JP2006214995A

JP2006214995A - 振動センサ

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Publication number: JP2006214995A
Application number: JP2005030840A
Authority: JP
Inventors: Teruo Mori; 輝夫森; Kesaharu Takato; 今朝春高藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-02-07
Filing date: 2005-02-07
Publication date: 2006-08-17

Abstract

【課題】小型化が可能でありながら、同時に、従来よりも振動の検出感度を高めることができる振動センサを提供する。
【解決手段】振動センサ１０は、固定部１２に固定された一対のバイアス磁石１４と、この一対のバイアス磁石１４にそれぞれ片持ち支持された第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８と、これら第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に両持ち支持された慣性質量部２０と、第１のピックアップコイル２２と、第２のピックアップコイル２４と、を含んで構成されている。そして、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、スリット１６Ａ(１８Ａ)によって複数の部位に区分けされ、第１の検出手段は、第１の超磁歪素子１６における反固定面側の部位１６Ｂに配設され、第２の検出手段は、第２の超磁歪素子１８における固定面側の部位１８Ｃに配設されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁歪素子を用いた振動センサに関する。

従来、振動を検知可能な振動センサの一つとして、磁歪素子を用いた振動センサが広く知られている（例えば、特許文献１参照）。

このような従来公知の振動センサでは、慣性質量を固定した磁歪素子を用い、この磁歪素子の変形に基づく透磁率の変化を検出することによって振動を検出するのが一般的である。

特開２００１−１８３４６７号公報

しかしながら、このような従来公知の振動センサにおいて振動の検出感度を高めるためには、磁歪素子の径を細長い形状にしたり、慣性質量を大きくすることによって、磁歪素子の変形量を高める必要があり、小型化が困難になってしまうといった問題点があった。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであって、小型化が可能でありながら、同時に、従来よりも振動の検出感度を高めることができる振動センサを提供することを目的とする。

本発明の発明者は、鋭意研究の結果、小型化が可能でありながら、同時に、従来よりも振動の検出感度を高めることができる振動センサを見出した。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）固定部に固定された一対のバイアス磁石と、該一対のバイアス磁石にそれぞれ片持ち支持された第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子と、該第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子に両持ち支持された慣性質量部と、前記第１の磁歪素子の変形を該第１の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第１の検出手段と、前記第２の磁歪素子の変形を該第２の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第２の検出手段と、を含んでなり、前記第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子は、少なくとも１つのスリットによって複数の部位に区分けされ、前記第１の検出手段は、前記第１の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設され、前記第２の検出手段は、前記第２の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設されていることを特徴とする振動センサ。

（２）前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記固定部の固定面に対して略平行に形成された平行スリットによって反固定面側の部位と固定面側の部位の２つに区分けされ、前記第１の検出手段は、前記反固定面側の部位に配設され、前記第２の検出手段は、前記固定面側の部位に配設されていることを特徴とする前記（１）記載の振動センサ。

（３）前記固定面側の部位及び前記反固定面側の部位は、更に、前記固定部の固定面に対して略垂直に形成された垂直スリットによって第１の側と第２の側の部位の２つに区分けされ、前記第１の検出手段は、前記反固定面側における前記第１の側の部位に配設され、前記第２の検出手段は、前記固定面側における前記第２の側の部位に配設されていることを特徴とする前記（２）記載の振動センサ。

（４）前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記固定部の固定面に対して略平行に配設されていることを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の振動センサ。

（５）前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記一対のバイアス磁石によって挟まれた状態で片持ち支持されていることを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の振動センサ。

（６）前記各バイアス磁石を前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子の側に押圧するサポート部材を更に備えたことを特徴とする前記（５）記載の振動センサ。

（７）前記サポート部材は、前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子の長軸方向に予荷重を印加するための予荷重手段を兼ねていることを特徴とする前記（６）記載の振動センサ。

（８）前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、ピックアップコイルを含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記ピックアップコイルのインダクタンス変化として検出するように構成されていることを特徴とする前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の振動センサ。

（９）前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、磁気抵抗効果素子を含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記磁気抵抗効果素子の起電力変化として検出するように構成されていることを特徴とする前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の振動センサ。

（１０）前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、ホール素子を含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記ホール素子の起電力変化として検出するように構成されていることを特徴とする前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の振動センサ。

（１１）前記磁歪部材として超磁歪素子を用いていることを特徴とする前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の振動センサ。

本発明に係る振動センサによれば、小型化が可能でありながら、同時に、従来よりも振動の検出感度を高めることができるという優れた効果を有する。

本発明に係る振動センサは、固定部に固定された一対のバイアス磁石と、該一対のバイアス磁石にそれぞれ片持ち支持された第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子と、該第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子に両持ち支持された慣性質量部と、前記第１の磁歪素子の変形を該第１の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第１の検出手段と、前記第２の磁歪素子の変形を該第２の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第２の検出手段と、を含んでなり、前記第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子は、少なくとも１つのスリットによって複数の部位に区分けされ、前記第１の検出手段は、前記第１の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設され、前記第２の検出手段は、前記第２の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設されていることによって、上記課題を解決したものである。

以下、図面を用いて、本発明の実施例１及び２に係る振動センサについて詳細に説明する。

まず最初に、図１〜図４を用いて、本発明の実施例１に係る振動センサ１０について説明する。

図に示されるように、本実施例１に係る振動センサ１０は、固定部１２に固定された一対のバイアス磁石１４と、この一対のバイアス磁石１４にそれぞれ片持ち支持された第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８と、これら第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に両持ち支持された慣性質量部２０と、第１の超磁歪素子１６の変形を第１の超磁歪素子１６の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第１のピックアップコイル（第１の検出手段）２２と、第２の超磁歪素子１６の変形を第２の超磁歪素子１６の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第２のピックアップコイル（第２の検出手段）２４と、を有して構成されている。

一対のバイアス磁石１４は、例えばフェライト磁石によって構成され、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の長軸方向に所定の静的磁界（バイアス磁界）を印加するためのものである。又、各バイアス磁石１４は、ボルト２６及びナット２８によって固定部１２に固定されていると共に、各バイアス磁石１４の慣性質量部２０側の面には第１の超磁歪素子１６又は第２の超磁歪素子１８の長軸方向端部を収容可能な凹部が形成されており、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８を長軸方向両側から挟んだ状態で支持している。

第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に配設されていると共に、一対のバイアス磁石１４によって挟まれた状態で片持ち支持されている。ここで、「超磁歪素子」とは、希土類元素および／または特定の遷移金属などを主成分（例えば、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｓｍ（サマリウム））とする粉末焼結合金あるいは単結晶合金から作られた磁歪素子をいい、例えば、フェライト、アルフェロ、ニッケル、コバルトなども適用することができる。この（超）磁歪素子は、外部から応力を受けて変形すると大きな透磁率（又は残留磁化量）の変化を生じる特性を有しており、（超）磁歪素子が引張り力を受けて伸長すると透磁率が上がり、（超）磁歪素子が圧縮力を受けて縮小すると透磁率が下がる。

又、第１の超磁歪素子１６は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に形成された平行スリット１６Ａによって反固定面側の部位１６Ｂと固定面側の部位１６Ｃの２つに区分けされている。一方、第２の超磁歪素子１８も同様に、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に形成された平行スリット１８Ａによって反固定面側の部位１８Ｂと固定面側の部位１８Ｃの２つに区分けされている。

慣性質量部２０は、振動センサ１０に振動が加えられた時に、振動を第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に伝達するためのものである。

第１のピックアップコイル２２は、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂに配設されている一方で、第２のピックアップコイル２４は、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃに配設されている。

又、振動センサ１０は、各バイアス磁石１４を第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の側に押圧するサポート部材３０を更に備えている。なお、このサポート部材３０は、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の長軸方向に予荷重を印加するための予荷重手段としても機能している。

次に、本実施例１に係る振動センサ１０の作用について説明する。

例えば、振動センサ１０に図２の上下方向（Ｚ方向）の振動が加えられると、慣性質量部２０がＺ方向に振動し、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８にそれぞれ変形が生じる。

より具体的には、慣性質量部２０が定常位置から図２の上方向に移動した場合、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂには長軸方向の圧縮力が加えられ、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃには長軸方向の引張り力が加えられる。一方、慣性質量部２０が定常位置から図２の下方向に移動した場合、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂには長軸方向の引張り力が加えられ、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃには長軸方向の圧縮力が加えられる。

即ち、慣性質量部２０のＺ方向の振動に伴って、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂと第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃにおける透磁率又は残留磁化量が変化する。従って、この透磁率又は残留磁化率の変化を、計測器３６を用いて、第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の変化（第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の差）として検出することで、慣性質量部２０に印加されるＺ方向の振動の変化を検出することができる。

又、振動センサ１０に図２の左右方向（Ｙ方向）の振動が加えられると、慣性質量部２０がＹ方向に振動し、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８にそれぞれ変形が生じる。

より具体的には、慣性質量部２０が定常位置から図２の左方向に移動した場合、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂには長軸方向の圧縮力が加えられ、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃには長軸方向の引張り力が加えられる。一方、慣性質量部２０が定常位置から図２の右方向に移動した場合、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂには長軸方向の引張り力が加えられ、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃには長軸方向の圧縮力が加えられる。

即ち、慣性質量部２０のＹ方向の振動に伴って、第１の超磁歪素子１６の反固定面側の部位１６Ｂと、第２の超磁歪素子１８の固定面側の部位１８Ｃにおける透磁率又は残留磁化量が変化する。従って、この透磁率または残留磁化率の変化を、計測器３６を用いて、第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の変化（第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の差）として検出することで、慣性質量部２０に印加されるＹ方向の振動の変化を検出することができる。

本実施例１に係る振動センサ１０によれば、固定部１２に固定された一対のバイアス磁石１４と、この一対のバイアス磁石１４にそれぞれ片持ち支持された第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８と、これら第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に両持ち支持された慣性質量部２０と、第１の超磁歪素子１６の変形を第１の超磁歪素子１６の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第１の検出手段（本実施例１では第１のピックアップコイル２２）と、第２の超磁歪素子１８の変形を第２の超磁歪素子１８の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第２の検出手段（本実施例１では第２のピックアップコイル２４）と、を含んでなり、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、スリット１６Ａ(１８Ａ)によって複数の部位に区分けされ、第１の検出手段は、第１の超磁歪素子１６における反固定面側の部位１６Ｂに配設され、第２の検出手段は、第２の超磁歪素子１８における固定面側の部位１８Ｃに配設されているため、（超）磁歪素子の強度を確保しつつ、（超）磁歪素子の変形量を増大させることができる。そのため、簡易な構造でありながら、従来よりも振動の検出感度を高めることができる。

特に、磁歪素子として超磁歪素子を用いているため、透磁率又は残留磁化量の変化を大きくすることができ、検出感度をより一層増大することができる。

又、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に形成された平行スリット１６Ａ（１８Ａ）によって反固定面側の部位１６Ｂ（１８Ｂ）と固定面側の部位１６Ｃ（１８Ｃ）の２つに区分けされ、第１の検出手段は、反固定面側の部位１６Ｂに配設され、第２の検出手段は、固定面側の部位１８Ｃに配設されているため、２方向の振動を検出することができる。

更に、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に配設されているため、装置の薄型化を図ることができる。

又、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８は、一対のバイアス磁石１４によって挟まれた状態で片持ち支持されているため、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の取り付けや取り外しが容易で、メンテナンス性が高い。

更に、各バイアス磁石１４を第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の側に押圧するサポート部材３０を更に備えたため、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８をより確実に固定することができる。しかも、このサポート部材３０は、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８の長軸方向に予荷重を印加するための予荷重手段を兼ねているため、予荷重を振動センサ１０の諸元に合わせて調整すれば、振動検出の特性（直線性やヒステリシス特性）を最適設計することができる。

なお、本実施例１では、第１の検出手段として第１のピックアップコイル２２を、又、第２の検出手段として第２のピックアップコイル２４をそれぞれ適用したが、本発明はこれに限定されるものではない。

従って、例えば、図５に示されるように、第１の検出手段及び第２の検出手段として磁気抵抗効果素子３２（又はホール素子３４）を適用し、第１の超磁歪素子及び第２の超磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化を磁気抵抗効果素子３２（又はホール素子３４）の起電力変化として検出するようにしてもよい。

次に、図６〜図９を用いて、本発明の実施例２に係る振動センサ４０について詳細に説明する。

本実施例２に係る振動センサ４０は、上記実施例１に係る振動センサ１０の第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に代えて、第１の超磁歪素子４２及び第２の超磁歪素子４４を備えたものである。なお、上記実施例１に係る振動センサ１０と同一の部分については図中において同じ符号を付すと共に、その説明を省略する。

第１の超磁歪素子４２は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に形成された平行スリット４２Ａによって反固定面側の部位４２Ｂと固定面側の部位４２Ｃの２つに区分けされている。更に、これら反固定面側の部位４２Ｂと固定面側の部位４２Ｃは、固定部１２の固定面１２Ａに対して略垂直に形成された垂直スリット４２Ｄによって第１の側の部位４２Ｂ１（４２Ｃ１）と第２の側の部位４２Ｂ２（４２Ｃ２）の２つに区分けされている。

同様に、第２の超磁歪素子４４は、固定部１２の固定面１２Ａに対して略平行に形成された平行スリット４４Ａによって反固定面側の部位４４Ｂと固定面側の部位４４Ｃの２つに区分けされている。更に、これら反固定面側の部位４４Ｂと固定面側の部位４４Ｃは、固定部１２の固定面１２Ａに対して略垂直に形成された垂直スリット４４Ｄによって第１の側の部位４４Ｂ１（４４Ｃ１）と第２の側の部位４４Ｂ２（４４Ｃ２）の２つに区分けされている。

そして、第１のピックアップコイル２２は、第１の超磁歪素子４２の反固定面側における第１の側の部位４２Ｂ１に配設されている一方で、第２のピックアップコイル２４は、第２の超磁歪素子４４の固定面側における第２の側の部位４４Ｃ２に配設されている。

次に、本実施例２に係る振動センサ１０の作用について説明する。

例えば、振動センサ４０に図６の上下方向（Ｘ方向）の振動が加えられると、慣性質量部２０がＸ方向に振動し、第１の超磁歪素子４２及び第２の超磁歪素子４４にそれぞれ変形が生じる。

より具体的には、慣性質量部２０が定常位置から図６の上方向に移動した場合、第１の超磁歪素子４２の反固定面側における第１の側の部位４２Ｂ１には長軸方向の引張り力が加えられ、第２の磁歪素子４４の固定面側における第２の側の部位４４Ｃ２には長軸方向の圧縮力が加えられる。一方、慣性質量部２０が定常位置から図６の下方向に移動した場合、第１の磁歪素子４２の反固定面側における第１の側の部位４２Ｂ１には長軸方向の圧縮力が加えられ、第２の磁歪素子４４の固定面側における第２の側の部位４４Ｃ２には長軸方向の引張り力が加えられる。

即ち、慣性質量部２０のＸ方向の振動に伴って、第１の超磁歪素子４２の反固定面側における第１の側の部位４２Ｂ１と、第２の超磁歪素子４４の固定面側における第２の側の部位４４Ｃ２における透磁率又は残留磁化量が変化する。従って、この透磁率または残留磁化率の変化を、計測器３６を用いて、第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の変化（第１のピックアップコイル２２及び第２のピックアップコイル２４のインダクタンス値の差）として検出することで、慣性質量部２０に印加されるＸ方向の振動の変化を検出することができる。なお、Ｙ方向及びＺ方向の振動の検出原理は上記実施例１に係る振動センサ１０と同じである。

本実施例２に係る振動センサ４０によれば、上記実施例１に係る振動センサ１０の構成に加え、固定面側の部位４２Ｂ（４４Ｂ）及び反固定面側の部位４２Ｃ（４４Ｃ）は、更に、固定部１２の固定面１２Ａに対して略垂直に形成された垂直スリット４２Ｄ(４４Ｄ)によって第１の側４２Ｂ１及び４２Ｃ１(４４Ｂ１及び４４Ｃ１)と第２の側の部位４２Ｂ２及び４２Ｃ２(４４Ｂ２及び４４Ｃ２)の２つに区分けされ、第１の検出手段は、反固定面側における第１の側の部位４２Ｂ１に配設され、第２の検出手段は、固定面側における第２の側の部位（４４Ｃ２）に配設されているため、３方向の振動を検出することが可能となる。

なお、本発明に係る振動センサは、上記実施例１及び２に係る振動センサ１０及び４０の構成に限定されるものではなく、例えば、振動センサの検出感度が十分に得られる場合には、超磁歪素子の代わりに磁歪素子を適用してもよい。

又、第１の超磁歪素子１６及び第２の超磁歪素子１８に形成するスリットの形状は、上記実施例１及び２に示した形状に限定されず、例えば、図１０に示される振動センサ５０のように、一方の端部が開放されたスリット５２Ａ及び５４Ａを形成してもよい。

更に、スリットの数は１つに限定されるものではなく、第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子は、少なくとも１つのスリットによって複数の部位に区分けされていればよく、又、第１の検出手段は、第１の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設され、第２の検出手段は、前記第２の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設されていればよい。

又、一対のバイアス磁石１４によって第１の超磁歪素子１６、第２の超磁歪素子１８及び慣性質量部２０を十分に支持することができるような場合には、サポート部材３０は不要である。

本発明の実施例１に係る振動センサの略示平面図同振動センサの略示側面図図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図図２におけるＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図本発明の実施例１に係る振動センサの検出手段として磁気抵抗効果素子又はホール素子を適用した例を示す略示側面図本発明の実施例２に係る振動センサの略示平面図同振動センサの略示側面図図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図図７におけるＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図本発明の実施例１に係る振動センサに他の形状のスリットを形成した例を示す略示側面図

符号の説明

１０、４０、５０…振動センサ
１２…固定部
１４…バイアス磁石
１６、４２、５２…第１の超磁歪素子
１８、４４、５４…第２の超磁歪素子
２０…慣性質量部
２２…第１のピックアップコイル
２４…第２のピックアップコイル
２６…ボルト
２８…ナット
３０…サポート部材
３２…磁気抵抗効果素子
３４…ホール素子
３６…計測器

Claims

固定部に固定された一対のバイアス磁石と、該一対のバイアス磁石にそれぞれ片持ち支持された第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子と、該第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子に両持ち支持された慣性質量部と、前記第１の磁歪素子の変形を該第１の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第１の検出手段と、前記第２の磁歪素子の変形を該第２の磁歪素子の透磁率又は残留磁化量の変化として検出可能な第２の検出手段と、を含んでなり、前記第１の磁歪素子及び第２の磁歪素子は、少なくとも１つのスリットによって複数の部位に区分けされ、前記第１の検出手段は、前記第１の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設され、前記第２の検出手段は、前記第２の磁歪素子における前記複数の部位のいずれかに配設されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１において、
前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記固定部の固定面に対して略平行に形成された平行スリットによって反固定面側の部位と固定面側の部位の２つに区分けされ、前記第１の検出手段は、前記反固定面側の部位に配設され、前記第２の検出手段は、前記固定面側の部位に配設されていることを特徴とする振動センサ。
請求項２において、
前記固定面側の部位及び前記反固定面側の部位は、更に、前記固定部の固定面に対して略垂直に形成された垂直スリットによって第１の側と第２の側の部位の２つに区分けされ、前記第１の検出手段は、前記反固定面側における前記第１の側の部位に配設され、前記第２の検出手段は、前記固定面側における前記第２の側の部位に配設されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記固定部の固定面に対して略平行に配設されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子は、前記一対のバイアス磁石によって挟まれた状態で片持ち支持されていることを特徴とする振動センサ。
請求項５において、
前記各バイアス磁石を前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子の側に押圧するサポート部材を更に備えたことを特徴とする振動センサ。
請求項６において、
前記サポート部材は、前記第１の磁歪素子及び前記第２の磁歪素子の長軸方向に予荷重を印加するための予荷重手段を兼ねていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、ピックアップコイルを含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記ピックアップコイルのインダクタンス変化として検出するように構成されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、磁気抵抗効果素子を含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記磁気抵抗効果素子の起電力変化として検出するように構成されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１の検出手段及び前記第２の検出手段は、ホール素子を含み、前記透磁率又は残留磁化量の変化を前記ホール素子の起電力変化として検出するように構成されていることを特徴とする振動センサ。
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記磁歪部材として超磁歪素子を用いていることを特徴とする振動センサ。