JP4299326B2 - 入力装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基材上には導電膜が形成され、前記導電膜が切断により所定形状に区画されて前記センサ部を構成する電極部が形成され、
前記電極部以外に残された残部導電膜上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上にはグランドパターンが設けられており、平面視にて、前記電極部と前記グランドパターン間に位置する前記残部導電膜には、前記残部導電膜を分断する少なくとも一本以上の分断溝が形成されていることを特徴とするものである。
前記基材上には導電膜が形成され、前記導電膜は、縦方向及び前記縦方向に直交する横方向に延びる複数の区画溝により区画されると共に、前記縦方向及び前記横方向に延びる各区画溝が交差して、行方向及び列方向に複数の前記センサ部を構成する複数の電極部が形成され、
前記電極部間に残された残部導電膜には、前記残部導電膜を分断する少なくとも一本以上の分断溝が形成されており、前記分断溝は前記区画溝と並行して形成されていることを特徴とするものである。
また本発明では、前記導電膜は透明導電膜であることが、入力装置を液晶表示画面のタッチセンサ等として使用可能となり使用の自由度が広がり好適である。
(a) 基材上に導電膜を形成する工程、
(b) 前記導電膜を区画溝により所定形状に区画して前記センサ部を構成する電極部を形成する工程、
(c) 前記電極部以外に残された残部導電膜のうち、後の(e)工程で形成されるグランドパターンと前記電極部間に位置する前記残部電極膜に、少なくとも一本以上の分断溝を形成する工程、
(d) 前記残部導電膜上に絶縁膜を形成する工程、
(e) 前記残部導電膜と対向する前記絶縁膜上に、グランドパターンを形成する工程、
(f) 前記(d)工程後に、前記絶縁膜上から前記電極部上にかけて前記電極部と電気的に接続される配線パターンを形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
(g) 基材上に導電膜を形成する工程、
(h) 前記導電膜を区画溝により所定形状に区画して複数の前記センサ部を構成する複数の電極部を形成し、このとき、前記導電膜を、縦方向及び前記縦方向に直交する横方向に延びる複数の前記区画溝により区画し、且つ、前記縦方向及び前記横方向に延びる各区画溝を交差させて、行方向及び列方向に複数の前記電極部を形成する工程、
(i) 前記電極部間に残された残部導電膜に、少なくとも一本以上の分断溝を形成し、前記分断溝を前記区画溝に並行して形成する工程、
(j) 前記残部導電膜上に絶縁膜を形成する工程、
(k) 前記絶縁膜上から前記電極部上にかけて前記電極部と電気的に接続される配線パターンを形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
前記(j)工程後に、
(l) 複数の前記電極部を形成する電極形成領域の周囲に残された残部電極膜と対向する前記絶縁膜上に、グランドパターンを形成する工程、を有することが好ましい。グランドパターン付近での浮遊容量成分を小さくでき、より効果的に、動作安定性に優れた入力装置を簡単且つ適切に製造方法で製造できる。
なお図5では閾値としてVcc/2を使用したが、別の閾値を設定してもよい。
表1に示すように、比較例1〜3における基準値は特にセンサ部Sa,Sd及びShにおいて小さく、基準感度が大きく低下していることがわかった。特に比較例1〜3のセンサ部Saの基準値は0か1であり、出力の立ち上がりが非常に遅く、出力変化量も0か1であることから検出不能であることがわかった。
2 導電膜
2a〜2h 電極部
2i 残部導電膜
3 区画溝
4、5 分断溝
6、7 絶縁膜
8 配線パターン
9 コネクタ部
10 グランドパターン
TS タッチセンサ
Claims (11)
- 操作体との間での静電容量変化を検出するセンサ部を有する入力装置において、
基材上には導電膜が形成され、前記導電膜が切断により所定形状に区画されて前記センサ部を構成する電極部が形成され、
前記電極部以外に残された残部導電膜上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上にはグランドパターンが設けられており、平面視にて、前記電極部と前記グランドパターン間に位置する前記残部導電膜には、前記残部導電膜を分断する少なくとも一本以上の分断溝が形成されていることを特徴とする入力装置。 - 操作体との間での静電容量変化を検出するセンサ部を有する入力装置において、
前記基材上には導電膜が形成され、前記導電膜は、縦方向及び前記縦方向に直交する横方向に延びる複数の区画溝により区画されると共に、前記縦方向及び前記横方向に延びる各区画溝が交差して、行方向及び列方向に複数の前記センサ部を構成する複数の電極部が形成され、
前記電極部間に残された残部導電膜には、前記残部導電膜を分断する少なくとも一本以上の分断溝が形成されており、前記分断溝は前記区画溝と並行して形成されていることを特徴とする入力装置。 - 複数の前記電極部が形成されている電極形成領域の周囲に残された残部導電膜上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上にはグランドパターンが設けられており、平面視にて、前記電極部と前記グランドパターン間に位置する前記残部導電膜には、前記残部導電膜を分断する少なくとも一本以上の分断溝が形成されている請求項2記載の入力装置。
- 前記分断溝は直線状で形成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の入力装置。
- 前記導電膜は透明導電膜である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の入力装置。
- 操作体との間での静電容量変化を検出するセンサ部を有する入力装置の製造方法において、
(a) 基材上に導電膜を形成する工程、
(b) 前記導電膜を区画溝により所定形状に区画して前記センサ部を構成する電極部を形成する工程、
(c) 前記電極部以外に残された残部導電膜のうち、後の(e)工程で形成されるグランドパターンと前記電極部間に位置する前記残部電極膜に、少なくとも一本以上の分断溝を形成する工程、
(d) 前記残部導電膜上に絶縁膜を形成する工程、
(e) 前記残部導電膜と対向する前記絶縁膜上に、グランドパターンを形成する工程、
(f) 前記(d)工程後に、前記絶縁膜上から前記電極部上にかけて前記電極部と電気的に接続される配線パターンを形成する工程、
を有することを特徴とする入力装置の製造方法。 - 操作体との間での静電容量変化を検出するセンサ部を有する入力装置の製造方法において、
(g) 基材上に導電膜を形成する工程、
(h) 前記導電膜を区画溝により所定形状に区画して複数の前記センサ部を構成する複数の電極部を形成し、このとき、前記導電膜を、縦方向及び前記縦方向に直交する横方向に延びる複数の前記区画溝により区画し、且つ、前記縦方向及び前記横方向に延びる各区画溝を交差させて、行方向及び列方向に複数の前記電極部を形成する工程、
(i) 前記電極部間に残された残部導電膜に、少なくとも一本以上の分断溝を形成し、前記分断溝を前記区画溝に並行して形成する工程、
(j) 前記残部導電膜上に絶縁膜を形成する工程、
(k) 前記絶縁膜上から前記電極部上にかけて前記電極部と電気的に接続される配線パターンを形成する工程、
を有することを特徴とする入力装置の製造方法。 - 前記(i)工程では、後の(l)工程で形成されるグランドパターンと前記電極部間に残される前記残部電極膜に、少なくとも一本以上の分断溝を形成し、
前記(j)工程後に、
(l) 複数の前記電極部を形成する電極形成領域の周囲に残された残部電極膜と対向する前記絶縁膜上に、グランドパターンを形成する工程、を有する請求項7記載の入力装置の製造方法。 - 前記区画溝及び分断溝を、レーザにより形成する請求項6ないし8のいずれか1項に記載の入力装置の製造方法。
- 前記区画溝を、前記導電膜に、横方向及び縦方向に沿って直線状で複数本レーザにより形成するとともに、前記分断溝を、前記残部導電膜に対し、前記グランドパターンと前記電極部間の幅寸法を分断する方向であって、前記区画溝と並行してレーザにて形成する請求項6又は8に記載の入力装置の製造方法。
- 前記区画溝を、前記導電膜に、横方向及び縦方向に沿って直線状で複数本レーザにより形成するとともに、前記分断溝を、前記残部導電膜に対し、前記電極部間の幅寸法を分断する方向であって、前記区画溝と並行してレーザにて形成する請求項7記載の入力装置の製造方法。
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