JP2022157555A - 薄膜センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供すること。【解決手段】薄膜センサ1は、被測定体の表面に設けられる絶縁層3と、絶縁層3上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝6によって区画された複数の領域を有するセンサ層4と、を備える。複数の領域のうち、少なくとも1つは、被測定体にかかる圧力を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、被測定体にかかる圧力を感知しない非センサ領域である。【選択図】図3
Description
本発明は、薄膜センサに関する。
従来より、薄膜センサを平面状の設置面上に直接製造する際には、設置面上に所定のパターンを転写するリソグラフィが用いられている(例えば特許文献1)。このリソグラフィでは、パターンが描かれたマスクを介してレジスト層に光を照射する露光を行った後、露光したレジスト層を現像することによって、設置面に所定のパターンが形成される。
薄膜センサを設置する設置面は、平面に限らず、曲面の場合もある。特許文献2には、リソグラフィを用いて、曲面(軸受の外輪の内周面)にセンサを直接製造することが開示されている。この場合も、設置面が平面の場合と同様に、マスクを介して光が照射される。
曲面にセンサを直接製造する際には、マスクを曲面に沿わせる必要がある。しかしながら、この場合、マスクを高い精度で曲面に沿わせなければならず、それを実現するのは容易ではない。これは、特に、曲面の径が小さい場合において顕著である。また、マスクは、奥まった箇所に固定するのが困難である。
本発明は、曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供することを目的とする。
(1)本発明は、被測定体の表面に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝によって区画された複数の領域を有するセンサ層と、を備える。前記複数の領域のうち、少なくとも1つは、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知しない非センサ領域である。
(2)本発明は、上記(1)において、前記溝は、前記センサ層の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されてなってもよい。
(3)本発明は、上記(1)において、前記溝は、前記センサ層の表面を冷却した状態で、前記センサ層の表面にレーザを照射することによって形成されてなってもよい。
本発明によれば、曲面や奥まった箇所であっても、容易に直接製造することができる薄膜センサを提供できる。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1から図3は、本発明の実施形態1に係る薄膜センサを示す図であり、図1は使用状態を示す概略斜視図、図2は概略上面図、図3は図2におけるA-A断面図である。なお、図1では、説明の便宜上、歯車の歯の一部を切断している。
本実施形態1の薄膜センサ1は、被測定体2の表面に設けられる絶縁層3と、絶縁層3上に積層されるセンサ層4と、センサ層4上に積層される保護層5とを備え、被測定体2にかかる圧力を検出する圧力センサである。ここでは、被測定体2が歯車とされ、その歯車の歯面に薄膜センサ1が設けられる。なお、被測定体2は、歯車に限定されるものではない。
絶縁層3は、上面視略長方形の板状で、歯車2の一方の歯面に設けられる。この際、絶縁層3は、長手方向が歯幅方向に沿うように歯面に設けられる。絶縁層3を歯面に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、絶縁層3は、絶縁材料から形成されていればよく、例えば、アルミナ、セラミック、又はガラスなどからなる。
センサ層4は、上面視略長方形の板状で、絶縁層3上に設けられる。この際、センサ層4の長手方向が絶縁層3の長手方向に沿うようにして、センサ層4は、絶縁層3に設けられる。センサ層4を絶縁層3に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、センサ層4は、銅マンガンニッケル合金、銅ニッケル合金、又はニッケルクロム合金などからなる。
センサ層4は、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝6によって区画された複数の領域を有する。これらの複数の領域のうち、少なくとも1つは、歯車2の歯面にかかる圧力を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、歯車2の歯面にかかる圧力を感知しない非センサ領域である。本実施形態1では、センサ層4に複数の溝7~16が形成される。溝7~16は、センサ層4に厚さ方向に貫通して形成されるため、絶縁層3が底部とされる。
溝7は、センサ層4長手方向略中央部、かつセンサ層4短手方向一端側に形成される。溝7は、センサ層4短手方向一端部からセンサ層4短手方向他端部側に延出する第1溝部17と、第1溝部17のセンサ層4短手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第2溝部18と、第2溝部18のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に延出する第3溝部19とを有する。第1溝部17のセンサ層4短手方向一端部と第3溝部19のセンサ層4短手方向一端部とは、それらの間の距離がセンサ層4短手方向一端部側に行くに従って徐々に大きくなるように、略円弧状に形成される。
第1溝部17には、センサ層4短手方向一端部に形成される第1削り取り部20が繋げられる。第1削り取り部20は、センサ層4長手方向一端部側において、センサ層4短手方向一端縁が削り取られて形成される。第1削り取り部20のセンサ層4長手方向他端部と第1溝部17のセンサ層4短手方向一端部とは、滑らかに連続して繋げられる。
第3溝部19には、センサ層4短手方向一端部に形成される第2削り取り部21が繋げられる。第2削り取り部21は、センサ層4長手方向他端部側において、センサ層4短手方向一端縁が削り取られて形成される。第2削り取り部21のセンサ層4長手方向一端部と第3溝部19のセンサ層4短手方向一端部とは、滑らかに連続して繋げられる。
溝8は、溝7よりもセンサ層4短手方向他端部側に形成される。溝8は、センサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第1溝部22と、第1溝部22のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に延出する第2溝部23と、第2溝部23のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第3溝部24と、第3溝部24のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第4溝部25と、第4溝部25のセンサ層4短手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第5溝部26と、第5溝部26のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第6溝部27と、第6溝部27のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第7溝部28と、第7溝部28のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向他端部側に延出する第8溝部29と、第8溝部29のセンサ層4短手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第9溝部30とを有する。第1溝部22は、センサ層4長手方向一端部側に開口される。第9溝部30は、センサ層4長手方向他端部側に開口される。第5溝部26は、溝7の第2溝部18との間に隙間を設けて形成される。
溝9は、溝8よりもセンサ層4短手方向他端部側に形成される。溝9は、センサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第1溝部31と、第1溝部31のセンサ層4長手方向他端部から分岐する第2溝部32及び第3溝部33と、第2溝部32と第3溝部33とを繋げる第4溝部34とを有する。第2溝部32は、第1溝部31のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する。第3溝部33は、第1溝部31のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出した後、センサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する。第4溝部34は、第2溝部32のセンサ層4短手方向一端部と第3溝部33のセンサ層4短手方向一端部とを繋げる。なお、第1溝部31は、センサ層4長手方向一端部側に開口される。
溝10は、溝9を囲むように形成される。溝10は、センサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第1溝部35と、第1溝部35のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第2溝部36と、第2溝部36のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第3溝部37と、第3溝部37のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する第4溝部38と、第4溝部38のセンサ層4短手方向他端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第5溝部39とを有する。第1溝部35及び第5溝部39は、センサ層4長手方向一端部側に開口される。第3溝部37は、溝9の第4溝部34との間に隙間を設けて形成される。なお、本実施形態1では、溝10の第1溝部35のセンサ層4長手方向一端部と溝8の第1溝部22とが共通している。
溝11は、溝9よりもセンサ層4短手方向他端部側に形成される。溝11は、センサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第1溝部40と、第1溝部40のセンサ層4長手方向他端部から分岐する第2溝部41及び第3溝部42と、第2溝部41と第3溝部42とを繋げる第4溝部43とを有する。第2溝部41は、第1溝部40のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する。第3溝部42は、第1溝部40のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出した後、センサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する。第4溝部43は、第2溝部41のセンサ層4短手方向一端部と第3溝部42のセンサ層4短手方向一端部とを繋げる。なお、第1溝部40は、センサ層4長手方向一端部側に開口される。
溝12は、溝11を囲むように形成される。溝12は、センサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第1溝部44と、第1溝部44のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第2溝部45と、第2溝部45のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第3溝部46と、第3溝部46のセンサ層4長手方向他端部からセンサ層4短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する第4溝部47とを有する。第1溝部44は、センサ層4長手方向一端部側に開口される。第4溝部47には、センサ層4短手方向他端部に形成される第3削り取り部48が繋げられる。第3削り取り部48は、センサ層4長手方向一端部側において、センサ層4短手方向他端縁が削り取られて形成される。第3削り取り部48のセンサ層4長手方向他端部と第4溝部47のセンサ層4短手方向他端部とは、滑らかに連続して繋げられる。なお、本実施形態1では、溝12の第1溝部44のセンサ層4長手方向一端部と溝10の第5溝部39とが共通している。
溝13は、溝8よりもセンサ層4短手方向他端部側に形成される。溝13は、センサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第1溝部49と、第1溝部49のセンサ層4長手方向一端部から分岐する第2溝部50及び第3溝部51と、第2溝部50と第3溝部51とを繋げる第4溝部52とを有する。第2溝部50は、第1溝部49のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する。第3溝部51は、第1溝部49のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出した後、センサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する。第4溝部52は、第2溝部50のセンサ層4短手方向一端部と第3溝部51のセンサ層4短手方向一端部とを繋げる。なお、第1溝部49は、センサ層4長手方向他端部側に開口される。
溝14は、溝13を囲むように形成される。溝14は、センサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第1溝部53と、第1溝部53のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する第2溝部54と、第2溝部54のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第3溝部55と、第3溝部55のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第4溝部56と、第4溝部56のセンサ層4短手方向他端部からセンサ層4長手方向他端部側に延出する第5溝部57とを有する。第1溝部53及び第5溝部57は、センサ層4長手方向他端部側に開口される。第3溝部55は、溝13の第4溝部52との間に隙間を設けて形成される。なお、本実施形態1では、溝14の第1溝部53のセンサ層4長手方向他端部と溝8の第9溝部30とが共通している。
溝15は、溝13よりもセンサ層4短手方向他端部側に形成される。溝15は、センサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第1溝部58と、第1溝部58のセンサ層4長手方向一端部から分岐する第2溝部59及び第3溝部60と、第2溝部59と第3溝部60とを繋げる第4溝部61とを有する。第2溝部59は、第1溝部58のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する。第3溝部60は、第1溝部58のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出した後、センサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する。第4溝部61は、第2溝部59のセンサ層4短手方向一端部と第3溝部60のセンサ層4短手方向一端部とを繋げる。なお、第1溝部58は、センサ層4長手方向他端部側に開口される。
溝16は、溝15を囲むように形成される。溝16は、センサ層4長手方向他端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第1溝部62と、第1溝部62のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向一端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向一端部側に傾斜して延出する第2溝部63と、第2溝部63のセンサ層4短手方向一端部からセンサ層4長手方向一端部側に延出する第3溝部64と、第3溝部64のセンサ層4長手方向一端部からセンサ層4短手方向他端部側に行くに従ってセンサ層4長手方向他端部側に傾斜して延出する第4溝部65とを有する。第1溝部62は、センサ層4長手方向他端部側に開口される。第4溝部65には、センサ層4短手方向他端部に形成される第4削り取り部66が繋げられる。第4削り取り部66は、センサ層4長手方向他端部側において、センサ層4短手方向他端縁が削り取られて形成される。第4削り取り部66のセンサ層4長手方向一端部と第4溝部65のセンサ層4短手方向他端部とは、滑らかに連続して繋げられる。なお、本実施形態1では、溝16の第1溝部62のセンサ層4長手方向他端部と溝14の第5溝部57とが共通している。
このように溝7~16が形成されることで、センサ層4は、複数の領域に区画される。具体的には、センサ層4は、溝7で囲まれる第1領域67、溝7及び溝8を境界とする第2領域68、溝8,10,12,14,16で囲まれる第3領域69、溝9と溝10との間の第4領域70、溝9の第2溝部32、第3溝部33及び第4溝部34で囲まれる第5領域71、溝11と溝12との間の第6領域72、溝11の第2溝部41、第3溝部42及び第4溝部43で囲まれる第7領域73、溝13と溝14との間の第8領域74、溝13の第2溝部50、第3溝部51及び第4溝部52で囲まれる第9領域75、溝15と溝16との間の第10領域76、及び溝15の第2溝部59、第3溝部60及び第4溝部61で囲まれる第11領域77を有する。これらの領域のうち、第2領域68、第4領域70、第6領域72、第8領域74、及び第10領域76がセンサ領域であり、第1領域67、第3領域69、第5領域71、第7領域73、第9領域75、及び第11領域77が非センサ領域である。なお、本実施形態1では、センサ層4は、センサ層4長手方向中央部を通る線を対象軸とした線対称に形成される。
センサ領域である第2領域68は、圧力を受けるセンサ部78と、図示しないリード線が接続されるリード線接続部79とを有する。第2領域68のうち、溝7の第2溝部18と溝8の第5溝部26との間の部分がセンサ部78であり、このセンサ部78のセンサ層4長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部79である。センサ層4長手方向一端側に位置するリード線接続部79のセンサ層4長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。一方、センサ層4長手方向他端側に位置するリード線接続部79のセンサ層4長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。以上のような構成であるから、歪みゲージのように働いて、薄膜センサ1が設けられる歯車2にかかる圧力を検出できる。具体的には、センサ部78に力が加わることでセンサ部78が変形した際に、その変形を電気信号として検出する。
第4領域70も、第2領域68と同様に、センサ部80とリード線接続部81とを有する。第4領域70のうち、溝9の第4溝部34と溝10の第3溝部37との間の部分がセンサ部80であり、このセンサ部80のセンサ層4長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部81である。リード線接続部81それぞれのセンサ層4長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第4領域70における圧力検出は、第2領域68と同様にしてなされる。
第6領域72も、第2領域68と同様に、センサ部82とリード線接続部83とを有する。第6領域72のうち、溝11の第4溝部43と溝12の第3溝部46との間の部分がセンサ部82であり、このセンサ部82のセンサ層4長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部83である。リード線接続部83それぞれのセンサ層4長手方向一端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第6領域72における圧力検出は、第2領域68と同様にしてなされる。
第8領域74も、第2領域68と同様に、センサ部84とリード線接続部85とを有する。第8領域74のうち、溝13の第4溝部52と溝14の第3溝部55との間の部分がセンサ部84であり、このセンサ部84のセンサ層4長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部85である。リード線接続部85それぞれのセンサ層4長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第8領域74における圧力検出は、第2領域68と同様にしてなされる。
第10領域76も、第2領域68と同様に、センサ部86とリード線接続部87とを有する。第10領域76のうち、溝15の第4溝部61と溝16の第3溝部64との間の部分がセンサ部86であり、このセンサ部86のセンサ層4長手方向両端部それぞれに連接される部分がリード線接続部87である。リード線接続部87それぞれのセンサ層4長手方向他端縁は、外部に露出した開放端縁である。なお、第10領域76における圧力検出は、第2領域68と同様にしてなされる。
保護層5は、センサ層4を保護する膜である。保護層5は、上面視略長方形の板状で、センサ層4上に設けられる。この際、保護層5の長手方向がセンサ層4の長手方向に沿うようにして、保護層5は、センサ層4に設けられる。保護層5をセンサ層4に設ける際には、例えばスパッタリングが用いられる。なお、保護層5は、例えばダイヤモンドライクカーボンからなる。
本実施形態1の薄膜センサ1を歯車2の歯面に設ける際には、まず、歯面に絶縁層3が成膜された後、センサ層4が成膜される。そして、レーザの照射によって溝7~16がセンサ層4に形成されることで、センサ領域が区画される。この際、溝7~16は、センサ層4の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されるのが好ましい。センサ層4に溝7~16が形成された後、センサ層4に保護層5が成膜される。このように本実施形態1の薄膜センサ1によれば、レーザの照射による溝6の形成によってセンサ領域が区画されるので、歯車2の歯面のような曲面や奥まった箇所であっても、容易にセンサ1を直接製造することができる。また、本実施形態1の薄膜センサ1によれば、センサ層4にピコ秒以下のレーザを照射することによって溝6が形成されるので、溝6の形成時にバリが発生するのを抑制できる。
図4及び図5は、本発明の実施形態2に係る薄膜センサを示す図であり、図4は概略上面図、図5は図4におけるB-B断面図である。なお、本実施形態2では、その特徴部分を説明するものとし、上記実施形態1で説明した事項については、説明を省略する。
前記実施形態1では、薄膜センサ1は、圧力センサとされたが、本実施形態2では、温度センサとされる。この場合も、薄膜センサ1aは、前記実施形態1と同様に、絶縁層3、センサ層4及び保護層5を備える。絶縁層3及び保護層5は、前記実施形態1の場合と同様の材料で、前記実施形態1の場合と同様にスパッタリングによって成膜される。
センサ層4は、例えばスパッタリングによって成膜される。センサ層4は、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝6によって区画された複数の領域を有する。これらの複数の領域のうち、少なくとも1つは、歯車2の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、歯車2の温度を感知しない非センサ領域である。具体的には、以下の通りである。
本実施形態2では、センサ層4に一続きの溝6が形成される。溝6は、上面視略長方形状の第1領域88を区画する第1溝部89と、第1領域88に連接される上面視略三角形状の第2領域90を区画する第2溝部91と、上面視略長方形状の第3領域92を区画する第3溝部93と、第3領域92に連接される上面視略三角形状の第4領域94を区画する第4溝部95とを有する。
図4に示すように、第1領域88と第3領域92とは、互いに離隔して位置する。この際、第1領域88の長辺部と第3領域92の長辺部とが対応するように、第1領域88と第3領域92とは、互いに離隔して位置する。第2領域90及び第4領域94はそれぞれ、第1領域88及び第3領域92の長手方向一端部から互いに近接するように、三角形状に延出している。この際、第2領域90の先端部と第4領域94の先端部とが連接されている。このような第1領域88から第4領域94によって形成されるセンサ領域を区画するように、第1溝部89から第4溝部95によって構成される一続きの溝6がセンサ層4に形成される。
本実施形態2では、溝6によって囲まれた領域がセンサ領域である。すなわち、溝6を境界とした内側の領域であるセンサ領域は、第1領域88、第2領域90、第3領域92及び第4領域94からなる。センサ領域のうち、第1領域88及び第2領域90は、アルメルからなり、第3領域92及び第4領域94は、クロメルからなる。そのため、センサ層4は、アルメルからなる部分とクロメルからなる部分とを有する。センサ領域の第1領域88及び第3領域92にはそれぞれ、図示しないリード線が接続される。以上のような構成であるので、ゼーベック効果を利用して温度を検出することができる。
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良は本発明に含まれる。
例えば上記各実施形態では、センサ層4の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって溝6が形成されたが、これに限定されるものではない。例えば、レーザの照射時にバリが発生し易いナノ秒レーザによって溝を形成してもよい。この場合、溝は、センサ層の表面を冷却した状態で、センサ層の表面にレーザを照射することによって形成される。これにより、バリが発生し易い半導体レーザを用いて溝を形成した際に、バリを抑制することができる。
また上記各実施形態において、センサ領域の形状は、適宜に変更可能である。すなわち、溝は、センサ層4に適宜に形成される。
また上記各実施形態において、センサ領域の形状は、適宜に変更可能である。すなわち、溝は、センサ層4に適宜に形成される。
1,1a 薄膜センサ
2 被測定体
3 絶縁層
4 センサ層
6 溝
2 被測定体
3 絶縁層
4 センサ層
6 溝
Claims (3)
- 被測定体の表面に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層上に積層され、レーザの照射によって厚さ方向に貫通して形成された溝によって区画された複数の領域を有するセンサ層と、を備え、
前記複数の領域のうち、少なくとも1つは、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知するセンサ領域であり、それ以外の領域は、前記被測定体にかかる圧力又は前記被測定体の温度を感知しない非センサ領域である、薄膜センサ。 - 前記溝は、前記センサ層の表面にピコ秒以下のレーザを照射することによって形成されてなる、請求項1に記載の薄膜センサ。
- 前記溝は、前記センサ層の表面を冷却した状態で、前記センサ層の表面にレーザを照射することによって形成されてなる、請求項1に記載の薄膜センサ。
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