KR101109123B1

KR101109123B1 - 고색순도 특성을 가지는 적색 발광 갈륨산화물계 형광체의 제조방법

Info

Publication number: KR101109123B1
Application number: KR1020080085493A
Authority: KR
Inventors: 김경운; 정하균; 최성호
Original assignee: 한국화학연구원
Priority date: 2008-08-29
Filing date: 2008-08-29
Publication date: 2012-02-15
Also published as: KR20100026474A

Abstract

본 발명은 고색순도 적색 발광 특성을 가지는 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 모체로 갈륨(Ga) 산화물과 가돌리늄(Gd) 또는 이트륨(Y)의 산화물을 사용하고, 활성제로 유로퓸(Eu)을 사용하며, 더 이상의 융제(Flux)를 첨가하지 않고서 분무열분해법을 통하여 제조하는 입자 크기가 균일한 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법으로 제조된 갈륨산화물계 형광체는 자외선 여기조건에서 발광 특성이 우수하므로 고색순도용 적색 표시소자 분야에 유용하게 적용된다.

갈륨산화물계 형광체, 분무열분해, 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)

Description

고색순도 특성을 가지는 적색 발광 갈륨산화물계 형광체의 제조방법{Synthetic method of red emitting gallate phosphors with high color purity}

본 발명은 고색순도 적색 발광 특성을 가지는 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 모체로 갈륨(Ga) 산화물과 가돌리늄(Gd) 또는 이트륨(Y)의 산화물을 사용하고, 활성제로 유로퓸(Eu)을 사용하며, 더 이상의 융제(Flux)를 첨가하지 않고서 분무열분해법을 통하여 제조하는 입자 크기가 균일한 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법에 관한 것이다.

적색 형광체로 대표되는 갈륨산화물계 형광체는 이트륨산화물계 형광체보다 심적색 발광이 가능하지만, 휘도 효율이 상대적으로 낮아서 실제 제품화가 이루어지지 않고 있다. [P. Guo, G. Li, F. Zhao, F. Liao, S. Tian and X. Jing, Journal of The Electrochemical Society, 150(9) (2003) H201-H204]

최근 소비자들이 넓은 색 재현성과 슬림화된 전자 제품을 선호함에 따라 고품위 디스플레이 개발이 절실히 요구되면서, 이에 필요한 발광물질들이 새롭게 주 목받고 있다.

냉음극 형광램프(Cold Cathode fluorescent lamp, CCFL)는 정량 수은 가스가 혼입된 유리관의 양끝 전극에 유기된 고전압에 의해 관내에 존재하는 전자가 전극(양극)에 이끌리어 고속으로 이동하고 전극에 충돌하여, 2차 전자가 방출되어 방전이 개시된다. 방전에 의해 유동하는 전자는 관내의 수은 원자와 충돌하여 자외선 (254 ㎚)을 발생하고, 이 자외선이 유리관 내벽에 도포된 형광물질을 여기 시켜 가시광선을 발광한다. 종래의 형광체를 이용한 CCFL을 광원으로서 이용하는 액정 표시장치에서는 색 재현성이 낮고 색 균형 등의 문제가 있었는데, 청색 형광체는 비교적 색순도가 좋은 것으로 알려져 있지만, 녹색과 적색 형광체는 색순도가 낮은 경향이 있다. 예컨대, 적색 형광체인 Y₂O₃:Eu는 최대 발광 파장이 611 ㎚이기 때문에 색순도에서 문제가 있다. 적색 성분의 연색지수를 향상시키기 위해서는, 적색 형광체의 발광 파장은 620 내지 630 ㎚가 가장 유효한 것으로 알려져 있다. 620 내지 630 ㎚ 파장영역에서 최대 발광하는 형광체로서는 Gd₂O₃:Eu가 알려져 있다. 하지만, Gd₂O₃:Eu 형광체는 결정구조에 따라서 발광 특성이 변화하는 경향이 있는데, 입방정계 Gd₂O₃:Eu 형광체는 발광 중심 파장이 611 ㎚이고, 단사결정 Gd₂O₃:Eu 형광체는 발광 중심 파장이 623 ㎚이다. 즉, 단사결정 Gd₂O₃:Eu 형광체는 적색 성분의 연색지수의 향상에 유효한 발광 스펙트럼 분포를 갖지만, 단사결정 Gd₂O₃:Eu 형광체는 발광 효율이 Y₂O₃:Eu 형광체의 20% 정도에 불과하다. 따라서 연색성 및 발광 효율의 증가를 기대할 수 있는 적색 형광체의 개발이 요구되고 있다.

한편, 일반적인 형광체의 합성법으로서 유로퓸(Eu)을 활성제로 첨가한 가돌륨산화물계 형광체는 일정 비율의 고상 원료들을 혼합하여, 고온에서 장시간 열처리를 거치는 고상합성법이 사용되어 왔다. 고상합성법은 최종 하소 과정이 1450℃ 이상의 고온에서 24시간 이상의 장시간 열처리가 적용되기 때문에 형광체 입자들의 응집을 초래하게 되므로, 후처리 과정으로서 필수적으로 분쇄과정을 수행하게 된다. 그러나, 후처리 과정으로서 수행하는 분쇄과정에서 형광체의 표면에 손상을 입히거나 불순물이 혼입되어 결과적으로 발광강도의 손실을 가져오게 된다. 또한, 고상합성법에서는 미반응상이나 부가적인 2차상이 존재하지 않는 순수한 단일상 형태의 형광체를 수득하기 위하여, 고 활성원소의 반응성을 촉진하는 알카리계 염화물, 알카리계 불화물 등을 융제(flux)로서 반드시 첨가하여야 한다. 따라서, 유로퓸(Eu)을 활성제로 사용하는 갈륨산화물계 형광체의 제조방법으로서 고상합성법은 개선의 여지가 있다.

본 발명은 자외선 여기 조건에서의 발광 효율 및 색순도가 개선된 갈륨산화물계 적색 형광체 분말을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 종래 고상합성법에 비교하여 상대적으로 저온 조건에서 융제 첨가 없이 고효율 형광체를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 수 ㎛ 사이즈의 균일한 입도분포와 균일한 입자형상을 가지는 적색 발광용 형광체의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 형광체 조성비로 모체와, 모체를 도핑하는 활성제를 첨가하여 0.02 M 내지 2 M 농도의 전구체 용액을 제조하는 공정; 및 상기 전구체 용액을 200℃ 내지 1500℃ 온도가 유지되는 분무열분해장치의 관형 반응기 내부로 분무시켜 형광체 분말을 제조하는 공정;을 포함하여 이루어지는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법을 제공함으로써, 상기 과제를 해결한다.

Ln₃ _- _xGaO₆:Eu_x

상기 화학식 1에서, Ln은 Y 또는 Gd이며, 0< x ≤1이다.

본 발명에 따른 분무열분해법에 의한 형광체 제조방법은 종래 고상합성법과는 달리 상대적으로 저온 조건에서 열처리를 수행하며, 추가적인 융제(Flux) 첨가 없이도 고효율 형광체 합성이 가능한 효과를 갖고 있다.

본 발명에 따른 분무열분해법에 의한 형광체 제조방법은 균일한 입자형상 및 입도 분포를 갖는 형광체 분말의 제조가 가능한 효과를 갖고 있다.

본 발명은 종래 고상합성법을 이용하여 제조된 동일한 조성의 형광체에 비하여 자외선 여기조건 하에서 발광 효율 및 색좌표가 우수한 적색 형광체의 합성이 가능한 효과를 갖고 있다.

본 발명에 따른 분무열분해법으로 제조된 형광체는 냉음극 형광램프(CCFL) 등 적색 발광용 형광체로의 적용이 기대되는 효과를 갖고 있다.

본 발명에 따른 분무열분해법에 의한 상기 화학식 1로 표시되는 갈륨산화물계 형광체의 제조방법을 공정별로 세분화하여 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다.

제 1과정은, 모체를 구성하는 가돌리늄(Gd) 또는 이트륨(Y) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체 및 상기 모체를 도핑하는 활성제로서 유로퓸(Eu) 전구체가 포함된 전구체 용액을 제조한다.

상기 전구체는 수용성이고 알코올에 용해도가 우수하므로, 증류수나 탄소수 1 내지 6의 알코올을 용매로 사용하여 전구체 용액을 제조할 수 있다. 상기 전구체 용액에 포함된 각 전구체의 함량은 상기 화학식 1의 형광체 조성비를 만족시키는 범위내에서 다양한 조합을 통하여 최적의 조성비를 도출한다. 특히 활성제로서 포함되는 유로퓸(Eu)의 함량(x)에 따라 발광휘도가 달라질 수 있으므로, 유 로퓸(Eu)의 함량(x)은 0< x ≤1, 바람직하기로는 0.01≤ x ≤0.4를 유지하도록 한다.

또한, 전구체 용액의 농도에 따라 제조되는 형광체 입자의 크기가 결정되기 때문에 원하는 크기의 입자를 제조하기 위해서는 전구체 용액의 농도가 적절해야 한다. 본 발명에서는 전구체 용액의 농도를 0.02 M 내지 2 M 범위로, 바람직하기로는 0.1 M 내지 2 M 범위로 조절하는 것을 제안한다. 상기에서 언급한 바대로, 전구체 용액의 농도가 0.02 M 미만으로 낮으면 분말의 생산성이 떨어지는 문제점이 있고, 2 M을 초과하여 고농도를 유지하면 전구체의 용해도가 떨어져서 만족하는 분무용액을 얻을 수 없다.

제 2과정는 상기 전구체 용액을 200℃ 내지 1500℃ 온도가 유지되는 분무열분해장치의 관형 반응기 내부로 분무시켜 형광체 분말을 제조한다.

전구체를 액적으로 분무시키기 위한 분무장치로는 초음파 분무장치, 공기노즐 분무장치 등이 사용될 수 있다. 분무된 액적의 직경은 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛가 되도록 하는 것이 좋은데, 액적의 직경이 0.1 ㎛에 이르지 못하는 경우에는 생성되는 분말입자의 크기가 너무 작게 되는 문제점이 있고, 액적의 직경이 100 ㎛를 초과하는 경우에는 반대로 생성되는 입자의 크기가 너무 크다는 문제가 발생한다. 특히, 얻어지는 분말의 형태를 조절하기 위해서는 수 마이크론 크기의 미세한 액적을 발생시키는 장치가 필요하다. 본 발명에서는 분무장치로서 초음파 분무장치를 이용하였으며, 액적을 발생시키는 부위인 진동자를 12개 사용하여 액적을 대량으로 발생시켜 시간당 수십 ℓ의 액적을 발생하도록 하여 분무열분해법에 의해 형광체 분말의 대량 생산이 가능하도록 하였다.

상기 액적은 200℃ 내지 1500℃, 바람직하기로는 800℃ 내지 1200℃의 온도가 유지되는 관형 반응기 내부로 분무시켜 열처리에 의해 형광체 분말을 형성한다. Gd₂O₃:Eu 형광체 분말들은 일반적인 고상합성법에서 1,450℃ 이상의 고온에서 24시간 이상 반응시켜야만 결정이 얻어지는 물질이기 때문에, 수초의 체류시간을 가지는 분무열분해 공정에서는 원하는 결정상이 얻어지지 않을 수 있다. 이에 본 발명에서는 결정을 성장시키기 위하여 700℃ 내지 1300℃, 바람직하기로는 900℃ 내지 1200℃ 온도에서 8 내지 12시간 열처리하는 과정을 추가로 수행할 수 있다.

종래 고상합성법에서는 단일 결정상을 얻기 위해 융제(Flux)를 반드시 첨가하고, 1450℃ 이상의 고온 조건에서 결정 성장과정을 수행하고 있다. 그러나, 본 발명에서는 분무열분해법을 채택함으로써 융제(Flux)를 첨가하지 않고도 단일상을 얻을 수 있었으며, 결정성장 과정 역시 700℃ 내지 1300℃의 상대적으로 낮은 온도에서 5 내지 12시간의 비교적 짧은 동안 수행하더라도 목적하는 단일 결정상으로서 형광체 분말을 얻을 수 있다.

이상의 제조방법을 통해서 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말들은 CCFL용 램프에의 적용 특성을 알아보기 위하여 UV 영역(254 nm)에서의 발광 특성을 비교 분석하였다. 그 결과는 첨부도면 도 3과 도 4로서 첨부하였 바, 본 발명의 제조방법으로 제조된 갈륨산화물계 형광체는 자외선 여기조건에서 발광 특성이 우수하므로 고 색순도용 적색 표시소자에 적용되기에 적합하다.

이하, 본 발명을 다음의 실시예에 의거하여 더욱 구체화하여 설명하겠는바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

[실시예]

실시예 1. 분무열분해법에 의한 Gd₂ _.6GaO₆:Eu₀ _.4 형광체 분말의 제조

Gd_2.6GaO₆:Eu_0.4의 형광체 분말을 본 발명이 제안한 분무열분해법으로 제조하기 위해 다음과 같이 실시하였다.

모체를 구성하기 위해 당량비에 맞게 가돌리늄(Gd), 갈륨(Ga), 유로퓸(Eu)을 녹인 전구체를 사용하였다. 전구체 용액의 총농도는 0.5 M이었다. 제조되어진 전구체 용액들은 액적을 대량으로 발생시키는 초음파 분무장치를 이용하여 수 ㎛ 크기의 액적으로 발생시켰으며 반응로에서 건조와 열분해시켜 분말을 얻었다. 이때, 반응기의 온도는 900℃로 유지하였다. 초음파 분무 장치는 액적을 대량으로 발생시킬 수 있는 장치로서 1.7 MHz의 주파수를 가지는 진동자 12개를 사용하였다. 초음파 액적 발생장치에 의해 생성된 액적은 운반기체에 의해 고온의 관형 반응기로 운반되는데, 운반기체로는 압축공기를 이용하였다. 12개의 초음파 진동자에 의해 발생된 다량의 액적이 반응기 내부에서 원활하게 운반시키기 위해 운반기체의 유량을 40 L/min로 조절하였다. 반응기로는 내부 길이가 1200 mm이고, 외경이 55 mm인 석영관을 사용하였다. 초음파 분무 장치에 의해 발생된 다 량의 액적이 건조, 석출, 열분해 및 치밀화가 원활하게 일어나도록 반응부의 온도는 900℃로 유지하였다. 반응부를 통과하여 얻어진 입자들은 다공성의 테플론 필터(Teflon filter)에 의해 포집하였다. 이렇게 하여 분무열분해법에 의해 얻어진 분말들은 Gd₃GaO₆의 결정성을 가지고 있으며, 충분히 결정화가 이루어지도록 하기 위해서 1100℃에서 10시간 동안 열처리 과정을 수행하였다.

비교예 1. 고상합성법에 의한 Gd₂ _.6GaO₆:Eu₀ _.4 형광체 분말의 제조

Gd_2.6GaO₆:Eu_0.4형광체 분말을 종래 고상합성법으로 제조하였으며, 열처리는 1100℃에서 24시간 실시하였다.

도 1에 나타낸 X-선 회절 분석결과에 의하면, 본 발명에 따른 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 1)는 1100℃의 열처리 온도에서 단일 결정상을 형성함을 알 수 있었다. 이에 반하여, 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 1)는 1100℃에서 단일상을 형성하지 못하고 순수한(Gd₃GaO₆)상과 불순물(Gd₂O₃)상이 함께 존재함을 확인할 수 있었으며, 1450℃ 이상의 고온에서 열처리를 수행하였을 때 비로서 단일 결정상이 형성됨을 추가로 확인할 수 있었다.

도 3에 나타낸 발광스펙트럼에 의하면, 254 nm의 자외선으로 여기시켰을 때 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 1)가 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 1) 보다 우수한 발광 특성을 나타내는 것을 확인 할 수 있었다.

도 5에 나타낸 전자현미경 사진을 보더라도, 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 1)가 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 1)에 비교하여 입도분포가 균일했으며, 입자사이즈는 3 ㎛ 내지 5 ㎛를 유지하였다.

실시예 2. 분무열분해법에 의한 Y_2.6GaO₆:Eu_0.4 형광체 분말의 제조

Y_2.6GaO₆:Eu_0.4 형광체 분말을 상기 실시예 1의 분무열분해법으로 제조하였으며, 결정성장을 위한 열처리는 1200℃에서 9시간동안 실시하였다.

비교예 2. 고상합성법에 의한 Y_2.6GaO₆:Eu_0.4 형광체 분말의 제조

Y_2.6GaO₆:Eu_0.4형광체 분말을 종래 고상합성법으로 제조하였으며, 열처리는 1,200℃에서 24시간 실시하였다.

도 2에 나타낸 X-선 회절 분석결과에 의하면, 본 발명에 따른 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 2)는 1200℃의 열처리 온도에서 단일 결정상을 형성함을 알 수 있었다. 이에 반하여, 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 2)는 1200℃에서 단일상을 형성하지 못하고 순수한(Y₃GaO₆)상과 불순물(Y₂O₃)상이 함께 존재함을 확인할 수 있었으며, 1450℃ 이상의 고온에서 열처리를 수행하였을 때 비로서 단일 결정상이 형성됨을 추가로 확인할 수 있었다.

도 4에 나타낸 발광스펙트럼에 의하면, 254 nm의 자외선으로 여기시켰을 때 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 2)가 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 2) 보다 우수한 발광 특성을 나타내는 것을 확인 할 수 있었다.

도 6에 나타낸 전자현미경 사진을 보더라도, 분무열분해법으로 제조된 형광체(실시예 2)가 고상합성법으로 제조된 형광체(비교예 2)에 비교하여 입도분포가 균일했으며, 입자사이즈는 3 ㎛ 내지 5 ㎛를 유지하였다.

상기 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에서 제조된 형광체 분말에 대한 상대휘도 및 색좌표 값을 정리하여 표로 나타내면 하기 표 1과 같다.

구 분	상대휘도(%) (254㎚ 여기)	색좌표(x, y)	합성조건
실시예 1	80	(0.657, 0.334)	분무열분해법 (1100℃, 24h)
실시예 2	65	(0.658, 0.333)	분무열분해법 (1200℃, 24h)
비교예 1	48	(0.643, 0.341)	고상합성법 (1100℃, 24h)
비교예 2	54	(0.647, 0.338)	고상합성법 (1200℃, 24h)
상용품	100	(0.647, 0.344)	-

본 발명에 따른 분무열분해법은 종래 고상합성법과 비교하여 추가적인 융제 첨가제 없이 상대적으로 저온 열처리를 통하여 형광체 합성이 가능하며, 균일한 입도 분포 특성을 나타내고 있다. 그리고 수은 방전 조건인 254㎚ 여기조건 하에 서 발광 효율 및 색좌표 특성이 고상합성법을 이용하여 제조된 동일한 조성의 형광체에 비하여 우수함을 확인하였다. 그리고, 본 발명에 따른 분무열분해법으로 제조된 형광체는 냉음극 형광램프(CCFL) 등의 적색 발광용 형광체로의 적용이 기대된다.

도 1은 분무열분해법(실시예 1)과 고상합성법(비교예 1)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 X-선 회절 분석결과이다.

도 2는 분무열분해법(실시예 2)과 고상합성법(비교예 2)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 X-선 회절 분석결과이다.

도 3은 분무열분해법(실시예 1)과 고상합성법(비교예 1)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 발광스펙트럼(여기파장 254 ㎚) 분석결과이다.

도 4는 분무열분해법(실시예 2)과 고상합성법(비교예 2)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 발광스펙트럼(여기파장 254 ㎚) 분석결과이다.

도 5은 분무열분해법(실시예 1)과 고상합성법(비교예 1)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)사진이다.

도 6은 분무열분해법(실시예 2)과 고상합성법(비교예 2)으로 각각 제조된 갈륨산화물계 형광체 분말에 대한 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)사진이다.

Claims

하기 화학식 1로 표시되는 형광체 조성비로 모체와 모체를 도핑하는 활성제를 첨가하여 0.02 M 내지 2 M 농도의 전구체 용액을 제조하는 공정;

상기 전구체 용액을 800℃ 내지 1200℃ 온도가 유지되는 분무열분해장치의 관형 반응기 내부로 분무시키며, 융제(Flux)를 사용하지 않는 조건에서 형광체 분말을 제조하는 공정; 및

융제(Flux)를 사용하지 않는 조건에서 상기 형광체 분말을 700℃ 내지 1200℃ 온도에서 5시간 내지 12시간동안 열처리하여 단일 결정으로 성장시키는 과정;

을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산화물계 형광체 분말의 제조방법.

[화학식 1]

Ln_3-xGaO₆:Eu_x

상기 화학식 1에서, Ln은 Y 또는 Gd이며, 0< x ≤1이다.
제 1항에 있어서, 상기 모체와 활성제는 증류수나 탄소수 1 내지 6의 알코올에 용해시켜 전구체 용액을 제조하는 것을 특징으로 하는 형광체 분말의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 분무시켜 생성되는 액적의 직경이 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 형광체를 구성하는 유로퓸(Eu)의 함량(x)이 0.1≤x≤0.4인 것을 특징으로 하는 형광체 분말의 제조방법.
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