JP4318820B2 - 磁気検出アンテナ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は微小磁界を検出する磁気検出アンテナに関する。
【0002】
【従来の技術】
電子基板に形成された線路パターンに流れる電流の解析等に用いる手段として、上記電流により発生する磁界を検出するシールテッドループアンテナが知られている。これは図10に示すように、1本のセミディジットケーブル90の途中部をループ状として折り返し直線状の両端部が束ねられたもので、ループ状の検出部91とこれを保持する直線状の保持部92となる。保持部92の端部には検出回路と接続するための同軸コネクタ93が設けられて、セミディジットケーブル90の芯線が検出回路側の信号線と接続され、外皮が検出回路側のグランド線と接続される。検出部92では、先端で外皮が剥かれて非連続となっており、芯線903が露出している。2つに切り離された外皮901,902は保持部92で互いに接続し導通している。また、芯線903のグランド側端と外皮902間に終端抵抗94が接続されて芯線903が終端抵抗94を介して接地しており、平衡給電型となっている。
【0003】
また、図11に示すように、セミディジットケーブル90Aを同軸コネクタ93が設けられる基端部から検出部91Aの先端部の芯線903A露出部分までに用い、検出部91Aの半周分(図中、右側)をセミディジットケーブルと同径の金属線902Aで構成し、金属線902Aの一端を露出芯線903Aと接続し、他端を保持部92位置にてセミディジットケーブル90Aの外皮901と接続したものもあり、こちらは、不平衡給電型となる。
【0004】
いずれのシールテッドループアンテナも、ループ状の検出部により囲まれる面を貫通する磁束の変化に応じて電圧出力が発生するもので、検出部近傍の高周波磁界の強度を得ることができる。ここで、検出部の大きさ(ループ径)は被験体である電子基板の実装密度が高いほど小さくする必要があるが、セミディジットケーブルの線径、材質に対する要求が厳しくなり、限界がある。
【0005】
そこで、特開平11−72545号公報には、プリント基板にエッチング等によりグランドパターンと信号線パターンとを形成してストリップ線路となし、小型化を図った磁界検出器が提案されている。この磁界検出器は、グランドパターンが形成された誘電層と信号線パターンが形成された誘電層とを重ね、グランドパターンは略ロ字状で、途中は線路が非連続となるギャップ部となっている。信号線パターンは、グランドパターンをなぞるようにかつギャップ部位置を通るようにコ字状に形成されている。これにより矩形のストリップ線路が形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平11−72545号公報記載の磁界検出器では、パターン形成された誘電層が積層する平面的な回路となるためシールド性が十分ではなく、被験体等で発生する電界を誤検出したりノイズ成分が重畳するという外乱の影響という問題がある。
【0007】
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、小型化が可能でかつシールド性が十分な磁界検出アンテナを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明では、誘電層の主面にグランドパターンと信号線パターンとを形成してストリップ線路となし、該ストリップ線路には線路がループ状に折り返すループ部を設ける。該ループ部の線路の途中には上記グランドパターンが非連続となるギャップ部を設けて該ギャップ部のループ部の線路を信号線パターンのみで構成する。ストリップ線路の両端から、上記ループ部で囲まれる面を貫通する磁束の変化に応じた電圧出力を得るようにする。さらに信号線パターンの上層と下層とにそれぞれ誘電層を挟み上記グランドパターンを形成して積層体となす。上記グランドパターンを、上記ループ部の内側およびギャップ部を除き実質的に誘電層の全面を覆う形状とする。一方の上記グランドパターンの周縁から他方の上記グランドパターンの周縁に到る上記積層体の側面を覆う導体膜を上記ギャップ部位置を除き形成する。
【0009】
1対のグランドパターンおよび導体膜により信号線パターンの全周を囲むスリーブ状の外部導体が形成され、いずれの方向からの外乱に対しても優れたシールド性を発揮する。
【0010】
さらに、上記積層体の上記ループ部の内側部分を厚さ方向に打ち抜き、一方の上記グランドパターンの周縁から他方の上記グランドパターンの周縁に到る上記積層体の打ち抜き面を覆う別の導体膜を上記ギャップ部位置を除き形成する。
【0011】
別の導体膜がループ部の内側からの外乱に対しても遮蔽作用をするので、さらに優れたシールド性を発揮する。
【0012】
請求項1記載の発明では、加えて、上記積層体を上記誘電層が積層方向に下層側ほど平面形状が大きくなる構成として上記積層体の断面形状を階段状とし、上記導体膜を階段状に形成する。
【0013】
下層側の誘電層は周縁部がはみ出すので、かかるはみ出し部でグランドパターン(不平衡給電型の場合は信号線パターンも)と導体膜との良好な導通が得られる。また、導体膜形成面が階段状となるので段差が低くなり、導体膜を金属蒸着等で形成する場合に成膜性に優れる。
【0014】
請求項1の発明の構成において、請求項2記載の発明のように、上記ストリップ線路は上記信号線パターンが上記ループ部の全周を通る形状とし、信号線パターンのグランド側端と上記グランドパターンとの間に終端抵抗を介設して平衡給電型の構成とすることができる。また、請求項3記載の発明のように、上記ストリップ線路は上記信号線パターンと上記グランドパターンとを直接に接続し、その接続部を上記ループ部の上記ギャップ部の直近位置に配置して不平衡給電型の構成とすることもできる。
【0015】
請求項4記載の発明では、請求項2記載の発明の構成(平衡給電型)において、上記終端抵抗が接続されるグランドパターンおよび該グランドパターンが形成された誘電層に開口部を形成して上記信号線パターンを露出せしめて上記終端抵抗を配線する構成とする一方、上記積層体のループ部非形成位置に上記ストリップ線路の出力端と接続する同軸コネクタを設け、該同軸コネクタは、ピン状の中心コネクト部が上記各誘電層を貫通して上記ストリップ線路の一方の出力端である上記信号線パターンの端部と導通する構成とする。上記積層体には上記中心コネクト部よりも大径で該中心コネクト部がグランドパターンと非接触にて挿通する貫通孔を形成し、上記積層体の上記同軸コネクタが設けられる面とは反対側の面に、上記グランドパターン上に上記終端抵抗および上記貫通孔を覆うシールドケースを配設する。
【0016】
シールドケースによる遮蔽で終端抵抗配線部における外乱の影響および信号線パターンとコネクタの中心コネクト部との配線部における外乱の影響を回避することができる。
【0017】
請求項5記載の発明では、請求項3の発明の構成において、上記積層体のループ部非形成位置に上記ストリップ線路の出力端と接続する同軸コネクタを設け、該同軸コネクタは、ピン状の中心コネクト部が上記各誘電層を貫通して上記ストリップ線路の一方の出力端である上記信号線パターンの端部と導通する構成とする。上記積層体には上記中心コネクト部よりも大径で該中心コネクト部がグランドパターンと非接触にて挿通する貫通孔を形成する。そして、上記積層体の上記同軸コネクタが設けられる面とは反対側の面に、上記グランドパターン上に上記貫通孔を覆うシールドケースを配設する。
【0018】
シールドケースによる遮蔽で信号線パターンとコネクタの中心コネクト部との配線部における外乱の影響を回避することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
(第1形態)
図1、図2、図3、図4に本発明の基本構成となる磁気検出アンテナを示す。磁気検出アンテナの本体部は環形の検出部11と矩形のコネクタ接続部13とを棒状の保持部12により接続する構造を有している。コネクタ接続部13に後述するように同軸コネクタ6が接続されて(図3、図4)検出信号が出力される。磁気検出アンテナ本体部は、図2に示すように3層の誘電層21,22,23が積層してなり、各誘電層21〜23には銅箔等によりパターン形成され、信号線パターン33が形成された誘電層23を積層方向にグランドパターン31,32が形成された1対の基板21,22が挟み積層体1をなしている。積層体1の形成には、多層プリント配線基板の製造方法がそのまま適用できる。誘電層21,23と信号線パターン33とグランドパターン31,32とによりストリップ線路101が形成される。
【0020】
信号線パターン33は帯状の細線で、コネクタ接続部13から検出部11に伸び、検出部11でループ状に折り返してコネクタ接続部13に戻る形状となっている。
【0021】
グランドパターン31,32は、これが形成される誘電層21,22の略全面を覆い、環状の検出部11では上記信号線パターン33と同様にループをなしている。また検出部11の図中下端部はグランドパターン31,32が非連続となっており、非連続部はギャップ部311,321としてある。ギャップ部311,321の大きさは小さい方が望ましく例えば20μm程度に設定する。ギャップ部311,321ではストリップ線路101の線路は信号線パターン33のみで構成される。
【0022】
また、積層体1の積層方向上面(グランドパターン31形成面)から下面(グランドパターン32形成面)に到る積層体1の側面を導体膜41が上記ギャップ部311,321位置を除き覆っており、また、積層体1の積層方向上面から下面に到る検出部11内周面を導体膜42が覆っている。これにより、両グランドパターン31,32と導体膜41,42とでスリーブ状の外部導体が形成され、信号線パターン33を板厚方向のみならずセミディジットケーブルのごとく全周を囲んでいる。
【0023】
この導体膜41,42は、導電性塗料、導電性接着剤、メッキ、金属蒸着等、種々の方法により成膜可能である。なお、導体膜41,42の非形成部となるグランドパターンギャップ部311,321位置は成膜時にはマスクしておく。
【0024】
上記コネクタ接続部13には、積層体1を貫通して中央部と四隅とに貫通孔13a,13cが形成してある。中央部の貫通孔13aはストリップ線路101の出力端である信号線パターン33の一端部331位置に形成され、ここに同軸コネクタ6の中心コネクト部62(図3)が挿通し、信号線パターン一端部331と導通せしめてある。中央部の孔13aはグランドパターン形成誘電層21,22では中心コネクト部62よりも大径としてあり、中心コネクト部62とグランドパターン31,32とが非導通となっている。
【0025】
四隅の貫通孔13cは、同軸コネクタ6の取り付け用の孔で、コネクタ接続部13と同形のコネクタ部6のベース部61と積層体1とが図示しないビスとナットとにより結合している。また、この貫通孔13cの内周面は導体膜41,42のごとく導体で成膜され、両グランドパターン31,32を導通せしめている。
【0026】
また、積層体1の同軸コネクタ6取り付け面とは反対側のグランドパターン形成基板21には開口部13bが形成され、信号線パターン33の他端部332が露出せしめてある。この露出する信号線パターン他端部332と、グランドパターン31との間にはチップ抵抗等の終端抵抗5が設けてあり、信号線パターン33は終端抵抗5を介して接地し平衡給電型の磁界検出アンテナとなる。
【0027】
ここで終端抵抗5は本磁気検出アンテナが接続される検出回路の特性インピーダンス、ストリップ線路101のインピーダンスに合わせる。なお、ストリップ線路101のインピーダンスはストリップ線路101各部の形状や誘電層21,22の材質等により適宜設定することができ、例えば高周波用計測機器で一般的な50Ω等に設定し得る。
【0028】
また、終端抵抗5が取り付けられる側の積層体1の面には、コネクタ接続部13と同じ平面形状を有する銅等の金属製のシールドケース7が覆着してあり、終端抵抗5部分や、信号線パターン33とコネクタ中心コネクト部62が露出する貫通孔13a部分を覆っている。
【0029】
本磁気検出アンテナの作動を説明する。ストリップ線路101は検出部11においてループ状になっており、このループ状線路で囲まれる面を貫通する磁束が変化すると、コネクタ6から磁束変化に応じた電圧出力が現れる。
【0030】
そして、本磁気検出アンテナのストリップ線路101は、上記のごとく信号線パターン33を囲むグランドパターン31,32と導体膜41,42とはスリーブ状の形状をしているので、信号線パターン33に対して積層体1の上下面から侵入する電界、磁界のみならず積層体1の側面から侵入する電界、磁界の影響を除去することができる。さらに、上記グランドパターン形成誘電層21から露出する線路すなわち信号線パターン33とコネクタ6との配線部や終端抵抗5の配線部をシールドケース7により覆っているので、この露出部から侵入する電界、磁界の影響を除去することができる。
【0031】
図5に本磁気検出アンテナの耐外乱性の実測結果を示す。磁気検出アンテナに高周波信号を入力し、磁気検出アンテナの周囲における磁界を計測したもので、(A)が本磁気検出アンテナのもの(本発明)で、(B)が積層体に導体膜がなくシールドケースも設けられていない構成のもの、すなわち実質的に上記従来例を平衡型に構成したもの(比較例)である。なお、図中の数字はdBであり相対磁界を示している。
【0032】
比較例ではアンテナの周囲全体に磁界が漏れているのに対し、本発明ではグランドパターン非形成のギャップ部を有する検出部11のごく近傍以外の場所では殆ど磁界は検出されない。本計測ではアンテナを送信アンテナとして用いているがアンテナは送信と受信とで可逆的な挙動を示すため、受信時、すなわち磁気検出時には、比較例では検出部以外の保持部やコネクタ接続部において外乱電界や磁界を検出してしまうおそれがあるのに対し、本発明では検出部における磁界、すなわち検出部を近接させる被実験体である電子基板の線路パターンに流れる電流等により形成される、検出しようとする磁界のみを高精度に検出することができる。
【0033】
なお、保持部の長さを十分とりコネクタ接続部を外乱発生部位から離すことができれば、あるいは要求される検出精度によっては、シールドケースは省略することもできる。また、検出部では各誘電層の中央部が打ち抜かれて検出部の形状は環状で、その打ち抜き面である内周面を導体膜が覆っているが、要求される検出精度によっては、この導体膜や打ち抜き部のない構成とすることもできる。
【0034】
また、磁気検出アンテナを構成するストリップ線路101は検出部11が円環上となっているが、四角形でもよいのは勿論である。
【0035】
下層のグランドパターン32は信号線パターン形成誘電層23の裏面に形成して誘電層22は省略してもよい。
【0036】
また、本磁気検出アンテナの製造方法は多層プリント配線基板の製造方法によるのではなく、半導体製造プロセスを利用することもできる。例えばガラス基板の上に誘電層となるポリイミド等とグランドパターンや信号線パターンとなるアルミニウム等を交互に成膜していくことで製造可能である。なお、成膜方法はポリイミド等ではスピンコートが、アルミニウム等では金属蒸着が用いられ得る。また、グランドパターンや信号線パターンのパターンニングにはフォトリソグラフィーが用いられ得る。フォトリソグラフィーは導体膜形成時の上記マスク形成にも有用である。
【0037】
また、アンテナの絶縁性を高めるために積層体1の全体に絶縁層をコーティングあるいは樹脂モールドしてもよい。
【0038】
(第2形態)
図6、図7に本発明の基本構成であり第2形態になる磁気検出アンテナの主要部である積層体を示す。給電を不平衡としたもので、図中、第1形態と実質的に同じ作動をする部分については同じ番号を付し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
【0039】
積層体1Aの最上層のグランドパターン31Aおよびグランドパターン形成誘電層21Aは、第1形態のグランドパターン31およびグランドパターン形成誘電層21において終端抵抗配線用の開口部13bを非形成としたものである。
【0040】
信号線パターン33Aは実質的に第1形態の信号線パターン33において復路部分を省略したものであり、その線路は積層体1Aの環状部でループ状に半周してグランドパターン31Aのギャップ部311,321位置を通り終端部332Aがギャップ部311,321直近位置に位置している。
【0041】
ここで信号線パターン終端部332Aは、グランドパターン31A,32と同様に積層体1Aの周縁に達する幅に形成される。そして、側方からの外乱を防止する導体膜41,42が形成されて、信号線パターン終端部332A、グランドパターン31A,32が互いに導通する。しかしてストリップ線路101Aのループ部1011Aは半周部分がグランドパターン31A,32のみで構成される。
【0042】
そして第1形態のごとくコネクタとシールドケース(図3、図4参照)が取り付けられる。シールドケースが信号線パターン33Aとコネクタとの配線部を覆うことで、この露出部から侵入する電界、磁界の影響を除去することができる。
【0043】
かかる不平衡給電型の構成の場合も、導体膜41,42の作用により積層体1Aの側方から侵入する外乱を遮蔽することができる。
【0044】
なお、上記各形態では、グランドパターンと導体膜との導通は積層体の側面に露出するグランドパターンの周縁で行われるが、更に導通性を向上せしめたものを図8、図9に示す。図8は検出部の拡大図であり、図9(A)は導体膜非形成の状態の積層体の分解状態、図9(B)は導体膜非形成の状態の積層体の積層状態を示している。積層体1Bは誘電層21B,22B,23Bが積層方向に順次、平面形状が大きくなる構成としてあり、積層体1Bの断面が階段状をなし、導体膜41B,42Bは階段状となる。
【0045】
ここで、導体膜41B,42B形成前に積層体1Bを上方からみたとき(図9(B))、一番上層のグランドパターン31Bの外周に信号線パターン33Bの終端部332B、グランドパターン32Bの周縁部の上面がこの順に現れるから、導体膜41B,42Bとして導電性塗料等を塗布したとき、グランドパターン31B,32Bや信号線パターン終端部332Bと導体膜41B,42Bとの接触面積を十分に確保することができる。なお、図例では環状部の内周面は階段状としていないが、階段状としてもよいのは勿論である。
【0046】
なお、かかる構成の場合、積層体1Bの側面が階段状となるので、金属蒸着等により導体膜41B,42Bを形成する場合、蒸着面の段差が低くなり導体膜41B,42Bとして良好な成膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基本構成である第1形態になる磁気検出アンテナの本体部の斜視図である。
【図2】 上記磁気検出アンテナ本体部を構成する基板の積層体の分解斜視図である。
【図3】 上記磁気検出アンテナの分解斜視図である。
【図4】 上記磁気検出アンテナの分解側面図である。
【図5】 (A)は上記磁気検出アンテナの作動を示す磁界マップであり、(B)は上記磁気検出アンテナと比較する比較例の作動を示す磁界マップである。
【図6】 本発明の基本構成である第2形態になる磁気検出アンテナの本体部の斜視図である。
【図7】 上記磁気検出アンテナ本体部を構成する基板の積層体の分解斜視図である。
【図8】 本発明の磁気検出アンテナの変形例を示す磁気検出アンテナの要部の斜視図である。
【図9】 (A)は上記磁気検出アンテナの要部の導体膜形成前の状態における分解斜視図であり、(B)は上記磁気検出アンテナの要部の導体膜形成前の状態を示す斜視図である。
【図10】 従来の磁気検出アンテナの代表例の正面図である。
【図11】 従来の磁気検出アンテナの別の代表例の正面図である。
Claims (5)
- 誘電層の主面にグランドパターンと信号線パターンとを形成してストリップ線路となし、該ストリップ線路には線路がループ状に折り返すループ部を設け、該ループ部の線路の途中には上記グランドパターンが非連続となるギャップ部を設けて該ギャップ部のループ部の線路を信号線パターンのみで構成し、ストリップ線路の両端から、上記ループ部で囲まれる面を貫通する磁束の変化に応じた電圧出力を得るようになした磁気検出アンテナにおいて、信号線パターンの上層と下層とにそれぞれ誘電層を挟んで上記グランドパターンを形成して積層体となし、上記グランドパターンを、上記ループ部の内側およびギャップ部を除き実質的に誘電層の全面を覆う形状とし、一方の上記グランドパターンの周縁から他方の上記グランドパターンの周縁に到る上記積層体の側面を覆う導体膜を上記ギャップ部位置を除き形成するとともに、上記積層体の上記ループ部の内側部分を厚さ方向に打ち抜き、一方の上記グランドパターンの周縁から他方の上記グランドパターンの周縁に到る上記積層体の打ち抜き面を覆う別の導体膜を上記ギャップ部位置を除き形成し、かつ上記積層体を上記誘電層が積層方向に下層側ほど平面形状が大きくなる構成として上記積層体の断面形状を階段状とし、上記導体膜を階段状に形成したことを特徴とする磁気検出アンテナ。
- 請求項1記載の磁気検出アンテナにおいて、上記ストリップ線路は上記信号線パターンが上記ループ部の全周を通る形状とし、信号線パターンのグランド側端と上記グランドパターンとの間に終端抵抗を介設して平衡給電型の構成とした磁気検出アンテナ。
- 請求項1記載の磁気検出アンテナにおいて、上記ストリップ線路は上記信号線パターンと上記グランドパターンとを直接に接続し、その接続部を上記ループ部の上記ギャップ部の直近位置に配置して不平衡給電型の構成とした磁気検出アンテナ。
- 請求項2記載の磁気検出アンテナにおいて、上記終端抵抗が接続されるグランドパターンおよび該グランドパターンが形成された誘電層に開口部を形成して上記信号線パターンを露出せしめて上記終端抵抗を配線する構成とする一方、上記積層体のループ部非形成位置に上記ストリップ線路の出力端と接続する同軸コネクタを設け、該同軸コネクタは、ピン状の中心コネクト部が上記各誘電層を貫通して上記ストリップ線路の一方の出力端である上記信号線パターンの端部と導通する構成とし、上記積層体には上記中心コネクト部よりも大径で該中心コネクト部がグランドパターンと非接触にて挿通する貫通孔を形成し、上記積層体の上記同軸コネクタが設けられる面とは反対側の面に、上記グランドパターン上に上記終端抵抗および上記貫通孔を覆うシールドケースを配設した磁気検出アンテナ。
- 請求項3記載の磁気検出アンテナにおいて、上記積層体のループ部非形成位置に上記ストリップ線路の出力端と接続する同軸コネクタを設け、該同軸コネクタは、ピン状の中心コネクト部が上記各誘電層を貫通して上記ストリップ線路の一方の出力端である上記信号線パターンの端部と導通する構成とし、上記積層体には上記中心コネクト部よりも大径で該中心コネクト部がグランドパターンと非接触にて挿通する貫通孔を形成し、上記積層体の上記同軸コネクタが設けられる面とは反対側の面に、上記グランドパターン上に上記貫通孔を覆うシールドケースを配設した磁気検出アンテナ。
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