JP4281753B2 - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、イオン注入工程にて打ち込まれる希ガス元素イオンはアルゴン(Ar)イオン或いはヘリウム(He)イオン、又はネオン(Ne)イオンが好ましい。此等のイオンが半導体膜に打ち込まれる際には、希ガス元素イオンの半導体膜内での最大濃度(飛程中心に於ける濃度)が2×1019cm-3程度以上1×1021cm-3程度以下と成る様にする。更に打ち込まれる希ガス元素イオンの飛程中心は半導体膜の下側界面と半導体膜の下側界面からの厚みの40%程度との間に存在する様に工程処理を行う。此は半導体膜の下側界面近傍に後の結晶性半導体膜形成工程での結晶核が多く存在し、此等を効率的に破壊する事が求められるからで有る。換言すれば、イオン注入工程にて打ち込まれる希ガス元素イオンの飛程中心が、半導体膜の下側界面から10nm±10nm内に来る様にイオン注入工程を行う。希ガス元素イオンは半導体装置のチャンネル形成領域及びその周辺となる近傍領域のみに選択的に注入するのが殊の外望ましい。具体的に近傍領域とはチャンネル形成領域から1μm程度以内の領域を示す。
ガラス基板の好ましい洗浄の一例としては次の方法が有る。
(1−1)アセトン等のケトン洗浄(有機物除去)
(0℃程度から30℃程度で1分程度から10分程度)
(1−2)エタノール等のアルコール洗浄(有機物除去)
(0℃程度から30℃程度で1分程度から10分程度)
(1−3)純水洗浄(ケトン、アルコール除去)
(0℃程度から30℃程度で1分程度から10分程度)
(2−1)アンモニア過水洗浄(金属除去)
(50℃程度から100℃程度で1分程度から10分程度)
(2−2)純水洗浄(アンモニア除去)
(0℃程度から50℃程度で1分程度から10分程度)
(3−1)硫酸過水洗浄(金属除去)
(50℃程度から100℃程度で1分程度から10分程度)
(3−2)純水洗浄(硫酸除去)
(0℃程度から50℃程度で1分程度から10分程度)
(3−3)塩酸過水洗浄(金属除去)
(50℃程度から100℃程度で1分程度から10分程度)
(3−4)純水洗浄(塩酸除去)
(0℃程度から50℃程度で1分程度から10分程度)
(4−1)弗酸水溶液洗浄(酸化膜表面除去及び酸化膜表面の水素終端化)
(0℃程度から30℃程度で1分程度から10分程度)
(4−2)純水洗浄(弗酸除去)
(0℃程度から30℃程度で1分程度から10分程度)
P<10aT×10-31 Torr (式1)
a=0.05℃-1
との関係を満たす様に設定される。この条件を満たすと多結晶半導体膜は比較的粒径の大きい結晶粒より構成される事になる。具体的には堆積温度が540℃の時には総圧力は10-4Torr程度以下が好ましく、560℃程度の時には10-3Torr程度以下、580℃の時には10-2Torr程度以下と、温度が20℃低下する度に堆積時の真空度が一桁上昇する関係にある。結晶核密度を下げて比較的大きな結晶粒より構成される多結晶膜を得るには、この堆積温度と総圧力との関係を満たすと同時に、前述の如き下地保護膜表面の結晶核密度を低くする事が求められる。半導体膜堆積の際に基板洗浄が不十分で有ると、基板上に付着した不純物が結晶核として作用する為、結晶粒は小さく成って仕舞う。同様に気相堆積装置の機密度が不十分で有ると(例えばR=QL/QSiH>10-5)、外部から成膜室に漏洩した不純物気体が基板上に付着して矢張り結晶核と成って仕舞い、結果として大粒径の結晶粒から成る優れた多結晶膜は得られない。又、成膜室内での基板乾燥が不十分で有ると(この時には半導体膜堆積直前の背景真空度が5×10-7Torr程度以下と成って居ない)、全く同じ原理で結晶粒は小さく成る。高性能薄膜半導体装置を得る為には、基板に十分な洗浄(少なくとも表面酸化膜除去の洗浄工程)を施し、原料気体流量に対する機密度が十分で有る成膜装置(R=QL/QSiH≦10-5)を用いて、基板を成膜室で良く乾燥させた後(半導体膜堆積直前の背景真空度が5×10-7Torr程度以下とした後)、モノシランを原料気体として用いて式1の関係を満たす堆積温度と総圧力で多結晶半導体膜を堆積する事が肝要なので有る。
kLC=0.85
kHC=0.97
ここでECMはイオン注入された半導体膜の完全溶融エネルギー密度で、ESMはやはりイオン注入された半導体膜の表面溶融エネルギー密度である。この不等式は結晶性半導体膜形成工程でのレーザーエネルギー密度ECRを多結晶相エネルギー密度の85%から97%の間に設定することを意味しており、換言すれば半導体膜の厚み方向の大凡85%程度から97%程度がレーザー照射にて溶融することを意味している。レーザーエネルギー密度ECRを用いてkCRを
ECR=(ECM−ESM)×kCR+ESM
と定義すると、先の不等式は
kLC<kCR<kHC
kLC=0.85
kHC=0.97
と記載し直される。即ちkCRを0.85程度から0.97程度としてレーザー光照射を施すと、半導体膜の厚み方向の大凡85%程度から97%程度が溶融し、結果として得られる多結晶膜は比較的大きい結晶粒から構成される事になる。粒径の大きい結晶粒を得るにはECRは出来る限りECMに近い事が望まれ、それ故にkCRは出来る限り1に近い事が望まれる。然るに従来技術の欄にて詳述した様に現在のエキシマレーザー装置の出力変動は数%のオーダーで認められる為、kCRを0.97程度よりも大きくすると半導体膜は微結晶相に入って仕舞う場合も認められる。エキシマレーザー光の変動を考慮するとkCRは実質的に0.95程度程度以下が好ましい(kHC=0.95)。又良好な特性を確実に得るにはkCRは実質的に0.89程度以上とする(kLC=0.89)。溶融結晶化は半導体膜の同一地点を20回程度以上80回程度以下の回数で繰り返される様に行う。20回程度以上の照射回数で有れば結晶内欠陥が少なく平均結晶粒径も大きい多結晶膜が得られる。照射回数が80回程度以下で有ればレーザー結晶化に伴う面荒れや不純物混入を防いで、平滑で清浄なMOS界面を得る事が可能である。
図6(a)〜(e)はMOS型電界効果トランジスタを形成する薄膜半導体装置の製造工程を断面で示した図で有る。本実施例1では基板101としてガラスの歪点温度が750℃の結晶化ガラスを用いた。然るに此以外の基板で有っても、薄膜半導体装置製造工程中の最高温度に耐えられれば、その種類や大きさは無論問われない。まず基板101上に下地保護膜102と成る酸化硅素膜を堆積する。基板が高濃度に不純物がドープされた単結晶硅素基板等の導伝性物質の場合や、セラミックス基板等で半導体膜に取って望ましからざる不純物を含んでいる場合、酸化硅素膜堆積前に酸化タンタル膜や窒化硅素膜等の第一の下地保護膜を堆積しても良い。本実施例1では基板101上にプラズマ化学気相堆積法(PECVD法)で酸化硅素膜を200nm程度堆積し、下地保護膜102とした。酸化硅素膜はECR−PECVDにて以下の堆積条件で堆積された。
酸素(O2)流量・・・100sccm
圧力・・・2.40mTorr
マイクロ波(2.45GHz)出力・・・2250W
印可磁場・・・875Gauss
基板温度・・・100℃
成膜時間・・・40秒
次に下地保護膜堆積後、基板を次の手順で洗浄した。
(2)窒素バブリングされた純水洗浄(27℃、5分間)
(3)アンモニア過水洗浄(80℃、5分間)
(4)窒素バブリングされた純水洗浄(27℃、5分間)
(5)硫酸過水洗浄(97℃、5分間)
(6)窒素バブリングされた純水洗浄(27℃、5分間)
(7)希釈弗酸水溶液(弗酸濃度1.67%)洗浄(27℃、20秒間)
(8)窒素バブリングされた純水洗浄(27℃、5分間)
上記7番目の希釈弗酸水溶液洗浄により、下地酸化膜の表層部がおよそ10nm除去されている。こうして洗浄された下地保護膜上に真性多結晶硅素膜をLPCVD法にて50nm程度の膜厚に堆積した。上記8番目の純水洗浄が終了してから基板がLPCVD装置の成膜室に設置される迄の時間は約25分間で有った。
QTL(sccm)=273.15(K)/833.15(K)
×5.2×10-6(Torr/min)/760(Torr)
×184.5×103(cm3)
=4.14×10-4(sccm)
で有る。原料ガスで有る純度99.999%以上のモノシラン(SiH4)は100sccmの流量で成膜室に供給されたから、総不純物漏洩流量(QTL)に対するモノシランの比(QTL/QSiH)は4.14×10-6と成る。従って、漏洩流量(QL)のモノシラン流量(QSiH)に対する比(R=QL/QSiH)は4.14ppm以下で有る。斯うした乾燥処理が終了した半導体膜堆積直前の成膜室背景真空度は、560℃に於ける温度平衡条件で3.3×10-7Torrで有った。多結晶硅素膜堆積時に於ける反応室内圧力はおよそ0.9mTorrで有り、此の条件下で硅素膜の堆積速度は0.7nm/minで有る。(半導体膜形成工程終了)。
圧力・・・1.85mTorr
マイクロ波(2.45GHz)出力・・・2000W
印可磁場・・・875Gauss
基板温度・・・100℃
処理時間・・・24秒
プラズマ酸化に依りおよそ3.5nmの酸化膜が半導体表面に形成されている。酸素プラズマ照射が終了した後、真空を維持した侭連続で酸化膜を堆積した。従ってゲート絶縁膜と成る酸化硅素膜はプラズマ酸化膜と気相堆積膜の二者から成り、その膜厚は126nmで有った。斯様にしてゲート絶縁膜堆積が完了した(図6c)。
Claims (9)
- 基板上に形成された結晶性半導体膜を半導体装置のチャンネル形成領域として活用している完全空乏型薄膜半導体装置の製造方法に於いて、
基板上に低圧化学気相堆積法にて多結晶の半導体膜を堆積する堆積工程と、
前記半導体膜上の少なくともチャンネル形成領域を除く領域にイオン注入保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記半導体膜の少なくとも前記チャンネル形成領域に、前記半導体膜の上方から希ガス元素イオンを打ち込むイオン注入工程と、
前記イオン注入保護膜を剥離する保護膜剥離工程と、
前記希ガス元素イオンを打ち込んだ前記半導体膜に、該半導体膜の膜厚方向に対して85%以上97%以下を溶融させるエネルギー密度でレーザー光を照射して溶融結晶化する結晶化工程とを含み、
前記結晶化工程においては、前記半導体膜のうちの前記イオン注入保護膜が形成されていた領域から、横方向に結晶成長してなり、
前記希ガス元素イオンの飛程中心が前記半導体膜の下側界面と該下側界面からの厚みの40%との間に存在し、前記希ガス元素イオンの前記半導体膜中での最大濃度が2×1019cm-3以上1×1021cm-3以下であることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記堆積工程において、前記半導体膜が、モノシランを少なくとも原料気体の一種として用いたLPCVD法に依り、直接前記基板上に堆積される、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記イオン注入工程にて打ち込まれる希ガス元素イオンがアルゴンイオンである、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記イオン注入工程にて打ち込まれる希ガス元素イオンがヘリウムイオンである、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記イオン注入工程にて打ち込まれる希ガス元素イオンの飛程中心が、前記半導体膜の下側界面から10nm±10nm内に存在する、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記イオン注入工程にて、前記希ガス元素イオンを前記半導体膜の前記チャンネル形成領域及びその周辺となる近傍領域のみに選択的に注入する、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項6において、
前記近傍領域が前記チャンネル形成領域から1μm程度以内の領域である、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれかにおいて、
前記レーザー光がエキシマレーザー光である、薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項8において、
前記エキシマレーザー光がキセノン塩素(XeCl)エキシマレーザー光(波長308nm)である、薄膜半導体装置の製造方法。
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JP7066888B2 (ja) | 2016-03-07 | 2022-05-13 | 明治飼糧株式会社 | 反芻家畜の乳量及び乳脂肪含量増加方法 |
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