JP2022157555A - 薄膜センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供すること。【解決手段】薄膜センサ１は、被測定体の表面に設けられる絶縁層３と、絶縁層３上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝６によって区画された複数の領域を有するセンサ層４と、を備える。複数の領域のうち、少なくとも１つは、被測定体にかかる圧力を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、被測定体にかかる圧力を感知しない非センサ領域である。【選択図】図３
Description
本発明は、薄膜センサに関する。
従来より、薄膜センサを平面状の設置面上に直接製造する際には、設置面上に所定のパターンを転写するリソグラフィが用いられている（例えば特許文献１）。このリソグラフィでは、パターンが描かれたマスクを介してレジスト層に光を照射する露光を行った後、露光したレジスト層を現像することによって、設置面に所定のパターンが形成される。
薄膜センサを設置する設置面は、平面に限らず、曲面の場合もある。特許文献２には、リソグラフィを用いて、曲面（軸受の外輪の内周面）にセンサを直接製造することが開示されている。この場合も、設置面が平面の場合と同様に、マスクを介して光が照射される。
曲面にセンサを直接製造する際には、マスクを曲面に沿わせる必要がある。しかしながら、この場合、マスクを高い精度で曲面に沿わせなければならず、それを実現するのは容易ではない。これは、特に、曲面の径が小さい場合において顕著である。また、マスクは、奥まった箇所に固定するのが困難である。
本発明は、曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供することを目的とする。
（１）本発明は、被測定体の表面に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝によって区画された複数の領域を有するセンサ層と、を備える。前記複数の領域のうち、少なくとも１つは、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知しない非センサ領域である。
（２）本発明は、上記（１）において、前記溝は、前記センサ層の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されてなってもよい。
（３）本発明は、上記（１）において、前記溝は、前記センサ層の表面を冷却した状態で、前記センサ層の表面にレーザを照射することによって形成されてなってもよい。
本発明によれば、曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供できる。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１から図３は、本発明の実施形態１に係る薄膜センサを示す図であり、図１は使用状態を示す概略斜視図、図２は概略上面図、図３は図２におけるＡ－Ａ断面図である。なお、図１では、説明の便宜上、歯車の歯の一部を切断している。
本実施形態１の薄膜センサ１は、被測定体２の表面に設けられる絶縁層３と、絶縁層３上に積層されるセンサ層４と、センサ層４上に積層される保護層５とを備え、被測定体２にかかる圧力を検出する圧力センサである。ここでは、被測定体２が歯車とされ、その歯車の歯面に薄膜センサ１が設けられる。なお、被測定体２は、歯車に限定されるものではない。
絶縁層３は、上面視略長方形の板状で、歯車２の一方の歯面に設けられる。この際、絶縁層３は、長手方向が歯幅方向に沿うように歯面に設けられる。絶縁層３を歯面に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、絶縁層３は、絶縁材料から形成されていればよく、例えば、アルミナ、セラミック、又はガラスなどからなる。
センサ層４は、上面視略長方形の板状で、絶縁層３上に設けられる。この際、センサ層４の長手方向が絶縁層３の長手方向に沿うようにして、センサ層４は、絶縁層３に設けられる。センサ層４を絶縁層３に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、センサ層４は、銅マンガンニッケル合金、銅ニッケル合金、又はニッケルクロム合金などからなる。
センサ層４は、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝６によって区画された複数の領域を有する。これらの複数の領域のうち、少なくとも１つは、歯車２の歯面にかかる圧力を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、歯車２の歯面にかかる圧力を感知しない非センサ領域である。本実施形態１では、センサ層４に複数の溝７～１６が形成される。溝７～１６は、センサ層４に厚さ方向に貫通して形成されるため、絶縁層３が底部とされる。
溝７は、センサ層４長手方向略中央部、かつセンサ層４短手方向一端側に形成される。溝７は、センサ層４短手方向一端部からセンサ層４短手方向他端部側に延出する第１溝部１７と、第１溝部１７のセンサ層４短手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第２溝部１８と、第２溝部１８のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に延出する第３溝部１９とを有する。第１溝部１７のセンサ層４短手方向一端部と第３溝部１９のセンサ層４短手方向一端部とは、それらの間の距離がセンサ層４短手方向一端部側に行くに従って徐々に大きくなるように、略円弧状に形成される。
第１溝部１７には、センサ層４短手方向一端部に形成される第１削り取り部２０が繋げられる。第１削り取り部２０は、センサ層４長手方向一端部側において、センサ層４短手方向一端縁が削り取られて形成される。第１削り取り部２０のセンサ層４長手方向他端部と第１溝部１７のセンサ層４短手方向一端部とは、滑らかに連続して繋げられる。
第３溝部１９には、センサ層４短手方向一端部に形成される第２削り取り部２１が繋げられる。第２削り取り部２１は、センサ層４長手方向他端部側において、センサ層４短手方向一端縁が削り取られて形成される。第２削り取り部２１のセンサ層４長手方向一端部と第３溝部１９のセンサ層４短手方向一端部とは、滑らかに連続して繋げられる。
溝８は、溝７よりもセンサ層４短手方向他端部側に形成される。溝８は、センサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第１溝部２２と、第１溝部２２のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に延出する第２溝部２３と、第２溝部２３のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第３溝部２４と、第３溝部２４のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第４溝部２５と、第４溝部２５のセンサ層４短手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第５溝部２６と、第５溝部２６のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第６溝部２７と、第６溝部２７のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第７溝部２８と、第７溝部２８のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向他端部側に延出する第８溝部２９と、第８溝部２９のセンサ層４短手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第９溝部３０とを有する。第１溝部２２は、センサ層４長手方向一端部側に開口される。第９溝部３０は、センサ層４長手方向他端部側に開口される。第５溝部２６は、溝７の第２溝部１８との間に隙間を設けて形成される。
溝９は、溝８よりもセンサ層４短手方向他端部側に形成される。溝９は、センサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第１溝部３１と、第１溝部３１のセンサ層４長手方向他端部から分岐する第２溝部３２及び第３溝部３３と、第２溝部３２と第３溝部３３とを繋げる第４溝部３４とを有する。第２溝部３２は、第１溝部３１のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する。第３溝部３３は、第１溝部３１のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出した後、センサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する。第４溝部３４は、第２溝部３２のセンサ層４短手方向一端部と第３溝部３３のセンサ層４短手方向一端部とを繋げる。なお、第１溝部３１は、センサ層４長手方向一端部側に開口される。
溝１０は、溝９を囲むように形成される。溝１０は、センサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第１溝部３５と、第１溝部３５のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第２溝部３６と、第２溝部３６のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第３溝部３７と、第３溝部３７のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する第４溝部３８と、第４溝部３８のセンサ層４短手方向他端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第５溝部３９とを有する。第１溝部３５及び第５溝部３９は、センサ層４長手方向一端部側に開口される。第３溝部３７は、溝９の第４溝部３４との間に隙間を設けて形成される。なお、本実施形態１では、溝１０の第１溝部３５のセンサ層４長手方向一端部と溝８の第１溝部２２とが共通している。
溝１１は、溝９よりもセンサ層４短手方向他端部側に形成される。溝１１は、センサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第１溝部４０と、第１溝部４０のセンサ層４長手方向他端部から分岐する第２溝部４１及び第３溝部４２と、第２溝部４１と第３溝部４２とを繋げる第４溝部４３とを有する。第２溝部４１は、第１溝部４０のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する。第３溝部４２は、第１溝部４０のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出した後、センサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する。第４溝部４３は、第２溝部４１のセンサ層４短手方向一端部と第３溝部４２のセンサ層４短手方向一端部とを繋げる。なお、第１溝部４０は、センサ層４長手方向一端部側に開口される。
溝１２は、溝１１を囲むように形成される。溝１２は、センサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第１溝部４４と、第１溝部４４のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第２溝部４５と、第２溝部４５のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第３溝部４６と、第３溝部４６のセンサ層４長手方向他端部からセンサ層４短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する第４溝部４７とを有する。第１溝部４４は、センサ層４長手方向一端部側に開口される。第４溝部４７には、センサ層４短手方向他端部に形成される第３削り取り部４８が繋げられる。第３削り取り部４８は、センサ層４長手方向一端部側において、センサ層４短手方向他端縁が削り取られて形成される。第３削り取り部４８のセンサ層４長手方向他端部と第４溝部４７のセンサ層４短手方向他端部とは、滑らかに連続して繋げられる。なお、本実施形態１では、溝１２の第１溝部４４のセンサ層４長手方向一端部と溝１０の第５溝部３９とが共通している。
溝１３は、溝８よりもセンサ層４短手方向他端部側に形成される。溝１３は、センサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第１溝部４９と、第１溝部４９のセンサ層４長手方向一端部から分岐する第２溝部５０及び第３溝部５１と、第２溝部５０と第３溝部５１とを繋げる第４溝部５２とを有する。第２溝部５０は、第１溝部４９のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する。第３溝部５１は、第１溝部４９のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出した後、センサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する。第４溝部５２は、第２溝部５０のセンサ層４短手方向一端部と第３溝部５１のセンサ層４短手方向一端部とを繋げる。なお、第１溝部４９は、センサ層４長手方向他端部側に開口される。
溝１４は、溝１３を囲むように形成される。溝１４は、センサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第１溝部５３と、第１溝部５３のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する第２溝部５４と、第２溝部５４のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第３溝部５５と、第３溝部５５のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第４溝部５６と、第４溝部５６のセンサ層４短手方向他端部からセンサ層４長手方向他端部側に延出する第５溝部５７とを有する。第１溝部５３及び第５溝部５７は、センサ層４長手方向他端部側に開口される。第３溝部５５は、溝１３の第４溝部５２との間に隙間を設けて形成される。なお、本実施形態１では、溝１４の第１溝部５３のセンサ層４長手方向他端部と溝８の第９溝部３０とが共通している。
溝１５は、溝１３よりもセンサ層４短手方向他端部側に形成される。溝１５は、センサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第１溝部５８と、第１溝部５８のセンサ層４長手方向一端部から分岐する第２溝部５９及び第３溝部６０と、第２溝部５９と第３溝部６０とを繋げる第４溝部６１とを有する。第２溝部５９は、第１溝部５８のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する。第３溝部６０は、第１溝部５８のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出した後、センサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する。第４溝部６１は、第２溝部５９のセンサ層４短手方向一端部と第３溝部６０のセンサ層４短手方向一端部とを繋げる。なお、第１溝部５８は、センサ層４長手方向他端部側に開口される。
溝１６は、溝１５を囲むように形成される。溝１６は、センサ層４長手方向他端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第１溝部６２と、第１溝部６２のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向一端部側に傾斜して延出する第２溝部６３と、第２溝部６３のセンサ層４短手方向一端部からセンサ層４長手方向一端部側に延出する第３溝部６４と、第３溝部６４のセンサ層４長手方向一端部からセンサ層４短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層４長手方向他端部側に傾斜して延出する第４溝部６５とを有する。第１溝部６２は、センサ層４長手方向他端部側に開口される。第４溝部６５には、センサ層４短手方向他端部に形成される第４削り取り部６６が繋げられる。第４削り取り部６６は、センサ層４長手方向他端部側において、センサ層４短手方向他端縁が削り取られて形成される。第４削り取り部６６のセンサ層４長手方向一端部と第４溝部６５のセンサ層４短手方向他端部とは、滑らかに連続して繋げられる。なお、本実施形態１では、溝１６の第１溝部６２のセンサ層４長手方向他端部と溝１４の第５溝部５７とが共通している。
このように溝７～１６が形成されることで、センサ層４は、複数の領域に区画される。具体的には、センサ層４は、溝７で囲まれる第１領域６７、溝７及び溝８を境界とする第２領域６８、溝８，１０，１２，１４，１６で囲まれる第３領域６９、溝９と溝１０との間の第４領域７０、溝９の第２溝部３２、第３溝部３３及び第４溝部３４で囲まれる第５領域７１、溝１１と溝１２との間の第６領域７２、溝１１の第２溝部４１、第３溝部４２及び第４溝部４３で囲まれる第７領域７３、溝１３と溝１４との間の第８領域７４、溝１３の第２溝部５０、第３溝部５１及び第４溝部５２で囲まれる第９領域７５、溝１５と溝１６との間の第１０領域７６、及び溝１５の第２溝部５９、第３溝部６０及び第４溝部６１で囲まれる第１１領域７７を有する。これらの領域のうち、第２領域６８、第４領域７０、第６領域７２、第８領域７４、及び第１０領域７６がセンサ領域であり、第１領域６７、第３領域６９、第５領域７１、第７領域７３、第９領域７５、及び第１１領域７７が非センサ領域である。なお、本実施形態１では、センサ層４は、センサ層４長手方向中央部を通る線を対象軸とした線対称に形成される。
センサ領域である第２領域６８は、圧力を受けるセンサ部７８と、図示しないリード線が接続されるリード線接続部７９とを有する。第２領域６８のうち、溝７の第２溝部１８と溝８の第５溝部２６との間の部分がセンサ部７８であり、このセンサ部７８のセンサ層４長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部７９である。センサ層４長手方向一端側に位置するリード線接続部７９のセンサ層４長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。一方、センサ層４長手方向他端側に位置するリード線接続部７９のセンサ層４長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。以上のような構成であるから、歪みゲージのように働いて、薄膜センサ１が設けられる歯車２にかかる圧力を検出できる。具体的には、センサ部７８に力が加わることでセンサ部７８が変形した際に、その変形を電気信号として検出する。
第４領域７０も、第２領域６８と同様に、センサ部８０とリード線接続部８１とを有する。第４領域７０のうち、溝９の第４溝部３４と溝１０の第３溝部３７との間の部分がセンサ部８０であり、このセンサ部８０のセンサ層４長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部８１である。リード線接続部８１それぞれのセンサ層４長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第４領域７０における圧力検出は、第２領域６８と同様にしてなされる。
第６領域７２も、第２領域６８と同様に、センサ部８２とリード線接続部８３とを有する。第６領域７２のうち、溝１１の第４溝部４３と溝１２の第３溝部４６との間の部分がセンサ部８２であり、このセンサ部８２のセンサ層４長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部８３である。リード線接続部８３それぞれのセンサ層４長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第６領域７２における圧力検出は、第２領域６８と同様にしてなされる。
第８領域７４も、第２領域６８と同様に、センサ部８４とリード線接続部８５とを有する。第８領域７４のうち、溝１３の第４溝部５２と溝１４の第３溝部５５との間の部分がセンサ部８４であり、このセンサ部８４のセンサ層４長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部８５である。リード線接続部８５それぞれのセンサ層４長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第８領域７４における圧力検出は、第２領域６８と同様にしてなされる。
第１０領域７６も、第２領域６８と同様に、センサ部８６とリード線接続部８７とを有する。第１０領域７６のうち、溝１５の第４溝部６１と溝１６の第３溝部６４との間の部分がセンサ部８６であり、このセンサ部８６のセンサ層４長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部８７である。リード線接続部８７それぞれのセンサ層４長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第１０領域７６における圧力検出は、第２領域６８と同様にしてなされる。
保護層５は、センサ層４を保護する膜である。保護層５は、上面視略長方形の板状で、センサ層４上に設けられる。この際、保護層５の長手方向がセンサ層４の長手方向に沿うようにして、保護層５は、センサ層４に設けられる。保護層５をセンサ層４に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、保護層５は、例えばダイヤモンドライクカーボンからなる。
本実施形態１の薄膜センサ１を歯車２の歯面に設ける際には、まず、歯面に絶縁層３が成膜された後、センサ層４が成膜される。そして、レーザの照射によって溝７～１６がセンサ層４に形成されることで、センサ領域が区画される。この際、溝７～１６は、センサ層４の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されるのが好ましい。センサ層４に溝７～１６が形成された後、センサ層４に保護層５が成膜される。このように本実施形態１の薄膜センサ１によれば、レーザの照射による溝６の形成によってセンサ領域が区画されるので、歯車２の歯面のような曲面や奥まった箇所であっても、容易にセンサ１を直接製造することができる。また、本実施形態１の薄膜センサ１によれば、センサ層４にピコ秒以下のレーザを照射することによって溝６が形成されるので、溝６の形成時にバリが発生するのを抑制できる。
図４及び図５は、本発明の実施形態２に係る薄膜センサを示す図であり、図４は概略上面図、図５は図４におけるＢ－Ｂ断面図である。なお、本実施形態２では、その特徴部分を説明するものとし、上記実施形態１で説明した事項については、説明を省略する。
前記実施形態１では、薄膜センサ１は、圧力センサとされたが、本実施形態２では、温度センサとされる。この場合も、薄膜センサ１ａは、前記実施形態１と同様に、絶縁層３、センサ層４及び保護層５を備える。絶縁層３及び保護層５は、前記実施形態１の場合と同様の材料で、前記実施形態１の場合と同様にスパッタリングによって成膜される。
センサ層４は、例えばスパッタリングによって成膜される。センサ層４は、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝６によって区画された複数の領域を有する。これらの複数の領域のうち、少なくとも１つは、歯車２の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、歯車２の温度を感知しない非センサ領域である。具体的には、以下の通りである。
本実施形態２では、センサ層４に一続きの溝６が形成される。溝６は、上面視略長方形状の第１領域８８を区画する第１溝部８９と、第１領域８８に連接される上面視略三角形状の第２領域９０を区画する第２溝部９１と、上面視略長方形状の第３領域９２を区画する第３溝部９３と、第３領域９２に連接される上面視略三角形状の第４領域９４を区画する第４溝部９５とを有する。
図４に示すように、第１領域８８と第３領域９２とは、互いに離隔して位置する。この際、第１領域８８の長辺部と第３領域９２の長辺部とが対応するように、第１領域８８と第３領域９２とは、互いに離隔して位置する。第２領域９０及び第４領域９４はそれぞれ、第１領域８８及び第３領域９２の長手方向一端部から互いに近接するように、三角形状に延出している。この際、第２領域９０の先端部と第４領域９４の先端部とが連接されている。このような第１領域８８から第４領域９４によって形成されるセンサ領域を区画するように、第１溝部８９から第４溝部９５によって構成される一続きの溝６がセンサ層４に形成される。
本実施形態２では、溝６によって囲まれた領域がセンサ領域である。すなわち、溝６を境界とした内側の領域であるセンサ領域は、第１領域８８、第２領域９０、第３領域９２及び第４領域９４からなる。センサ領域のうち、第１領域８８及び第２領域９０は、アルメルからなり、第３領域９２及び第４領域９４は、クロメルからなる。そのため、センサ層４は、アルメルからなる部分とクロメルからなる部分とを有する。センサ領域の第１領域８８及び第３領域９２にはそれぞれ、図示しないリード線が接続される。以上のような構成であるので、ゼーベック効果を利用して温度を検出することができる。
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良は本発明に含まれる。
例えば上記各実施形態では、センサ層４の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって溝６が形成されたが、これに限定されるものではない。例えば、レーザの照射時にバリが発生し易いナノ秒レーザによって溝を形成してもよい。この場合、溝は、センサ層の表面を冷却した状態で、センサ層の表面にレーザを照射することによって形成される。これにより、バリが発生し易い半導体レーザを用いて溝を形成した際に、バリを抑制することができる。
また上記各実施形態において、センサ領域の形状は、適宜に変更可能である。すなわち、溝は、センサ層４に適宜に形成される。
また上記各実施形態において、センサ領域の形状は、適宜に変更可能である。すなわち、溝は、センサ層４に適宜に形成される。
１，１ａ 薄膜センサ
２ 被測定体
３ 絶縁層
４ センサ層
６ 溝
２ 被測定体
３ 絶縁層
４ センサ層
６ 溝
Claims (3)
- 被測定体の表面に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝によって区画された複数の領域を有するセンサ層と、を備え、
前記複数の領域のうち、少なくとも１つは、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知しない非センサ領域である、薄膜センサ。 - 前記溝は、前記センサ層の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されてなる、請求項１に記載の薄膜センサ。
- 前記溝は、前記センサ層の表面を冷却した状態で、前記センサ層の表面にレーザを照射することによって形成されてなる、請求項１に記載の薄膜センサ。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021061843A JP2022157555A (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 薄膜センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021061843A Pending JP2022157555A (ja) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 薄膜センサ |
Country Status (3)
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|---|---|
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-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021061843A patent/JP2022157555A/ja active Pending
-
2022
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- 2022-03-31 US US17/709,435 patent/US20220316963A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115144003A (zh) | 2022-10-04 |
| US20220316963A1 (en) | 2022-10-06 |
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