JP2008258659A - 発光デバイスおよび同製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオード・デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】発光デバイス製造方法。発光デバイスの製造方法は、発光半導体デバイスを用意する工程と;発光半導体デバイスの光路に複数の発光粒体を配置する工程と;発光粒体間の距離を短縮し発光粒体間の分子吸引を高めて、発光粉体を分子間吸引によって発光粉体層に凝固させる工程とを備えている。
【選択図】図2A
【解決手段】発光デバイス製造方法。発光デバイスの製造方法は、発光半導体デバイスを用意する工程と;発光半導体デバイスの光路に複数の発光粒体を配置する工程と;発光粒体間の距離を短縮し発光粒体間の分子吸引を高めて、発光粉体を分子間吸引によって発光粉体層に凝固させる工程とを備えている。
【選択図】図2A
Description
本発明は発光デバイスおよびその製造方法に関し、より詳しくは発光デバイスのための発光粉体層およびその製造方法に関する。
発光ダイオード(LED)は高輝度、低容積、低電力消費および長寿命等を有しており、また多様な表示製品に使用される。LEDの発光原理は次の通りである。電圧がダイオードに印加され、電子とホールの組み合わせが駆動される。この組み合わせがダイオードから光を放出する。さらに、蛍光体がLEDに添加され、発光波長(色)と発光強度が同調される。
白色LEDが照明分野に使用することができる。二つの白色LED構造がある。その一つが単一チップLEDである。このLEDが単一LEDチップと蛍光体を使用して白色光を得る。たとえば、白色LEDは青色LEDチップと黄色蛍光体を使用するか、またはUV LEDチップ、青色、緑色および赤色蛍光体を使用して白色LEDを得ることができる。別の白色LEDは多数のチップLEDを使用する。このLEDは複数のLEDチップと蛍光体を使用して白色光を得る。たとえば、白色LEDは青色、緑色および赤色LEDチップを使用して白色LEDを得ることができる。しかし、多数のチップLEDは複数のLEDチップを有し、異なる駆動電圧、発光強度、温度特性および寿命を有している。したがって、LEDの設計はより複雑であり、またより高い費用がかかる。したがって、単一チップLEDがより実用的である。
単一チップLEDの簡単な構造は、単一LEDチップと蛍光体を使用して白色光を得ている。図1において、LEDはリード・フレーム11と電気的に接触する一対の電極10を備えている。GaNのようなLED12がリード・フレーム11内に配備され、またエポキシまたはゲルを含む接着剤13が、LED12を覆うリード・フレーム11内に施される。YAGを含む蛍光体14が接着剤13内に分散される。最終的に、LEDがパッケージ材料15によって包まれる。
上述のLEDにおいて、YAGは樹脂と混合され、青色GaN LEDチップ上にコーティングされる。これに反して、この方法は時間および材料の点で非能率であり、樹脂の吸収率および低いYAG分散のためにLED発光効率および均一性が低下する。
さらに、特許文献1には、蛍光体がガラス層に混合されて湿気の流入が阻止されることが開示されている。しかし、YAGは充分混合されないので、LED発光効率および均一性が低下する。
特許文献2および特許文献3は、蛍光体構造が電気泳動によってLEDチップ上に形成されることを開示している。蛍光体粉体は電荷を介してゲルに変換し、電圧を印加することによる電界によって形成されなければならない。導電板をLEDチップ面に付加して蛍光体をこの面に吸引する必要がある。
特許文献4は、蛍光体構造がスク蛍光体印刷法によってLEDチップ面上に形成される。このスク蛍光体印刷法において、ステンシルがまず製造され、凝固剤が蛍光体粉体に付加されてLEDチップ面上に蛍光体粉体が凝固される必要がある。
特許文献4は、上述した技術によるLED構造を開示している。
特許文献5は、蛍光体が接着剤によって半導体デバイスに接着されることを開示している。
これらの公知の技術において、蛍光体は接着剤または電気泳動によってのみLEDチップ面上に形成される。
したがって、本発明は発光ダイオード・デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は蛍光体層をLEDチップ面上に配置し、蛍光体粉体と接着剤混合物質問題に焦点をあてる別の方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様は、発光半導体デバイスと;
発光半導体デバイスの光路上に配備される接着剤を含まない発光粉体層であって、その少なくとも一部が凝固される発行粉体層と;
を備えた発光デバイスである。
発光半導体デバイスの光路上に配備される接着剤を含まない発光粉体層であって、その少なくとも一部が凝固される発行粉体層と;
を備えた発光デバイスである。
本発明の第2の態様は、複数の発光粒体を、接着材料を含まない液体中に分散させ混合物を形成する工程と;
発光粒体が基板上に沈殿させるために一定時間混合物中に基板を配備する工程と;
液体を除去して発光粉体層として発光粒体を基板に凝固させる工程と;
を備えた発光デバイス製造方法である。
発光粒体が基板上に沈殿させるために一定時間混合物中に基板を配備する工程と;
液体を除去して発光粉体層として発光粒体を基板に凝固させる工程と;
を備えた発光デバイス製造方法である。
本発明によれば、発光ダイオード・デバイスおよびその製造方法が提供される。また、本発明によれば、蛍光体層をLEDチップ面上に配置し、蛍光体粉体と接着剤混合物質問題に焦点をあてる別の方法が提供される。
本発明は、発光半導体デバイスおよびこの発光半導体デバイスの光路上の発光粉体層を備えた発光デバイスを提供する。発光粉体層の少なくとも一部が凝固し、接着材料を含まない。
本発明はさらに、発光デバイスの製造方法を提供する。この方法は発光半導体デバイスを提供する工程と、発光半導体デバイスの光路に複数の発光粒体を配置する工程と、発光粒体間の距離を短縮して発光粒体間の分子吸引を高揚する工程とを含んでいる。次に、発光粒体が凝固されて分子吸引によって発光粉体層が形成される。
本発明をよりよく理解するために、添付図面に関して詳細な説明を読むことで参照する。
上述した目的および他の目的、特徴と利点を理解するために、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して次に詳細に説明する。
実施の形態は基板の光路に複数の発光粒体を配置し、発光粒体間の距離を短縮して発光粒体間の分子吸引を高揚するためのLEDデバイス製造方法を開示する。発光粒体は分子吸引によって発光粉体に凝固される。
上述方法を得るために、一実施の形態は次の工程を備えている。すなわち、液体中に複数の発光粒体を分散し、混合体を形成する工程と、発光粒体が基板上に沈殿するまでの間混合物内に基板を配置する工程と、液体を除去して基板上の発光粒体を凝固させるとともに基板に発光粒体を接着させる工程である。
発光粒体の濃度は、発光粒体の沈殿物の液体濃度よりも高い。発光粒濃度は、約0.001〜1g/mlであり、好ましくは0.01〜0.15g/mlである。発光粒体の大きさは、約0.1〜100μmである。たとえば、蛍光体の平均粒体サイズは、約3〜13μmである。さらに、ナノスケールの発光粒体が本発明の実施の形態に使用される。発光粒体は液体内にかろうじて溶解するか溶解しないかである。
基板はLEDチップのような発光半導体デバイス、またはLEDチップからなる層である。
次の実施の形態は構造を示すための一例としてLEDを説明する。
LED
図2は本発明のLED断面である。このLEDは基板20と発光粉体層21を備えている。発光粉体層21は直接基板20上に接着されている。発光粉体層21は、エポキシ、接着剤または同様のものを含んでいない。図2Bにおいて、不動態層22を発光粉体層21上に形成して、発光粉体層21を保護することもできる。不動態層22はポリマー層とすることができる。
図2は本発明のLED断面である。このLEDは基板20と発光粉体層21を備えている。発光粉体層21は直接基板20上に接着されている。発光粉体層21は、エポキシ、接着剤または同様のものを含んでいない。図2Bにおいて、不動態層22を発光粉体層21上に形成して、発光粉体層21を保護することもできる。不動態層22はポリマー層とすることができる。
図3Aは本発明の別のLED断面である。このLEDはLEDチップ30と発光粉体層35を備えている。LEDチップ30は基板31、複数の半導体層32および導電体層33を備えている。導電体層33は、ITO層のような導電性ガラス層とすることができる。複数の半導体層32は、2層または2層以上とすることができる。この場合において、複数の半導体層32は図3Aに示す2層、すなわち、第1半導体層32aと第2半導体層32bである。発光粉体層35は基板31面上に直接接着される。発光粉体層35は、複数の半導体層32面か、または第1半導体層32a面、第2半導体層32b面、または導電体層33面のような導電体層面に接着される。発光粉体層35は、エポキシまたは接着剤等を含まない発光粉体のみからなる。
図3Bは本発明の別のLED断面である。本LED構造は図3AのLEDに類似する。その差異は、発光粉体層35が基板31の底面上に設けられていることである。このLED構造は、フリップ・チップ製造に使用することができる。
発光粉体層21と35は、硫化物蛍光体または非硫化物蛍光体などの蛍光体である。硫化物蛍光体は有機物ポリマー・コーティング・フィルムなどのコーティング・フィルムによって被覆され、湿気および酸素のような環境要素から保護される。非硫化物蛍光体は、YAG,TAGまたは多くの他の蛍光体とすることができる。
さらに、不動態は発光粉体層上に形成され、外部影響および汚染を回避することができる。この不動態は有機ポリマー材料である。
次の実施の形態は、光路ゾーン構造および非光路ゾーン構造を伴う発光半導体チップを開示する。
発光デバイス
図6Bを参照して、発光デバイスは発光半導体デバイス100と発光粉体層130を備えている。発光半導体デバイス100はチップまたはウェハである。本実施の形態において、発光半導体デバイス100は複数のチップ120を備えたウェハ110である。ウェハ110は光路ゾーンOPと非光路ゾーンNOPに分離することができる。
図6Bを参照して、発光デバイスは発光半導体デバイス100と発光粉体層130を備えている。発光半導体デバイス100はチップまたはウェハである。本実施の形態において、発光半導体デバイス100は複数のチップ120を備えたウェハ110である。ウェハ110は光路ゾーンOPと非光路ゾーンNOPに分離することができる。
発光粉体層130が、チップ120の面、すなわち、光路ゾーンOP上に接着される。発光粉体層130の少なくとも一部、主要部分または全体が凝固され、接着剤を含まない。本実施の形態において、発光粉体層130は蛍光体からなり、また分子間吸引によって凝固される。したがって、発光粉体は樹脂、有機ポリマー、固体材料またはガラス状ゲルのような接着剤を含まない。
本発明において、第1不動態層140が発光粉体層130上に形成され、スクラッピングを回避し、不動態層140が発光粉体層130の頂面を少なくとも覆っている。第2に、第2不動態層150が第1不動態層140と発光粉体層130を少なくとも覆っており、またチップ120を覆っている。第2不動態層150の厚さは、第1不動態層140よりも厚い。一実施の形態において、第1不動態層140はストレス・バッファ層であって、次の熱処理における粉体層への損傷を回避する。このストレス・バッファ層はシリコン・ゲルのようなより柔軟な材料からなる。第2不動態層150は、エポキシのような硬質材料からなり、スクラッピングまたはクラッシングを回避している。
発光粉体が硫化物蛍光体および非硫化物蛍光体を含み、非硫化物蛍光体が本実施の形態に使用される。発光半導体デバイスの実施の形態を図3Aおよび3Bに示す。
発光パッケージ構造
図4Aは本発明の発光パッケージ構造の断面である。本実施の形態において、発光半導体デバイスはLED40である。まず、図2に示したようなLEDがリード・フレーム41内に取り入れられ、リード・フレーム41が一対の電極42と電気的に接触される。リード・フレーム41、基板20および発光粉体層21がパッケージ材料43によって包み込まれる。さらに、不動態層22が発光粉体層21上に形成され、発光粉体層21が保護される。不動態層22はポリマー層またはエポキシを含ませることができる。
図4Aは本発明の発光パッケージ構造の断面である。本実施の形態において、発光半導体デバイスはLED40である。まず、図2に示したようなLEDがリード・フレーム41内に取り入れられ、リード・フレーム41が一対の電極42と電気的に接触される。リード・フレーム41、基板20および発光粉体層21がパッケージ材料43によって包み込まれる。さらに、不動態層22が発光粉体層21上に形成され、発光粉体層21が保護される。不動態層22はポリマー層またはエポキシを含ませることができる。
図5は本発明の別の発光パッケージ構造を示す断面である。図3Aに示したようなLEDが一対の電極52と電気的に接触している。リード・フレーム51、発光チップ30および発光粉体層35が、パッケージ材料53によって包み込まれる。
本発明の発光デバイスは、フリップ・チップ構造のような他のパッケージ構造に使用することができる。
光源
図7を参照して、発光デバイス40(50)が回路板Lと電気的に接触して、光源200を形成している。
図7を参照して、発光デバイス40(50)が回路板Lと電気的に接触して、光源200を形成している。
バックライト・モジュール
図8Aおよび8Bを参照して、光源200がモジュール本体210の下方に、またはモジュール本体210の側壁に配備されて発光する。
図8Aおよび8Bを参照して、光源200がモジュール本体210の下方に、またはモジュール本体210の側壁に配備されて発光する。
表示デバイス
図8Aおよび8Bは表示素子300を示す。光源ないしバックライト・モジュールが、光源を表示素子300に提供して表示デバイスを形成している。
図8Aおよび8Bは表示素子300を示す。光源ないしバックライト・モジュールが、光源を表示素子300に提供して表示デバイスを形成している。
次に上述したデバイスの製造方法およびシステムを説明する。
発光デバイスのための製造システム
図9を参照して、本実施の形態は発光デバイスのための製造システムを開示する。この製造システムは容器950と、基板960を容器950内に配置するための配置デバイス940と、液体980を容器950内に注入するための液体供給デバイス910と、基板960より高位にある液体980と、複数の発光粉体と液体980を混合して混合物を形成するための攪拌デバイス920と、任意に接着剤を含まない液体980と、発光粉体が基板960上に沈殿した後、液体980を除去するための液体排出デバイス930とを備えている。発光粉体は基板960上に凝固し、接着して発光粉体層970を形成する。
発光デバイスの製造方法
図9を参照して、本実施の形態は発光デバイスのための製造システムを開示する。この製造システムは容器950と、基板960を容器950内に配置するための配置デバイス940と、液体980を容器950内に注入するための液体供給デバイス910と、基板960より高位にある液体980と、複数の発光粉体と液体980を混合して混合物を形成するための攪拌デバイス920と、任意に接着剤を含まない液体980と、発光粉体が基板960上に沈殿した後、液体980を除去するための液体排出デバイス930とを備えている。発光粉体は基板960上に凝固し、接着して発光粉体層970を形成する。
発光デバイスの製造方法
上述の製造システムによって、本実施の形態は図6Bに示したような発光半導体デバイスを提供する。複数の発光粉体が、チップ120の面上のような発光半導体デバイスの光路上に配備される。発光粉体間の距離が短縮され発光粉体の分子間吸引が高揚されて、発光粉体が凝固し発光粉体層130が形成される。
発光粉体層130の形成工程は、次の通りである。すなわち、複数の発光粉体が液体と混合される。次に、複数の発光粉体が半導体チップないしウェハ120の光路上に配置される。液体が除去され発光粉体が発光粉体層に凝固される。
本実施の形態において、液体は水または揮発性溶剤を含み、エポキシまたは接着剤を含んでいない。揮発性溶剤は、エーテル、メタノール、エタノールまたはアセトンのようなエーテル類、アルコール類およびケトン類からなるグループを含んでいる。
発光半導体チップまたはウェハは、液体980を収容する容器950内に取り入れられ、発光粉体は液体内に分散され、混合物が形成される。
半導体チップないしウェハ960上の発光粉体の均一性を増すために、発光粉体堆積時間は任意に長くすることができる。液体980の高さは半導体チップないしウェハ960よりも高く、これによって発光粉体が半導体チップないしウェハ960上に堆積可能になる。液体980の高さは半導体チップないしウェハ960の高さの約3.5−6倍であるのが好ましい。
焼成工程
同実施の形態において、液体除去工程が焼成工程となる。この焼成工程は液体を除去する焼成温度を備えている。焼成温度によって生じる攪拌は、発光半導体チップないしウェハ上の発光粉体の構成に影響しないように調整される。
同実施の形態において、液体除去工程が焼成工程となる。この焼成工程は液体を除去する焼成温度を備えている。焼成温度によって生じる攪拌は、発光半導体チップないしウェハ上の発光粉体の構成に影響しないように調整される。
焼成温度は一般的に室温よりも高い。好ましくは、焼成温度は約40〜300℃である。たとえば、エタノール焼成温は約80℃である。さらに、焼成工程は複数の工程を備えている。たとえば、液体は第1温度および第2温度で除去される。
液体除去工程は、さらに焼成工程の前に実行される。液体除去工程は排水工程または注水工程を備えている。
図6Aを参照して、複数の発光粉体が液体と混合される。次に、発光粉体は光路ゾーンOPおよび半導体ウェハの非光路ゾーンNOP上に堆積される。液体が除去された後、発光粉体が発光粉体層に凝固する。さらに、第1不動態層140が形成され、図6Aに示したように半導体ウェハの光路ゾーンOP上で発光半導体層130を保護する。半導体ウェハの非光路ゾーンNOP上の発光粉体層が洗浄ないし除去されるときに、半導体ウェハ光路ゾーンOP上の発光粉体層が不動態層140によって保護される。半導体ウェハの非光路ゾーンNOP上の発光粉体層が除去された後、第2不動態層150が第1不動態層140と発光粉体層を覆うように形成される。
次は発光デバイスのための製造システムによるLED製造方法を示す。
LED製造方法
最初に、発光粉体が液体内に投入され、発光粉体の濃度が液体の濃度よりも高くなり、発光粉体が液体に不溶解性、すなわち液体に対して低溶解性となり、発光粉体が液体内で安定化して液体と化学的反応をしなくなる。発光粉体は攪拌棒によって、または超音波攪拌によって液体と充分混合されて混合物が生成される。発光粉体は蛍光体であり、また蛍光体は硫化物蛍光体または非硫化物蛍光体である。硫化物蛍光体はさらに有機ポリマー・コーティング・フィルムなどのコーティング・フィルムによって被覆され、湿気および酸素のような環境要因を妨げる。非硫化物蛍光体はYAG,TAGまたは多くの他の蛍光体である。
最初に、発光粉体が液体内に投入され、発光粉体の濃度が液体の濃度よりも高くなり、発光粉体が液体に不溶解性、すなわち液体に対して低溶解性となり、発光粉体が液体内で安定化して液体と化学的反応をしなくなる。発光粉体は攪拌棒によって、または超音波攪拌によって液体と充分混合されて混合物が生成される。発光粉体は蛍光体であり、また蛍光体は硫化物蛍光体または非硫化物蛍光体である。硫化物蛍光体はさらに有機ポリマー・コーティング・フィルムなどのコーティング・フィルムによって被覆され、湿気および酸素のような環境要因を妨げる。非硫化物蛍光体はYAG,TAGまたは多くの他の蛍光体である。
基板がある時間の間混合物内に投入され、混合物の高さが少なくとも10μmの基板頂面よりも高くなければならない。次に、発光粉体が重力によって自然に基板上に堆積する。したがって、発光粉体の濃度は液体よりも高く、そうでなければ堆積は発生しない。発光粉体の粒体サイズは一般的に0.01〜100μmである。もし粒体が小さすぎれば、堆積時間は長くなりすぎ、出力が低下する。もし発光粉体が大きすぎれば、発光粉体層の均一性が低下する。発光粉体層の厚みの均一性を達成するために、発光粉体と液体の濃度は約0.001〜1g/mlであり、好ましくは0.01〜15g/mlである。もし濃度が高すぎれば、発光粉体が浪費されるか、または発光粉体層が厚くなりすぎる。もし濃度が低すぎれば、堆積時間が長くなりすぎ、また発光粉体層が薄くなりすぎる。
最終的に、液体が焼成によって除去され、排出および/または注入によって基板上に発光粉体層が形成される。液体除去工程は発光粉体層を攪拌してはならなく、そうでなければ理想的な発光粉体層を得ることができない。焼成温度は40〜300℃である。もし焼成温度が低すぎると、焼成時間が長くなりすぎるか、または液体の乾燥が困難になる。もし焼成温度が高すぎると、基板および/または発光粉体が損なわれてしまい、また発光粉体層が攪拌されてしまう。液体が除去されるときに、発光粉体間の距離が短くなり、また発光粉体層がファンデルワースル力のような分子間力によって形成される。さらに、焼成工程は第1焼成工程と第2焼成工程のような複数の焼成工程を備えている。第1焼成工程において、焼成温度は液体の沸点よりも低く、発光粉体層面上における気泡の形成が回避される。第2焼成工程において、焼成温度は液体を全て乾燥させるくらい高く、また基板または発光粉体損傷温度、たとえば300℃よりも低い。
さらに、不動態層がコーティング方法によって発光粉体層上に形成される。この不動態層は有機ポリマーである。
上述した製造方法において、もし発光粉体が液体内で溶解すれば、発光粉体層は形成されない。発光粉体が液体内で溶解するときに、もし混合物が過飽和であっても、本発明では形成。発光粉体の過量方法は費用が増大する。そうでなければ、発光粉体が液体内で不安定になるか、または液体との化学反応が生じ、発光粉体が悪化ないし分解する。したがって、液体は不溶解性、かろうじて溶解し、安定であり、また発光粉体と化学反応しないことが好ましい。液体は水、アルコール類、ケトン類および/またはエーテル類である。アルコール類はエタノールであり、ケトン類はアセトンであり、エーテル類はエーテルである。
さらに、基板はLEDチップまたは他多くのLEDチップの層、換言すれば、発光粉体層はLEDチップのいずれの面上にも形成される。
次の実施例は液体として水およびエタノールを規定したものである。
実施例1
ニチア・コーポレーションによって製造されたYAG蛍光体が水中に投入され超音波攪拌によって混合物が形成された。GaNチップがTAG蛍光体堆積のために約20分間混合物中に投入された。混合物面がGaNチップの頂面よりも高く、これによってYAG蛍光体がGaNチップ上に堆積された。水が一定時間約50度で蒸発され、次に約200℃で乾燥されて水が全て乾燥され、YAG蛍光体が凝固された。水除去工程において、真空処理が実行されて水除去率が高められた。
ニチア・コーポレーションによって製造されたYAG蛍光体が水中に投入され超音波攪拌によって混合物が形成された。GaNチップがTAG蛍光体堆積のために約20分間混合物中に投入された。混合物面がGaNチップの頂面よりも高く、これによってYAG蛍光体がGaNチップ上に堆積された。水が一定時間約50度で蒸発され、次に約200℃で乾燥されて水が全て乾燥され、YAG蛍光体が凝固された。水除去工程において、真空処理が実行されて水除去率が高められた。
実施例2
ニチア・コーポレーションによって製造されたYAG蛍光体がエタノール中に投入され、超音波攪拌によって混合物が形成された。GaNチップが混合物中に投入され、YAG蛍光体堆積のために約20分保持された。混合物面がGANチップの頂面よりも高く、これによってYAG蛍光体がGaNチップ上に堆積された。エタノールが一定時間約80℃で蒸発され、次に約150℃で乾燥されてエタノールが全て乾燥され、YAG蛍光体が凝固した。エタノール除去工程において、真空処理が実行されてエタノール除去率が高められた。
ニチア・コーポレーションによって製造されたYAG蛍光体がエタノール中に投入され、超音波攪拌によって混合物が形成された。GaNチップが混合物中に投入され、YAG蛍光体堆積のために約20分保持された。混合物面がGANチップの頂面よりも高く、これによってYAG蛍光体がGaNチップ上に堆積された。エタノールが一定時間約80℃で蒸発され、次に約150℃で乾燥されてエタノールが全て乾燥され、YAG蛍光体が凝固した。エタノール除去工程において、真空処理が実行されてエタノール除去率が高められた。
LED測定データ、CIE座標および輝度が次のよう与えられた。LEDは蛍光体が樹脂と混合される従来の方法と本発明の方法によって製造され、またGaN LEDチップおよびYAG蛍光体が使用された。駆動条件は次の通りである。
(駆動条件1)
励起波長:460〜465nm
電 力 :40〜50mcd
電 圧 :3.2〜3.3V
(駆動条件2)
励起波長:470〜475nm
電 力 :40〜50mcd
電 圧 :3.2〜3.3V
励起波長:460〜465nm
電 力 :40〜50mcd
電 圧 :3.2〜3.3V
(駆動条件2)
励起波長:470〜475nm
電 力 :40〜50mcd
電 圧 :3.2〜3.3V
表1および2から、例のLEDは白色およびより明るい光を放出する。したがって、本発明によって製造され、かつ、より長い波長(低エネルギー)によって励起されたLEDの光の強度は、公知の方法によって製造され、かつ、より短い波長(より大きいエネルギー)によって励起されたLEDの光の強度に近接している。これは本発明のLEDがより優れた光電変換率を有していることを示している。
本発明に基づく発光デバイスおよび製造方法の利点は、次の通りである。
1.本発明の発光粉体層が、エポキシまたは接着剤のような媒体をまったく含まない発光半導体デバイス内またはその上に直接接着されるので、印加エネルギーが媒体によって浪費されず、また発光デバイスがより高い発光効率を有する。
2.本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、発光デバイスを被覆しない。したがって、本発明の製造方法はより簡単、かつ、生産量を高めることができる。
3.本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、次に発光デバイスを被覆しない、これによって媒体内の発光粉体の不均一性が発生しない。
4.本発明の発光粉体層が直接接触方法によって製造され、この方法が失敗したとき、発光粉体層はたとえばブラッシング方法によって再稼動することができる。したがって、この再稼動は非常に容易であり、かつ、費用が安い。
1.本発明の発光粉体層が、エポキシまたは接着剤のような媒体をまったく含まない発光半導体デバイス内またはその上に直接接着されるので、印加エネルギーが媒体によって浪費されず、また発光デバイスがより高い発光効率を有する。
2.本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、発光デバイスを被覆しない。したがって、本発明の製造方法はより簡単、かつ、生産量を高めることができる。
3.本発明の発光粉体層が直接接着方法によって製造され、樹脂と混合されず、次に発光デバイスを被覆しない、これによって媒体内の発光粉体の不均一性が発生しない。
4.本発明の発光粉体層が直接接触方法によって製造され、この方法が失敗したとき、発光粉体層はたとえばブラッシング方法によって再稼動することができる。したがって、この再稼動は非常に容易であり、かつ、費用が安い。
本発明は実施例により、また好ましい実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではないことが理解されよう。
10 電極
11 リード・フレーム
12 LED
13 接着剤
14 蛍光体
15 パッケージ材料
20 基板
21 発光粉体層
22 不動態層
30 LEDチップ
31 基板
32 半導体層
33 導電体層
35 発光粉体層
40 LED
41 リード・フレーム
51 リード・フレーム
53 パッケージ材料
100 発光半導体デバイス
110 ウェハ
120 チップ
130 発光粉体層
140 第1不動態層
150 第2不動態層
200 光源
210 モジュール本体
300 表示要素
910 液体供給デバイス
920 攪拌デバイス
930 液体排出デバイス
940 配置デバイス
950 容器
960 基板
970 発光粉体層
980 液体
11 リード・フレーム
12 LED
13 接着剤
14 蛍光体
15 パッケージ材料
20 基板
21 発光粉体層
22 不動態層
30 LEDチップ
31 基板
32 半導体層
33 導電体層
35 発光粉体層
40 LED
41 リード・フレーム
51 リード・フレーム
53 パッケージ材料
100 発光半導体デバイス
110 ウェハ
120 チップ
130 発光粉体層
140 第1不動態層
150 第2不動態層
200 光源
210 モジュール本体
300 表示要素
910 液体供給デバイス
920 攪拌デバイス
930 液体排出デバイス
940 配置デバイス
950 容器
960 基板
970 発光粉体層
980 液体
Claims (4)
- 複数の発光チップを有する半導体ウェハを提供する工程と;
全体の半導体ウェハを覆う発光粉体層を形成する工程と;
半導体ウェハの上の発光粉体層を覆う保護層を形成する工程と;
保護層のない発光粉体層を除去する工程とを備える発光デバイス製造方法。 - 前記全体の半導体ウェハを覆う発光粉体層の主要部分が、凝固され、接着剤を含まないことを特徴とする、請求項1記載の発光デバイス製造方法。
- 前記全体の半導体ウェハを覆う発光粉体層の主要部分が、分子間相互作用の吸引によって凝固されてなる複数の発光粉体を備えることを特徴とする、請求項2記載の発光デバイス製造方法。
- 請求項1に記載している発光デバイス製造方法において、前記全体の半導体ウェハを覆う発光粉体層を形成する工程が、
前記半導体ウェハの上に発光粉体混合液を提供する工程と;
前記発光粉体混合液を焼成する工程による直接に前記半導体ウェハを全体に覆う発光粉体層を形成する工程とがあって、
少なくとも一部の前記発光粉体層が何も接着剤を含まず、単なる発光粉体からなるとこを特徴とする発光デバイス製造方法。
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