布範囲の中から記憶される前記データ値に応じて選択される1の前記書き込み用分布範囲に属するように書き込む書込手段と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記消去手段が、書き込み対象として選択された前記メモリセルの前記電気的属性を前記消去用分布範囲内に属するように消去した後、連続して、前記書き込み手段が、前記電気的属性が前記消去用分布範囲内に属するメモリセルの前記電気的属性を前記2以上の書き込み用分布範囲の中から記憶される前記データ値に応じて選択される1の前記書き込み用分布範囲に属するように書き込むことを実行可能とするように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルは、蓄積する電荷の多寡により情報を記憶するフローティングゲートと、ソースと、ドレインと、当該フローティングゲートの電位レベルを制御する制御ゲートとを有するものであり、
各前記メモリセルは、行方向及び列方向にマトリクス状に配列され、且つ、
同一行の前記メモリセルの各制御ゲートは、共通のワード線に接続されるとともに、同一列の前記メモリセルの各ドレインは、共通のビット線に接続されてなり、
更に、前記電気的属性は、前記メモリセルによって構成されるMOSFETの閾値電圧であることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記消去用分布範囲の上限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も低い分布範囲の上限値以下であるか、または、前記消去用分布範囲の下限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も高い分布範囲の下限値以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記消去用分布範囲の上限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も低い分布範囲に対応するデータ値を消去状態メモリセルに書き込む際に隣接メモリセルに与える閾値電圧の変動分だけ、前記最も低い分布範囲の上限値より低いか、または、前記消去用分布範囲の下限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も高い分布範囲に対応するデータ値を消去状態メモリセルに書き込む際に隣接メモリセルに与える閾値電圧の変動分だけ、前記最も高い分布範囲の下限値より高いことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記消去用分布範囲の下限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も低い分布範囲の下限値より低いか、または、前記消去用分布範囲の上限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も高い分布範囲の上限値より高いことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記消去用分布範囲の上限値は、前記書き込み用分布範囲の内の最も低い分布範囲の上限値以下であり、且つ、
前記消去用分布範囲の下限値は、前記最も低い分布範囲の下限値より低いことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記消去用分布範囲の上限値は、前記最も低い分布範囲に対応するデータ値を消去状態メモリセルに書き込む際に隣接メモリセルに与える閾値電圧の変動分だけ、前記最も低い分布範囲の上限値より低いことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書込手段は、書き込み対象の全ての前記メモリセルに書き込み電圧を印加した後に、前記メモリセルの閾値電圧が所望のデータ値に対応する前記書き込み用分布範囲内に属するか否かを判定する書き込みベリファイ動作を行うことを特徴とする請求項7または8項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書込手段は、書き込み対象の前記メモリセルの閾値電圧が所望のデータ値に対応する前記書き込み用分布範囲内に属すると判定するまで、前記書き込みベリファイ動作と書き込み電圧の印加とを繰り返すことを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記消去手段は、消去ベリファイ動作の際に、消去対象の選択メモリセルが接続されていない非選択ワード線に、前記選択メモリセルが接続された選択ビット線上にある消去対象でない非選択メモリセルの閾値電圧の内で最も低い閾値電圧以下である電圧を印加することを特徴とする請求項7〜10の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書込手段は、書込ベリファイ動作の際に、書込ベリファイ動作対象の選択メモリセルが接続されていない非選択ワード線に、前記選択メモリセルが接続された選択ビット線上にある書込ベリファイ動作対象でない非選択メモリセルの閾値電圧の内で最も低い閾値電圧以下である電圧を印加することを特徴とする請求項7〜11の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記書込手段は、各データ値を書き込む際に、書き込み対象の選択メモリセルが接続されていない非選択ワード線に、前記選択メモリセルが接続された選択ビット線上にある書き込み対象でない非選択メモリセルの閾値電圧の内で最も低い閾値電圧以下である電圧を印加することを特徴とする請求項7〜12の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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