JP4272172B2 - ダイナミックランダムアクセスメモリ - Google Patents
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図1は、本発明の第1の実施形態を示すDRAMの要部の構成図であり、簡単化のため、従来を示す図2中の要素と共通の要素には共通の符号を付している。このDRAMは、従来の図2のDRAMに対し、セルフリフレッシュを行うブロックを指定するブロック選択情報であるリフレッシュブロックデータRBDATA[0:1]を格納する例えば2個のラッチ手段20−1,20−2と、内部RASを固定してジェネレータ(例えば、RAS系回路)11の動作を禁止する動作禁止手段30と、クロックルート変更手段40とを設けたものである。ここで、ラッチ手段20−1,20−2及び動作禁止手段30は、メモリセルアレイが図4のように2つのブロックABLK1,ABLK2に分割される場合に対応した回路構成にしているが、ブロック数が2に限定されるものではない。
図6は、本発明の第2の実施形態を示すDRAMの要部の構成図であり、従来の図2及び第1の実施形態を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。このDRAMは、従来のDRAMに第1の実施形態で用いたラッチ手段20−1,20−2を設けると共に、従来のXプリデコーダ13を、構成の異なるXプリデコーダ50に変更したものである。
図9は、本発明の第3の実施形態を示すDRAMの要部の構成図であり、第2の実施形態を示す図6中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。第1及び第2の実施形態では、セルフリフレッシュ動作を説明したが、第2の実施形態と同様に、ラッチ手段20−1,20−2を設けたうえでXプリデコーダ50を用いてDRAMを構成すると、CBR(CAS before RAS)リフレッシュを行う際にも消費電流を低減化できる。
図11は、本発明の第4の実施形態を示すDRAMのパッド周辺の構成図である。第1〜第3の実施形態では、リフレッシュを行うブロックを指定するリフレッシュブロックデータRBDATA[0:1]及び外部クロックRBCLKをチップ内部に導入するために、入力パッド20a,20bを設けている。これに対し、この第4の実施形態では、リフレッシュブロックデータRBDATA[0:i]及び外部クロックRBCLKを、ライトイネーブル信号WEBを入力するWEBパッド61a、読出しイネーブル信号OEBを入力するOEBパッド61b、及びアクセスデータを入出力するDQ[0:i]パッド62を利用する構成になっている。
図13は、本発明の第5の実施形態を示すDRAMのパッド周辺の構成図であり、第4の実施形態を示す図11中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。第4の実施形態によれば、DQ[0:i]パッド62は、ラッチ手段20−1,20−2,・・・の数だけ必要であったが、DRAMのDQパッド62を例えば1つしか用意できない場合がある。このような場合には、図13のように、複数の遅延型フリップフロップ72−0〜72−iを複数段縦続接続することにより、シフトレジスタを形成すればよい。
図15は、本発明の第6の実施形態を示すDRAMの要部の構成図であり、第5の実施形態を示す図13中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。第1〜第5の実施形態では、セルフリフレッシュモードに入る前に必ず、リフレッシュブロックデータRBDATAを入力することを想定している。このため、全てのブロックABLK1,ABLK2をリフレッシュする従来と同様のセルフリフレッシュをする場合にも、リフレッシュブロックデータRBDATAを入力する必要がある。これに対し、この第6の本実施形態のDRAMでは、例えば、第4の実施形態のNANDゲート63からNANDゲート71によって構成されるクロックRBCLKを生成する回路に、リフレッシュモード設定手段80を設け、該リフレッシュモード設定手段80の出力信号BREFを、図6のXプリデコーダ50に、リフレッシュイネーブル信号SREFの代わりに入力するようにしている。他の構成は、図6と同様である。
図17は、本発明の第7の実施形態を示すDRAMの構成図である。第1〜第6の実施形態では、メモリセルアレイのブロックABLK1〜ABLKn単位に、リフレッシュを行うか否かをリフレッシュブロックデータRBDATAで決めて消費電流を低減している。これに対し、この第7の実施形態では、各ブロックABLK1〜ABLKnをさらに細かく、例えば2分割された領域AREA1,AREA2の単位でリフレッシュを行うか否かを決めるようにしている。
図18は、本発明の第8の実施形態を示すDRAMの構成図であり、第7の実施形態を示す図17中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。第7の実施形態では、メモリセルアレイの各ブロックABLK1〜ABLKn内をそれぞれ2つの領域AREA1,AREA2に分割してリフレッシュを制御する構成にしている。これに対し、この第8の実施形態のDRAMでは、各ブロックABLK1〜ABLKn内をそれぞれm個の領域AREA1〜AREAmに分割してリフレッシュを制御する構成にしている。
図19は、本発明の第9の実施形態を示すDRAMの構成図である。このDRAMは、第7または第8の実施形態を示す図17または図18のDRAMに、切り替え手段140を設け、ブロックABLK1〜ABLKnのリフレッシュの要、不要を示すリフレッシュブロックデータRBDATAと、ブロックABLK1〜ABLKn内のリフレッシュ領域AREAを示す選択信号RFLG1〜RFLGn(またはrFLG1〜rFLGn)とを、共通の複数の入力パッド141−1〜141−nから入力する構成にしたものであり、他の構成は第8の実施形態と同様になっている。切り替え手段140は、入力パッド141−1〜141−nから入力される信号がリフレッシュブロックデータRBDATAか、あるいは選択信号RFLG1〜RFLGn(またはrFLG1〜rFLGn)かを検出し、この検出結果がリフレッシュブロックデータのときには、これを出力端子aから出力してリフレッシュブロック選択手段120へ与え、検出結果が選択信号RFLG1〜RFLGn(またはrFLG1〜rFLGn)のときには、出力端子をa側からb側へ切り替え、この出力端子bから選択信号RFLG1〜RFLGn(またはrFLG1〜rFLGn)を出力してブロック内リフレッシュ領域選択手段130へ与えるものである。
図20は、本発明の第10の実施形態を示すDRAMの構成図である。第1〜第9の実施形態では、各ブロックABLK1〜ABLKnに対応させたリフレッシュブロックデータRBDATAを外部から入力する構成になっているので、このリフレッシュブロックデータRBDATAを外部システムで作成する必要がある。これに対し、この第10の実施形態のDRAMでは、ブロック選択情報生成手段であるリフレッシュブロック選択手段150を設け、アドレスパッド151−1〜151−nから入力されたXアドレスに基づき、ブロック選択情報であるリフレッシュブロックデータRBDATAに相当する信号を自動的に生成している。リフレッシュブロック選択手段150は、アドレスパッド151−1〜151−nに接続されたXアドレスバッファ153−1〜153−nと、これに接続されたXアドレス該当ブロック判定手段154と、これに接続されたリフレッシュアレイブロック識別信号発生手段155と、これに接続されたアレイブロック活性化制御手段122とを、備えている。リフレッシュアレイブロック識別信号発生手段129には、リフレッシュオン/オフデータがパッド152から与えられるようになっている。
(1) 第4及び第5の実施形態では、リフレッシュブロックデータRBDATAをDQパッド62から入力したが、アドレスパッド12から入力するようにしてもよい。
(2) 第10の実施形態のXアドレス該当アレイブロック判定手段154及びリフレッシュアレイブロック識別信号発生手段155に相当する手段を、第7及び第8の実施形態のレジスタ132−1〜132−n,133−1,133−nの出力側に設けることにより、第10の実施形態とほぼ同様の効果が得られる。
4 リフレッシュタイマ
5 リフレッシュ制御回路
6 リフレッシュカウンタ
7 Xアドレスバッファ
11 RAS系回路
12 アドレスパッド
13,50 Xプリデコーダ
14−1〜14−n Xデコーダ
20−1〜20−n ラッチ手段
30 動作禁止手段
40 クロックルート変更手段
59 NORゲート
60 インバータ
72−0〜72−i 遅延型フリップフロップ
80 リフレッシュモード設定手段
100 メモリ制御手段
110 リフレッシュ動作制御手段
120 リフレッシュブロック選択手段
130 ブロック内リフレッシュ領域選択手段
140 切り替え手段
150 リフレッシュブロック選択手段
ABLK1〜ABLKn ブロック
AREA1〜AREAm 領域
Claims (5)
- Xアドレスによって選択される複数のワード線、複数のビット線、及び該ワード線と該ビット線に接続された複数のメモリセルをそれぞれ有する複数のメモリブロックと、
外部から与えられた制御信号に基づきリフレッシュモ−ドと判定したときに第1の電位を有する判定信号を、該判定がリフレッシュモ−ドでないときに第2の電位を有する判定信号を出力する判定手段と、
前記判定信号の第1の電位によって起動され、リフレッシュアドレスを生成して出力するリフレッシュカウンタと、
前記判定信号が第1の電位のときには前記リフレッシュアドレスを格納し、前記判定信号が第2の電位のときには外部から与えられたXアドレスを格納するXアドレスバッファと、
前記メモリブロックに対してリフレッシュが必要か不要かを示すブロック選択情報をラッチするラッチ手段と、
前記ラッチ手段でラッチされたブロック選択情報に基づいてリフレッシュの必要な場合は選択電位のプリデコード信号を出力し、該リフレッシュが不要な場合には非選択電位のプリデコ−ド信号を出力するXプリデコ−ダと、
前記Xプリデコ−ダから出力された選択電位のプリデコード信号をデコ−ドして前記ワード線を選択し、非選択電位のプリデコ−ド信号に応答してワード線選択動作を禁止するXデコーダとを備え、
前記ブロックに対して選択的なリフレッシュを行わせる第1のリフレッシュモードと、前記全てのブロックに対してリフレッシュを行わせる第2のリフレッシュモードとの設定機能を有し、該第1のリフレッシュモード設定時には、前記ブロック選択情報がリフレッシュが必要であることを示す場合、前記Xプリデコーダから前記選択電位のプリデコード信号を出力させ、前記ブロック選択情報がリフレッシュが不要であることを示す場合、前記Xプリデコーダから前記非選択電位のプリデコード信号を出力させ、該第2のリフレッシュモード設定時には、前記ブロック選択情報とは関係なく前記Xプリデコーダから前記選択電位のプリデコード信号を出力させるリフレッシュモード設定手段を設けたことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。 - 前記ブロック選択情報は、データを外部に入出力するパッドを介して、あるいは前記Xアドレスを外部から入力するパッドを介して、入力する構成にしたことを特徴とする請求項1記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記ラッチ手段に代えて、前記パッドに接続されたシフトレジスタを設け、このシフトレジスタによって前記ブロック選択情報をラッチすることを特徴とする請求項2記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 前記各ブロックをさらに分割した複数の領域毎に、リフレッシュの必要あるいは不要を示す選択信号を入力し、前記リフレッシュが必要なブロック内でさらにリフレッシュの必要な領域のメモリセルのみに該リフレッシュを行わせる構成にしたことを特徴とする請求項1記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
- 外部から入力されたXアドレスをプリデコードし、このデコード結果から前記ブロック選択情報を生成するブロック選択情報生成手段を設けたことを特徴とする請求項2記載のダイナミックランダムアクセスメモリ。
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