JP4277542B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜抵抗を有する半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体リニア回路の電気的特性の調整方法として、薄膜調整抵抗を層間絶縁膜上に形成する方法がある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
この一例として、図7に薄膜抵抗が層間絶縁膜上に形成されている半導体装置の断面図を示す。図7に示す半導体装置は、図示しない半導体基板上の層間絶縁膜2、3の上に、Cr−Si系合金等の薄膜調整抵抗4と、TiN等のバリア膜5と、Al等のストッパ膜6とが形成されている。バリア膜5及びストッパ膜6は薄膜調整抵抗4の電極部である。バリア膜5は薄膜調整抵抗4とストッパ膜6との接触抵抗を低減させるためのものである。それらの上には、層間絶縁膜7と金属配線膜8とが順に形成されており、層間絶縁膜7に形成されたホール9を介して金属配線膜8はストッパ膜6と電気的に接続されている。
【0004】
この半導体装置は、例えば次のようにして製造される。
【0005】
層間絶縁膜2、3の上にCr−Si系合金膜を成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングすることで、薄膜調整抵抗4を形成する。その後、TiN膜及びAl膜を成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングすることで、バリア膜5及びストッパ膜6を形成する。それらの上に層間絶縁膜7を堆積し、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、ホール9を形成する。このとき、ストッパ膜6によりエッチングの進行をストップさせることができる。そして、そのホール9内を含む層間絶縁膜7上に、Al膜を成膜し、パターニングすることで、金属配線膜8を形成する。このようにして、図7に示す半導体装置が製造される。
【0006】
【特許文献1】
特開平5−326847号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記した製造工程では、ストッパ膜6を設けることで層間絶縁膜7にホール9を形成するときのエッチング量を調整している。しかし、このように製造している場合であっても、以下に説明するような種々の理由により、層間絶縁膜7が貫通し、層間絶縁膜2、3にもホール21が形成され、基板表面まで到達してしまう場合がある。
【0008】
例えば、バリア膜5及びストッパ膜6をパターニングしたとき、マスクずれによって、バリア膜5及びストッパ膜6の位置がずれてしまった場合である。この場合、層間絶縁膜7にホール9を形成したとき、図8に示すように、層間絶縁膜2、3を貫通してホール21が形成され、ホール21が基板表面まで到達してしまう。このため、金属配線膜8を形成したとき、金属配線膜8と基板とが導通するという問題が発生する。
【0009】
また、この問題が発生する他の場合としては、ストッパ膜6のうち、ホール9に対向する領域にパーティクルが存在している場合である。この場合においても、パーティクルが存在する領域にはストッパ膜6が存在しないため、図9に示すように、バリア膜5を貫通して、層間絶縁膜2、3にもホール21が形成されてしまう。その他にも、バリア膜5及びストッパ膜6をパターニングするとき、使用する薬液の混合比によっては、ストッパ膜6が除去されてしまう場合がある。この場合においても、図10に示すように、層間絶縁膜7を貫通し、層間絶縁膜2、3にもホール21が形成されてしまう。
【0010】
ところで、薄膜調整抵抗4と金属配線層8との接続状態は、基板に形成されているデバイスや、薄膜調整抵抗4が接続されている回路の電気特性を評価することで、良否判定される。したがって、ホール9が薄膜調整抵抗4の下側の層間絶縁膜2、3を貫通した場合では、金属配線膜8と基板とが導通しているので、電気特性が異常となるため、不良であると判定することができる。
【0011】
しかし、ホール9がバリア膜5を貫通し、層間絶縁膜2、3に形成された場合でも、そのホール21が基板まで到達していなければ、金属配線膜8と基板とが導通しないので、電気特性評価で不良と判定されないという問題がある。
【0012】
また、ホール21が基板まで到達していても、そのホール21の下側(基板側)まで、金属配線膜8が埋め込まれず、ホール21の上側にしか金属配線膜8が形成されない場合がある。この場合も同様に電気特性評価で不良と判定されない。
【0013】
これらの場合、ホール9内の金属配線膜8の側面と、バリア膜5等とが接触した状態である。これは、金属配線膜8と電極部とが良好に接続されている場合と比較して、金属配線膜8と電極部との接触面積が小さいため、外部要因の熱応力により、金属配線膜8とバリア膜5等との接続が切断される可能性が高い。このため、このような状態の半導体装置が製品として出荷された場合、市場で問題を引き起こす可能性がある。
【0014】
本発明は上記点に鑑みて、絶縁膜上に薄膜抵抗を有する半導体装置を製造する際、薄膜抵抗の電極部と金属配線層とを接続するためのホール形成時に、ホールが半導体基板表面まで到達するのを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを第1の目的とする。
【0015】
また、電極部と金属配線膜との接続状態を検査する工程において、ホールが電極部下の絶縁膜にまで形成されたときの状態を、接続不良であると判定できる半導体装置の製造方法を提供することを第2の目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明では、第1の絶縁膜の上であって、ホール形成予定領域の真下の領域に、少なくともホールに対応する大きさである金属膜(10)を形成する工程を有し、金属膜を形成する工程では、第1の絶縁膜上にデバイス部に電気的に接続される金属配線層(15)を形成すると同時に、かつ、この金属配線層と同電位である金属膜(10)を形成し、
第3の絶縁膜(7)にホール(9)を形成する工程では、デバイス部が形成されている領域にて、第1の絶縁膜上のデバイス部に接続された金属配線層(15)に到達するように第2、第3の絶縁膜(3、7)に第1のホール(18)を形成すると同時に、薄膜抵抗が形成されている領域にて第2のホール(9)を形成し、金属配線層を形成する工程の後に、デバイス部の電気特性若しくは薄膜抵抗が接続されている回路の電気特性を調べることで、薄膜抵抗における電極部(5、6)と金属配線層(8)との接続を検査する工程を有することを特徴としている。
【0021】
従来、ホールの形成予定領域に対応する領域にストッパ膜が形成されていないとき、ホールが第2の絶縁膜に形成されているがホール内の金属配線層と半導体基板とが導通状態でないため、電極部と金属配線層との接続状態を不良である判定することができないものがあった。
【0022】
これに対して、本発明では、ホールの形成を、デバイス部における例えばビアホールの形成と同時に行うので、ストッパ膜が正常に形成されていないとき、電極部に形成されるホールは第2の絶縁膜の下に位置する金属膜まで到達する。このため、ストッパ膜が正常に形成されていないとき、薄膜抵抗に接続された金属配線層(8)を、デバイス部に接続されている金属配線層(15)と導通状態とすることができる。
【0023】
これにより、デバイス部の出力特性若しくは薄膜抵抗が接続されている回路特性を調べると、デバイスの出力特性や回路特性が異常となるため、上記した状態を不良であると判断することができる。これにより、市場において問題を起こす可能性が高い半導体装置を低減することができる。
なお、金属膜の形成では、請求項2に示すように、電極部(5、6)の形成予定領域の真下の領域に、電極部に対応する大きさである金属膜を形成することができる。また、請求項3に示すように、薄膜抵抗(4、5、6)の形成予定領域の真下の領域に、薄膜抵抗に対応する大きさである金属膜を形成することができる。
【0027】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1(a)に本実施形態における半導体装置の平面図を示し、また、図1(b)に図1(a)中のA−A’線断面図を示す。なお、図1(a)では、第1層絶縁膜2、第2層絶縁膜3、第3層絶縁膜7を省略している。
【0029】
図1に示す半導体装置は薄膜抵抗調整部とバイポーラトランジスタが形成されているデバイス部とを有している。
【0030】
薄膜抵抗調整部は、半導体基板1の上に形成された第1層絶縁膜2、第2層絶縁膜3の上に、上記従来の技術の欄にて説明した図7に示す半導体装置と同様に、薄膜調整抵抗4、バリア膜5、及びストッパ膜6が形成されている。バリア膜5及びストッパ膜6は、薄膜調整抵抗4の上から第2層絶縁膜3の上に至って配置されている。なお、薄膜調整抵抗4が薄膜抵抗の抵抗部であり、バリア膜5及びストッパ膜6が薄膜抵抗の電極部である。
【0031】
そして、薄膜調整抵抗4、バリア膜5、及びストッパ膜6の上には第3層絶縁膜7、金属配線膜8が順に形成されており、第3層絶縁膜7に形成されたホール9を介して、金属配線膜8がストッパ膜6と接続されている。
【0032】
本実施形態では、第1層絶縁膜2と第2層絶縁膜3との間に、例えばAlにより構成されたストッパ金属膜10が形成されている。ストッパ金属膜10は電極部の真下に配置されており、電極部に対応した大きさとなっている。すなわち、ストッパ金属膜10は、電極部の直下に配置されており、基板表面と平行な方向での大きさが電極部と同じである。言い換えると、基板表面の上方から基板表面を見たとき、ストッパ金属膜10は電極部と重なっている形状及び位置に配置されている。
【0033】
一方、デバイス部は薄膜調整抵抗部と離れたところに位置しており、デバイス部では、半導体基板1にN+型エミッタ領域11、P型ベース領域12、N型コレクタ領域13、N+型コレクタコンタクト領域14が形成されている。
【0034】
第1層絶縁膜2の上には、第1層金属配線層15が形成されており、第1層金属配線層15はコンタクトホール16を介して、N+型コレクタコンタクト領域14と接続されている。なお、図1(a)中の斜線の領域が第1層金属配線層15である。さらに、第3層絶縁膜7の上には第2層金属配線層17が形成されており、第2層金属配線層17はビアホール18を介して第1層金属配線層15と電気的に接続されている。
【0035】
薄膜調整抵抗部のストッパ金属膜10は、デバイス部の第1層金属配線層15が延長されたものであり、すなわち、第1層金属配線層15と電気的に接続された状態である。
【0036】
デバイス部の第1層金属配線層15は、ビアホール18の形成時に全てがエッチングされない膜厚に設定されており、例えば、300〜500nmとなっている。ストッパ金属膜10も第1層金属配線層15と同じ膜厚である。
【0037】
次に、本実施形態の半導体装置の製造工程を図1を参照しながら説明する。
【0038】
N+型エミッタ領域11、P型ベース領域12、N型コレクタ領域13、N+型コレクタコンタクト領域14が形成された半導体基板1の上に第1層絶縁膜2を形成する。第1層絶縁膜2にコンタクトホール16を形成する。
【0039】
そして、第1層絶縁膜2の上に金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、金属膜をパターニングすることで、デバイス部に第1層金属配線層15を形成すると共に、薄膜調整抵抗部にストッパ金属膜10を形成する。このとき、後に形成する電極部の形成予定領域の真下の領域に配置され、かつ、電極部に対応する大きさとなるように、ストッパ金属膜10を形成する。
【0040】
続いて、ストッパ金属膜10及び第1層金属配線層15の上に第2層絶縁膜3を形成する。第2層絶縁膜3の上に、従来の技術の欄にて説明したように、薄膜調整抵抗4、バリア膜5、及びストッパ膜6を形成し、それらの上に第3層絶縁膜7を形成する。
【0041】
第3層絶縁膜7に対するフォトリソグラフィ及びエッチングにより、薄膜調整抵抗部にホール9を形成すると共に、デバイス部にビアホール18を形成する。このエッチングでは、例えばF(フッ素)系のガスを用い、デバイス部においてビアホール18が第1層金属配線層15に到達するように行う。
【0042】
その後、金属膜をホール9及びビアホール18に埋め込むと共に、第3層絶縁膜7の上に形成し、パターニングする。これにより、薄膜調整抵抗部に金属配線膜8を形成すると共に、デバイス部に第2層金属配線層17を形成する。その後、図示しないが、保護膜を形成する工程や薄膜抵抗における電極部と金属配線膜8との接続の良否判定を行う検査工程等を行う。このような工程を経ることで、図1に示す半導体装置を製造することができる。
【0043】
以下に本実施形態の特徴を説明する。
【0044】
図2にストッパ金属膜10の機能を説明するための図を示す。ストッパ膜6が位置ずれ等によりホール9の形成予定領域の真下に存在しない場合、第3層絶縁膜7をエッチングするとき、薄膜抵抗の下側の第2層絶縁膜3がF系ガスとのラジカル反応でエッチングされる。このとき、本実施形態では、ストッパ金属膜10を電極部の形成予定領域の真下に配置しており、すなわち、ホール9の形成予定領域の真下に配置しているため、図2に示すように、エッチングの進行をこのストッパ金属膜10でストップさせることができる。
【0045】
また、本実施形態では、ホール9の形成をデバイス部のビアホール18の形成と同時に行っている。ビアホール18は第2層絶縁膜3及び第3層絶縁膜7を貫通して、第1層金属配線層15に到達するように形成している。このため、ストッパ膜6が位置ずれ等によりホール9の形成予定領域の真下に存在しない場合、ホール9も同様にストッパ金属膜10に到達する。その後、ホール9の内部に金属膜を埋め込んで金属配線膜8を形成すると、金属配線膜8とデバイス部の第1層金属配線層15とが導通した状態となる。
【0046】
検査工程の良否判定は、例えば、デバイス部のコレクタの電圧電流特性(Vc−Ic特性)を調べたり、薄膜調整抵抗4が接続されている回路の特性を調べることで行っている。
【0047】
したがって、ホール9が電極部を貫通した場合、上記したように金属配線膜8とデバイス部の第1層金属配線層15とが導通した状態となるので、Vc−Ic特性、回路特性等の本来必要とするところの電気特性が変動する。このため、ホール9が電極部を貫通した状態となっている半導体装置を不良と判定できる。これにより、市場において問題を起こす可能性が高い半導体装置を低減することができる。
【0048】
なお、本実施形態では、ストッパ金属膜10をコレクタ領域と接続されている第1層金属配線層15と同電位となるように形成していたが、第1層金属配線層15に限らず、第2層金属配線層17と同電位となるように形成することもできる。すなわち、多層配線の場合、薄膜調整抵抗4はどの層間膜上に形成しても良く、その場合、基板表面からの高さが同じである配線層とストッパ金属膜10とを同電位とすることができる。
【0049】
また、本実施形態では、コレクタ領域に接続された第1層金属配線層15と同電位としたが、これに限らず他の配線層と同電位とすることもできる。
【0050】
(第2実施形態)
第1実施形態では、ストッパ金属膜10を電極部に対応する大きさとしていたが、他の大きさとすることもできる。図3、4に本実施形態の第1、第2の例における半導体装置の断面図を示す。なお、図1と同じ構成部においては、同一の符号を付すことで説明を省略する。
【0051】
図3に示すように、薄膜調整抵抗4、バリア膜5、及びストッパ膜6の薄膜抵抗全体の真下に、薄膜抵抗全体に対応する大きさのストッパ金属膜10を配置することもできる。この場合、製造工程では、薄膜抵抗全体が形成される予定領域の真下の領域に、薄膜抵抗全体に対応する大きさのストッパ金属膜10を形成する。
【0052】
また、図4に示すように、ホール9の真下に、ホール9の開口形状と同じ大きさのストッパ金属膜10を配置することもできる。この場合、製造工程では、ホール9の形成時の位置ずれ等を考慮した大きさにて、ホール9の形成予定領域の真下にストッパ金属膜10を形成する。
【0053】
これらのように、基板の表面上から見たときのストッパ金属膜10の大きさが、少なくともホールの開口形状と同じであり、ストッパ金属膜10がホール9の真下に配置されていれば良い。これにより、電極部が貫通し、第2層絶縁膜3がエッチングされても、このストッパ金属膜10によりエッチングの進行をストップさせることができる。なお、ストッパ金属膜10の大きさは上記した大きさに限らず、他の領域において邪魔にならなければどのような大きさでも良い。
【0054】
(他の実施形態)
また、図5に示すように、バリア膜5、ストッパ膜6を薄膜調整抵抗4の上にのみ形成することもできる。
【0055】
また、図6に示すように、デバイス部の金属配線層をストッパ金属膜10として用いることもできる。図6に示す半導体装置は、半導体基板1にN+型エミッタ領域11、P型ベース領域12、N型コレクタ領域13、N+型コレクタコンタクト領域14が形成されている。そして、金属配線層10がN+型コレクタコンタクト領域14と接続されている。
【0056】
このように構成されているデバイス部上の第2層絶縁膜3のが平坦化されており、このデバイス上に薄膜調整抵抗4、バリア膜5、ストッパ膜6、及び金属配線膜8が形成されている。
【0057】
そして、ホール9の真下にデバイス部の金属配線層10が配置されている。このような構造の半導体装置においても、金属配線層10がストッパ金属膜10の役目を果たすため、上記した実施形態と同様の効果を有する。
【0058】
なお、第1、2実施形態では、製造工程の簡略化の観点により、ストッパ金属膜10としてデバイス部の第1層金属配線層15と同じAlを用いていたが、Alに限らず、Cu等の他の金属膜を用いることもできる。
【0059】
また、上記した各実施形態では、ストッパ金属膜10を第1層金属配線層15等の他の配線と電気的に接続した状態とする場合を説明したが、ストッパ金属膜10を他の配線と電気的に孤立した状態とすることもできる。この場合、薄膜抵抗の電極部と金属配線層8とを接続するためのホール9の形成時に、ホール9が半導体基板1の表面まで到達するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1実施形態における半導体装置の平面図であり、(b)は(a)中のA−A’線断面図である。
【図2】ストッパ金属膜10の機能を説明するための断面図である。
【図3】第2実施形態の第1の例における半導体装置の断面図である。
【図4】第2実施形態の第2の例における半導体装置の断面図である。
【図5】他の実施形態の第1の例における半導体装置の断面図である。
【図6】他の実施形態の第2の例における半導体装置の断面図である。
【図7】従来における半導体装置の断面図である。
【図8】従来における半導体装置の断面図である。
【図9】従来における半導体装置の断面図である。
【図10】従来における半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
1…半導体基板、2…第1層絶縁膜、3…第2層絶縁膜、
4…薄膜調整抵抗、5…バリア膜、6…ストッパ膜、7…第3層絶縁膜、
8…金属配線膜、9…ホール、10…ストッパ金属膜、
11…N+型エミッタ領域、12…P型ベース領域、
13…N型コレクタ領域、14…N+型コレクタコンタクト領域、
15…第1層金属配線層、16…コンタクトホール、
17…第2層金属配線層、18…ビアホール、21…ホール。
Claims (3)
- 抵抗部(4)と前記抵抗部に電気的に接続された電極部(5、6)とを有する薄膜抵抗と、前記薄膜抵抗の上に形成された絶縁膜(7)と、前記絶縁膜に形成されたホール(9)を介して前記電極部と電気的に接続された金属配線層(8)とを備える半導体装置の製造方法において、
半導体基板(1)の上に第1の絶縁膜(2)を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上であって、前記ホール形成予定領域の真下の領域に、少なくとも前記ホールに対応する大きさである金属膜(10)を形成する工程と、
前記金属膜を含む前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜(3)を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上に前記抵抗部(4)を形成する工程と、
前記ホールを形成したときに前記ホールが前記第2の絶縁膜に到達するのを防ぐためのストッパ膜(6)を有する前記電極部(5、6)を形成する工程と、
前記電極部の上に第3の絶縁膜(7)を形成し、前記第3の絶縁膜に前記ホール(9)を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜の上に、前記ホールを介して、前記電極部と電気的に接続された前記金属配線層(8)を形成する工程とを有し、
前記半導体基板は、半導体素子が形成されたデバイス部を有しており、
前記金属膜を形成する工程では、前記第1の絶縁膜上に前記金属配線層(15)を形成すると同時に、該金属配線層と同電位である前記金属膜(10)を形成し、
前記第3の絶縁膜(7)に前記ホール(9)を形成する工程では、前記デバイス部が形成されている領域にて、前記第1の絶縁膜上の前記デバイス部に接続された前記金属配線層(15)に到達するように前記第2、第3の絶縁膜(3、7)に第1のホール(18)を形成すると同時に、前記薄膜抵抗が形成されている領域にて第2の前記ホール(9)を形成し、
前記金属配線層を形成する工程の後に、前記デバイス部の電気特性若しくは前記薄膜抵抗が接続されている回路の電気特性を調べることで、前記薄膜抵抗における電極部(5、6)と前記金属配線層(8)との接続を検査する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記金属膜を形成する工程では、前記電極部(5、6)の形成予定領域の真下の領域に、前記電極部に対応する大きさである前記金属膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属膜を形成する工程では、前記薄膜抵抗(4、5、6)の形成予定領域の真下の領域に、前記薄膜抵抗に対応する大きさである前記金属膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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