JP4304424B2 - 希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット - Google Patents
希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット Download PDFInfo
- Publication number
- JP4304424B2 JP4304424B2 JP2002338047A JP2002338047A JP4304424B2 JP 4304424 B2 JP4304424 B2 JP 4304424B2 JP 2002338047 A JP2002338047 A JP 2002338047A JP 2002338047 A JP2002338047 A JP 2002338047A JP 4304424 B2 JP4304424 B2 JP 4304424B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- rare earth
- crucible
- earth silicate
- crystal ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレ−タ等に用いられる希土類珪酸塩単結晶の製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶のインゴットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器等に用いられる単結晶の製造は、原料の入ったルツボを高周波誘導により加熱して原料を融液とし、その融液に種結晶を接触させ、種結晶を徐々に引上げながら単結晶を成長させる方法が、よく知られている。（特許文献１、２参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−２８６６９５号公報
【特許文献２】
特開２０００−０５３４９１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法で、例えばセリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶インゴットのように結晶系が単斜晶系に属するような異方性の高い単結晶インゴットを得ようとした場合、冷却中に結晶にクラックが発生したり、直胴部の扁平度が高いインゴットになってしまい、そのインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合に、性能や生産性が著しく悪くなるという問題がある。本発明はこのような欠点を解決することのできる希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴットを提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶の引上げ時と、該結晶引上げ後の冷却時において、ルツボに対するワークコイル位置を変化させることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法、およびその製造方法によって育成される、直胴部の扁平度が０．１以下でありクラックの無いことを特徴とする希土類珪酸塩単結晶インゴットに関するものである。
すなわち、本発明者らは得られたインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合に、その性能や生産性を低下させない単結晶インゴットについて種々検討した結果、クラックが無く、しかも直胴部の扁平度が０．１以下のインゴットを使用すると、その性能や生産性を低下させることがなくなることを見出すとともに、このクラックが無く、しかも直胴部の扁平度が０．１以下のインゴットは、該インゴットをチョクラルスキー法で製造する際に、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶のコーン部の引上げ時にはリング上端に対してワークコイル上端が１０ｍｍ以上高い位置とし、該結晶引上げ後の冷却時にはリングに対してワークコイル上端が同じ高さか低い位置とすることで作製することができる事を見出し、本発明を完成させた。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明はクラックの発生が無く直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られた希土類珪酸塩単結晶インゴットに関するものである。
【０００７】
希土類珪酸塩単結晶インゴットから、例えばシンチレータ素子を作製する場合、そのインゴットにクラックが存在すると、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失が増大し、性能が劣るが、本発明により得られるクラックの無い希土類珪酸塩単結晶インゴットを使用することで解決される。
【０００８】
インゴットの直胴部の扁平度が大きいと、インゴットから例えばシンチレータ素子を作製する際の加工ロスが増大するが、本発明によって得られる直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットを使用することで解決される。
すなわち、このクラックの発生が無く直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットは後記する改良されたチョクラルスキー法で得られるのであるが、この方法で作製されるインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失を増大させること無く、また、加工ロスを増大させることも無いという有利性が与えられる。
【０００９】
本発明の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造は、図１、図２に示すように高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法によって行なわれる。図１、図２はチョクラルスキー法による結晶引上げ装置の縦断図であり、図１は結晶のコーン部引上げ時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示し、図２は該結晶引上げ後の冷却時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
図１、図２に示した希土類珪酸塩単結晶インゴット引上げ装置はワークコイルを有する加熱炉の中にルツボを収納し、このルツボの中に目的とする希土類珪酸塩単結晶を構成する金属酸化物を仕込み、これをワークコイルからの加熱によって融液とした後、これに種結晶を浸し引上げることによって単結晶を引上げるようにしたものであるが、該結晶のコーン部の引上げでは図１に示したようにワークコイルの上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)よりも１０ｍｍ以上高い位置であるようにし、結晶の直胴部の引上げ時にはルツボに対してワークコイルを徐々に降下させ、そして該結晶引上げ後の冷却中には図２に示したようにワークコイルの上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)と同じ高さかそれよりも下に位置するようにする。
【００１０】
このチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットのコーン引上げ時におけるワークコイルの位置はワークコイル上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)よりも１０ｍｍ以上高い位置とする事が好ましい。このようにすると、目的とする希土類珪酸塩単結晶インゴットのコーン引上げ時にはルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングがワークコイルからの高周波により加熱されることにより、希土類珪酸塩単結晶のような結晶の異方性の高い結晶でも、結晶が扁平になることなく育成でき、直胴部での扁平度が０．１以下の単結晶インゴットを容易に得る事ができる様になる。
【００１１】
また、このチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの冷却時におけるワークコイルの位置はワークコイル上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)と同じか低い位置とする事が好ましい。このようにすると、ルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングがワークコイルからの高周波により加熱されることが無くなり、冷却中の希土類珪酸塩単結晶インゴットの一部が局部的に加熱されることがなくなるため、希土類珪酸塩単結晶のようにクラックの発生しやすい単結晶でもクラックの発生を防止でき、クラックの発生しない単結晶インゴットを得る事ができる様になる。
【００１２】
本発明の希土類珪酸塩単結晶は、一般式Ａ２ｘＳｉｙＯ３Ｘ + ２ｙ（Ａは希土類元素、例えばＹ, Ｌａ, Ｃｅ, Ｐｒ, Ｎｄ, Ｐｍ, Ｓｍ, Ｅｕ, Ｇｄ, Ｔｂ, Ｄｙ, Ｈｏ, Ｅｒ, Ｔｍ, Ｙｂ, Ｌｕから選択される元素、またはこれらの元素の混合、例えば(ＣｅｚＧｄ１ - ｚ)等である。ここで、ｘ, ｙは自然数、ｚは０以上１以下の実数。）で示される。以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸ガドリニウム単結晶の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ２１／ｃに属する。
【００１３】
また、扁平度とは、図３、図４に示すように、楕円の長直径をａ、短直径をｂとした時、ａとｂの差を算出し、それをａで割った数値である。すなわち、扁平度が０．１以下とは（ａ−ｂ）／ａ≦０．１であるということを示す。
【００１４】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３、９９．９９重量％）、二酸化珪素（ＳｉＯ２、９９．９９重量％）、及び酸化セリウム（ＣｅＯ２、９９．９９重量％）を使用した。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１５】
（実施例１）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し、融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００１６】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置とし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が１０５ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。直胴部の引上げ中にワークコイルを徐々に降下させ、直胴部の引上げの終了時にワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し１０ｍｍ低い位置とした。その後、ワークコイルの降下を停止し、この位置で結晶の冷却を行った。
【００１７】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。得られた単結晶インゴットは、結晶重量１７，５１３ｇ、コーン部の長さ７０ｍｍ、直胴部の長さ２５５ｍｍ、直胴部の上端の長直径が１０４．７ｍｍ、短直径が１０４．４ｍｍ、直胴部の中間部分の長直径が１０４．７ｍｍ、短直径が１０３．７ｍｍ、直胴部の下端の長直径が１０８．７ｍｍ、短直径が１０６．３ｍｍであり、直胴部の全部分で扁平度が０．１以下であった。また、クラックの発生もなかった。
【００１８】
（比較例１）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し、融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００１９】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置とし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が１００ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。ワークコイル位置を固定したまま直胴部を引上げ、ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置のまま結晶の冷却を行った。
【００２０】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。単結晶インゴットは、ルツボ上のリングに近い部分で冷却された部分にクラックが発生していた。
【００２１】
（比較例２）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００２２】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端と同じ高さとし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が９０ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。ワークコイルを停止したまま直胴部を引上げ、ワークコイル上端をルツボ上のリング上端と同じ高さのまま結晶の冷却を行った。
【００２３】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。得られた単結晶インゴットの下端の長直径は９１．４ｍｍ、短直径が８０．９ｍｍであり、扁平度が０．１を超えていた。
【００２４】
【発明の効果】
本発明により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴットは、クラックの発生がないため、これを用いてシンチレータ素子を作製した場合、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失を増大させること無く、また、扁平度の小さい希土類珪酸塩単結晶インゴットであるので、加工ロスを増大させることも無く生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】希土類珪酸塩単結晶インゴット製造装置の縦断面図であり、該結晶のコーン引上げ時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
【図２】希土類珪酸塩単結晶インゴット製造装置の縦断面図であり、該結晶の冷却時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
【図３】本発明の方法による扁平度が０．１以下である希土類珪酸塩単結晶インゴットの直胴部の輪切り図である。
【図４】従来技術による扁平度の大きい希土類珪酸塩単結晶インゴットの直胴部の輪切り図である。
【符号の説明】
１ 融液
２ ルツボ
３ ルツボと同じ材質のリング
４ シード（種結晶）
５ コーン部
６ ワークコイル
７ 耐火物
８ 直胴部
９ 融液残り
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレ−タ等に用いられる希土類珪酸塩単結晶の製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶のインゴットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器等に用いられる単結晶の製造は、原料の入ったルツボを高周波誘導により加熱して原料を融液とし、その融液に種結晶を接触させ、種結晶を徐々に引上げながら単結晶を成長させる方法が、よく知られている。（特許文献１、２参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−２８６６９５号公報
【特許文献２】
特開２０００−０５３４９１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法で、例えばセリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶インゴットのように結晶系が単斜晶系に属するような異方性の高い単結晶インゴットを得ようとした場合、冷却中に結晶にクラックが発生したり、直胴部の扁平度が高いインゴットになってしまい、そのインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合に、性能や生産性が著しく悪くなるという問題がある。本発明はこのような欠点を解決することのできる希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴットを提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶の引上げ時と、該結晶引上げ後の冷却時において、ルツボに対するワークコイル位置を変化させることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法、およびその製造方法によって育成される、直胴部の扁平度が０．１以下でありクラックの無いことを特徴とする希土類珪酸塩単結晶インゴットに関するものである。
すなわち、本発明者らは得られたインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合に、その性能や生産性を低下させない単結晶インゴットについて種々検討した結果、クラックが無く、しかも直胴部の扁平度が０．１以下のインゴットを使用すると、その性能や生産性を低下させることがなくなることを見出すとともに、このクラックが無く、しかも直胴部の扁平度が０．１以下のインゴットは、該インゴットをチョクラルスキー法で製造する際に、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶のコーン部の引上げ時にはリング上端に対してワークコイル上端が１０ｍｍ以上高い位置とし、該結晶引上げ後の冷却時にはリングに対してワークコイル上端が同じ高さか低い位置とすることで作製することができる事を見出し、本発明を完成させた。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明はクラックの発生が無く直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られた希土類珪酸塩単結晶インゴットに関するものである。
【０００７】
希土類珪酸塩単結晶インゴットから、例えばシンチレータ素子を作製する場合、そのインゴットにクラックが存在すると、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失が増大し、性能が劣るが、本発明により得られるクラックの無い希土類珪酸塩単結晶インゴットを使用することで解決される。
【０００８】
インゴットの直胴部の扁平度が大きいと、インゴットから例えばシンチレータ素子を作製する際の加工ロスが増大するが、本発明によって得られる直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットを使用することで解決される。
すなわち、このクラックの発生が無く直胴部の扁平度が０．１以下の希土類珪酸塩単結晶インゴットは後記する改良されたチョクラルスキー法で得られるのであるが、この方法で作製されるインゴットを使用して、例えばシンチレータ素子を作製する場合、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失を増大させること無く、また、加工ロスを増大させることも無いという有利性が与えられる。
【０００９】
本発明の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造は、図１、図２に示すように高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法によって行なわれる。図１、図２はチョクラルスキー法による結晶引上げ装置の縦断図であり、図１は結晶のコーン部引上げ時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示し、図２は該結晶引上げ後の冷却時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
図１、図２に示した希土類珪酸塩単結晶インゴット引上げ装置はワークコイルを有する加熱炉の中にルツボを収納し、このルツボの中に目的とする希土類珪酸塩単結晶を構成する金属酸化物を仕込み、これをワークコイルからの加熱によって融液とした後、これに種結晶を浸し引上げることによって単結晶を引上げるようにしたものであるが、該結晶のコーン部の引上げでは図１に示したようにワークコイルの上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)よりも１０ｍｍ以上高い位置であるようにし、結晶の直胴部の引上げ時にはルツボに対してワークコイルを徐々に降下させ、そして該結晶引上げ後の冷却中には図２に示したようにワークコイルの上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)と同じ高さかそれよりも下に位置するようにする。
【００１０】
このチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットのコーン引上げ時におけるワークコイルの位置はワークコイル上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)よりも１０ｍｍ以上高い位置とする事が好ましい。このようにすると、目的とする希土類珪酸塩単結晶インゴットのコーン引上げ時にはルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングがワークコイルからの高周波により加熱されることにより、希土類珪酸塩単結晶のような結晶の異方性の高い結晶でも、結晶が扁平になることなく育成でき、直胴部での扁平度が０．１以下の単結晶インゴットを容易に得る事ができる様になる。
【００１１】
また、このチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの冷却時におけるワークコイルの位置はワークコイル上端(ｗ)がルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングの上端(ｃ)と同じか低い位置とする事が好ましい。このようにすると、ルツボ上に設置されたルツボと同じ材質のリングがワークコイルからの高周波により加熱されることが無くなり、冷却中の希土類珪酸塩単結晶インゴットの一部が局部的に加熱されることがなくなるため、希土類珪酸塩単結晶のようにクラックの発生しやすい単結晶でもクラックの発生を防止でき、クラックの発生しない単結晶インゴットを得る事ができる様になる。
【００１２】
本発明の希土類珪酸塩単結晶は、一般式Ａ２ｘＳｉｙＯ３Ｘ + ２ｙ（Ａは希土類元素、例えばＹ, Ｌａ, Ｃｅ, Ｐｒ, Ｎｄ, Ｐｍ, Ｓｍ, Ｅｕ, Ｇｄ, Ｔｂ, Ｄｙ, Ｈｏ, Ｅｒ, Ｔｍ, Ｙｂ, Ｌｕから選択される元素、またはこれらの元素の混合、例えば(ＣｅｚＧｄ１ - ｚ)等である。ここで、ｘ, ｙは自然数、ｚは０以上１以下の実数。）で示される。以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸ガドリニウム単結晶の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ２１／ｃに属する。
【００１３】
また、扁平度とは、図３、図４に示すように、楕円の長直径をａ、短直径をｂとした時、ａとｂの差を算出し、それをａで割った数値である。すなわち、扁平度が０．１以下とは（ａ−ｂ）／ａ≦０．１であるということを示す。
【００１４】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。原料として酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３、９９．９９重量％）、二酸化珪素（ＳｉＯ２、９９．９９重量％）、及び酸化セリウム（ＣｅＯ２、９９．９９重量％）を使用した。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１５】
（実施例１）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し、融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００１６】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置とし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が１０５ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。直胴部の引上げ中にワークコイルを徐々に降下させ、直胴部の引上げの終了時にワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し１０ｍｍ低い位置とした。その後、ワークコイルの降下を停止し、この位置で結晶の冷却を行った。
【００１７】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。得られた単結晶インゴットは、結晶重量１７，５１３ｇ、コーン部の長さ７０ｍｍ、直胴部の長さ２５５ｍｍ、直胴部の上端の長直径が１０４．７ｍｍ、短直径が１０４．４ｍｍ、直胴部の中間部分の長直径が１０４．７ｍｍ、短直径が１０３．７ｍｍ、直胴部の下端の長直径が１０８．７ｍｍ、短直径が１０６．３ｍｍであり、直胴部の全部分で扁平度が０．１以下であった。また、クラックの発生もなかった。
【００１８】
（比較例１）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し、融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００１９】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置とし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が１００ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。ワークコイル位置を固定したまま直胴部を引上げ、ワークコイル上端をルツボ上のリング上端に対し３０ｍｍ高い位置のまま結晶の冷却を行った。
【００２０】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。単結晶インゴットは、ルツボ上のリングに近い部分で冷却された部分にクラックが発生していた。
【００２１】
（比較例２）
ルツボの内径１８０ｍｍ、高さ１８０ｍｍ、厚さ３ｍｍのイリジウム製ルツボの上に外径１８６ｍｍ、内径１３５ｍｍ、厚さ２ｍｍのイリジウム製リングを設置し、中にＧｄ２Ｏ３を２０,４８９．１ｇ、ＣｅＯ２を９７．８ｇ、ＳｉＯ２を３,４１３．１ｇの混合物を合計で２４,０００ｇ仕込み、高周波誘導加熱炉で１,９５０℃に加熱し融解してＣｅ０．０１Ｇｄ１．９９ＳｉＯ５融液を得た。
【００２２】
ワークコイル上端をルツボ上のリング上端と同じ高さとし、この位置で種付けを行い、結晶引上げ速度１．５ｍｍ／ｈの速度でネック径８ｍｍの単結晶を引上げてネック部を形成した後、コーン部の引上げを同一速度で行い、直径が９０ｍｍになった時点で直胴部の引上げを開始した。ワークコイルを停止したまま直胴部を引上げ、ワークコイル上端をルツボ上のリング上端と同じ高さのまま結晶の冷却を行った。
【００２３】
冷却終了後、得られた単結晶インゴットを取り出した。得られた単結晶インゴットの下端の長直径は９１．４ｍｍ、短直径が８０．９ｍｍであり、扁平度が０．１を超えていた。
【００２４】
【発明の効果】
本発明により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴットは、クラックの発生がないため、これを用いてシンチレータ素子を作製した場合、シンチレータ素子の発光が検出器に届くまでの損失を増大させること無く、また、扁平度の小さい希土類珪酸塩単結晶インゴットであるので、加工ロスを増大させることも無く生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】希土類珪酸塩単結晶インゴット製造装置の縦断面図であり、該結晶のコーン引上げ時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
【図２】希土類珪酸塩単結晶インゴット製造装置の縦断面図であり、該結晶の冷却時のルツボおよびルツボ上端に設置したルツボと同じ材質のリングとワークコイルの相対位置を示す。
【図３】本発明の方法による扁平度が０．１以下である希土類珪酸塩単結晶インゴットの直胴部の輪切り図である。
【図４】従来技術による扁平度の大きい希土類珪酸塩単結晶インゴットの直胴部の輪切り図である。
【符号の説明】
１ 融液
２ ルツボ
３ ルツボと同じ材質のリング
４ シード（種結晶）
５ コーン部
６ ワークコイル
７ 耐火物
８ 直胴部
９ 融液残り
Claims (5)
- 高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶のコーン部の引上げ時と、該結晶引上げ後の冷却時において、ルツボに対するワークコイル位置を変化させることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法。
- 高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶のコーン部の引上げ時はリングの上端よりワークコイル上端が１０ｍｍ以上高い位置にあり、該結晶引上げ後の冷却時にはリングに対してワークコイル上端が同じ高さか低い位置であることを特徴とする請求項１に記載の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法。
- 高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶の直胴部の引上げ時にルツボに対してワークコイルを徐々に降下させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法。
- 希土類珪酸塩単結晶の結晶系が単斜晶系である請求項１〜３のいずれかに記載の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法。
- 単結晶インゴットがセリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶のインゴットである請求項１〜４のいずれかに記載の希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338047A JP4304424B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338047A JP4304424B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004168613A JP2004168613A (ja) | 2004-06-17 |
| JP4304424B2 true JP4304424B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=32701380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002338047A Expired - Fee Related JP4304424B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4304424B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11827826B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-11-28 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Methods and devices for growing scintillation crystals |
| WO2021031145A1 (zh) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 眉山博雅新材料有限公司 | 缩短衰减时间的闪烁晶体生长方法及设备 |
| WO2021031141A1 (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 眉山博雅新材料有限公司 | 无需退火的氧化物晶体生长方法及设备 |
| CN111910254A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-10 | 南昌大学 | 掺铈及掺铒的硅酸镱闪烁晶体及其制备方法 |
-
2002
- 2002-11-21 JP JP2002338047A patent/JP4304424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004168613A (ja) | 2004-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009055405A1 (en) | Scintillator crystals and methods of forming | |
| JP5601273B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| CN108018601A (zh) | 晶体生长装置、生长方法及其应用 | |
| WO2020248987A1 (zh) | 光电功能晶体m 3re(po 4) 3及其制备方法与应用 | |
| US20230295834A1 (en) | Methods and devices for growing crystals with high uniformity without annealing | |
| TWI265218B (en) | Silicon single crystal wafer having void denuded zone on the surface and diameter of 300 mm or more and its production method | |
| JP6547360B2 (ja) | ＣａＭｇＺｒ置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＳＧＧＧ）単結晶の育成方法およびＳＧＧＧ単結晶基板の製造方法 | |
| JP4304424B2 (ja) | 希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法およびその製造方法により得られる希土類珪酸塩単結晶インゴット | |
| JP2005112662A (ja) | 多結晶シリコンロッド及びその製造方法 | |
| JP4622329B2 (ja) | 希土類珪酸塩単結晶及び希土類珪酸塩単結晶の製造方法 | |
| JP2016121264A (ja) | 蛍光体及びその製造方法 | |
| CN112941620A (zh) | 控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法 | |
| CN101760774A (zh) | 一种减小提拉法生长晶体内部热应力的后加热器装置 | |
| JP4622326B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| EP3421647B1 (en) | Crystal material and method for producing the same | |
| Ren et al. | Investigation on defects in Lu2SiO5: Ce crystals grown by Czochralski method | |
| JP3904093B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| CN215757727U (zh) | 控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置 | |
| JP6819862B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜およびビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成方法 | |
| JP4276497B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPH0692781A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| CN115821369A (zh) | 导模法生长大尺寸稀土离子掺杂石榴石晶体的方法 | |
| WO2018216364A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3555661B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JP3587262B2 (ja) | 円柱状希土類珪酸塩単結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080424 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080623 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080623 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081021 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081222 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090401 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090414 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |