JP4303699B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)〜(c)を参照して、第1の実施形態における半導体装置について説明する。図1(a)は、概略的な構成を示す平面図、図1(b)はその断面図、図1(c)はその背面図である。この半導体装置では、サポートリード9によって支持されたダイパッド1に接着剤3が塗布され、その上に半導体素子2が固着されている。ダイパッド1の周辺には複数の電極端子5が配置されている。電極端子5はその上面に、半導体素子2と金属細線4により電気的に接続された接続部を有する。
図4(a)〜(c)を参照して、第2の実施形態における半導体装置について説明する。図4(a)は概略的な構成を示す平面図、図4(b)はその断面図、図4(c)は背面図である。この半導体装置は、第1の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第1の実施形態との相違点について説明する。第1の実施形態の装置では、電極端子5の平面形状が長方形であるのに対して、本実施形態の場合は異なる平面形状を有する。図4(a)あるいは図4(c)に示すように、半導体素子2に面する側の電極端子5の端部では、平面形状が円弧に形成されている。これにより、電極端子5の半導体素子2に面する側に発生する応力集中を防ぐことができる。また、電極端子5の平面形状での面積が小さくなるので、第1の実施形態の場合よりも、電極端子5と樹脂封止体7との密着性を向上させることができ、より品質の高い半導体装置を提供することができる。
図5(a)〜(c)を参照して、第3の実施形態における半導体装置について説明する。図5(a)は概略的な構成を示す平面図、図5(b)はその断面図、図5(c)は背面図である。この半導体装置は、第2の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第2の実施形態との相違点について説明する。本実施形態では、円形の窪み8の個数が第2の実施形態とは異なる。
図6(a)〜(c)を参照して、第4の実施形態における半導体装置について説明する。図6(a)は概略的な構成を示す平面図、図6(b)はその断面図、図6(c)は背面図である。この半導体装置は、第1の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第1の実施形態との相違点について説明する。本実施形態では、円形の窪み8が配置された位置が第1の実施形態とは異なる。
図7(a)〜(c)を参照して、第5の実施形態における半導体装置について説明する。図7(a)は概略的な構成を示す平面図、図7(b)はその断面図、図7(c)は背面図である。この半導体装置の電極端子5は、その形状が上述の実施形態の場合と比べて幅広であり、樹脂封止体7の外周側面に位置する端部が、2箇所に分離して露出している。円形の窪み8が配置された位置は、第4の実施形態の装置と同様、金属細線4が接続された接続部と電極端子5が樹脂封止体7の外周側面から露出する端部との間のみである。ただし、電極端子5の端部の2箇所の露出部分に対応して、各々1個の窪み8が配置されている。なおダイパッド1、半導体素子2、およびサポートリード9の形状も上述の実施形態の場合と相違するが、理解し易いように、同一の参照番号を付した。
図8(a)〜(c)を参照して、第6の実施形態における半導体装置について説明する。図8(a)は概略的な構成を示す平面図、図8(b)はその断面図、図8(c)は背面図である。この半導体装置は、第5の実施形態の装置と同様の基本構成を有するが、円形の窪み8の配置状態が第5の実施形態とは異なる。
2 半導体素子
3 接着剤
4 金属細線
5 電極端子
6 溝
7 樹脂封止体
8 窪み
9、16 サポートリード
10 リードフレーム
11 外枠
12 内枠
13 電極端子部の表面側レジストパターン
13a、13b 露出端部を形成する部分
14 電極端子部の裏面側レジストパターン
15 テープ
Claims (7)
- 半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたダイパッドと、前記半導体素子と電気的に接続された接続部を有し、前記ダイパッドと独立して配置された複数の電極端子と、前記電極端子の前記接続部を有する面の裏面が外部端子面として露出するように、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子とを封止する樹脂封止体とを備えた半導体装置であって、
前記半導体装置の角に配置された前記電極端子の端部が、複数箇所に分離し、分離された前記端部が前記樹脂封止体の外周側面の異なる2辺から露出し、前記電極端子の前記露出した各端部に隣接して、平面形状が円形の複数の窪みが前記電極端子の上面に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置の角に配置された前記電極端子の端部が2つに分離し、分離されたそれぞれの前記端部が前記樹脂封止体の外周側面の異なる2辺から露出し、2つの前記窪みが前記電極端子の上面に配置されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記各窪みは、前記電極端子が前記樹脂封止体の外周側面から露出する各端部と前記接続部との間に配置された請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたダイパッドと、前記半導体素子と電気的に接続された接続部を有し、前記ダイパッドと独立して配置された複数の電極端子と、前記電極端子の前記接続部を有する面の裏面が外部端子面として露出するように、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子とを封止する樹脂封止体とを備えた半導体装置であって、
前記半導体装置の角に配置された前記電極端子の端部が、複数箇所に分離し、分離された前記端部が前記樹脂封止体の外周側面の異なる2辺から露出し、前記端部と前記接続部との間に、平面形状が円形で、隣接した部分で互いに一部が重なるように配置されて繋がった窪みを配置したことを特徴とする半導体装置。 - 繋がった複数個の窪みの形状がL字型である請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたダイパッドと、前記半導体素子と電気的に接続された接続部を有し、前記ダイパッドと独立して配置された複数の電極端子と、前記電極端子の前記接続部を有する面の裏面が外部端子面として露出するように、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子とを封止する樹脂封止体とを備え、前記半導体装置の角に配置された前記電極端子の端部が複数箇所に分離し、分離された前記端部が前記樹脂封止体の外周側面の異なる2辺から露出した半導体装置の製造方法であって、
前記電極端子を形成する工程が、
前記角に配置された電極端子の上面の前記露出した各端部に隣接した位置に各々円形の開口パターンを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記開口パターンにエッチング液を滞留させ、前記電極端子表面をエッチングし、前記電極端子表面に平面形状が円形の窪みを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたダイパッドと、前記半導体素子と電気的に接続された接続部を有し、前記ダイパッドと独立して配置された複数の電極端子と、前記電極端子の前記接続部を有する面の裏面が外部端子面として露出するように、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子とを封止する樹脂封止体とを備え、前記半導体装置の角に配置された前記電極端子の端部が複数箇所に分離し、分離された前記端部が前記樹脂封止体の外周側面の異なる2辺から露出した半導体装置の製造方法であって、
前記電極端子を形成する工程が、
前記角に配置された電極端子の上面の前記各端部と前記接続部の間の位置に、複数の円形の開口を各円形の外周が互いに接する程度に近接させて配置した開口パターンを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記開口パターンにエッチング液を滞留させ、前記電極端子表面をエッチングし、前記電極端子表面に複数の円形が、隣接した部分で互いに一部が重なるように配置されて繋がった窪みを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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