JP4278996B2 - ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 - Google Patents
ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4278996B2 JP4278996B2 JP2003019859A JP2003019859A JP4278996B2 JP 4278996 B2 JP4278996 B2 JP 4278996B2 JP 2003019859 A JP2003019859 A JP 2003019859A JP 2003019859 A JP2003019859 A JP 2003019859A JP 4278996 B2 JP4278996 B2 JP 4278996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal sapphire
- substrate
- main surface
- tilt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主面のステップをバンチングさせた単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法に関し、特に、ＳＡＷフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から単結晶サファイヤ傾斜基板の表面上に量子細線を形成できることが知られている（特許文献１参照）。以下、特許文献１の内容を引用して説明する。サファイア単結晶基板の最表面は、超平坦な原子面（テラス面）となっているので、温度及び雰囲気等の条件を適正に制御した成膜条件下では、テラス面に付着した薄膜構成原子がテラス面上で核形成することなく、テラス上を拡散してステップサイトにトラップされ、結晶化される。その結果、ステップに沿って薄膜構成原子が配列される。このとき、テラス上での薄膜の被覆率を1以下にすると、線幅が数nm〜数十nmの量子細線がサファイア単結晶基板上に作製される。これにより、絶縁性，放熱性，耐放射線性，耐熱性，耐化学性等に優れたサファイア基板の上に量子構造を組み込んだデバイスの作成が可能となる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−８３８０２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の熱処理方法（特許文献１）により得られる単結晶サファイヤ傾斜基板を用いてSAWフィルタを製作しても、SAWフィルタは、デバイスとして機能しないという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、例えばSAWフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板を提供することである。
【０００６】
本発明者らは、上記課題の原因を追及した結果、従来の熱処理方法により得られた単結晶サファイヤ傾斜基板は、シングルステップであることから金属細線の膜厚が薄く、シート抵抗が急激に増加してしまい、その結果SAWフィルタとして機能しないという知見を得た。そこで、本発明者らは、さらに、研究を重ねた結果、単結晶サファイヤ傾斜基板のバンチング現象に着目し、ステップバンチングを制御するという着想に至った。ステップバンチは、シングルステップよりステップ高さが高いため、ステップバンチを制御すれば、SAWフィルタの櫛形電極を形成する際、シート抵抗が適当になるような金属細線の膜厚を確保することができるためである。
【０００７】
上記着想に基づいたさらなる研究の結果、本発明者らは、所望のステップバンチを備えた単結晶サファイヤ傾斜基板の製造に成功し、請求項１乃至請求項７の発明を完成した。
【０００８】
請求項１記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えたＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【０００９】
所定方位は、加工の際、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面を傾斜させたい方位、即ち、傾斜させたい目標の方位である。傾斜方位は、単結晶サファイヤ傾斜基板が実際に傾斜している方向である。回転ズレ角度は、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸として、所定方位に対する傾斜方位の回転方向のズレ角度である。回転ズレ角度は、回転方向に対して±0.1°以下であればよいが、回転方向に対して±0.05°以下が好ましい。回転ズレ角度が±0.1°を超えると、例えば、所定の結晶軸をc軸とし、所定方位をm軸とした場合、生成されるステップバンチのステップエッジの直線性が損なわれるためである。
【００１５】
小孔又は小突起は、熱処理中に原子の移動をピン止めする働きを有するため、小孔又は小突起を所定方位に対して垂直に配列した場合、直線性に優れたステップバンチが生成される。また、小孔又は小突起の配列間隔を調整することによってステップバンチの高さを制御することができる。
【００１７】
小孔又は小突起がストライプ状に配列されているため、ステップバンチもこの小孔又は小突起の配列に応じてストライプ状に形成される。また、ストライプの間隔を変えることにより所望のストライプ間隔のステップバンチが生成される。
【００１９】
「原子層」における原子とは、サファイヤを構成するアルミニウム原子や酸素原子である。
【００２０】
請求項２記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された０．４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えたＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２３】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面が、ｃ面からａ軸又はｍ軸方向に向けて０．０５°以上１．０°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２４】
c面基板は、ステップエッジの原子密度が大きいため、直線性に優れたステップバンチが生成されやすい。
【００２６】
ステップバンチの高さをH、ステップ間隔（テラス幅）をw、単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜角度をθとすると、それぞれの関係は、θ＝arctan(H/w)で表される。この式は、傾斜角度が大きいほどテラス幅が小さくなることを示しており、傾斜角度が大きい単結晶サファイヤ傾斜基板は、熱処理時において原子の移動距離が短くてすむため、低温でステップバンチを生成しやすい。
【００２７】
傾斜角度が0.05°より小さいと、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板をSAWフィルタに使用する場合、テラス幅が広くなりすぎるためである。一方、傾斜角度が1.0°を越えると、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板をSAWフィルタに使用する場合、テラス幅が狭くなりすぎるためである。また、傾斜角度が1.0°を越えると、生成されるステップバンチが乱れやすくなる。
【００２８】
請求項４記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面が、ａ面又はｍ面又はｒ面から所定角度傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２９】
例えば、a面基板は、シングルステップの高さhが高いため、c面に比べて高いステップバンチが生成される。
【００３２】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、前記主面のステップエッジに沿ってＺｎＯ細線を形成し、該ＺｎＯ細線のエッジに沿って金属細線を形成し、前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタである。
【００３３】
請求項６記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、前記主面のステップエッジに沿って金属細線を形成し、前記主面をＺｎＯ膜で覆い、前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタである。
【００３４】
単結晶サファイヤ傾斜基板の主面にＡｌ等の導電膜を成膜すると、線幅が数ｎｍから数十ｎｍの金属細線がステップエッジに沿って形成される。これは、テラス面に付着した薄膜構成原子がテラス面上で核形成することなく、テラス上を拡散してステップサイトにトラップされ、結晶化するためである。この結果、ステップに沿って薄膜構成原子が配列し、量子細線が形成される。
【００３５】
請求項７記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下とし、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、小孔を直線状且つ前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせ、原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを形成することを特徴とするＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法である。
【００３７】
ステップのバンチングは、シングルステップのテラス上の原子が熱によってステップエッジ方向に拡散すると共に、不安定なステップエッジ部から原子が昇華することによって生じる現象である。
【００３８】
ステップをバンチングさせるためには、シングルステップの得られる加熱温度に対して約100℃以上約500℃以下、好ましくは約100℃以上約300℃以下、より好ましくは約150℃以上約200℃以下の高い温度で熱処理するとよい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板について説明する。図１及び図２に示すように、このステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１は、c軸が主面の法線に対してm軸方向に所定角度θ傾斜しており、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とする基板である。
【００４２】
ステップバンチ５の高さHとステップ２の高さhは、式（１）の関係があり、また、ステップバンチの高さHとステップ間隔（テラス幅）wと主面の傾斜角度θ（所定角度θ）は、式（２）の関係がある。
H＝nh （n：ステップの数）・・・（１）
θ＝arctan(H/w)・・・・・・・・（２）
【００４３】
ステップバンチ５の高さHは、用いられる基板の用途や基板の傾斜角度θによって異なるが原子層2層分以上原子層500層以下の範囲又は0.4nm以上100nm以下の範囲が好ましい。また、傾斜角度θは、傾斜方位にもよるが、c軸をm軸方向に傾斜させる場合、0.05°以上1.0°以下の範囲が好ましい。
【００４４】
このステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１は、図３に示す単結晶サファイヤの所定の結晶軸(c軸)を所定方位(m軸)に向けて所定角度θ傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板（図４(b)参照）を熱処理することにより得られる基板である。
【００４５】
この図４(b)に示す単結晶サファイヤ傾斜基板は、図３に示す単結晶サファイヤから加工する際、図４(a)に示すように、傾斜方位（c軸）と所定方位との回転ズレ角度αが±0.1°以下になるように高精度に加工されている。この傾斜方位（c軸）は、単結晶サファイヤ傾斜基板のc軸が実際に傾斜している方向である。また、所定方位は、単結晶サファイヤからの加工の際、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面を傾斜させたい方位、即ち、傾斜させたい目標の方位である。回転ズレ角度αは、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸として、所定方位に対する傾斜方位の回転方向のズレ角度である。
【００４６】
このように、単結晶サファイヤ傾斜基板を高精度に加工するのは、回転ズレ角度αが0.1°を超えて大きくなると、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１のステップバンチ５の直線性が乱れる原因になるためである。特に、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１をSAWフィルタの基板として利用する場合、ステップの直線性が要求されるため、回転ズレ角度αを±0.1°以下の高精度に加工することが求められる。
【００４７】
なお、回転ズレ角度αは、±0.1°以下であればよいが、±0.05°以下が好ましい。
【００４８】
単結晶サファイヤ傾斜基板の厚みは、用いられる基板の用途によって異なるが0.1mm以上の厚みが好ましい。これは、単結晶サファイヤ傾斜基板の反りをできるだけ小さくするためである。SAWフィルタ用の基板としては、厚みを0.3mm以上2.0mm以下の範囲にするのが好ましい。
【００４９】
なお、本実施形態では、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１（c→m面オフ基板）について説明したが、本発明に係るステップバンチ単結晶サファイヤ基板は、これに限定されるものではない。したがって、たとえば、c面（0001）がa面（11-20）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板（c→a面オフ基板）やa面（11-20）がc面（0001）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板（a→c面オフ基板）などであってもよい。
【００５０】
次に、本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１の製造方法について説明する。
【００５１】
上述のように、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とし、回転ズレ角度αが±0.1°以下になるように単結晶サファイヤを高精度で加工する。
【００５２】
次に、加工によって得られた単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、単結晶サファイヤ傾斜基板をサファイヤ容器内に収容し、焼成炉で熱処理を行う。サファイヤ容器を用いるのは、単結晶サファイヤ傾斜基板の表面への付着物による汚染を防ぐためである。
【００５３】
熱処理は、800℃〜1,500℃で1時間〜100時間、若しくは800℃〜1,300℃で1時間〜10時間、大気雰囲気下で行う。加熱温度と加熱時間は、単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜角度θや形成するステップバンチの高さHによって異なる。たとえば、傾斜角度θが0.5°以上になると、約1,000℃でステップバンチが形成される。また、傾斜角度θが1.0°になると、約1,000℃で原子層5層分のステップバンチが形成される。すなわち、傾斜角度θが大きいほどテラス幅が小さくなり、原子の移動距離が短くてすむため、低温でステップバンチを生成しやすい。なお、ステップをバンチングさせるためには、通常のシングルステップが形成される熱処理温度から約100℃〜500℃高い温度で熱処理を行うのが好ましい。
【００５４】
次に、ステップバンチが形成される原理について説明する。ステップバンチは、シングルステップのテラス上の原子が熱によってステップエッジ方向に拡散すると共に、不安定なステップエッジ部から原子が昇華することによって形成される。
【００５５】
なお、上述の説明では、熱処理時間は1時間〜100時間としたが、傾斜角度0.5°以下の場合、ステップバンチが起こる温度で熱処理すると、ステップエッジ方向だけでなくテラス方向へも原子の拡散が促進される。このため、テラス上を均一な状態にするには、100時間以上の熱処理を行うことが望ましい。
【００５６】
次に、単結晶サファイヤ傾斜基板に小孔を形成する場合について説明する。
【００５７】
上記のように、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とし、回転ズレ角度αが±0.1°以下に高精度に加工された単結晶サファイヤ傾斜基板を用意し、図５に示すように、直線状に配列した小孔４を形成する。また、この小孔４は、所定方位に対して垂直方向に配列されている。
【００５８】
この小孔４は、集束イオンビームを用いて開けられる。小孔４の径は、数nm〜数十nm程度であり、小孔４の深さは、ステップバンチの高さHによって異なるが、所望のステップバンチの高さHの1〜10倍程度が適している。なお、ステップがバンチングした後に、小孔４が周りの原子によって完全に埋められるためには、小孔４の深さをステップバンチの高さHの3倍までにするとよい。
【００５９】
次に、上記と同様に、単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、熱処理を行う。熱処理の結果、小孔が原子の移動をピン止めする働きをするため、ステップの直線性・等間隔性・平行性に優れたステップバンチが生成される。
【００６０】
【実施例１】
以下の条件の単結晶サファイヤ傾斜基板、即ち、c軸が主面の法線に対してm軸方向に1.0°傾斜し、回転ズレ角度αが±0.01°以下の高精度に加工された単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
単結晶サファイヤの所定の結晶軸：c軸
単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位：c軸
所定方位：m軸
所定角度θ：1.0°
回転ズレ角度α：±0.01°
単結晶サファイヤ基板の厚み：1.0mm
【００６１】
上記条件の単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、以下の条件で熱処理を行った。
加熱温度：サファイヤ容器中で1,000℃
熱処理時間：3時間
加熱雰囲気：大気中
【００６２】
上記条件で熱処理を行った結果、ステップバンチの高さHが原子層5層分（約1.10nm）であるステップバンチが形成された。
【００６３】
【実施例２】
実施例１の条件と同様の条件に加え、集束イオンビームを用いて以下の小孔を形成した単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
小孔径：数nm
小孔の深さ：2.20nm
小孔の配置：所定方位（m軸）に垂直な直線状に配置
小孔の配置間隔L1：直線状に3μm間隔
小孔のストライプ間隔L2：100nm間隔
【００６４】
実施例１の条件と同様の条件で熱処理を行った結果、ステップバンチの高さHが原子層8層分（約1.8nm）であり、直線性・平行性に優れたステップバンチが形成された。
【００６５】
【比較例】
以下の条件の単結晶サファイヤ傾斜基板、即ち、c軸が主面の法線に対してm軸方向に1.0°傾斜した単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
単結晶サファイヤの所定の結晶軸：c軸
単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位：c軸
所定方位：m軸
所定角度θ：1.0°
単結晶サファイヤ基板の厚み：1.0mm
【００６６】
上記条件の単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、以下の条件で熱処理を行った。
加熱温度：サファイヤ容器中で850℃
熱処理時間：3時間
加熱雰囲気：大気中
【００６７】
上記条件で熱処理を行った結果、ステップバンチは確認されず、図６に示すように、ステップエッジがうねっているシングルステップが確認された。
【００６８】
以上のように、本実施形態に係る製造方法によれば、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御することにより、所望の均一なステップバンチを形成することができる。また、ステップの直線性・等間隔性・平行性がコントロールされたステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上にAl等の導電膜を成膜すると、ステップに選択的に成長するため成膜時間を制御することにより、直線性・等間隔性・平行性に優れた金属細線を形成するができる。これを用いれば高周波数でかつ周波数特性に優れたSAWフィルタなどのデバイスが実現可能である。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の発明は、直線性に優れたステップバンチを形成することができるため、例えば、高周波数でかつ周波数特性に優れたＳＡＷフィルタ用の基板として利用できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板のステップバンチを説明する図である。
【図２】本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板の表面を示す側面図である。
【図３】所定の結晶軸を傾斜させる前の単結晶サファイヤを示す図であり、所定の結晶軸、所定方位、傾斜方位の関係を説明する図である。
【図４】図４（a）は、単結晶サファイヤ傾斜基板の上面図であり、回転ズレ角度を説明する概念図である。図４(b)は、単結晶サファイヤ傾斜基板の側面図であり、所定の結晶軸の傾斜方位と傾斜角度を説明する概念図である。
【図５】単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に形成した小孔を説明する概念図である。
【図６】ステップエッジにうねりが生じているシングルステップの概念図である。
【符号の説明】
１ ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板
２ ステップ
３ テラス
４ 小孔
５ ステップバンチ
H ステップバンチの高さ
ｈ ステップの高さ
w ステップ間隔（テラス幅）
θ 所定角度（傾斜角度）
α 回転ズレ角度
L1 小孔間隔
L2 ストライプ間隔
【発明の属する技術分野】
本発明は、主面のステップをバンチングさせた単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法に関し、特に、ＳＡＷフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から単結晶サファイヤ傾斜基板の表面上に量子細線を形成できることが知られている（特許文献１参照）。以下、特許文献１の内容を引用して説明する。サファイア単結晶基板の最表面は、超平坦な原子面（テラス面）となっているので、温度及び雰囲気等の条件を適正に制御した成膜条件下では、テラス面に付着した薄膜構成原子がテラス面上で核形成することなく、テラス上を拡散してステップサイトにトラップされ、結晶化される。その結果、ステップに沿って薄膜構成原子が配列される。このとき、テラス上での薄膜の被覆率を1以下にすると、線幅が数nm〜数十nmの量子細線がサファイア単結晶基板上に作製される。これにより、絶縁性，放熱性，耐放射線性，耐熱性，耐化学性等に優れたサファイア基板の上に量子構造を組み込んだデバイスの作成が可能となる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−８３８０２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の熱処理方法（特許文献１）により得られる単結晶サファイヤ傾斜基板を用いてSAWフィルタを製作しても、SAWフィルタは、デバイスとして機能しないという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、例えばSAWフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板を提供することである。
【０００６】
本発明者らは、上記課題の原因を追及した結果、従来の熱処理方法により得られた単結晶サファイヤ傾斜基板は、シングルステップであることから金属細線の膜厚が薄く、シート抵抗が急激に増加してしまい、その結果SAWフィルタとして機能しないという知見を得た。そこで、本発明者らは、さらに、研究を重ねた結果、単結晶サファイヤ傾斜基板のバンチング現象に着目し、ステップバンチングを制御するという着想に至った。ステップバンチは、シングルステップよりステップ高さが高いため、ステップバンチを制御すれば、SAWフィルタの櫛形電極を形成する際、シート抵抗が適当になるような金属細線の膜厚を確保することができるためである。
【０００７】
上記着想に基づいたさらなる研究の結果、本発明者らは、所望のステップバンチを備えた単結晶サファイヤ傾斜基板の製造に成功し、請求項１乃至請求項７の発明を完成した。
【０００８】
請求項１記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えたＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【０００９】
所定方位は、加工の際、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面を傾斜させたい方位、即ち、傾斜させたい目標の方位である。傾斜方位は、単結晶サファイヤ傾斜基板が実際に傾斜している方向である。回転ズレ角度は、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸として、所定方位に対する傾斜方位の回転方向のズレ角度である。回転ズレ角度は、回転方向に対して±0.1°以下であればよいが、回転方向に対して±0.05°以下が好ましい。回転ズレ角度が±0.1°を超えると、例えば、所定の結晶軸をc軸とし、所定方位をm軸とした場合、生成されるステップバンチのステップエッジの直線性が損なわれるためである。
【００１５】
小孔又は小突起は、熱処理中に原子の移動をピン止めする働きを有するため、小孔又は小突起を所定方位に対して垂直に配列した場合、直線性に優れたステップバンチが生成される。また、小孔又は小突起の配列間隔を調整することによってステップバンチの高さを制御することができる。
【００１７】
小孔又は小突起がストライプ状に配列されているため、ステップバンチもこの小孔又は小突起の配列に応じてストライプ状に形成される。また、ストライプの間隔を変えることにより所望のストライプ間隔のステップバンチが生成される。
【００１９】
「原子層」における原子とは、サファイヤを構成するアルミニウム原子や酸素原子である。
【００２０】
請求項２記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された０．４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えたＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２３】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面が、ｃ面からａ軸又はｍ軸方向に向けて０．０５°以上１．０°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２４】
c面基板は、ステップエッジの原子密度が大きいため、直線性に優れたステップバンチが生成されやすい。
【００２６】
ステップバンチの高さをH、ステップ間隔（テラス幅）をw、単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜角度をθとすると、それぞれの関係は、θ＝arctan(H/w)で表される。この式は、傾斜角度が大きいほどテラス幅が小さくなることを示しており、傾斜角度が大きい単結晶サファイヤ傾斜基板は、熱処理時において原子の移動距離が短くてすむため、低温でステップバンチを生成しやすい。
【００２７】
傾斜角度が0.05°より小さいと、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板をSAWフィルタに使用する場合、テラス幅が広くなりすぎるためである。一方、傾斜角度が1.0°を越えると、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板をSAWフィルタに使用する場合、テラス幅が狭くなりすぎるためである。また、傾斜角度が1.0°を越えると、生成されるステップバンチが乱れやすくなる。
【００２８】
請求項４記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面が、ａ面又はｍ面又はｒ面から所定角度傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板である。
【００２９】
例えば、a面基板は、シングルステップの高さhが高いため、c面に比べて高いステップバンチが生成される。
【００３２】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、前記主面のステップエッジに沿ってＺｎＯ細線を形成し、該ＺｎＯ細線のエッジに沿って金属細線を形成し、前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタである。
【００３３】
請求項６記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、前記主面のステップエッジに沿って金属細線を形成し、前記主面をＺｎＯ膜で覆い、前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタである。
【００３４】
単結晶サファイヤ傾斜基板の主面にＡｌ等の導電膜を成膜すると、線幅が数ｎｍから数十ｎｍの金属細線がステップエッジに沿って形成される。これは、テラス面に付着した薄膜構成原子がテラス面上で核形成することなく、テラス上を拡散してステップサイトにトラップされ、結晶化するためである。この結果、ステップに沿って薄膜構成原子が配列し、量子細線が形成される。
【００３５】
請求項７記載の発明は、単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法において、前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下とし、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、小孔を直線状且つ前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせ、原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを形成することを特徴とするＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法である。
【００３７】
ステップのバンチングは、シングルステップのテラス上の原子が熱によってステップエッジ方向に拡散すると共に、不安定なステップエッジ部から原子が昇華することによって生じる現象である。
【００３８】
ステップをバンチングさせるためには、シングルステップの得られる加熱温度に対して約100℃以上約500℃以下、好ましくは約100℃以上約300℃以下、より好ましくは約150℃以上約200℃以下の高い温度で熱処理するとよい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板について説明する。図１及び図２に示すように、このステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１は、c軸が主面の法線に対してm軸方向に所定角度θ傾斜しており、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とする基板である。
【００４２】
ステップバンチ５の高さHとステップ２の高さhは、式（１）の関係があり、また、ステップバンチの高さHとステップ間隔（テラス幅）wと主面の傾斜角度θ（所定角度θ）は、式（２）の関係がある。
H＝nh （n：ステップの数）・・・（１）
θ＝arctan(H/w)・・・・・・・・（２）
【００４３】
ステップバンチ５の高さHは、用いられる基板の用途や基板の傾斜角度θによって異なるが原子層2層分以上原子層500層以下の範囲又は0.4nm以上100nm以下の範囲が好ましい。また、傾斜角度θは、傾斜方位にもよるが、c軸をm軸方向に傾斜させる場合、0.05°以上1.0°以下の範囲が好ましい。
【００４４】
このステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１は、図３に示す単結晶サファイヤの所定の結晶軸(c軸)を所定方位(m軸)に向けて所定角度θ傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板（図４(b)参照）を熱処理することにより得られる基板である。
【００４５】
この図４(b)に示す単結晶サファイヤ傾斜基板は、図３に示す単結晶サファイヤから加工する際、図４(a)に示すように、傾斜方位（c軸）と所定方位との回転ズレ角度αが±0.1°以下になるように高精度に加工されている。この傾斜方位（c軸）は、単結晶サファイヤ傾斜基板のc軸が実際に傾斜している方向である。また、所定方位は、単結晶サファイヤからの加工の際、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面を傾斜させたい方位、即ち、傾斜させたい目標の方位である。回転ズレ角度αは、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸として、所定方位に対する傾斜方位の回転方向のズレ角度である。
【００４６】
このように、単結晶サファイヤ傾斜基板を高精度に加工するのは、回転ズレ角度αが0.1°を超えて大きくなると、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１のステップバンチ５の直線性が乱れる原因になるためである。特に、ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１をSAWフィルタの基板として利用する場合、ステップの直線性が要求されるため、回転ズレ角度αを±0.1°以下の高精度に加工することが求められる。
【００４７】
なお、回転ズレ角度αは、±0.1°以下であればよいが、±0.05°以下が好ましい。
【００４８】
単結晶サファイヤ傾斜基板の厚みは、用いられる基板の用途によって異なるが0.1mm以上の厚みが好ましい。これは、単結晶サファイヤ傾斜基板の反りをできるだけ小さくするためである。SAWフィルタ用の基板としては、厚みを0.3mm以上2.0mm以下の範囲にするのが好ましい。
【００４９】
なお、本実施形態では、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１（c→m面オフ基板）について説明したが、本発明に係るステップバンチ単結晶サファイヤ基板は、これに限定されるものではない。したがって、たとえば、c面（0001）がa面（11-20）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板（c→a面オフ基板）やa面（11-20）がc面（0001）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板（a→c面オフ基板）などであってもよい。
【００５０】
次に、本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１の製造方法について説明する。
【００５１】
上述のように、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とし、回転ズレ角度αが±0.1°以下になるように単結晶サファイヤを高精度で加工する。
【００５２】
次に、加工によって得られた単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、単結晶サファイヤ傾斜基板をサファイヤ容器内に収容し、焼成炉で熱処理を行う。サファイヤ容器を用いるのは、単結晶サファイヤ傾斜基板の表面への付着物による汚染を防ぐためである。
【００５３】
熱処理は、800℃〜1,500℃で1時間〜100時間、若しくは800℃〜1,300℃で1時間〜10時間、大気雰囲気下で行う。加熱温度と加熱時間は、単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜角度θや形成するステップバンチの高さHによって異なる。たとえば、傾斜角度θが0.5°以上になると、約1,000℃でステップバンチが形成される。また、傾斜角度θが1.0°になると、約1,000℃で原子層5層分のステップバンチが形成される。すなわち、傾斜角度θが大きいほどテラス幅が小さくなり、原子の移動距離が短くてすむため、低温でステップバンチを生成しやすい。なお、ステップをバンチングさせるためには、通常のシングルステップが形成される熱処理温度から約100℃〜500℃高い温度で熱処理を行うのが好ましい。
【００５４】
次に、ステップバンチが形成される原理について説明する。ステップバンチは、シングルステップのテラス上の原子が熱によってステップエッジ方向に拡散すると共に、不安定なステップエッジ部から原子が昇華することによって形成される。
【００５５】
なお、上述の説明では、熱処理時間は1時間〜100時間としたが、傾斜角度0.5°以下の場合、ステップバンチが起こる温度で熱処理すると、ステップエッジ方向だけでなくテラス方向へも原子の拡散が促進される。このため、テラス上を均一な状態にするには、100時間以上の熱処理を行うことが望ましい。
【００５６】
次に、単結晶サファイヤ傾斜基板に小孔を形成する場合について説明する。
【００５７】
上記のように、c面（0001）がm面（10-10）方向に所定角度θ傾斜した面を主面とし、回転ズレ角度αが±0.1°以下に高精度に加工された単結晶サファイヤ傾斜基板を用意し、図５に示すように、直線状に配列した小孔４を形成する。また、この小孔４は、所定方位に対して垂直方向に配列されている。
【００５８】
この小孔４は、集束イオンビームを用いて開けられる。小孔４の径は、数nm〜数十nm程度であり、小孔４の深さは、ステップバンチの高さHによって異なるが、所望のステップバンチの高さHの1〜10倍程度が適している。なお、ステップがバンチングした後に、小孔４が周りの原子によって完全に埋められるためには、小孔４の深さをステップバンチの高さHの3倍までにするとよい。
【００５９】
次に、上記と同様に、単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、熱処理を行う。熱処理の結果、小孔が原子の移動をピン止めする働きをするため、ステップの直線性・等間隔性・平行性に優れたステップバンチが生成される。
【００６０】
【実施例１】
以下の条件の単結晶サファイヤ傾斜基板、即ち、c軸が主面の法線に対してm軸方向に1.0°傾斜し、回転ズレ角度αが±0.01°以下の高精度に加工された単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
単結晶サファイヤの所定の結晶軸：c軸
単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位：c軸
所定方位：m軸
所定角度θ：1.0°
回転ズレ角度α：±0.01°
単結晶サファイヤ基板の厚み：1.0mm
【００６１】
上記条件の単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、以下の条件で熱処理を行った。
加熱温度：サファイヤ容器中で1,000℃
熱処理時間：3時間
加熱雰囲気：大気中
【００６２】
上記条件で熱処理を行った結果、ステップバンチの高さHが原子層5層分（約1.10nm）であるステップバンチが形成された。
【００６３】
【実施例２】
実施例１の条件と同様の条件に加え、集束イオンビームを用いて以下の小孔を形成した単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
小孔径：数nm
小孔の深さ：2.20nm
小孔の配置：所定方位（m軸）に垂直な直線状に配置
小孔の配置間隔L1：直線状に3μm間隔
小孔のストライプ間隔L2：100nm間隔
【００６４】
実施例１の条件と同様の条件で熱処理を行った結果、ステップバンチの高さHが原子層8層分（約1.8nm）であり、直線性・平行性に優れたステップバンチが形成された。
【００６５】
【比較例】
以下の条件の単結晶サファイヤ傾斜基板、即ち、c軸が主面の法線に対してm軸方向に1.0°傾斜した単結晶サファイヤ傾斜基板を用いた。
単結晶サファイヤの所定の結晶軸：c軸
単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位：c軸
所定方位：m軸
所定角度θ：1.0°
単結晶サファイヤ基板の厚み：1.0mm
【００６６】
上記条件の単結晶サファイヤ傾斜基板を研磨・洗浄した後、以下の条件で熱処理を行った。
加熱温度：サファイヤ容器中で850℃
熱処理時間：3時間
加熱雰囲気：大気中
【００６７】
上記条件で熱処理を行った結果、ステップバンチは確認されず、図６に示すように、ステップエッジがうねっているシングルステップが確認された。
【００６８】
以上のように、本実施形態に係る製造方法によれば、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御することにより、所望の均一なステップバンチを形成することができる。また、ステップの直線性・等間隔性・平行性がコントロールされたステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上にAl等の導電膜を成膜すると、ステップに選択的に成長するため成膜時間を制御することにより、直線性・等間隔性・平行性に優れた金属細線を形成するができる。これを用いれば高周波数でかつ周波数特性に優れたSAWフィルタなどのデバイスが実現可能である。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の発明は、直線性に優れたステップバンチを形成することができるため、例えば、高周波数でかつ周波数特性に優れたＳＡＷフィルタ用の基板として利用できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板のステップバンチを説明する図である。
【図２】本実施形態に係るステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板の表面を示す側面図である。
【図３】所定の結晶軸を傾斜させる前の単結晶サファイヤを示す図であり、所定の結晶軸、所定方位、傾斜方位の関係を説明する図である。
【図４】図４（a）は、単結晶サファイヤ傾斜基板の上面図であり、回転ズレ角度を説明する概念図である。図４(b)は、単結晶サファイヤ傾斜基板の側面図であり、所定の結晶軸の傾斜方位と傾斜角度を説明する概念図である。
【図５】単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に形成した小孔を説明する概念図である。
【図６】ステップエッジにうねりが生じているシングルステップの概念図である。
【符号の説明】
１ ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板
２ ステップ
３ テラス
４ 小孔
５ ステップバンチ
H ステップバンチの高さ
ｈ ステップの高さ
w ステップ間隔（テラス幅）
θ 所定角度（傾斜角度）
α 回転ズレ角度
L1 小孔間隔
L2 ストライプ間隔
Claims (7)
- 単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、
前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えた
ＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板。 - 単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、
前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下であり、
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、直線状に配列した小孔又は小突起を、
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせて形成された０．４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の高さを有する直線状のステップバンチを備えた
ＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板。 - 前記主面は、ｃ面からａ軸又はｍ軸方向に向けて０．０５°以上１．０°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板。
- 前記主面は、ａ面又はｍ面又はｒ面から所定角度傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板。
- 請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、
前記主面のステップエッジに沿ってＺｎＯ細線を形成し、
該ＺｎＯ細線のエッジに沿って金属細線を形成し、
前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタ。 - 請求項１〜４のいずれかに記載のステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板上に、
前記主面のステップエッジに沿って金属細線を形成し、
前記主面をＺｎＯ膜で覆い、
前記金属細線からなる櫛形電極を形成したことを特徴とするＳＡＷフィルタ。 - 単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法において、
前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度を、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±０．１°以下とし、
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面に、小孔を直線状且つ
前記単結晶サファイヤ傾斜基板の前記所定方位に対して垂直方向にストライプ状に配列し、前記主面の傾斜角度に応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップをバンチングさせ、原子層２層分以上原子層５００層分以下の高さを有する直線状のステップバンチを形成することを特徴とする
ＳＡＷフィルタ用ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003019859A JP4278996B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003019859A JP4278996B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004235794A JP2004235794A (ja) | 2004-08-19 |
| JP4278996B2 true JP4278996B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=32949639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003019859A Expired - Fee Related JP4278996B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4278996B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103644869A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 蓝宝石晶体切割时用于检测切割面偏离角的测量方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004010377A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-09-22 | Schott Ag | Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile, ihre Verwendung, sowie damit erhaltene Bauteile |
| JP4923272B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-04-25 | 並木精密宝石株式会社 | 単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 |
| JP4939844B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-05-30 | ローム株式会社 | ＺｎＯ系半導体素子 |
| KR101369828B1 (ko) | 2006-12-28 | 2014-03-05 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 사파이어 기판 로트 |
| UA98314C2 (ru) * | 2006-12-28 | 2012-05-10 | Сейнт-Гобейн Серамикс Энд Пластик, Инк. | Сапфирные подложки и процессы их изготовления |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| JP2010025772A (ja) * | 2008-07-19 | 2010-02-04 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ドメインパターン化サファイヤ基板、およびそれを用いた生体分子選別用チップまたは細胞培養基板 |
| US9151473B2 (en) * | 2013-12-24 | 2015-10-06 | Kyocera Corporation | Electronic apparatus, light-transmissive cover plate, and portable device |
| CN112640303A (zh) | 2018-09-06 | 2021-04-09 | 京瓷株式会社 | 复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法 |
-
2003
- 2003-01-29 JP JP2003019859A patent/JP4278996B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103644869A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 蓝宝石晶体切割时用于检测切割面偏离角的测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004235794A (ja) | 2004-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4278996B2 (ja) | ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 | |
| JP6450675B2 (ja) | 多層基板構造を形成する方法 | |
| US6815244B2 (en) | Methods for producing a thermoelectric layer structure and components with a thermoelectric layer structure | |
| JP2002293692A (ja) | 単結晶サファイア基板およびその熱処理方法 | |
| JPH05251771A (ja) | 人工粒界型ジョセフソン接合素子およびその作製方法 | |
| JPH04180219A (ja) | 結晶の形成方法 | |
| KR100422333B1 (ko) | 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막 | |
| JP6597333B2 (ja) | 層状カルコゲナイド膜の成長方法 | |
| US8932699B2 (en) | Crystalline substance, substrate, and method for producing crystalline substance | |
| JPH03290924A (ja) | 結晶性シリコン膜の製造方法および結晶性シリコン半導体の製造方法 | |
| JP2008147214A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH06140321A (ja) | 半導体薄膜の結晶化方法 | |
| JP4422678B2 (ja) | 蒸着法を用いた強誘電性単結晶膜構造物の製造方法 | |
| US20060216528A1 (en) | Nanoparticle structure and method of manufacturing the same | |
| JPH08165188A (ja) | 複合基板及びそれを用いた単結晶基板の製造方法 | |
| JP5472534B2 (ja) | 熱電変換構造体およびその製造方法 | |
| JP3972011B2 (ja) | 超微細チャンネル構造の作製方法 | |
| JP2699863B2 (ja) | 金属シリサイド成膜方法 | |
| JPS6142910A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2674751B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3522402B2 (ja) | 酸化物超電導導体の製造方法及び製造装置 | |
| JPH11233751A (ja) | 量子素子及びその作製法 | |
| JP4011333B2 (ja) | 長尺の薄膜線材の製造方法および製造装置 | |
| KR100271812B1 (ko) | 비정질막을결정화하는방법 | |
| JPH0556316B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080905 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090305 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |