JP4327640B2 - 圧力センサ及びその磁気ヒステリシス低減方法 - Google Patents

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Description

本発明は、磁歪部材を用いた圧力センサ及びその磁気ヒステリシス低減方法に関する。
従来、磁歪部材の応力磁気効果を用いて圧力の変化を検出可能とした圧力センサが広く知られている。この従来公知の圧力センサは、磁歪部材の変形に基づく透磁率の変化をコイルのインダクタンス値の変化として検出することによって、圧力の変化を検出可能としたものである。
ところで、このような圧力センサにおける圧力とインダクタンス値の関係は、一般に、図6に示されるような磁気ヒステリシス特性を示し、圧力とインダクタンス値との間には変化の方向による差異が生じる。その結果、圧力の増加方向と減少方向とで同一の圧力に対するインダクタンス値が一致しないといった問題点がある。
このような問題点を解決する一手段として、図7に示されるような圧力センサ1が提案されている。
この圧力センサ1は、略棒状の超磁歪素子2と、LC発振電流を流すための第1コイル3と、インパルス電流を流すための第2コイル4と、を有して構成され、超磁歪素子2を囲むように第1、第2コイル3、4が2重に巻回されている。圧力センサ1は、所定のタイミングで第2コイル4によってインパルス電流を流すことによって、磁気ヒステリシスを低減しようとするものである。
特開2003−156382号公報
しかしながら、この圧力センサ1では、大きなインパルス電流を流す必要があるため、超磁歪素子2や第1、第2コイル3、4の温度上昇に伴う検出誤差が大きく、検出精度が低下してしまうといった問題点があった。
又、第1、第2コイル3、4を超磁歪素子2の外周に2重に巻回する構造である上に、インパルス電流を流すためには第2コイル3の線径をなるべく大きくする必要があり、装置が大型化(特に、超磁歪素子2の径方向に大型化)してしまうといった問題点もあった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであって、小型化が可能でありながら、同時に、磁気ヒステリシスを効果的に低減し、圧力の変化を高精度で検出することができる圧力センサ及びその磁気ヒステリシス低減方法を提供することを目的とする。
本発明の発明者は、鋭意研究の結果、小型化が可能でありながら、同時に、磁気ヒステリシスを効果的に低減し、圧力の変化を高精度で検出することができる圧力センサ及びその磁気ヒステリシス低減方法を見出した。
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
(1)第1磁歪部材及び該第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を検出するための検出手段を備え、圧力の変化を前記第1磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能なセンサ部と、第2磁歪部材及び該第2磁歪部材を伸縮可能な駆動コイルを備えた駆動部と、を有してなり、該駆動部は、前記駆動コイルにインパルス状の電流を流すことによって、前記センサ部における第1磁歪部材に所定の応力を印加可能に構成されていることを特徴とする圧力センサ。
(2)前記センサ部における第1磁歪部材及び検出手段と、前記駆動部における第2磁歪部材及び駆動コイルとの間には、磁性部材が配設されていることを特徴とする前記(1)記載の圧力センサ。
(3)前記センサ部における第1磁歪部材及び前記駆動部における第2磁歪部材は、前記磁性部材に固定されていることを特徴とする前記(2)記載の圧力センサ。
(4)前記センサ部における第1磁歪部材には、所定の予荷重が印加されていることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の圧力センサ。
(5)前記センサ部における検出手段は、前記第1磁歪部材の外周を囲むように配設された検出コイルを含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記検出コイルのインダクタンス値の変化として検出するようにしたことを特徴とする前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の圧力センサ。
(6)前記センサ部における検出手段はホール素子を含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記ホール素子の起電力変化として検出するようにしたことを特徴とする前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の圧力センサ。
(7)前記センサ部における検出手段は磁気抵抗効果素子を含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記磁気抵抗効果素子の起電力変化として検出するようにしたことを特徴とする前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の圧力センサ。
(8)前記センサ部における第1磁歪部材及び前記駆動部における第2磁歪部材の少なくとも一方は、超磁歪素子を材料とする超磁歪部材からなることを特徴とする前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の圧力センサ。
(9)磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化によって圧力の変化を検出可能な圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法であって、前記磁歪部材に所定の応力を印加することによって、前記磁歪部材の残留磁気を除去することを特徴とする圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法。
本発明に係る圧力センサ及びその磁気ヒステリシス低減方法によれば、小型化が可能でありながら、同時に、磁気ヒステリシスを効果的に低減し、圧力の変化を高精度で検出することができるという優れた効果を有する。
本発明に係る圧力センサは、第1磁歪部材及び該第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を検出するための検出手段を備え、圧力の変化を前記第1磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能なセンサ部と、第2磁歪部材及び該第2磁歪部材を伸縮可能な駆動コイルを備えた駆動部と、を有してなり、該駆動部は、前記駆動コイルにインパルス状の電流を流すことによって、前記センサ部における第1磁歪部材に所定の応力を印加可能に構成されていることによって、上記課題を解決したものである。
又、本発明に係る圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法は、磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化によって圧力の変化を検出可能な圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法であって、前記磁歪部材に所定の応力を印加することによって、前記磁歪部材の残留磁気を除去することによって、上記課題を解決したものである。
以下、図1及び図2を用いて、本発明の実施例1に係る圧力センサについて詳細に説明する。
図に示されるように、本発明の実施例1に係る圧力センサ10は、略筒状のケーシング12を備えており、このケーシング12内には、駆動部14とセンサ部16が収容されている。
駆動部14は、ケーシング12の底部に固定された略円板状の磁性部材からなる第1磁気ヨーク18と、この第1磁気ヨーク18上に固定された略棒状の第2超磁歪部材20と、この第2超磁歪部材20の周囲に配設され、第2超磁歪ロッド20を軸方向に伸縮可能な駆動コイル22と、第2超磁歪部材20及び駆動コイル22を上方から覆うように配設された有底円筒形状の磁性部材からなる第2磁気ヨーク24と、を有して構成されている。なお、この例では、第1、第2磁気ヨーク18、24はMnZnフェライト材からなる。
第2超磁歪部材20は、一端側が第1磁気ヨーク18に固定されていると共に、他端側が第2磁気ヨーク24に固定されている。又、第2超磁歪部材20は、超磁歪素子を材料としている。ここで、「超磁歪素子」とは、希土類元素および/または特定の遷移金属などを主成分(例えば、テルビウム、ジスプロシウム、鉄など)とする粉末焼結合金あるいは単結晶合金から作られた磁歪素子をいう。この磁歪素子は、外部から磁界が印加されると大きな変位を生じ(ジュール効果)、又、外部から応力を受けて変形すると大きな透磁率又は残留磁化量の変化を生じる性質(ビラリ効果)を有している。
第2磁気ヨーク24の下端は、ゴム26を介して第1磁気ヨーク18に固定されており、第2磁気ヨーク24は、第2超磁歪部材20の軸方向の伸縮に伴って上下動可能に構成されている。
一方、この駆動部14の上方に配置されたセンサ部16は、第2超磁歪部材20と同軸的に配置され、駆動部14の第2磁気ヨーク24上に固定された略棒状の第1超磁歪部材28と、この第1超磁歪部材28の周囲に配設された検出コイル(検出手段)30と、第1超磁歪部材28の上端に固定された略柱状の磁性部材からなる第3磁気ヨーク32と、この第3磁気ヨーク32上に球面軸合わせ具34を介して配設された伝達ロッド36と、を有して構成されている。
第1超磁歪部材28は、駆動部14の第2超磁歪部材20と同じ超磁歪素子を材料としている。
検出コイル30は、第1超磁歪部材28の変位に基づく第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化量の変化をインダクタンス値の変化として検出可能である。
伝達ロッド36は、第1超磁歪部材28の上端側に位置する略円板状のフランジ部36Aと、このフランジ部36Aを基端として第1超磁歪部材28の軸方向に沿って伸びるロッド部36Bと、によって構成されている。フランジ部36Aとケーシング12との間には、皿ばね38が縮設されており、伝達ロッド36は第1超磁歪部材28側に付勢されていると共に、第1超磁歪部材28には軸方向に所定の予荷重が印加されている。更に、ロッド部36Bの先端部はケーシング12外部に突出されており、このロッド部36Bを介して第1超磁歪部材28に外部からの圧力を印加可能な構造となっている。
次に、本発明の実施例1に係る圧力センサ10の作用について説明する。
伝達ロッド36に外部から圧力が加えられ、球面軸合わせ具34及び第3磁気ヨーク32を介して、第1超磁歪部材28に軸方向の応力が加えられると、第1超磁歪部材28に変形が生じる。そして、この第1超磁歪部材28の変形によって第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化率が変化することになる。従って、この第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化率の変化を検出コイル30のインダクタンス値の変化として検出することによって圧力の変化を検出することができる。
又、この圧力センサ10では、駆動部14の駆動コイル22にインパルス状の電流を流すことによって、第2磁気ヨーク24を介して、センサ部16の第1超磁歪部材28に所定の応力が印加されるようになっている。
本発明の発明者は、実験により、本実施例1に係る圧力センサ10に印加される圧力と検出コイル30における電圧との関係についてデータを採取した。なお、本実験においては、駆動部14には、軸径7.4mm、軸長8mmの第2超磁歪部材20と、線径0.2mm、線種UEW、巻数600ターン、コイル長7mmの駆動コイル22を適用し、駆動コイル22に最大値0.3Aのインパルス状の電流を流した。又、センサ部16には、軸径7.4mm、軸長6mmの第1超磁歪部材28と、線径0.2mm、線種UEW、巻数300ターン、コイル長3mmの検出コイル30を適用した。
又、比較例として、同じ圧力センサ10を用いて、本発明に係る磁気ヒステリシス低減方法を適用しなかった場合(センサ部16の第1超磁歪部材28に応力を印加しなかった場合)についてもデータを採取した。
その結果、図3に示されるように、実線で示される本実施例1に係る圧力センサ10では、点線で示される比較例の圧力センサに比べ、実験を行った圧力0(kgf/cm)〜約500(kgf/cm)の全範囲において磁気ヒステリシスが低減されていることが確認された。なお、比較例の圧力センサの磁気ヒステリシスの最大幅は12.308(v)であったのに対して、本実施例1に係る圧力センサ10の磁気ヒステリシスの最大幅は7.143(v)で、磁気ヒステリシスは約41.964%(=(1−7.143/12.308)×100)減少した。このことは、駆動部14によりセンサ部16の第1超磁歪部材28に所定の応力を印加したことによって、第1超磁歪部材28の残留磁気が除去され、磁気ヒステリシスが低減されたことを意味している。
本実施例1に係る圧力センサ10によれば、第1超磁歪部材28及びこの第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化量の変化を検出するための検出コイル(検出手段)30を備え、圧力の変化を、第1超磁歪部材28の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能なセンサ部16と、第2超磁歪部材20及びこの第2超磁歪部材20を伸縮可能な駆動コイル22を備えた駆動部14と、を有してなり、駆動部14は、駆動コイル22にインパルス状の電流を流すことによって、センサ部16の第1超磁歪部材28に所定の応力を印加可能に構成されているため、第1超磁歪部材28の残留磁気を除去することによって、磁気ヒステリシスを効果的に低減し、圧力の変化を高精度で検出することができる。又、従来の圧力センサのように径方向に装置が大型化することがなく、従来の圧力センサに比べ小型化が可能である。
特に、超磁歪素子を材料とする第1超磁歪部材28を用いているため、圧力変化の検出感度をより一層高めることができる。
又、センサ部16における第1超磁歪部材28及び検出コイル30と、駆動部14における第2超磁歪部材20及び駆動コイル22との間には、第2磁気ヨーク(磁性部材)24が配設されているため、駆動部14から発生する磁気ノイズや熱がセンサ部16に及ぶのを阻止することができ、磁気ノイズや熱に起因する検出誤差の発生を防止することができる。
更に、センサ部16における第1超磁歪部材28及び駆動部14における第2超磁歪部材20は、第2磁気ヨーク(磁性部材)24に固定されているため、部材間に発生する繰り返し応力による第1、第2超磁歪部材20、28の破損等を未然に防止することができる。
又、センサ部16における第1超磁歪部材28には、皿ばね38によって所定の予荷重が印加されているため、この点においても圧力変化の検出感度が高められている。
なお、駆動コイル22の軸方向両側には、第1、第2磁気ヨーク18、24が配設されており、第2超磁歪部材28に対して駆動コイル22の磁界を効率的に印加することができる。又、検出コイル30の軸方向両側には、第2、第3磁気ヨーク24、32が配設されており、第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化量の変化を検出コイル30で効率的に検出することができる。
本発明の発明者は、上記実施例1に係る圧力センサ10の駆動コイル22に代えて、線径1.0mm、線種UEW、巻数20ターン、コイル長7mmの駆動コイル22を適用すると共に、この駆動コイル22に最大値5.0Aのインパルス状の電流を流し、上記実施例1と同様の実験を行った。
その結果、図4に示されるように、実線で示される本実施例2に係る圧力センサ40では、点線で示される比較例の圧力センサに比べ、実験を行った圧力0(kgf/cm)〜約500(kgf/cm)の全範囲において磁気ヒステリシスが低減されていることが確認された。なお、比較例の圧力センサの磁気ヒステリシスの最大幅は12.308(v)であったのに対して、本実施例2に係る圧力センサ40の磁気ヒステリシスの最大幅は8.955(v)で、磁気ヒステリシスは約27.239%(=(1−8.955/12.308)×100)減少した。このことは、駆動部14によりセンサ部16の第1超磁歪部材28に所定の応力を印加したことによって、第1超磁歪部材28の残留磁気が除去され、磁気ヒステリシスが低減されたことを意味している。
このように、本実施例2に係る圧力センサ40によっても、上記実施例1の圧力センサ10と同様に、小型化が可能でありながら、同時に、磁気ヒステリシスを効果的に低減し、圧力の変化を高精度で検出することができる。又、駆動コイル22の諸元(線径、巻数等)を変えることによって、磁気ヒステリシスを低減しつつ、圧力センサの特性を変化させることができる。
なお、本発明に係る圧力センサは、上記実施例1及び2に係る圧力センサ10(40)の形状や構造等に限定されるものではない。
従って、例えば、上記実施例1及び2においては、圧力の変化を検出するための検出手段として検出コイル30を適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図5に示される圧力センサ50のように、圧力の変化を検出するための検出手段としてホール素子52(又はMR、GMR等の磁気抵抗効果素子)を適用し、第1超磁歪部材28の透磁率又は残留磁化量の変化をホール素子52(又は磁気抵抗効果素子)の起電力変化として検出するようにしてもよい。
又、圧力センサの検出感度が十分に得られる場合等には、必ずしも第1超磁歪部材28に予荷重を印加する必要はなく、又、超磁歪部材の代わりに、磁歪素子からなる磁歪部材を適用してもよい。
即ち、本発明に係る圧力センサは、第1磁歪部材及び該第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を検出するための検出手段を備え、圧力の変化を前記第1磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能なセンサ部と、第2磁歪部材及び該第2磁歪部材を伸縮可能な駆動コイルを備えた駆動部と、を有してなり、該駆動部は、前記駆動コイルにインパルス状の電流を流すことによって、前記センサ部における第1磁歪部材に所定の応力を印加可能に構成されていればよい。
本発明の実施例1に係る圧力センサの略示側断面図 図1におけるII−II線に沿う略示断面図 本発明の実施例1に係る圧力センサに印加された圧力と検出コイルにおける電圧との関係を示したグラフ 本発明の実施例2に係る圧力センサに印加された圧力と検出コイルにおける電圧との関係を示したグラフ 本発明の実施例1に係る圧力センサの検出手段としてホール素子を適用した例を示す略示断面図 一般的な圧力センサにおける圧力とインダクタンス値の関係を示したグラフ 従来の圧力センサの略示側断面図
符号の説明
1、10、40、50…圧力センサ
2…超磁歪素子
3…第1コイル
4…第2コイル
12…ケーシング
14…駆動部
16…センサ部
18…第1磁気ヨーク
20…第2超磁歪部材
22…駆動コイル
24…第2磁気ヨーク
26…ゴム
28…第1超磁歪部材
30…検出コイル
32…第3磁気ヨーク
36…伝達ロッド
38…皿ばね
52…ホール素子

Claims (9)

  1. 第1磁歪部材及び該第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を検出するための検出手段を備え、圧力の変化を前記第1磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能なセンサ部と、第2磁歪部材及び該第2磁歪部材を伸縮可能な駆動コイルを備えた駆動部と、を有してなり、該駆動部は、前記駆動コイルにインパルス状の電流を流すことによって、前記センサ部における第1磁歪部材に所定の応力を印加可能に構成されていることを特徴とする圧力センサ。
  2. 請求項1において、
    前記センサ部における第1磁歪部材及び検出手段と、前記駆動部における第2磁歪部材及び駆動コイルとの間には、磁性部材が配設されていることを特徴とする圧力センサ。
  3. 請求項2において、
    前記センサ部における第1磁歪部材及び前記駆動部における第2磁歪部材は、前記磁性部材に固定されていることを特徴とする圧力センサ。
  4. 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
    前記センサ部における第1磁歪部材には、所定の予荷重が印加されていることを特徴とする圧力センサ。
  5. 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
    前記センサ部における検出手段は、前記第1磁歪部材の外周を囲むように配設された検出コイルを含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記検出コイルのインダクタンス値の変化として検出するようにしたことを特徴とする圧力センサ。
  6. 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
    前記センサ部における検出手段はホール素子を含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記ホール素子の起電力変化として検出するようにしたことを特徴とする圧力センサ。
  7. 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
    前記センサ部における検出手段は磁気抵抗効果素子を含み、前記第1磁歪部材の透磁率又は残留磁化量の変化を前記磁気抵抗効果素子の起電力変化として検出するようにしたことを特徴とする圧力センサ。
  8. 請求項1乃至7のいずれかにおいて、
    前記センサ部における第1磁歪部材及び前記駆動部における第2磁歪部材の少なくとも一方は、超磁歪素子を材料とする超磁歪部材からなることを特徴とする圧力センサ。
  9. 磁歪部材の変形に基づく透磁率又は残留磁化量の変化によって圧力の変化を検出可能な圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法であって、前記磁歪部材に所定の応力を印加することによって、前記磁歪部材の残留磁気を除去することを特徴とする圧力センサの磁気ヒステリシス低減方法。
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