JP4329938B2 - 発光デバイスおよび同製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は発光デバイスおよびその製造方法に関し、より詳しくは発光デバイスのための発光粉体層およびその製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は高輝度、低容積、低電力消費および長寿命等を有しており、また多様な表示製品に使用される。ＬＥＤの発光原理は次の通りである。電圧がダイオードに印加され、電子とホールの組み合わせが駆動される。この組み合わせがダイオードから光を放出する。さらに、蛍光体がＬＥＤに添加され、発光波長（色）と発光強度が同調される。
白色ＬＥＤが照明分野に使用することができる。二つの白色ＬＥＤ構造がある。その一つが単一チップＬＥＤである。このＬＥＤが単一ＬＥＤチップと蛍光体を使用して白色光を得る。たとえば、白色ＬＥＤは青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体を使用するか、またはＵＶ ＬＥＤチップ、青色、緑色および赤色蛍光体を使用して白色ＬＥＤを得ることができる。別の白色ＬＥＤは多数のチップＬＥＤを使用する。このＬＥＤは複数のＬＥＤチップと蛍光体を使用して白色光を得る。たとえば、白色ＬＥＤは青色、緑色および赤色ＬＥＤチップを使用して白色ＬＥＤを得ることができる。しかし、多数のチップＬＥＤは複数のＬＥＤチップを有し、異なる駆動電圧、発光強度、温度特性および寿命を有している。したがって、ＬＥＤの設計はより複雑であり、またより高い費用がかかる。したがって、単一チップＬＥＤがより実用的である。
単一チップＬＥＤの簡単な構造は、単一ＬＥＤチップと蛍光体を使用して白色光を得ている。図１において、ＬＥＤはリード・フレーム１１と電気的に接触する一対の電極１０を備えている。ＧａＮのようなＬＥＤ１２がリード・フレーム１１内に配備され、またエポキシまたはゲルを含む接着剤１３が、ＬＥＤ１２を覆うリード・フレーム１１内に施される。ＹＡＧを含む蛍光体１４が接着剤１３内に分散される。最終的に、ＬＥＤがパッケージ材料１５によって包まれる。
上述のＬＥＤにおいて、ＹＡＧは樹脂と混合され、青色ＧａＮ ＬＥＤチップ上にコーティングされる。これに反して、この方法は時間および材料の点で非能率であり、樹脂の吸収率および低いＹＡＧ分散のためにＬＥＤ発光効率および均一性が低下する。
さらに、特許文献１には、蛍光体がガラス層に混合されて湿気の流入が阻止されることが開示されている。しかし、ＹＡＧは充分混合されないので、ＬＥＤ発光効率および均一性が低下する。
特許文献２および特許文献３は、蛍光体構造が電気泳動によってＬＥＤチップ上に形成されることを開示している。蛍光体粉体は電荷を介してゲルに変換し、電圧を印加することによる電界によって形成されなければならない。導電板をＬＥＤチップ面に付加して蛍光体をこの面に吸引する必要がある。
特許文献４は、蛍光体構造がスク蛍光体印刷法によってＬＥＤチップ面上に形成される。このスク蛍光体印刷法において、ステンシルがまず製造され、凝固剤が蛍光体粉体に付加されてＬＥＤチップ面上に蛍光体粉体が凝固される必要がある。
特許文献４は、上述した技術によるＬＥＤ構造を開示している。
特許文献５は、蛍光体が接着剤によって半導体デバイスに接着されることを開示している。
米国特許第６６４２６１８号明細書 米国特許第６５７６４８６号明細書 米国特許第６６８６５８１号明細書 米国特許第６，６５０，０４４号明細書 台湾特許出願第９０１０４８６２号明細書
これらの公知の技術において、蛍光体は接着剤または電気泳動によってのみＬＥＤチップ面上に形成される。
したがって、本発明は発光ダイオード・デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は蛍光体層をＬＥＤチップ面上に配置し、蛍光体粉体と接着剤混合物質問題に焦点をあてる別の方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の態様は、発光半導体デバイスと；
発光半導体デバイスの光路上に配備される接着剤を含まない発光粉体層であって、その少なくとも一部が凝固される発行粉体層と；
を備えた発光デバイスである。
本発明の第２の態様は、複数の発光粒体を、接着材料を含まない液体中に分散させ混合物を形成する工程と；
発光粒体が基板上に沈殿させるために一定時間混合物中に基板を配備する工程と；
液体を除去して発光粉体層として発光粒体を基板に凝固させる工程と；
を備えた発光デバイス製造方法である。
本発明によれば、発光ダイオード・デバイスおよびその製造方法が提供される。また、本発明によれば、蛍光体層をＬＥＤチップ面上に配置し、蛍光体粉体と接着剤混合物質問題に焦点をあてる別の方法が提供される。
本発明は、発光半導体デバイスおよびこの発光半導体デバイスの光路上の発光粉体層を備えた発光デバイスを提供する。発光粉体層の少なくとも一部が凝固し、接着材料を含まない。
本発明はさらに、発光デバイスの製造方法を提供する。この方法は発光半導体デバイスを提供する工程と、発光半導体デバイスの光路に複数の発光粒体を配置する工程と、発光粒体間の距離を短縮して発光粒体間の分子吸引を高揚する工程とを含んでいる。次に、発光粒体が凝固されて分子吸引によって発光粉体層が形成される。
本発明をよりよく理解するために、添付図面に関して詳細な説明を読むことで参照する。
上述した目的および他の目的、特徴と利点を理解するために、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して次に詳細に説明する。
実施の形態は基板の光路に複数の発光粒体を配置し、発光粒体間の距離を短縮して発光粒体間の分子吸引を高揚するためのＬＥＤデバイス製造方法を開示する。発光粒体は分子吸引によって発光粉体に凝固される。
上述方法を得るために、一実施の形態は次の工程を備えている。すなわち、液体中に複数の発光粒体を分散し、混合体を形成する工程と、発光粒体が基板上に沈殿するまでの間混合物内に基板を配置する工程と、液体を除去して基板上の発光粒体を凝固させるとともに基板に発光粒体を接着させる工程である。
発光粒体の濃度は、発光粒体の沈殿物の液体濃度よりも高い。発光粒濃度は、約０．００１〜１ｇ／ｍｌであり、好ましくは０．０１〜０．１５ｇ／ｍｌである。発光粒体の大きさは、約０．１〜１００μｍである。たとえば、蛍光体の平均粒体サイズは、約３〜１３μｍである。さらに、ナノスケールの発光粒体が本発明の実施の形態に使用される。発光粒体は液体内にかろうじて溶解するか溶解しないかである。
基板はＬＥＤチップのような発光半導体デバイス、またはＬＥＤチップからなる層である。
次の実施の形態は構造を示すための一例としてＬＥＤを説明する。
ＬＥＤ
図２は本発明のＬＥＤ断面である。このＬＥＤは基板２０と発光粉体層２１を備えている。発光粉体層２１は直接基板２０上に接着されている。発光粉体層２１は、エポキシ、接着剤または同様のものを含んでいない。図２Ｂにおいて、不動態層２２を発光粉体層２１上に形成して、発光粉体層２１を保護することもできる。不動態層２２はポリマー層とすることができる。
図３Ａは本発明の別のＬＥＤ断面である。このＬＥＤはＬＥＤチップ３０と発光粉体層３５を備えている。ＬＥＤチップ３０は基板３１、複数の半導体層３２および導電体層３３を備えている。導電体層３３は、ＩＴＯ層のような導電性ガラス層とすることができる。複数の半導体層３２は、２層または２層以上とすることができる。この場合において、複数の半導体層３２は図３Ａに示す２層、すなわち、第１半導体層３２ａと第２半導体層３２ｂである。発光粉体層３５は基板３１面上に直接接着される。発光粉体層３５は、複数の半導体層３２面か、または第１半導体層３２ａ面、第２半導体層３２ｂ面、または導電体層３３面のような導電体層面に接着される。発光粉体層３５は、エポキシまたは接着剤等を含まない発光粉体のみからなる。
図３Ｂは本発明の別のＬＥＤ断面である。本ＬＥＤ構造は図３ＡのＬＥＤに類似する。その差異は、発光粉体層３５が基板３１の底面上に設けられていることである。このＬＥＤ構造は、フリップ・チップ製造に使用することができる。
発光粉体層２１と３５は、硫化物蛍光体または非硫化物蛍光体などの蛍光体である。硫化物蛍光体は有機物ポリマー・コーティング・フィルムなどのコーティング・フィルムによって被覆され、湿気および酸素のような環境要素から保護される。非硫化物蛍光体は、ＹＡＧ，ＴＡＧまたは多くの他の蛍光体とすることができる。
さらに、不動態は発光粉体層上に形成され、外部影響および汚染を回避することができる。この不動態は有機ポリマー材料である。
次の実施の形態は、光路ゾーン構造および非光路ゾーン構造を伴う発光半導体チップを開示する。
発光デバイス
図６Ｂを参照して、発光デバイスは発光半導体デバイス１００と発光粉体層１３０を備えている。発光半導体デバイス１００はチップまたはウェハである。本実施の形態において、発光半導体デバイス１００は複数のチップ１２０を備えたウェハ１１０である。ウェハ１１０は光路ゾーンＯＰと非光路ゾーンＮＯＰに分離することができる。
発光粉体層１３０が、チップ１２０の面、すなわち、光路ゾーンＯＰ上に接着される。発光粉体層１３０の少なくとも一部、主要部分または全体が凝固され、接着剤を含まない。本実施の形態において、発光粉体層１３０は蛍光体からなり、また分子間吸引によって凝固される。したがって、発光粉体は樹脂、有機ポリマー、固体材料またはガラス状ゲルのような接着剤を含まない。
本発明において、第１不動態層１４０が発光粉体層１３０上に形成され、スクラッピングを回避し、不動態層１４０が発光粉体層１３０の頂面を少なくとも覆っている。第２に、第２不動態層１５０が第１不動態層１４０と発光粉体層１３０を少なくとも覆っており、またチップ１２０を覆っている。第２不動態層１５０の厚さは、第１不動態層１４０よりも厚い。一実施の形態において、第１不動態層１４０はストレス・バッファ層であって、次の熱処理における粉体層への損傷を回避する。このストレス・バッファ層はシリコン・ゲルのようなより柔軟な材料からなる。第２不動態層１５０は、エポキシのような硬質材料からなり、スクラッピングまたはクラッシングを回避している。
発光粉体が硫化物蛍光体および非硫化物蛍光体を含み、非硫化物蛍光体が本実施の形態に使用される。発光半導体デバイスの実施の形態を図３Ａおよび３Ｂに示す。
発光パッケージ構造
図４Ａは本発明の発光パッケージ構造の断面である。本実施の形態において、発光半導体デバイスはＬＥＤ４０である。まず、図２に示したようなＬＥＤがリード・フレーム４１内に取り入れられ、リード・フレーム４１が一対の電極４２と電気的に接触される。リード・フレーム４１、基板２０および発光粉体層２１がパッケージ材料４３によって包み込まれる。さらに、不動態層２２が発光粉体層２１上に形成され、発光粉体層２１が保護される。不動態層２２はポリマー層またはエポキシを含ませることができる。
図５は本発明の別の発光パッケージ構造を示す断面である。図３Ａに示したようなＬＥＤが一対の電極５２と電気的に接触している。リード・フレーム５１、発光チップ３０および発光粉体層３５が、パッケージ材料５３によって包み込まれる。
本発明の発光デバイスは、フリップ・チップ構造のような他のパッケージ構造に使用することができる。
光源
図７を参照して、発光デバイス４０（５０）が回路板Ｌと電気的に接触して、光源２００を形成している。
バックライト・モジュール
図８Ａおよび８Ｂを参照して、光源２００がモジュール本体２１０の下方に、またはモジュール本体２１０の側壁に配備されて発光する。
表示デバイス
図８Ａおよび８Ｂは表示素子３００を示す。光源ないしバックライト・モジュールが、光源を表示素子３００に提供して表示デバイスを形成している。
次に上述したデバイスの製造方法およびシステムを説明する。
発光デバイスのための製造システム
図９を参照して、本実施の形態は発光デバイスのための製造システムを開示する。この製造システムは容器９５０と、基板９６０を容器９５０内に配置するための配置デバイス９４０と、液体９８０を容器９５０内に注入するための液体供給デバイス９１０と、基板９６０より高位にある液体９８０と、複数の発光粉体と液体９８０を混合して混合物を形成するための攪拌デバイス９２０と、任意に接着剤を含まない液体９８０と、発光粉体が基板９６０上に沈殿した後、液体９８０を除去するための液体排出デバイス９３０とを備えている。発光粉体は基板９６０上に凝固し、接着して発光粉体層９７０を形成する。
発光デバイスの製造方法
上述の製造システムによって、本実施の形態は図６Ｂに示したような発光半導体デバイスを提供する。複数の発光粉体が、チップ１２０の面上のような発光半導体デバイスの光路上に配備される。発光粉体間の距離が短縮され発光粉体の分子間吸引が高揚されて、発光粉体が凝固し発光粉体層１３０が形成される。
発光粉体層１３０の形成工程は、次の通りである。すなわち、複数の発光粉体が液体と混合される。次に、複数の発光粉体が半導体チップないしウェハ１２０の光路上に配置される。液体が除去され発光粉体が発光粉体層に凝固される。
本実施の形態において、液体は水または揮発性溶剤を含み、エポキシまたは接着剤を含んでいない。揮発性溶剤は、エーテル、メタノール、エタノールまたはアセトンのようなエーテル類、アルコール類およびケトン類からなるグループを含んでいる。
発光半導体チップまたはウェハは、液体９８０を収容する容器９５０内に取り入れられ、発光粉体は液体内に分散され、混合物が形成される。
半導体チップないしウェハ９６０上の発光粉体の均一性を増すために、発光粉体堆積時間は任意に長くすることができる。液体９８０の高さは半導体チップないしウェハ９６０よりも高く、これによって発光粉体が半導体チップないしウェハ９６０上に堆積可能になる。液体９８０の高さは半導体チップないしウェハ９６０の高さの約３．５−６倍であるのが好ましい。
焼成工程
同実施の形態において、液体除去工程が焼成工程となる。この焼成工程は液体を除去する焼成温度を備えている。焼成温度によって生じる攪拌は、発光半導体チップないしウェハ上の発光粉体の構成に影響しないように調整される。
焼成温度は一般的に室温よりも高い。好ましくは、焼成温度は約４０〜３００℃である。たとえば、エタノール焼成温は約８０℃である。さらに、焼成工程は複数の工程を備えている。たとえば、液体は第１温度および第２温度で除去される。
液体除去工程は、さらに焼成工程の前に実行される。液体除去工程は排水工程または注水工程を備えている。
図６Ａを参照して、複数の発光粉体が液体と混合される。次に、発光粉体は光路ゾーンＯＰおよび半導体ウェハの非光路ゾーンＮＯＰ上に堆積される。液体が除去された後、発光粉体が発光粉体層に凝固する。さらに、第１不動態層１４０が形成され、図６Ａに示したように半導体ウェハの光路ゾーンＯＰ上で発光半導体層１３０を保護する。半導体ウェハの非光路ゾーンＮＯＰ上の発光粉体層が洗浄ないし除去されるときに、半導体ウェハ光路ゾーンＯＰ上の発光粉体層が不動態層１４０によって保護される。半導体ウェハの非光路ゾーンＮＯＰ上の発光粉体層が除去された後、第２不動態層１５０が第１不動態層１４０と発光粉体層を覆うように形成される。
次は発光デバイスのための製造システムによるＬＥＤ製造方法を示す。
ＬＥＤ製造方法
最初に、発光粉体が液体内に投入され、発光粉体の濃度が液体の濃度よりも高くなり、発光粉体が液体に不溶解性、すなわち液体に対して低溶解性となり、発光粉体が液体内で安定化して液体と化学的反応をしなくなる。発光粉体は攪拌棒によって、または超音波攪拌によって液体と充分混合されて混合物が生成される。発光粉体は蛍光体であり、また蛍光体は硫化物蛍光体または非硫化物蛍光体である。硫化物蛍光体はさらに有機ポリマー・コーティング・フィルムなどのコーティング・フィルムによって被覆され、湿気および酸素のような環境要因を妨げる。非硫化物蛍光体はＹＡＧ，ＴＡＧまたは多くの他の蛍光体である。
基板がある時間の間混合物内に投入され、混合物の高さが少なくとも１０μｍの基板頂面よりも高くなければならない。次に、発光粉体が重力によって自然に基板上に堆積する。したがって、発光粉体の濃度は液体よりも高く、そうでなければ堆積は発生しない。発光粉体の粒体サイズは一般的に０．０１〜１００μｍである。もし粒体が小さすぎれば、堆積時間は長くなりすぎ、出力が低下する。もし発光粉体が大きすぎれば、発光粉体層の均一性が低下する。発光粉体層の厚みの均一性を達成するために、発光粉体と液体の濃度は約０．００１〜１ｇ／ｍｌであり、好ましくは０．０１〜１５ｇ／ｍｌである。もし濃度が高すぎれば、発光粉体が浪費されるか、または発光粉体層が厚くなりすぎる。もし濃度が低すぎれば、堆積時間が長くなりすぎ、また発光粉体層が薄くなりすぎる。
最終的に、液体が焼成によって除去され、排出および／または注入によって基板上に発光粉体層が形成される。液体除去工程は発光粉体層を攪拌してはならなく、そうでなければ理想的な発光粉体層を得ることができない。焼成温度は４０〜３００℃である。もし焼成温度が低すぎると、焼成時間が長くなりすぎるか、または液体の乾燥が困難になる。もし焼成温度が高すぎると、基板および／または発光粉体が損なわれてしまい、また発光粉体層が攪拌されてしまう。液体が除去されるときに、発光粉体間の距離が短くなり、また発光粉体層がファンデルワースル力のような分子間力によって形成される。さらに、焼成工程は第１焼成工程と第２焼成工程のような複数の焼成工程を備えている。第１焼成工程において、焼成温度は液体の沸点よりも低く、発光粉体層面上における気泡の形成が回避される。第２焼成工程において、焼成温度は液体を全て乾燥させるくらい高く、また基板または発光粉体損傷温度、たとえば３００℃よりも低い。
さらに、不動態層がコーティング方法によって発光粉体層上に形成される。この不動態層は有機ポリマーである。
上述した製造方法において、もし発光粉体が液体内で溶解すれば、発光粉体層は形成されない。発光粉体が液体内で溶解するときに、もし混合物が過飽和であっても、本発明では形成。発光粉体の過量方法は費用が増大する。そうでなければ、発光粉体が液体内で不安定になるか、または液体との化学反応が生じ、発光粉体が悪化ないし分解する。したがって、液体は不溶解性、かろうじて溶解し、安定であり、また発光粉体と化学反応しないことが好ましい。液体は水、アルコール類、ケトン類および／またはエーテル類である。アルコール類はエタノールであり、ケトン類はアセトンであり、エーテル類はエーテルである。
さらに、基板はＬＥＤチップまたは他多くのＬＥＤチップの層、換言すれば、発光粉体層はＬＥＤチップのいずれの面上にも形成される。
次の実施例は液体として水およびエタノールを規定したものである。
実施例１
ニチア・コーポレーションによって製造されたＹＡＧ蛍光体が水中に投入され超音波攪拌によって混合物が形成された。ＧａＮチップがＴＡＧ蛍光体堆積のために約２０分間混合物中に投入された。混合物面がＧａＮチップの頂面よりも高く、これによってＹＡＧ蛍光体がＧａＮチップ上に堆積された。水が一定時間約５０度で蒸発され、次に約２００℃で乾燥されて水が全て乾燥され、ＹＡＧ蛍光体が凝固された。水除去工程において、真空処理が実行されて水除去率が高められた。
実施例２
ニチア・コーポレーションによって製造されたＹＡＧ蛍光体がエタノール中に投入され、超音波攪拌によって混合物が形成された。ＧａＮチップが混合物中に投入され、ＹＡＧ蛍光体堆積のために約２０分保持された。混合物面がＧＡＮチップの頂面よりも高く、これによってＹＡＧ蛍光体がＧａＮチップ上に堆積された。エタノールが一定時間約８０℃で蒸発され、次に約１５０℃で乾燥されてエタノールが全て乾燥され、ＹＡＧ蛍光体が凝固した。エタノール除去工程において、真空処理が実行されてエタノール除去率が高められた。
ＬＥＤ測定データ、ＣＩＥ座標および輝度が次のよう与えられた。ＬＥＤは蛍光体が樹脂と混合される従来の方法と本発明の方法によって製造され、またＧａＮ ＬＥＤチップおよびＹＡＧ蛍光体が使用された。駆動条件は次の通りである。
（駆動条件１）
励起波長：４６０〜４６５ｎｍ
電 力 ：４０〜５０ｍｃｄ
電 圧 ：３．２〜３．３Ｖ
（駆動条件２）
励起波長：４７０〜４７５ｎｍ
電 力 ：４０〜５０ｍｃｄ
電 圧 ：３．２〜３．３Ｖ
Figure 0004329938
Figure 0004329938
表１および２から、例のＬＥＤは白色およびより明るい光を放出する。したがって、本発明によって製造され、かつ、より長い波長（低エネルギー）によって励起されたＬＥＤの光の強度は、公知の方法によって製造され、かつ、より短い波長（より大きいエネルギー）によって励起されたＬＥＤの光の強度に近接している。これは本発明のＬＥＤがより優れた光電変換率を有していることを示している。
本発明に基づく発光デバイスおよび製造方法の利点は、次の通りである。
１．本発明の発光粉体層が、エポキシまたは接着剤のような媒体をまったく含まない発光半導体デバイス内またはその上に直接接着されるので、印加エネルギーが媒体によって浪費されず、また発光デバイスがより高い発光効率を有する。
２．本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、発光デバイスを被覆しない。したがって、本発明の製造方法はより簡単、かつ、生産量を高めることができる。
３．本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、次に発光デバイスを被覆しない、これによって媒体内の発光粉体の不均一性が発生しない。
４．本発明の発光粉体層が直接接触方法によって製造され、この方法が失敗したとき、発光粉体層はたとえばブラッシング方法によって再稼動することができる。したがって、この再稼動は非常に容易であり、かつ、費用が安い。
本発明は実施例により、また好ましい実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではないことが理解されよう。
従来のＬＥＤ構造を示す断面図である。 ＬＥＤ構造の実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤ構造の別の実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤ構造のさらなる実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤ構造のさらに別の実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤパッケージ構造の実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤパッケージ構造の別の実施の形態を示す断面図である。 ＬＥＤパッケージ構造のさらに別の実施の形態を示す断面図である。 第１不動態を伴うＬＥＤパッケージ構造の実施の形態を示す断面図である。 第２不動態を伴うＬＥＤパッケージ構造の実施の形態を示す断面図である。 光源構造の実施の形態を示す断面図である。 表示デバイスの実施の形態を示す断面図である。 表示デバイスの別の実施の形態を示す断面図である。 光源デバイスのための製造システムの実施の形態を示す機構図である。
符号の説明
１０ 電極
１１ リード・フレーム
１２ ＬＥＤ
１３ 接着剤
１４ 蛍光体
１５ パッケージ材料
２０ 基板
２１ 発光粉体層
２２ 不動態層
３０ ＬＥＤチップ
３１ 基板
３２ 半導体層
３３ 導電体層
３５ 発光粉体層
４０ ＬＥＤ
４１ リード・フレーム
５１ リード・フレーム
５３ パッケージ材料
１００ 発光半導体デバイス
１１０ ウェハ
１２０ チップ
１３０ 発光粉体層
１４０ 第１不動態層
１５０ 第２不動態層
２００ 光源
２１０ モジュール本体
３００ 表示要素
９１０ 液体供給デバイス
９２０ 攪拌デバイス
９３０ 液体排出デバイス
９４０ 配置デバイス
９５０ 容器
９６０ 基板
９７０ 発光粉体層
９８０ 液体

Claims (9)

  1. 発光半導体ウェハを提供する工程と；
    発光半導体ウェハと対応する光路ゾーンを規定する工程と；
    光路ゾーン上に発光半導体ウェハと対応する発光粉体層を形成する工程と；
    を備えた発光デバイス製造方法であって、
    前記発光半導体ウェハが複数のチップ上表面を含み、前記光路ゾーンが前記発光半導体ウェハの上もしくはそれより上にあり、
    前記複数のチップ上表面に隣接する非光路ゾーンを定義する工程がさらに含まれ、
    光路上の発光粉体層を形成する工程が、
    前記光路ゾーン上と前記非光路ゾーン上の発光粉体層を形成する工程と；
    前記光路ゾーン上の発光粉体層を覆う不動態層を形成する工程と；
    前記非光路ゾーン上の発光粉体層を除去する工程と；
    からなり、
    前記発光粉体層を形成する工程が、
    接着材料を含まない液体中で、混合物を得るために複数の発光粒体を分散する工程と；
    発光粒体が発光半導体ウェハ上に堆積するように、一定時間発光半導体ウェハ上に混合物を配備する工程と；
    発光粒体を、発光粉体層として発光半導体ウェハ上に凝固するために液体を除去する工程と；
    からなることを特徴とする発光デバイス製造方法。
  2. 発光粉体層上にストレス・バッファ層を形成する工程がさらに含まれてなる、請求項１記載の発光デバイス製造方法。
  3. ストレス・バッファ層上に保護層を形成する工程がさらに含まれてなる、請求項２記載の発光デバイス製造方法。
  4. 保護層がストレス・バッファ層よりも厚いことを特徴とする、請求項３記載の発光デバイス製造方法。
  5. 保護層がストレス・バッファ層よりも硬いことを特徴とする、請求項３記載の発光デバイス製造方法。
  6. 光路ゾーン上に、電気泳動法を用いない方法を備えた発光粉体層を形成する工程である、請求項１記載の発光デバイス製造方法。
  7. 液体の沸点よりも低い焼成温度で第一焼成工程が実行される液体を除去する工程である、請求項１記載の発光デバイス製造方法。
  8. 第一焼成工程を実行した後に液体を乾燥するため、発光半導体ウェハまたは発光粉体層が損なわれる焼成温度である３００℃より低い焼成温度による第二焼成工程がさらに含まれてなる、請求項７記載の発光デバイス製造方法。
  9. 前記発光粉体層の主要部分が、凝固され、かつ分子間相互作用の吸引によって凝固されてなる複数の発光粒体を備えることを特徴とする請求項１記載の発光デバイス製造方法。
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