JP4329270B2 - 発光体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光体の製造方法に関し、より詳しくは、ナノ構造結晶を有する発光体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、SiやGe等に代表される超微粒子、ポーラスシリコン等の2−6族半導体において、そのナノ構造結晶が特異的な光学特性を示すことが注目されている。ここで、ナノ構造結晶とは、数nm程度の粒径を有する結晶粒のことを言い、一般的にナノクリスタルとも呼ばれている。
2−6族半導体において、ナノ構造結晶を有する場合とバルク状構造結晶を有する場合とを比較すると、ナノ構造結晶を有する場合の方が、良好な光吸収特性及び発光特性を示す。これはナノ構造結晶を有する2−6族半導体では、量子サイズ効果が発現するため、バルク状構造結晶の場合より大きなバンドギャップを有するためと考えられる。即ち、ナノ構造結晶を有する2−6族半導体においては、量子サイズ効果によりバンドギャップが広げられるのではないかと考えられている。そして、このようなナノ構造結晶を得る手法として、レーザーアブレーション法が公知(特開平9ー275075号公報)であるが、発光母体に付活剤をドープすることによる自発光型の発光体の詳細な製造方法までは論及されていない。
【0003】
一方、テレビジョン等の分野において、ディスプレイの薄型化が望まれており、軽量なフラットディスプレイであるプラズマディスプレイ(以下、PDPという。)やフィールド・エミッション・ディスプレイ(以下、FEDという。)等が注目されている。
なかでもFEDの場合、電子ビームの電圧は陰極線管(CRT)等に比べて遥かに低い。従って、これを更に薄型化しようとすると、電子ビームの電圧を低くする必要があるが、従来の数μmオーダーの粒径の蛍光体の場合には、電圧が低いと十分に発光しなくなるという問題が発生する。これは、このような大きな粒径の蛍光体においては、照射された電子ビームが蛍光体の発光する部分まで到達することができないためと考えられる。
【0004】
現在、低電圧で発光する蛍光体としては、緑青色発光する酸化亜鉛(以下、ZnO:Znと表記する。)を挙げることができる。実際に、ZnO:Znは、FEDにおいて用いられており、数百Vから数kV程度の低電圧で励起することができる。このZnO:Znは、ミクロンサイズの結晶構造を有し、導電性を有しており、低電圧でもチャージアップすることなく発光する。
【0005】
このような蛍光体は、固相反応を利用する方法によって作成されるが、例えば、材料を高温で焼成処理する固相反応を利用する方法においては、材料の組成が処理中に変化することがあり、材料の持つ固有の性質を維持するのに難点がある、作成された蛍光体の粒径は、3〜10μm程度である等から将来の薄型ディスプレイ用の蛍光体の製造方法としては限界点に達していた。
【0006】
前記蛍光体に対して、ナノ構造結晶を有する発光体では、低電圧で照射された電子ビームでも発光体の発光する部分に到達することができるので、薄型化されたディスプレイ、更には超高精細CRTディスプレイに用いられて好適である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、ナノ構造結晶により構成され、低電圧電子ビームによっても十分な発光強度が得られ、延いてはディスプレイの薄型化を可能にする発光体の製造方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、発光母体と付活剤から構成されたターゲット材をガス雰囲気の真空室に配置する工程と、該真空室の内部に基板を配置する工程と、前記ターゲット材にレーザー光を照射してターゲット材構成物質を溶融、蒸発させるアブレーション工程と、該前記アブレーション工程で溶融、蒸発したターゲット材構成物質を真空々間内で会合させる工程と、該工程で会合したターゲット材構成物質の超微粒子の平均粒径が1〜10nmになるように、前記真空室の真空度を1.99×10 3 Pa乃至1.33Pa、前記レーザー光のエネルギー密度を1〜5J/cm 2 に制御する工程と、前記超微粒子を前記基板に堆積させる工程とを有する発光体の製造方法である。
【0012】
請求項2の発明は、請求項3の発明において、前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がテルビウムである発光体の製造方法である。
【0013】
請求項3の発明は、請求項1の発明において、前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がユーロピウムである発光体の製造方法である。
【0014】
請求項4の発明は、請求項1の発明において、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銅とアルミニウムである発光体の製造方法である。
【0015】
請求項5の発明は、請求項1の発明において、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀と塩素である発光体の製造方法である。
【0016】
請求項6の発明は、請求項1の発明において、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀とアルミニウムである発光体の製造方法である。
【0017】
請求項7の発明は、請求項1の発明において、前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤がマンガンである発光体の製造方法である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る発光体の製造方法について説明する。
まず、発光母体を硫化亜鉛(ZnS)とし、付活剤(発光センター)として塩もしくは酸化物をドープする場合について説明する。
本発明においては、レーザーアブレーション法を使用する。そのために、前工程として、ターゲットの作成を行なう。即ち、硫化亜鉛(ZnS)の粉末(純度:99.99%)と付活剤となる原子を有する塩(好ましくは硫酸塩)もしくは酸化物(純度:99.99%)粉末を、機械的に均一分散するよう混合し、硫化亜鉛(ZnS)と塩もしくは酸化物の混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しないプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例えば、直径2cm、厚さ5mmのペレット状のターゲットを作成する。この時、必要に応じて所定の温度に加熱しながら圧縮成形を行なうことがある。
【0020】
前記付活剤として、テルビウム(Tb)、ユーロピウム(Eu)を使用すると、Tbは緑色の発光を示し、Euは赤色の発光を示す。
又、他の付活剤として銅(Cu)とアルミニウム(Al)、銀(Ag)と塩素(Cl)、銀(Ag)とアルミニウム(Al)をドープしても固有の発光性を持たせることができる。CuとAlは緑色の発光を示し、AgとCl及び、AgとAlは青色の発光を示す。
更に他の付活剤としてマンガン(Mn)をドープしても固有の発光性を持たせることができる。Mnは、オレンジ色の発光を示す。
【0021】
図1は、本発明の実施形態に係るナノ構造結晶を有する発光体の製造装置の概略構成図であり、YAGレーザー(波長:266nm)又はフッ化クリプトンレーザー(波長:248nm)1からのレーザー光を、スリット2、集光レンズ3、反射ミラー4、真空反応室5の光導入窓6を経て、真空反応室5内のターゲットホルダー7に載置された、上述のようにして作成したペレット状(発光母体ZnS)のターゲット8の表面に集光照射する。
又、ターゲット8表面の法線方向に所定距離離れた位置で、かつターゲット8表面に平行にガラス等のサブストレート9を配置する。そして真空反応室5は、真空排気系10、差動排気系11及び、流量制御部12を備えた雰囲気ガス供給系13に接続する。
【0022】
上記の装置において、真空反応室5の真空度を、真空排気系10の図示しない真空ポンプの稼動により、好ましくは1.99×103Pa(パスカル)乃至6.66Pa(ZnSの場合、最適値1.99×10Pa)に保持し、又雰囲気ガス供給系13から供給する雰囲気ガスは、窒素(N2)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)等のいずれかとして、雰囲気ガス供給系13から流量制御部12と差動排気系11の差動排気により一定圧力のガス雰囲気を出現する。本実施形態においては、窒素ガスを使用する。
そして、レーザーのエネルギー密度を、好ましくは1〜5J/cm2(ZnSの場合、最適値3J/cm2)としてターゲット8に照射すると、照射部分が超高温となり、ターゲット8表面にて溶融、蒸発を生じる。蒸発物質は、ターゲット8の原子、分子、イオン、クラスターである。蒸発物質の運動エネルギーは、窒素ガス原子に散逸するため、真空中での会合と成長が促進され、サブストレート9に到達時点では、粒径が1nmから10nm程度の超微粒子(ナノクリスタル)に成長して堆積することになる。従って、発光母体である硫化亜鉛(ZnS)に塩もしくは酸化物がドープされたナノ構造結晶の発光体を作成することができる。
より具体的には、上記Tb、Eu、CuとAl等がドープされたナノ構造結晶の発光体を作成することができる。
【0023】
レーザー光の照射時間は、必要とされる蛍光体の堆積量に応じて変化させればよい。照射時間によって粒径が変化することはなく、ターゲット8に対向して設置してあるサブストレート9上に作成される超微粒子の堆積量が変化するだけである。基本的には15〜60分が好ましい。
【0024】
上記超微粒子の粒径は、真空排気系10の図示しない真空ポンプの稼動により、真空反応室5の真空度を変えることにより制御する。真空度の高低により溶融・蒸発した原子、分子、イオン、クラスターのぶつかり合いの多少が生じる。このため真空々中での蒸発物質の会合と成長の度合いが異なり、従って、真空度を変えることにより、粒径をコントロールすることができる。
【0025】
このようにレーザーアブレーション法を用いることによって、粒径1nm〜10nmのナノクリスタル蛍光体を製造することができる。この蛍光体は、励起子、電子・正孔対を数nmの範囲に閉じ込めることができる量子サイズ効果が起こる結果、広いバンドギャップを有するものとなる。従って、光吸収特性及び発光特性の向上が達成された発光体となる。
【0026】
次に、図1に示した発光体製造装置を使用して、本発明に係る発光体の製造方法により、ナノクリスタル蛍光体を作成した実施例を示す。
(実施例1)
発光母体を硫化亜鉛(ZnS)、付活剤をテルビウム(Tb)とし、ナノクリスタル蛍光体ZnS:Tbを作成した。Tbは3価の陽イオンとしてZnSにドープされる。
ターゲットは、99.99%のZnSと99.99%の酸化テルビウムを均一に分散するよう良く混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。酸化テルビウムの代わりに硫酸テルビウムを用いてもよい。ともにZnS1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0027】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜6.66Paが好ましく、1.99×10Paが最適であった。
又、レーザー光照射時における雰囲気ガスは、窒素(N2)ガスを使用した。レーザー光照射において、レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が最適であった。
【0028】
このようにして作成されたZnS:Tbナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.99×102Paでは約9nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。これは、真空中でターゲット8表面からの蒸発物質のぶつかり合いが多いためである。更に、真空度1.99×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。これは逆に、そのぶつかり合いが少なくなるためである。このように真空度を変化させることにより、粒径の制御を行なうことができた。
【0029】
更に、このようにして作成されたZnS:Tbナノクリスタル蛍光体における発光特性を測定するために、その光励起発光強度(PL強度)を測定した。
図2は、光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸はPL強度(相対値)、横軸は波長(nm)を表す。なお、真空度は最適値である1.99×10Paの場合である。
図2から明らかなように、波長540nm付近(実測値では543nm)において3価のテルビウム(Tb3+)に起因する5D4→7F5の緑色発光を示した。これは、波長480nm付近の5D4→7F6、波長590nm付近の5D4→7F4の発光強度に比較して相対的に強い発光強度となっている。
【0030】
前記ナノクリスタル蛍光体ZnS:Tbの作成と同じ条件により、ターゲットの組成を異ならしめるだけで、他の発光色を有するナノクリスタル蛍光体を作成することができた。
【0031】
(実施例2)
赤色発光を示すZnS:Euにおいては、99.99%の硫化亜鉛と、99.99%の酸化ユーロピウムを良く混合し、プレス機でペレット状のターゲットを作成した。酸化ユーロピウムの代わりに硫酸ユーロピウムを用いてもよい。この時、硫化亜鉛1に対し、ともに1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0032】
(実施例3)
緑色発光を示すZnS:Cu、Alにおいては、99.99%の硫化亜鉛と、99.9%の硫酸銅及び99.9%の硫酸アルミニウムを良く混合し、ZnS:Tbの場合と同様、プレス機でペレット状のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛1に対し、ともに100〜1000ppmが好ましく、500ppmが最適であった。
【0033】
(実施例4)
青色発光を示すZnS:Ag、Clにおいては、99.99%の硫化亜鉛と、99.9%の塩化銀を良く混合し、プレス機でペレット状のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛1に対し、ともに100〜1000ppmが好ましく、600ppmが最適であった。
【0034】
(実施例5)
青色発光を示すZnS:Ag、Alにおいては、99.99%の硫化亜鉛と、99.9%の硫酸銀及び99.9%の硫酸アルミニウムを良く混合し、プレス機でペレット状のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛1に対し、ともに100ppm〜1000ppmが好ましく、600ppmが最適であった。
【0035】
(実施例6)
オレンジ色発光を示すZnS:Mnにおいては、99.99%の硫化亜鉛と、99.9%の硫酸マンガンを良く混合し、ZnS:Tbの場合と同様、プレス機でペレット状のターゲットを作成した。この時、硫化亜鉛1に対し、0.5〜3mol%が好ましく、1mol%が最適であった。
【0036】
次に、発光母体を窒化ガリウム(GaN)とし、付活剤(発光センター)として酸化物をドープする場合について説明する。
この場合においてもレーザーアブレーション法を使用する前工程として、ターゲットの作成を行なう。即ち、窒化ガリウム(GaN)粉末(純度:99.999%)と付活剤となる原子を有する酸化物(純度:99.99%)粉末を、機械的に均一分散するよう混合し、窒化ガリウム(GaN)と酸化物の混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しないプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例えば、直径2cm、厚さ5mmのペレット状のターゲットを作成する。前記付活剤(発光センター)として、テルビウム(Tb)、ユーロピウム(Eu)を使用する。Tbは緑色の発光を示し、Euは赤色の発光を示す。
【0037】
上記ターゲットを図1の装置のターゲットホルダー7に載置し、レーザーアブレーションを行う。照射するレーザーとしてYAGレーザー(266nm)又はKrFレーザー(248nm)が好ましい。レーザー照射時の雰囲気ガスとして、窒素(N2)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)を使用することができる。レーザー照射時の真空度としては、1.99×103Pa〜1.33Paが好ましいが、GaNでは1.33×10Paが最適である。レーザーエネルギー密度は、GaNでは1〜5J/cm2が好ましいが、3J/cm2が最適である。
【0038】
レーザー照射時の照射時間は、必要とされる蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によって粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板9上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、15〜60分が好ましい。
【0039】
(実施例7)
発光母体を窒化ガリウム(GaN)、付活剤をテルビウム(Tb)とし、ナノクリスタル蛍光体GaN:Tbを作成した。Tbは3価の陽イオンとしてGaNにドープされる。
ターゲットは、99.999%の窒化ガリウムと99.99%の酸化テルビウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。窒化ガリウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0040】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0041】
このようにして作成されたGaN:Tbナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.33×102Paでは約8nm、1.33×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。
【0042】
このようにして作成されたGaN:Tbナノクリスタル蛍光体における発光特性を測定するために、その光励起発光強度(PL強度)を測定した。
図3は、光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸はPL強度(相対値)、横軸は波長(nm)を表す。なお、真空度は最適値である1.33×10Paの場合である。
図3から明らかなように、波長540nm付近(実測値では543nm)において3価のテルビウム(Tb3+)に起因する5D4→7F5の緑色発光を示した。本ナノクリスタル蛍光体は、ZnS:Tbナノクリスタル蛍光体に比較して発光強度としては劣るが劣化に強いものになっている。
【0043】
(実施例8)
発光母体を窒化ガリウム(GaN)、付活剤をユーロピウム(Eu)とし、ナノクリスタル蛍光体GaN:Euを作成した。
ターゲットは、99.999%の窒化ガリウムと99.99%の酸化ユーロピウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。窒化ガリウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0044】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0045】
更に、発光母体を燐化ガリウム(GaP)とし、付活剤(発光センター)として酸化物をドープする場合について説明する。
この場合においてもレーザーアブレーション法を使用する前工程として、ターゲットの作成を行なう。即ち、燐化ガリウム(GaP)粉末(純度:99.999%)と付活剤となる原子を有する酸化物(純度:99.99%)粉末を、機械的に均一分散するよう混合し、燐化ガリウム(GaP)と酸化物の混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しないプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例えば、直径2cm、厚さ5mmのペレット状のターゲットを作成する。前記付活剤(発光センター)として、テルビウム(Tb)、ユーロピウム(Eu)を使用する。Tbは緑色の発光を示し、Euは赤色の発光を示す。
【0046】
上記ターゲットを図1の装置のターゲットホルダー7に載置し、レーザーアブレーションを行う。照射するレーザーとしてYAGレーザー(266nm)又はKrFレーザー(248nm)が好ましい。レーザー照射時の雰囲気ガスとして、窒素(N2)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)を使用することができる。レーザー照射時の真空度としては、1.99×103Pa〜1.33Paが好ましいが、GaPでは1.33×10Paが最適である。レーザーエネルギー密度は、GaPでは1〜5J/cm2が好ましいが、3J/cm2が最適である。
【0047】
レーザー照射時の照射時間は、必要とされる蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によって粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板9上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、15〜60分が好ましい。
【0048】
(実施例9)
発光母体を燐化ガリウム(GaP)、付活剤をテルビウム(Tb)とし、ナノクリスタル蛍光体GaP:Tbを作成した。Tbは3価の陽イオンとしてGaPにドープされる。
ターゲットは、99.999%の燐化ガリウムと99.99%の酸化テルビウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。燐化ガリウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0049】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0050】
このようにして作成されたGaP:Tbナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.33×102Paでは約8nm、1.33×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。
【0051】
図4は、このようにして作成されたGaP:Tbナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸はPL強度(相対値)、横軸は波長(nm)を表す。なお、真空度は最適値である1.33×10Paの場合である。
図4から明らかなように、波長540nm付近(実測値では543nm)において3価のテルビウム(Tb3+)に起因する5D4→7F5の緑色発光を示した。本ナノクリスタル蛍光体は、ZnS:Tbナノクリスタル蛍光体に比較して1.2倍上回る発光強度を示した。
【0052】
(実施例10)
発光母体を燐化ガリウム(GaP)、付活剤をユーロピウム(Eu)とし、ナノクリスタル蛍光体GaP:Euを作成した。ターゲットは、99.999%の燐化ガリウムと99.99%の酸化ユーロピウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。燐化ガリウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0053】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0054】
このようにして作成されたGaP:Euナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.33×102Paでは約8nm、1.33×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。
【0055】
このようにして作成されたGaP:Euナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果は、図示を省略しているが、波長620nm付近(実測値では616nm)において3価のユーロピウム(Eu3+)に起因する5D0→7F2の赤色発光を示した。本ナノクリスタル蛍光体は、ZnS:Euナノクリスタル蛍光体に比較して1.25倍上回る発光強度を示した。
【0056】
更に又、発光母体を燐化インジウム(InP)とし、付活剤(発光センター)として酸化物をドープする場合について説明する。
この場合においてもレーザーアブレーション法を使用する前工程として、ターゲットの作成を行なう。即ち、燐化インジウム(InP)粉末(純度:99.999%)と付活剤となる原子を有する酸化物(純度:99.99%)粉末を、機械的に均一分散するよう混合し、燐化インジウム(InP)と酸化物の混合粉体を作成する。次に、この混合粉体を、図示しないプレス機に封入し、圧縮成形することにより、例えば、直径2cm、厚さ5mmのペレット状のターゲットを作成する。前記付活剤(発光センター)として、テルビウム(Tb)、ユーロピウム(Eu)を使用する。Tbは緑色の発光を示し、Euは赤色の発光を示す。
【0057】
上記ターゲットを図1の装置のターゲットホルダー7に載置し、レーザーアブレーションを行う。照射するレーザーとしてYAGレーザー(266nm)又はKrFレーザー(248nm)が好ましい。レーザー照射時の雰囲気ガスとして、窒素(N2)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)を使用することができる。レーザー照射時の真空度としては、1.99×103Pa〜1.33Paが好ましいが、InPでは1.33×10Paが最適である。レーザーエネルギー密度は、InPでは1〜5J/cm2が好ましいが、3J/cm2が最適である。
【0058】
レーザー照射時の照射時間は、必要とされる蛍光体の量によって変化させればよい。照射時間によって粒径は変化せず、対向して設置してあるガラス基板9上に作成される粒子の量が変化する。基本的には、15〜60分が好ましい。
【0059】
(実施例11)
発光母体を燐化インジウム(InP)、付活剤をテルビウム(Tb)とし、ナノクリスタル蛍光体InP:Tbを作成した。Tbは3価の陽イオンとしてInPにドープされる。
ターゲットは、99.999%の燐化インジウムと99.99%の酸化テルビウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。燐化インジウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0060】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0061】
このようにして作成されたInP:Tbナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.33×102Paでは約8nm、1.33×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。
【0062】
図5は、このようにして作成されたInP:Tbナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果を示す図であり、縦軸はPL強度(相対値)、横軸は波長(nm)を表す。なお、真空度は最適値である1.33×10Paの場合である。
図5から明らかなように、波長540nm付近(実測値では543nm)において3価のテルビウム(Tb3+)に起因する5D4→7F5の緑色発光を示した。本InP:Tbナノクリスタル蛍光体は、ZnS:Tbナノクリスタル蛍光体に比較して1.35倍、GaP:Tbナノクリスタル蛍光体に比較して1.125倍上回る発光強度を示した。
【0063】
(実施例12)
発光母体を燐化インジウム(InP)、付活剤をユーロピウム(Eu)とし、ナノクリスタル蛍光体InP:Euを作成した。ターゲットは、99.999%の燐化インジウムと99.99%の酸化ユーロピウムをよく混合し、プレス機で直径2cm、厚さ5mmのペレット状に作成した。燐化インジウム1に対して1〜5mol%が好ましく、3mol%が最適であった。
【0064】
ターゲットホルダー7に載置したターゲット8と、サブストレート9として使用したガラス基板との間は、10cm間隔とし、15分間レーザー光を照射した。
レーザー光照射時の真空反応室5内の真空度は1.99×103Pa〜1.33Paが好ましく、1.33×10Paが最適であった。又、レーザー照射時における雰囲気ガスとして窒素(N2)ガスを使用した。レーザーエネルギー密度は、1〜5J/cm2が好ましく、3J/cm2が最適であった。
【0065】
このようにして作成されたInP:Euナノクリスタル蛍光体の粒径を観察するために、透過型電子顕微鏡(TEM)評価を実施したところ、真空度1.33×102Paでは約8nm、1.33×10Paでは約3nmのナノクリスタル蛍光体を作成できた。
【0066】
このようにして作成されたInP:Euナノクリスタル蛍光体における光励起発光の測定結果は、図示を省略しているが、波長620nm付近(実測値では616nm)において3価のユーロピウム(Eu3+)に起因する5D0→7F2の赤色発光を示した。本ナノクリスタル蛍光体は、ZnS:Euナノクリスタル蛍光体に比較して1.38倍、GaP:Euナノクリスタル蛍光体に比較して1.1倍上回る発光強度を示した。
【0067】
以上説明したように、いずれの実施例においてもレーザーアブレーション法を用いることにより、様々な発色が可能な粒径が1〜10nmのナノクリスタル蛍光体を作成することができる。この発光体は、励起子、電子・正孔対を数nmの範囲に閉じ込めることができる量子サイズ効果が起る結果、広いバンドギャップを有するものとなる。従って、光吸収特性及び発光特性が向上する。
【0068】
次ぎに、このようなナノクリスタル蛍光体をガラス基板上に作成してFEDやPDPを製作する。この場合、図1のガラス基板9をFEDやPDPの基板とすることによりFEDやPDPを製作することができる。前述のように低電圧の電子ビームにより発光が可能となるので、FEDやPDP等のディスプレイを薄型化することができる。
【0069】
【発明の効果】
本発明によれば、発光母体と付活剤(発光センター)から構成されたターゲット材をアブレーションする工程により、基板上にnmオーダーの母体と付活剤(発光センター)からなる超微粒子で構成された発光体を作成することができる。超微粒子の平均粒径は、アブレーション工程における真空度の調節により容易に制御することができる。
この発光体は、nmオーダーの超微粒子で構成されているため低電圧の電子ビームで十分に発光させることが可能となる。したがって、このような発光体を使用したディスプレイにおいては薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るナノ構造結晶を有する発光体の製造装置の概略構成図である。
【図2】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図である。
【図3】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図である。
【図4】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図である。
【図5】本発明に係る発光体の発光励起特性を示す図である。
【符号の説明】
1…レーザー、5…真空反応室、7…ターゲットホルダー、8…ターゲット、9…サブストレート、10…真空排気系、11…差動排気系、13…雰囲気ガス供給系
Claims (7)
- 発光母体と付活剤から構成されたターゲット材をガス雰囲気の真空室に配置する工程と、
該真空室の内部に基板を配置する工程と、
前記ターゲット材にレーザー光を照射してターゲット材構成物質を溶融、蒸発させるアブレーション工程と、
該前記アブレーション工程で溶融、蒸発したターゲット材構成物質を真空々間内で会合させる工程と、
該工程で会合したターゲット材構成物質の超微粒子の平均粒径が1〜10nmになるように、前記真空室の真空度を1.99×103Pa乃至6.66Pa、前記レーザー光のエネルギー密度を1〜5J/cm 2 に制御する工程と、
前記超微粒子を前記基板に堆積させる工程と、
を有することを特徴とする発光体の製造方法。 - 前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がテルビウムであることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
- 前記母体が硫化亜鉛、又は窒化ガリウム、又は燐化ガリウム、又は燐化インジウム、前記付活剤がユーロピウムであることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
- 前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銅とアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
- 前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀と塩素であることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
- 前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤が銀とアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
- 前記母体が硫化亜鉛、前記付活剤がマンガンであることを特徴とする請求項1記載の発光体の製造方法。
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