JP4275783B2 - 電力半導体モジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子パッケージ(エレクトロニックパッケージ)に関し、さらに詳しくは、モジュラー電子パワーパッケージ(パワーパック)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールは、回路類及びモーター類、アクチュエーター類、コントローラー類などのようなデバイス類に電力を供給するためのものとして知られている。高度の信頼性が要求される用途においては、前記モジュールの内部に湿気、塵埃その他の汚染物が侵入して、該モジュールを破損したり、機能不全にしてしまうことを防ぐために、前記モジュールをハーメチックシールしている。ハーメチックシールされたモジュールは、コストが高くなるのが通常であるから、コスト重視の商業用途、工業用途には、使用されていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このように、信頼度が高いハーメチックシールの電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールは、製造コストが高いために、使用用途が限定されており、このような高コストのハーメチックシールの電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールのコストを下げ、信頼度が高く、コスト面での用途の限界がない低コストのハーメチックシールの電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールの出現が要望されており、これが、この発明の解決課題である。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この発明は、前記課題を解決するために、ハーメチックシールの電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールのコストを下げ、信頼度が高く、高機能をもち、しかもコスト面での用途の限界がない低コストのハーメチックシールの電子パワーパッケージ(パワーパック)または電子パワーモジュールを提供するものである。この発明による前記パッケージは、金属のベースプレートとセラミックのカバーとを有するハーメチックシールされた密封体(エンクロージャー)からなり、この内部には、複数の回路が内蔵されていて、これら回路は、パワースイッチ要素ならびにドライブ、監視及び制御回路などを含む種々の回路構成の能動的及び受動的電子コンポーネンツを含むものである。一つ又は複数のパワー端子が端子ブロックに配置されていて、該ブロックは、前記ベースプレートに支持されていて、前記端子は、ハーメチックシールされた状態で前記カバーから突き出ている。また別途、一つ又は複数のパワー端子は、前記ベースプレート上に支持されて、前記カバーと外部端子とに付着するように配置されていてもよい。
【0005】
この発明の一つのアスペクトによれば、前記パワー端子に接続の複数の端子を含むアダプタープレートが前記カバーにマウントされる。このアダプタープレートの端子は、前記モジュールそれ自体の端子形状を変えることなしにユーザーの要望に合う形状のものにできる。また前記アダプタープレートは、能動的及び/又は受動的回路構成を内蔵してもよい。
【0006】
【発明の実施の形態】
この発明を詳しく説明するために、図示の実施の態様により、この発明を説明する。
この発明によるハイパワー半導体パッケージ(パック)又はモジュールは、図1から図3に示すように、ベースプレート10を含んでいる。このベースプレート10の上面には、中央部分一帯に一つ又は複数の電子回路又は電子デバイス12(例えば、大電力整流器など)が配置され、ベースプレート10の長さ方向の一方の側縁にそって、第1の端子ブロック14が配置され、ベースプレート10の長さ方向と直交する一方の端縁にそって、第2の端子ブロック16が配置され、電気絶縁のカバー18で前記回路12及び端子ブロック14,16を含む前記ベースプレート10全体が覆われている。
【0007】
この発明を構成するハイパワーパッケージ又はモジュールは、航空宇宙産業を含む広範囲な産業分野に使用される高信頼度、高機能を有し、コストパフォーマンスにも優れたすぐれものである。このモジュールは、零下(マイナス)55℃の低温から+150℃の高温の温度範囲に耐えるものであり、電力定格は、3000アンペアー、4500ボルトに達するものである。このモジュールは、密封性(ハーメティシティ)を有し、MIL−STD−883Eメソッド1014のような微細な漏洩密封テスト要件を満たすものである。
【0008】
ベースプレート10は、良好な伝熱性を有するマテリアルからなるもので、このマテリアルの熱膨張係数は、前記ベースプレートに配置してある回路又はデバイス12の基板のそれと相違しないか、又は、前記ベースプレートにシールされたカバー18のそれと相違しないものである。前記ベースプレートは、要求される伝熱性と熱膨張係数の条件に合うラミネートされた金属マテリアルズ又は複合された金属マテリアルズから作られている。これらの金属マテリアルズには、銅、銅タングステン、銅モリブデン、銅合金又はアルミニウムシリコンカーバイドが含まれる。ベースプレート10の面は、その上に前記基板の取り付けを容易にするために、常法によりめっきすることができる。このめっき処理は、ベースプレート全面(表面全体)に施すか、又は、前記基板が配置される要所のみに施す。
【0009】
図1を参照すると、回路12のそれぞれは、ハイブリッド回路又はハイパワーデバイスであり、これは、一つ又は複数の接点領域32を含むセラミック基板30に付着されているか、又は、形成されている。該接点領域は、一つ又は複数のワイヤボンド又は通電ストラップ36により前記ベースプレートに設けられた接点領域34に電気的に接続している。特定の接点領域32と関連する接点領域34とを接続するワイヤボンド又は通電ストラップの数は、これら接点領域に通電する電力に適合するように選ばれる。回路基板30の接点領域32は、端子ブロックの接点領域に直接にワイヤボンドすることもできる。
【0010】
図示の実施の態様においては、二つの端子ブロック14,16が示されている。端子ブロック14は、比較的ハイパワーの高電力を伝えるための端子であり、端子ブロック16は、制御及びシグナル目的のような比較的ローパワーの低電力を伝える端子である。図4Aから図4Eを参照すると、前記端子ブロックは、電気絶縁性のプラスチック又は他のマテリアルからなるブロック本体40を有し、この本体内に端子42が保持されている。これらの端子は特別の場合を除き、前記本体にモールドされている。前記端子それぞれは、一列に配列されて本体40から外方へ突出のポスト部44と、このポスト部44に対し直角をなして配置された平坦な棚部46とを有している。この棚部46は、図示のように、該棚部を支持する本体40の長さ方向(横方向)に延びた部分にそって配置されている。
【0011】
図示の実施の態様においては、銅端子が通常である導電端子42が図4Cから図4Eに示すような構成で作られ、これが前記本体40にモールドされる。図4Cから図4Eに示すように、平坦な棚部46にポスト部44が蝋付け又はその他の手段で一体的に取り付けられ、ポスト部44と棚部46とが一体になったものが本体40にモールドされ、端子ブロックがアッセンブリーされる。
【0012】
図5Aから図5Dに端子ブロック16の構成を詳しく図示する。端子ブロック16の構成は、前記の端子ブロック14と同様なものであるが、端子ブロック16は、プラスチック又は他の電気絶縁性の本体41を備え、この本体41は、複数の導電端子ポスト部43を有し、これらは、それぞれ導電棚部45に取り付けられている。各導電ポスト部43は、導電棚部45に蝋付けなどの手段で取り付けられていて、これらが一体になったものが本体41にモールドされて端子ブロックが構成される。
【0013】
図1から図3に示すように端子ブロック14,16のそれぞれは、シリコンラバーのような柔軟な材料からなる支持層48を介してベースプレート10の対面する面に取り付けられている。この支持層48は、エポキシのような適当な接着剤により本体40とベースプレート10とにボンドされている。ワイヤボンド又は通電ストラップ36により、各端子の棚部46を介在する接点領域34に電気的に接続するか、又は、回路基板30の接点領域32へ直接に電気的に接続する。
前記支持層48は、前記端子ブロック及びベースプレートの熱膨張・収縮を可能にするもので、前記端子ブロックに作用するストレスを無くし、前記端子ブロックが前記ベースプレートから剥離したり、クラックその他の破損が生じないようになっている。
【0014】
前記端子ブロックの寸法と形状は、特定の構成、設計基準などの機能条件に合うようになっている。図示の実施の態様においては、前記端子類は、ポスト部が例えばシリンドリカルなものであり(他の形状でもよい)、ねじがきってあっても、きってなくてもよい。前記ポスト部の寸法(サイズ)も前記端子及び端子が使用されるモジュールのパワー(電力)要件や特定の用途に必要な機械特性に応じて種々選択されるものである。前記端子の棚部46も同様に特定のデバイスのためのワイヤボンド又は通電ストラップの数に合うサイズのもので、所期の機械特性を備えるに至る。
【0015】
前記のカバー18は、アルミナのようなセラミックマテリアルのものが好ましく、該カバーは、メタライズされたエッジ19を備え、このエッジがベースプレート10の対面する面にボンドされて、前記端子ブロック及び回路構成部分をハーマチックに包囲する。図1と図2とを参照すると、前記端子ポスト部は、前記カバーの上壁に設けられた開孔21を抜け、非鉄マテリアルからなるワッシャー又はリング23が前記端子ポスト部の直立端部に嵌められる。フラットな端子22が図示のように前記カバーの凹部領域それぞれに配置され、該端子それぞれは、端子ブロック14のそれぞれの端子ポスト部の先端部に合う開孔を有している。
【0016】
図1と図3とに示されているように、複数のフラットな端子24も同様に前記カバーの凹部領域それぞれに配置され、端子ブロック16の端子ポスト部の先端部に合う開孔を有している。前記端子ポスト部は、はんだ付け、蝋付け、その他の手段でワッシャー23と端子22とにボンドされ、ハーメチックシールされたパッケージになる。六角ナット72をカバー18の六角形の開孔それぞれに配置したり、納めたりしておくことができる。六角ナット72がねじ付き端子を受け、関連の回路又は装置へ通電する。これらの六角ナットは、また、以下に記載のアダプタープレートの装着に役立つ。図示のカバーは、リブ付き構造のものであって、前記端子間をフィジカルに分離し、良好な電気的隔離が行われるもので、アンダーライターズ・ラボラトリー(U.L.)仕様のような各種の政府当局要件に合致する。
【0017】
上記した実施の態様におけるカバー18は、一体もので、シングルピースのものであり、対面するベースプレートにハーメチックシールされるものである。しかし、このシングルピースのカバー18は、二つ又は二つ以上の部材によって構成することもでき、例えば、壁と天板(壁と同じマテリアルか又は相違するマテリアルのもの)との二つの部材をボンドしてカバーユニットにしてもよい。部材を分けることで、前記カバーを成形コストを下げることができ、用途に応じては、構造を簡単にすることができる。
【0018】
図6に示すように、アダプタープレート20を前記カバーの上面にマウントすることができる。アダプタープレート20によって、ユーザーの要求に応じた形状、配置で電気端子を配置することができる。これによって、図1に示すような標準化された端子配列、端子構成でモジュールを作り、種々異なる端子配列、端子構成の各種バージョンをストックし、製造する必要をなくすと共にユーザーの希望、要求に合ったものを提供することができる。アダプタープレート20は、プラスチック又はプリント回路基板マテリアルのような電気絶縁性のマテリアルで作られており、該プレートに種々のハードウエアー(部品類など)を取り付けるための開孔を有する。図6に示した実施の態様においては、アダプタープレート20に3つの開孔70が設けてあり、これらにねじ72とワッシャー71とが取り付けられるようになっている。3つのフラットな端子74の第1の端部76の開孔が開孔70と正合し、他方の端部78が関連するコネクターに合う形状になっている。前記アダプタープレートは、ねじ72などのようなファスナー、接着剤又は他の保持手段により前記モジュールに保持される。
【0019】
図示された端子配置構成により、前記モジュールの長さ方向にそって3つのパワー端子が設けられ、前記モジュールの短い側縁の一方にそって4つのシグナル又はコントロール端子が配置されるものであるが、これらの端子配置構成にバリエーションを付加するには、トランジショナルの接続部を有するアダプタープレートにより端子配置構成を変えることができるもので、該アダプタープレートの接続部によって、前記カバーの上面にアクセスできる前記モジュール端子と前記アダプタープレートの上面の意図した部位にある端子位置との間が電気的に接続される。
【0020】
前記アダプタープレートは、前記カバーの一方又は数方のエッジにそうカバーの周辺から突き出ていてもよい。図6に示す実施の態様においては、エッジ端子100が前記アダプタープレートの一つ又はいくつかの側縁にそって設けられ、外部の回路と電気的に接続できるようになっている。前記アダプタープレートは、図6に示すように、回路トレース又は回路要素を該プレート上に有することができる。前記アダプタープレートそれ自体は、パワーコントロールボードの部分又はそのようなパワーコントロールボードの一部になることができる。
【0021】
図7には、この発明の他の実施の態様が示されており、回路ボード90が前記モジュール内にマウントされ、特定のモジュールの機能に合った回路構成又は部材を備えている。此の回路ボード90は、端子ポスト部44,43それぞれに合う開孔91,92を有している。該ボード90は、当業者に知られた適宜の手段により、ベースプレート10の内面から離して前記モジュール内の部位に保持されている。例えば、回路ボード90を端子ポスト部43,44にボンドして保持するとか、隔離碍子その他の部材で前記ボードをベースプレート10の対面する面から離しておけばよい。
【0022】
つぎに、この発明の他の実施の態様を図8から図10で説明する。
【0023】
端子ブロック101がベースプレート104にマウントされた導電プレート102を備えている。端子ポスト部106がプレート102から立ち上がっている。より小さな端子ブロック108,110がセラミックプレート112,114それぞれにマウントされており、これらセラミックプレート112,114それぞれもプレート102の上面にマウントされている。端子ポスト部116,118は、端子ブロック108,110それぞれに固定され、直立している。これら端子ブロックは、前記実施の態様と同様に通電ストラップ又はワイヤーボンドにより前記モジュールの回路の適宜の部分に電気的に接続する。
【0024】
前記プレート102は、適当な接着剤によりベースプレート104に対し剥離できるように接合されているもので、通電ストラップをボンドした後で前記モジュールのカバーを取り付ける前に、下側のベースプレート104から前記端子ブロック101が剥離できるようになっている。カバー120(図10参照)は、ベースプレート104に取り付けられ、端子ポスト部106,116,118は、該カバーの開孔それぞれから突出する。これら端子ポスト部は、はんだ付けその他により前記端子ブロックに接続され、前記カバーにハーメチックシールされるもので、その工程の間、前記端子ブロックは、前記ベースプレートから上方へ引き上げられて、前記プレート102の底面と前記ベースプレート104の対面する面との間が離れる。このようにして端子ブロック101は、前記モジュールに弾性的に支持され、前記端子ブロックの熱膨張と熱収縮に順応し、前記ブロックが前記ベースプレートにしっかり取り付けられていれば必然的に生じる前記端子ブロックへ作用するストレスをなくすことができ、前記端子ブロックの破損などを防ぐことができる。
【0025】
図8から図10に示した実施の態様における端子ポスト部は、先端部がシリンドリカルになってる断面矩形のものである。このシリンドリカルの先端部は、外部の端子の端部にあるリングシールと開孔とに合致し、ボンドできるようになっている。
【0026】
前記した実施の態様は、この発明を限定するものではなく、種々のモディフィケーションが当業者により可能であって、この発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による電力半導体モジュールの分解斜視図。
【図2】 図1のモジュールの断面図。
【図3】 図1のモジュールの断面図。
【図4】 (A)は図1のモジュールに用いられている端子ブロックの斜視図、(B)は図1のモジュールに用いられている端子ブロックの平面図、(C)は(A)と(B)の端子ブロックに用いられている一つの端子の正面図、(D)は(A)と(B)の端子ブロックに用いられている一つの端子の側面図、(E)は(A)と(B)の端子ブロックに用いられている一つの端子の平面図。
【図5】 (A)は図1のモジュールに用いられている一つのコントロール端子ブロックの斜視図、(B)は図1のモジュールに用いられている一つのコントロール端子ブロックの平面図、(C)は(A)と(B)のコントロール端子ブロックの端子の側面図、(D)はアダプタープレートを用いる実施の態様におけるモジュールの分解斜視図。
【図6】 アダプタープレーの分解斜視図。
【図7】 回路ボードを内蔵するこの発明によるパワー半導体モジュールの他の実施の態様の分解斜視図。
【図8】 この発明によるパワー半導体モジュールの他の実施の態様の斜視図。
【図9】 図8の端子ブロックの斜視図。
【図10】 カバーを取り付けた図8のパワー半導体モジュールの他の実施の態様を示す斜視図。
【符号の説明】
10 ベースプレート
12 電子回路又は電子デバイス
14 第1の端子ブロック
16 第2の端子ブロック
18 カバー
19 エッジ
20 アダプタープレート
21 開孔
22 端子
23 ワッシャー
24 端子
30 セラミック基板
32 接点領域
34 接点領域
36 ワイヤボンド又は通電ストラップ
40 端子ブロック本体
42 端子
44 端子のポスト部
46 端子の棚部
48 支持層
70 開孔
71 ワッシャー
72 ねじ
74 端子
76 端子の第1の端部
78 端子の他方の端部
90 回路ボード
91 開孔
92 開孔
100 エッジ端子
101 端子ブロック
102 導電プレート
104 ベースプレート
106 端子ポスト部
108 端子ブロック
108 端子ブロック
112 セラミックプレート
114 セラミックレート
116 端子ポスト部
118 端子ポスト部
Claims (16)
- 以下の構成を備える電力半導体モジュール:
一つ又は複数の電子デバイスを面上に支持するベースプレート;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、外方へ伸びる端子要素を有する少なくとも一つの端子ブロック;
前記電子デバイスと同じベースプレートの面で前記端子ブロックを柔軟に支持するために、端子ブロックおよびベースプレートの熱膨張・熱収縮を可能にする柔軟な材料からなる支持層;及び
前記ベースプレートにハーメチックシールされていて、前記端子要素それぞれのための開孔を有するカバーであって、前記端子要素の一部が該開孔を介して前記カバーから抜け出て、前記カバーにハーメチックシールされる構成になっているカバー。 - 前記ベースプレートは、メタリックマテリアルズをラミネートしたもの又は複合したものであって、所定の伝熱性と熱膨張係数とを有している請求項1の電力半導体モジュール。
- 前記端子それぞれをシールするシーリング要素を含み、該シーリング要素が前記それぞれの端子を前記カバーに対しハーメチックシールする請求項1の電力半導体モジュール。
- 前記カバーの上面にマウントできるアダプタープレートを含み、このアダプタープレートは、前記カバーから伸びているそれぞれの端子に電気的に接続する一つ又は複数の端子を有している請求項1の電力半導体モジュール。
- 前記ベースプレートは、前記カバーの熱膨張係数または前記ベースプレートの面に装着された電子デバイスの基板の熱膨張係数と同じ熱膨張係数を有する伝熱性マテリアルからなる請求項1の電力半導体モジュール。
- 前記カバーがセラミックマテリアルからなる請求項5の電力半導体モジュール。
- 回路ボードが前記ベースプレートに対し間隔をおいて配置されており、該回路ボードの少なくとも一つの面に一つ又は複数の電子デバイスを備えている請求項1の電力半導体モジュール。
- 前記アダプタープレートは、電気絶縁性のものであって、少なくとも一方の側の一部が前記カバーの周縁から突き出ていて、該部分に一つ又は複数のエッジ端子を備えている請求項4の電力半導体モジュール。
- 前記アダプタープレートは、電気絶縁性のものであって、回路トレース又は回路要素を備えている請求項1の電力半導体モジュール。
- 以下の構成を備える電力半導体モジュール:
一つ又は複数の電子デバイス基板を面上に有する伝熱性金属マテリアルのベースプレート;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、各端子は、外方へ伸びるポスト部と横方向に伸びる棚部とを有する少なくとも一つの高電力端子ブロック;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、各端子は、外方へ伸びるポスト部と横方向に伸びる棚部とを有する少なくとも一つの低電力端子ブロック;
前記ベースプレートの面で前記それぞれの端子ブロックを支持するための前記端子ブロックそれぞれの支持層;
前記端子ブロックの棚部を前記電子デバイスに選択的に接続する電気接続部材;及び
前記端子ポスト部それぞれのための開孔を有するカバーであって、前記ベースプレートにハーメチックシールされており、前記端子ポスト部は、該カバーにハーメチックシールされている構成になっているカバー。 - 前記支持層は、前記端子ブロックと前記ベースプレートの面とにボンドされたマテリアルの層である請求項10の電力半導体モジュール。
- 前記支持層は、シリコンラバーからなる請求項11の電力半導体モジュール。
- 前記カバーの外面に配置され、それぞれの端子に電気的に接続されている電気端子要素を含む請求項11の電力半導体モジュール。
- 前記端子ブロックそれぞれは、前記端子をモールドした電気絶縁性マテリアルの本体を備える請求項10の電力半導体モジュール。
- 以下の構成を備える電力半導体モジュール:
一つ又は複数の電子デバイスを面上に支持するベースプレート;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、外方へ伸びる端子要素を有する少なくとも一つの端子ブロック;
前記端子ブロックを前記電子デバイスと同じベースプレートの面に対して離接可能に支持する支持層;及び
前記ベースプレートにハーメチックシールされていて、前記端子要素それぞれのための開孔を有するカバーであって、前記端子要素の一部が該開孔を介して前記カバーから抜け出て、前記カバーにハーメチックシールされる構成になっているカバー。 - 以下の構成を備える電力半導体モジュール:
一つ又は複数の電子デバイス基板を面上に有する伝熱性金属マテリアルのベースプレート;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、各端子は、外方へ伸びるポスト部と横方向に伸びる棚部とを有する少なくとも一つの高電力端子ブロック;
一つ又は複数のパワー端子を保持しており、各端子は、外方へ伸びるポスト部を有する少なくとも一つの低電力端子ブロック;
前記ベースプレートの面の上方で前記端子ブロックを支持するための前記高電力端子ブロックの支持層;
前記端子ブロックの棚部を前記電子デバイスに選択的に接続する電気接続部材;及び
前記端子ポスト部それぞれのための開孔を有するカバーであって、前記ベースプレートにハーメチックシールされており、前記端子ポスト部は、該カバーにハーメチックシールされている構成になっているカバー。
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US6212087B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-04-03 | International Rectifier Corp. | Electronic half bridge module |
JP3695260B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2005-09-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュール |
US6350949B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-02-26 | Tyco Electronics Corp | Sealed power distribution module |
US6845017B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-01-18 | Ballard Power Systems Corporation | Substrate-level DC bus design to reduce module inductance |
US7012810B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-03-14 | Ballard Power Systems Corporation | Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance |
DE10141114C1 (de) * | 2001-06-08 | 2002-11-21 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung |
US6534857B1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-03-18 | Northrop Grumman Corporation | Thermally balanced power transistor |
US7443692B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-10-28 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Power converter architecture employing at least one capacitor across a DC bus |
US7505294B2 (en) * | 2003-05-16 | 2009-03-17 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Tri-level inverter |
US6987670B2 (en) * | 2003-05-16 | 2006-01-17 | Ballard Power Systems Corporation | Dual power module power system architecture |
US6906404B2 (en) * | 2003-05-16 | 2005-06-14 | Ballard Power Systems Corporation | Power module with voltage overshoot limiting |
US7453708B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-11-18 | International Rectifier Corporation | High reliability module |
DE10352671A1 (de) * | 2003-11-11 | 2005-06-23 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Leistungsmodul |
US20050128706A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Ballard Power Systems Corporation | Power module with heat exchange |
US7295448B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-11-13 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Interleaved power converter |
US7289329B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-10-30 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Integration of planar transformer and/or planar inductor with power switches in power converter |
US7180763B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-02-20 | Ballard Power Systems Corporation | Power converter |
EP1805880A2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-07-11 | Ballard Power Systems Corporation | Power system method and apparatus |
US7426099B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-09-16 | Continental Automotive Systems Us, Inc. | Controller method, apparatus and article suitable for electric drive |
US20070165376A1 (en) * | 2006-01-17 | 2007-07-19 | Norbert Bones | Three phase inverter power stage and assembly |
US8198712B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-06-12 | International Rectifier Corporation | Hermetically sealed semiconductor device module |
US20090091889A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-09 | Oman Todd P | Power electronic module having improved heat dissipation capability |
EP2688100B1 (en) * | 2011-03-16 | 2018-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
US8844953B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-09-30 | Accelerated Systems Inc. | Mechanical steering linkage for battery powered mower with zero turning radius |
US8966870B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-03-03 | Accelerated Systems Inc. | Methods of controlling a lawn mower having electric drive and blade motors |
KR101477378B1 (ko) * | 2013-03-21 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 하우징 및 이를 구비하는 전력 모듈 |
USD754084S1 (en) * | 2013-08-21 | 2016-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6213776B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-10-18 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | スイッチング基板 |
JP6135934B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-05-31 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | スイッチング装置 |
DE112014006748T5 (de) * | 2014-06-16 | 2017-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Anschlussverbindungsaufbau |
DE102014110617B4 (de) * | 2014-07-28 | 2023-05-04 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulsystem mit hoher Isolationsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung mit einer hohen Isolationsfestigkeit |
USD762597S1 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
WO2016059916A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
USD748595S1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-02-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
USD755741S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
USD755742S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
JP6617490B2 (ja) | 2015-09-15 | 2019-12-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN106449585B (zh) * | 2016-07-22 | 2018-10-26 | 中山市华星电源科技有限公司 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
JP1578687S (ja) * | 2016-11-08 | 2017-06-12 | ||
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CN110337762B (zh) * | 2017-03-03 | 2021-03-12 | Abb瑞士股份有限公司 | 用于电力模块的互连部件 |
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USD864884S1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP7170272B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2022-11-14 | ネクスファイ・テクノロジー株式会社 | パワー基板とそれを備えた高電圧モジュール |
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---|---|---|---|---|
DE3373475D1 (en) * | 1982-12-14 | 1987-10-15 | Beecham Group Plc | Process for the preparation of beta-lactam compounds |
JP2656416B2 (ja) * | 1991-12-16 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法 |
JPH0629459A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2725954B2 (ja) * | 1992-07-21 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5408128A (en) * | 1993-09-15 | 1995-04-18 | International Rectifier Corporation | High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing |
US5523620A (en) * | 1994-02-14 | 1996-06-04 | Delco Electronics Corporation | Coplanar linear dual switch module |
JP3201187B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2001-08-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
DE4445125A1 (de) * | 1994-12-17 | 1996-06-20 | Wabco Gmbh | Gehäuse für ein elektrisches Bauteil |
JP3168901B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2001-05-21 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
US5901044A (en) * | 1997-07-10 | 1999-05-04 | Ilc Data Device Corporation | Mini-module with upwardly directed leads |
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