JP4275243B2 - シアノ基含有安息香酸化合物の製造方法 - Google Patents

シアノ基含有安息香酸化合物の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般式(II)で示されるシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法に関する。シアノ基含有安息香酸化合物は医薬、農薬、液晶、機能性高分子モノマーなどの重要な中間体である。
【0002】
【従来の技術】
シアノ基含有安息香酸化合物の製法は古くからいくつか知られている。ここでは代表例としてp−シアノ安息香酸の製法をあげる。p−シアノ安息香酸は、古典的にはp−アミノ安息香酸をジアゾ化した後シアン化銅を反応させるサンドマイヤー反応により合成されている(Lucas et al.,J.Am.Chem.Soc.,51(1929)2718)。また、トルニトリルをクロム酸や過マンガン酸などの強力な試薬酸化剤で酸化し合成する方法が知られている(Levine et al.,J.Org.Chem.,24(1959)115)、(Kattwinkel et al.,Chem.Ber.,37(1904)3226)。
【0003】
最近では、水系の溶媒中一酸化炭素存在下、パラジウム−ホスフィン触媒を用い、p−クロロベンゾニトリルをカルボニル化することにより、p−シアノ基含有安息香酸が合成できることが知られている(特開昭64−47号公報)。また、テレフタロニトリルの片側ニトリル基をモノニトリラーゼなどを用いて酵素的に加水分解して、p−シアノ安息香酸を合成できることが報告されている(特開昭61−85194号公報)。
【0004】
本発明に関連のある先行技術として、テレフタロニトリルを加圧下アンモニア水でニトリル基を加水分解する方法がある(Arkhipova et al.,J.Gen.Chem.USSR,33(1963)631)。著者らによれば、テレフタロニトリルの片側水和で生じるp−シアノ基含有ベンズアミドのアミド基が加水分解を受け、p−シアノ安息香酸ができるとしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
サンドマイヤー法は、危険なシアン化銅を必要とし、シアン化水素の遊離する酸性条件下でのp−シアノ安息香酸の単離精製は困難である。クロム酸や過マンガン酸などの試薬酸化剤を用いた場合は、有毒な重金属廃棄物が生成し、有毒な重金属を含む廃液が大量にでるので環境に対する影響が大きい。カルボニル化による方法は、高価且つ稀少なパラジウムとホスフィンを用いるため経済的な方法とは言えない。微生物を用いた方法は、片側ニトリル基の加水分解の選択性が十分ではないうえ、反応濃度をあげることができず生産性が低い。また、テレフタロニトリルの加水分解法は、望みのp−シアノ安息香酸以外にテレフタラミン酸、テレフタラミド、テレフタル酸などが副生し、副生物との分離が困難である。このように、p−シアノ安息香酸は、従来知られている技術では合成が繁雑で高純度体を得るのが困難であり、また原料の入手も容易ではないという問題があった。
【0006】
本発明の目的は、一般式(II)のシアノ基含有安息香酸化合物を工業的に有利な方法により高収率、高純度に製造することにあり、特に医薬中間体として有用なm−またはp−シアノ安息香酸を高純度且つ高収率で製造することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、一般式(I)のシアノ基含有ベンズアミド化合物を出発原料として、ベンゼン環上のシアノ基を損なうことなくアミド基(−CONH2)をカルボキシル基(−COOH)に変換することにより、上記目的を達成することができた。
【0008】
すなわち、本発明は以下の発明に関する。
[1]一般式(I)
【化3】
Figure 0004275243
(式中、−CONH2と−Xはベンゼン環上の置換基を表わし、−CONH2は−CNのm位あるいはp位であり、Xは塩素原子またはフッ素原子を表わし、nは0〜4の整数を表わす。ただし、nが2以上の場合、Xは同一であっても異なっていても良い。)のシアノ基含有ベンズアミド化合物と窒素酸化物を反応させることを特徴とする一般式(II)
【化4】
Figure 0004275243
(式中、−COOHと−Xはベンゼン環上の置換基を表わし、−COOHは−CNのm位あるいはp位であり、Xは塩素原子またはフッ素原子を表わし、nは0〜4の整数を表わす。ただし、nが2以上の場合、Xは同一であっても異なっていても良い。)のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[2]反応を、有機溶媒中で行わせる[1]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
【0009】
[3]有機溶媒が、極性有機溶媒である[2]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[4]極性有機溶媒がカルボン酸とカルボン酸無水物からなる混合溶媒である[3]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[5]反応を、塩基の存在下でおこなわせる[2]〜[4]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[6]塩基がカルボン酸塩である[5]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[7]反応を酸性水溶液中で行わせる[1]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
[8]一般式(I)のシアノ基含有ベンズアミド化合物がm−またはp−シアノベンズアミドであり、一般式(II)のシアノ基含有安息香酸化合物が対応するm−またはp−シアノ安息香酸である[1]〜[7]記載のシアノ基含有安息香酸化合物の製造方法。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明における反応方法は、溶媒の存在下、シアノ基含有ベンズアミド化合物を反応容器に仕込み、撹拌下に窒素酸化物(気体)を導入し、所定の温度で所定の時間まで攪拌することにより行われる。
反応原材料の仕込みおよび反応は、特に制限はないが一般に大気圧下で行うことができる。用いる反応器としては、ガラス、耐食金属容器が適する。
【0011】
本反応で用いられるシアノ基含有ベンズアミド化合物について説明する。無置換のシアノ基含有ベンズアミド化合物はp−シアノベンズアミド、m−シアノベンズアミドなどであり、それぞれテレフタロニトリルおよびイソフタロニトリルの片側ニトリル基の水和反応(Berther et al.,Chem.Ber.,92(1959)2616)で容易かつ大量に合成できる。次にハロゲンで置換されたシアノ基含有ベンズアミド化合物について説明する。4−シアノ−2,3,5,6−テトラクロロベンズアミド、3−シアノ−2,4,5,6−テトラクロロベンズアミドなどの塩素化シアノ基含有ベンズアミド化合物はテレフタロニトリルおよびイソフタロニトリルの塩素化により得られるテトラクロロテレフタロニトリルなどの塩素化テレフタロニトリル化合物およびテトラクロロイソフタロニトリルなどの塩素化イソフタロニトリル化合物の片側ニトリル基の水和反応で容易かつ大量に合成できる。
【0012】
4−シアノ−2,3,5,6−テトラフルオロベンズアミド、3−シアノ−2,4,5,6−テトラフルオロベンズアミドなどのフッ素化シアノ基含有ベンズアミド化合物はテトラクロロテレフタロニトリルなどの塩素化テレフタロニトリル化合物およびテトラクロロイソフタロニトリルなどの塩素化イソフタロニトリル化合物のフッ素化反応で得られるテトラフルオロテレフタロニトリルなどのフッ素テレフタロニトリル化合物およびテトラフルオロイソフタロニトリルなどのフッ素化イソフタロニトリル化合物の片側ニトリル基の水和反応で容易かつ大量に合成できる。
【0013】
本反応で用いられる窒素酸化物について説明する。本発明でいうところの窒素酸化物とは窒素と酸素のみからなる化合物である。主な窒素酸化物としては、一酸化窒素、三酸化二窒素、二酸化窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素である。また、一酸化二窒素と二酸化窒素の混合物などのようにこれら窒素酸化物の混合物を用いることができる。また、ナイロン工業においてシクロヘキサンを硝酸で酸化する際に生じる膨大な窒素酸化物を含有する排ガスなども本発明では用いることができ、経済的に有利なプロセスを組み立てることができる。
本発明で使用する窒素酸化物の量は、シアノ基含有ベンズアミド化合物に対してモル比で少なくとも1以上必要である。
【0014】
本反応で用いられる溶媒系としては、有機溶媒や水が使用可能である。有機溶媒を用いる方が、原料であるシアノ基含有ベンズアミド化合物の溶解性などの観点から好ましい。用いることができる有機溶媒としては、ホルムアミド、ジメチルホルムアミドなどの極性アミド系、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの含イオウ系、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジオンなどのイミダゾリドン系、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジグライムなどのエーテル系、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系、無水酢酸、無水プロピオン酸などの酸無水物系、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸などの有機カルボン酸系などが用いられる。有機溶媒は単独で用いてもよいし、混合して使用してもよい。有機カルボン酸系、酸無水物系、極性アミド系または含イオウ系などの極性有機溶媒が好ましく用いられる。酢酸−無水酢酸の混合溶媒がとくに好適である。
【0015】
水を溶媒とする場合には、プロトン酸を共存させると反応を促進することができ、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸などを含有した酸性水溶液を溶媒として用いることができる。好適には硫酸水溶液が用いられる。50重量%以上の硫酸水溶液が特に好適である。
【0016】
有機溶媒中で本反応をおこなうとき、塩基を共存させると反応が効率よく進行する。本反応では、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどのカルボン酸塩、メタンスルホン酸ナトリウム、p−トルエンスルホン酸ナトリウムなどのスルホン酸塩を用いることができる。また、塩基存在下有機溶媒中で反応させる場合は、酢酸−無水酢酸−酢酸ナトリウムの反応溶媒系がとくに好適である。
【0017】
本反応の有機溶媒量は、シアノ基含有ベンズアミド化合物の重量の5〜100倍が好適である。反応温度は、有機溶媒を用いた場合には、−80℃〜100℃が好ましく、さらに好ましくは−10℃〜50℃である。本反応の反応時間は、溶媒の組成によるが、10分〜10時間が好適である。
【0018】
溶媒に酸性水溶液を用いる場合には、反応温度が低すぎると原料のシアノ基含有ベンズアミド化合物の溶解度が低く反応速度が遅くなり、高すぎると原料のシアノ基含有ベンズアミド化合物および生成物のシアノ基含有安息香酸化合物のニトリル基が水和、加水分解をうけて収率が低くなるため、0℃〜60℃が好ましく、さらに好ましくは5℃〜30℃である。
【0019】
シアノ基含有安息香酸化合物の単離精製について説明する。有機溶媒を用いた場合は、用いた溶媒の種類によりシアノ基含有安息香酸化合物は析出したり、溶解したままでいる。析出している場合は、ろ過し、水洗し、乾燥するだけで単離精製できる。シアノ基含有安息香酸化合物が溶解している場合は、低温、真空で溶媒を留去し、残査に水を加え、シアノ基含有安息香酸を析出させ、濾過、水洗、乾燥し単離精製できる。用いたシアノ基含有ベンズアミド化合物の純度を反映した純度のシアノ基含有安息香酸化合物が得られる。
【0020】
溶媒に酸性水溶液を用いた場合には、シアノ基含有安息香酸化合物は酸性水溶液に対する溶解度が極めて低いので、反応終了後、シアノ基含有安息香酸化合物は、析出している。従って、単にろ過し、水洗乾燥するだけで、用いたシアノ基含有ベンズアミド化合物の純度を反映した純度のシアノ基含有安息香酸化合物が得られる。
【0021】
【実施例】
以下に実施例を用いてさらに詳しく本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0022】
Figure 0004275243
【0023】
実施例1
酢酸30ml、無水酢酸70ml、p−シアノベンズアミド5gを氷冷下混合攪拌した。三酸化二窒素ガスを190Nml/hrで6時間導入しながら反応させた。溶媒を真空下留去し、残査に水を加え、析出した結晶をろ取し、水洗後乾燥してp−シアノ安息香酸4.73g(p−シアノベンズアミド基準収率94%)を得た。高速液体クロマトグラフの分析により得られたp−シアノ安息香酸の純度は99%以上であった。
【0024】
参考例1
70%重量濃度の硫酸水溶液100mlにm−シアノベンズアミド2.92gを加え氷冷下混合攪拌した。三酸化二窒素ガスを336Nml/hrで2時間導入しながら反応させた。析出した結晶をろ取し、水洗後乾燥してm−シアノ安息香酸2.68g(m−シアノベンズアミド基準収率92%)を得た。純度は99%以上であった。
【0025】
実施例3
酢酸30ml、無水酢酸70ml、酢酸ナトリウム6.2g、p−シアノベンズアミド5.0gを氷冷下混合攪拌した。四酸化二窒素ガスを381Nml/minで3時間導入しながら反応させた。溶媒を真空下留去し、残査に水を加え、析出した結晶をろ取し、水洗後乾燥してp−シアノ安息香酸4.83g(p−シアノベンズアミド基準収率96%)を得た。純度は97%であった。
【0026】
実施例4
酢酸30ml、無水酢酸70ml、酢酸ナトリウム6.2g、m−シアノベンズアミド5.0gを氷冷下混合攪拌した。一酸化窒素と二酸化窒素(体積比1:1)の混合ガスを286Nml/minで4時間導入しながら反応させた。溶媒を真空下留去し、残査に水を加え、析出した結晶をろ取し、水洗後乾燥してm−シアノ安息香酸4.78g(m−シアノベンズアミド基準収率94%)を得た。純度は98%であった。
【0027】
【発明の効果】
本発明により、フタロニトリル化合物から容易に得られるシアノ基含有ベンズアミド化合物と窒素酸化物ガスを反応させることによりシアノ基含有安息香酸化合物を収率、純度よく製造することができる。

Claims (5)

  1. m−またはp−シアノベンズアミドと、一酸化窒素、二酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸二化窒素から選ばれる少なくとも一つの窒素酸化物を有機溶媒中で反応させることを特徴とするm−またはp−シアノ安息香酸の製造方法。
  2. 有機溶媒が、極性有機溶媒である請求項1記載のm−またはp−シアノ安息香酸の製造方法。
  3. 極性有機溶媒がカルボン酸とカルボン酸無水物からなる混合溶媒である請求項2記載のm−またはp−シアノ安息香酸の製造方法。
  4. 反応を、塩基の存在下でおこなわせる請求項1乃至3のいずれかに記載のm−またはp−シアノ安息香酸の製造方法。
  5. 塩基がカルボン酸塩である請求項4記載のm−またはp−シアノ安息香酸の製造方法。
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