JP4299610B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
の強誘電体容量素子を有する半導体装置における強誘電体容量素子の強誘電体膜の膜厚方向に引張応力を印加するための構成に特徴ある半導体装置及びその製造方法に関するものである。
即ち、結晶のc軸長とa軸長の比が大きいほど、非対称性(c/a)が良いといえる。
例えば、金属および酸化物の熱膨張係数の差によって生じる応力、酸化還元反応に伴う体積変化によって生じる応力、Siウェハの反りから生じる応力、或いは、結晶と結晶の間の格子不整合から生じる応力である。
(001)配向或いは(111)配向しているPZTに、電圧印加方向と垂直方向、したがって、膜厚方向に応力を受けると、結晶の非対称性が悪くなり、残留分極の発生を阻害する。
図12は、残留分極Pr のc/a比依存性の説明図であり、強誘電体膜の膜厚方向に引張応力が生じることによって、PZT結晶の非対称性( 正方晶歪み)c/aが大きくなり、強誘電特性の残留分極Pr が大きくなることが理解される。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置において、それぞれ平坦な形状の下部電極(2)、強誘電体膜3、及び、上部電極(4)を順次積層させた構造の強誘電体キャパシタ1と、前記強誘電体キャパシタ1の積層方向に沿った側面に密着した側柱5とを有し、前記側柱5は前記強誘電体膜3の膜厚方向に引張応力を印加する側柱3であることを特徴とする。
或いは、強誘電体キャパシタ1の側壁を囲った形状としても良い。
それによって、加熱処理後に、強誘電体キャパシタ1を構成する強誘電体膜3は膜厚方向に引張応力を受け、結晶格子が膜厚方向に伸びることになる。
図2参照
まず、n型シリコン基板11の所定領域にp型ウエル領域12を形成するとともに、n型シリコン基板11を選択酸化することによって素子分離酸化膜13を形成し、次いで、素子形成領域にゲート絶縁膜14を介してWSiからなるゲート電極15を形成し、このゲート電極15をマスクとしてAs等のイオンを注入することによってn- 型LDD領域16を形成する。
次いで、スパッタ法によって厚さが、例えば、200nmのIrからなる下部電極25を形成し、次いで、MOCVD法(有機金属気相成長法)を用いて厚さが、例えば、120nmのPZT膜26を堆積させたのち、再び、スパッタ法を用いた厚さが、例えば、200nmのIrO2 からなる上部電極27を形成する。
次いで、大気圧酸素雰囲気中において650℃で60分程度のファーネスアニールを行なって上部電極27の形成によりPZT膜26が受けた損傷を回復したのち、上部電極27乃至下部電極25を一辺が0.5μmの正方形状にパターニングすることによって強誘電体キャパシタ28を形成する。
次いで、全面にTi層を熱く堆積させたのち、上部電極27が露出するまで平坦化し、次いで、強誘電体キャパシタ28の側壁に厚さが50〜200nm、例えば、100nmになるようにパターニングすることによってTi側柱29を形成する。
なお、この場合、拡大した破線の円内に示すように、Ti側柱29は、正方形状の強誘電体キャパシタ28の側壁に分離した状態で密着するものであり、また、Ti側柱29の高さfと幅dとの関係は、f>dとする。
次いで、O2 雰囲気中で、300℃で60分間のファーネスアニールを行ってTi側柱29を酸化してTi酸化物側柱30に変換する。
この時、Ti側柱29の高さfと幅dとの関係は、f>dであるので、Ti側柱29の酸化に伴う堆積膨張により強誘電体キャパシタ28のPZT膜26には膜厚方向に引張応力が印加される。
なお、このTi側柱29はエッチングと酸化の工程を経て、断面形状が台形或いは半円弧状に変形しても、高さfと幅dとの関係がf>dを満たせばTi酸化物側柱30の効果に変わりはない。
次いで、全面に厚さが、例えば、50nmのAl2 O3 保護膜31を堆積した後、再び、O2 雰囲気中で、例えば、650℃で60分間のファーネスアニールを行う。
次いで、HDP(High Density Plasma)装置を用いた酸化膜からなる第2層間絶縁膜32を成膜した後、強誘電体キャパシタ28の上部電極27上の残し膜厚が300nmとなるようにCMPで平坦化を行う。
次いで、通常のパターニング、エッチング技術を用いてWプラグ23に達するコンタクトホールを形成したのち、このコンタクトホールをTiN膜33を介してWを成膜した後にW−CMPを行ってWプラグ34を形成し、次いで、350℃においてN2 プラズマ処理を120秒を行う。
次いで、厚さが、例えば、100nmのSiONからなるW酸化防止膜35を成膜したのち、強誘電体キャパシタ28の上部電極27に達するコンタクトホール36を形成し、次いで、エッチングによるダメージを回復させるために、O2 雰囲気中で、550℃で60分間のファーネスアニールを行う。
次いで、W酸化防止膜35をエッチバックして除去したのち、厚さが、例えば、70nmのTiN膜、5nmのTi膜、400nmのAl−Cu膜39、30nmのTiN膜、60nmのTi膜を順次堆積させ、次いで、厚さが、例えば、30nmのSiONからなる反射防止膜(図示は省略)を形成したのち、通常のパターニング、エッチング技術を用いて第1メタル配線37を形成する。
なお、図11においては、上下のTiN/Ti膜を符号38,40で表している。
(付記1) それぞれ平坦な形状の下部電極(2)、強誘電体膜3、及び、上部電極(4)を順次積層させた構造の強誘電体キャパシタ1と、前記強誘電体キャパシタ1の積層方向に沿った側面に密着した側柱5とを有し、前記側柱5は前記強誘電体膜3の膜厚方向に引張応力を印加する側柱3であることを特徴とする半導体装置。
(付記2) 上記側柱5が、酸化物からなることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 上記側柱5は、Ti酸化物或いはAl酸化物のいずれかで構成されていることを特徴とする付記2記載の半導体装置。
(付記4) 上記側柱5の強誘電体膜3の面内方向の断面形状が、矩形状、台形状、或いは、半円弧状のいずれかであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記5) 上記側柱5が、上記強誘電体キャパシタ1の側壁を囲った形状であることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記6) 上記強誘電体キャパシタ1の積層方向における側柱5の高さfと幅dとの関係を、f>dとしたことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の半導体装置。 (付記7) 上記強誘電体キャパシタ1を構成する強誘電体材料として、Pb(Zr,Ti)O3 、(Pb,La)(Zr,Ti)O3 、(Pb,Sr)(Zr,Ti)O3 、(Pb,Ca)(Zr,Ti)O3 、或いは、(Pb,La,Ca,Sr)(Zr,Ti)O3 のいずれか用いたことを特徴とする付記1乃至6のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記8) 上記強誘電体キャパシタ1の電極2,4として、Pt、Ir、IrO2 、RuO2 、SrRuO3 、或いは、La2-x Srx CuO4 のいずれか用いたことを特徴とする付記1乃至7のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記9) それぞれ平坦な形状の下部電極(2)、強誘電体膜3、及び、上部電極(4)を順次積層して強誘電体キャパシタ1を形成する工程と、前記強誘電体キャパシタ1の積層方向に沿った側面にTi或いはAlのいずれかからなる側柱5を密着させたのち、熱処理によって側柱5を酸化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (付記10) 上記加熱処理後に、上記強誘電体キャパシタ1を構成する強誘電体膜3は膜厚方向に引張応力を受け、結晶格子が膜厚方向に伸びていることを特徴とする付記9記載の半導体装置の製造方法。
2 電極
3 強誘電体膜
4 電極
5 側柱
11 n型シリコン基板
12 p型ウエル領域
13 素子分離酸化膜
14 ゲート絶縁膜
15 ゲート電極
16 n- 型LDD領域
17 サイドウォール
18 n+ 型ドレイン領域
19 n+ 型ソース領域
20 Al2 O3 保護膜
21 第1層間絶縁膜
22 TiN膜
23 Wプラグ
24 Wプラグ
25 下部電極
26 PZT膜
27 上部電極
28 強誘電体キャパシタ
29 Ti側柱
30 Ti酸化物側柱
31 Al2 O3 保護膜
32 第2層間絶縁膜
33 TiN膜
34 Wプラグ
35 W酸化防止膜
36 コンタクトホール
37 第1メタル配線
38 TiN/Ti膜
39 Al−Cu膜
40 TiN/Ti膜
Claims (5)
- それぞれ平坦な形状の下部電極、強誘電体膜、及び、上部電極を順次積層させた構造の強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタの積層方向に沿った側面に密着した側柱とを有し、前記側柱は前記強誘電体膜の膜厚方向に引張応力を印加する側柱であることを特徴とする半導体装置。
- 上記側柱は、Ti酸化物或いはAl酸化物のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 上記側柱の強誘電体膜の面内方向の断面形状が、矩形状、台形状、或いは、半円弧状のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 上記強誘電体キャパシタの積層方向における側柱の高さfと幅dとの関係を、f>dとしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- それぞれ平坦な形状の下部電極、強誘電体膜、及び、上部電極を順次積層して強誘電体キャパシタを形成する工程と、前記強誘電体キャパシタの積層方向に沿った側面にTi或いはAlのいずれかからなる側柱を密着させたのち、熱処理によって前記側柱を酸化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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