KR20110100466A - 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법 - Google Patents

휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법

Info

Publication number
KR20110100466A
KR20110100466A KR1020100019484A KR20100019484A KR20110100466A KR 20110100466 A KR20110100466 A KR 20110100466A KR 1020100019484 A KR1020100019484 A KR 1020100019484A KR 20100019484 A KR20100019484 A KR 20100019484A KR 20110100466 A KR20110100466 A KR 20110100466A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
volatile memory
memory device
mode
data
memory devices
Prior art date
Application number
KR1020100019484A
Other languages
English (en)
Inventor
조범식
손태식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100019484A priority Critical patent/KR20110100466A/ko
Priority to US12/966,039 priority patent/US8656199B2/en
Publication of KR20110100466A publication Critical patent/KR20110100466A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32—Means for saving power
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32—Means for saving power
    • G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234—Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/325—Power saving in peripheral device
    • G06F1/3275—Power saving in memory, e.g. RAM, cache
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G11C11/40615—Internal triggering or timing of refresh, e.g. hidden refresh, self refresh, pseudo-SRAMs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4072—Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/148—Details of power up or power down circuits, standby circuits or recovery circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/401—Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C2211/406—Refreshing of dynamic cells
    • G11C2211/4067—Refresh in standby or low power modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법을 공개한다. 본 발명의 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템은 파워다운 모드 시에 복수개의 휘발성 메모리 장치 중 일부 휘발성 메모리 장치 또는 휘방성 메모리 장치의 일부 메모리 영역을 셀프 리플레시 모드로 동작하도록 하여 재부팅 속도를 빠르게 할 뿐만 아니라 전력 소모를 줄일 수 있다.

Description

휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법{Powerdown method for system having volatile memory devices}
본 발명은 전력 소모 절감 방법에 관한 것으로서, 특히 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법에 관한 것이다.
디지털 기기의 급속한 발전에 의해 디지털 정보를 이용하는 각종 시스템이 처리해야하는 데이터의 양 또한 급격하게 증가하고 있다. 그리고 증가된 데이터를 용이하게 처리하기 위하여 각종 시스템은 점차로 더 큰 용량의 휘발성 메모리 장치를 구비하거나, 더 많은 개수의 휘발성 메모리 장치를 구비한다. 시스템에 구비되는 메모리 용량의 증가에도 불구하고, 데이터의 급속한 증가는 시스템의 동작 속도에 큰 영향을 미친다. 특히 부팅(booting) 동작과 같이 많은 양의 데이터를 처리해야하는 시스템의 초기화 동작 시에 상대적으로 더 큰 영향을 끼친다. 예를 들어 최근의 디지털 TV와 같은 시스템은 초기화 동작을 위해 대략 7초 이상의 시간을 필요로 한다. 시스템의 초기화 시간은 제품의 경쟁력 약화로 이어지므로, 시스템의 초기화 시간을 단축시키기 위한 방법의 요구된다.
이에 시스템의 초기화 시간을 단축시키는 방안으로, 시스템이 파워다운 모드 시에 시스템에 구비된 휘발성 메모리 장치를 셀프 리플레시 모드로 동작시켜서 데이터를 유지하는 방법이 제안되었다. 최근의 시스템들은 파워다운 상태에서도 리모컨을 통해 부팅이 될 수 있도록 딥 파워다운(deep powerdown) 모드와 같은 다양한 파워다운 모드를 제공하고 있으며, 딥 파워다운 모드 시에 시스템에는 대기 전력이 공급된다. 따라서 시스템은 파워다운 상태일지라도 대기 전력을 이용하여 시스템에 구비된 휘발성 메모리 장치를 셀프 리플레시 모드로 동작시켜 데이터를 유지할 수 있으며, 이후 재부팅 시에 유지된 데이터를 이용하므로 데이터 로딩 속도를 줄여서 초기화 속도를 빠르게 할 수 있다.
그러나 환경 문제가 이슈가 됨에 따라 대기 전력 소모를 줄이기 위한 규제가 강화되고 있으며, 시스템이 파워다운 모드 시에 휘발성 메모리 장치가 리플레시 동작을 수행하기 위해 소모하는 전력의 전체 대기 전력에서 매우 높은 비중을 차지한다.
본 발명의 목적은 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법은 파워다운 모드 명령이 인가되면 초기화 데이터를 분석하는 단계, 상기 복수개의 휘발성 메모리 장치 중에서 상기 초기화 데이터를 저장하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하여 상기 초기화 데이터를 상기 선택된 메모리 장치에 저장하는 단계, 및 상기 선택된 휘발성 메모리 장치를 제1 모드로 설정하고, 선택되지 않은 휘발성 메모리 장치를 상기 제1 모드보다 전력 소모가 적은 제2 모드로 설정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는 이전 파워다운 모드 명령이 인가될 때 선택된 휘발성 메모리 장치를 제외한 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치를 선택하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 제1 모드는 셀프 리플레시 모드이고, 상기 제2 모드는 딥 파워다운 모드인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는 상기 초기화 데이터의 용량이 상기 선택된 휘발성 메모리 장치의 복수개의 뱅크 중 적어도 하나의 뱅크에 대응하는 경우에, 상기 초기화 데이터의 용량에 대응하는 상기 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는 이전 파워다운 모드 명령이 인가될 때 선택된 뱅크를 제외한 적어도 하나의 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 초기화 데이터를 저장하는 단계는 상기 선택된 뱅크에 상기 초기화 데이터를 저장하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 셀프 리플레시 모드로 설정하는 단계는 제6 항에 있어서, 상기 제1 모드는 상기 선택된 휘발성 메모리 장치 각각에서 상기 선택된 뱅크에 대한 부분 셀프 리플레시 모드이고, 상기 제2 모드는 딥 파워다운 모드인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는 상기 복수개의 휘발성 메모리 장치 각각에서 적어도 하나의 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 시스템의 파워다운 방법은 상기 복수개의 휘발성 메모리 장치가 상기 제1 및 제2 모드로 설정되면, 파워다운 모드로 진입하는 단계, 및 상기 선택된 휘발성 메모리 장치에 저장된 상기 초기화 데이터를 이용하여 재부팅하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 초기화 데이터는 상기 재부팅하는 단계의 동작속도를 높이기 위한 데이터인 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법은 파워다운 모드로 진입할 때, 초기화 시에 사용되는 데이터를 복수개의 휘발성 메모리 장치 중 일부 휘발성 메모리 장치 또는 복수개의 휘발성 메모리 장치 각각의 일부 메모리 영역에 저장하고, 데이터가 저장된 영역에 대해서만 셀프 리플레시 동작이 수행되도록 하여 짧은 시간에 시스템이 초기화 될 수 있도록 할 뿐만 아니라 대기 전력 소모를 줄일 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 일예를 나타내는 도면이다.
도 2 는 도 1 의 복수개의 휘발성 메모리 장치를 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명에 따른 시스템의 동작을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명에 따른 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 일예를 나타내는 도면으로, 휘발성 메모리 장치를 구비하는 다양한 시스템 중에서 디지털 TV를 일예로 들었다.
도 1 에서는 시스템의 일부로서 제어부(100)와 메모리부(200)만을 도시하였다. 제어부(100)는 시스템 온 칩(SoC)로 제작될 수 있으며, 데이터 입력부(110), 오디오 디코더(120), 비디오 디코더(130), 디스플레이 처리부(140), 비휘발성 메모리(150) 및 메모리 컨트롤러(160)를 구비한다. 데이터 입력부(110)는 외부에서 인가되는 입력 신호를 디코딩하여 메모리 컨트롤러(160)로 입력 데이터(input)를 출력한다. 그리고 오디오 디코더(120) 및 비디오 디코더(130)는 각각 데이터 입력부(110)로부터 메모리 컨트롤러(160)를 통해 인가되는 오디오 데이터(adata) 및 영상 데이터(idata)를 디코딩하여 디코딩된 오디오 데이터 및 영상 데이터를 메모리 컨트롤러(160)로 출력한다. 디스플레이 프로세서(140)는 메모리 컨트롤러(160)를 통해 입력 데이터(input), 영상 데이터(idata)를 인가받아 부영상 출력, 자막 추가 등의 부가적인 기능을 처리하여 패널(미도시)을 구동함에 의해 영상을 출력한다. 비휘발성 메모리(150)는 시스템의 초기화를 위한 초기화 데이터 및 각종 설정을 저장하고, 시스템 초기화시에 메모리 컨트롤러(160)로 저장된 데이터를 출력한다.
도 1 에서 데이터 입력부(110), 오디오 디코더(120), 비디오 디코더(130), 디스플레이 프로세서(140) 및 비휘발성 메모리(150)는 시스템의 프로세서에 포함되는 부분으로서, 시스템의 사용 용도 및 설계에 따라 다양하게 구성될 수 있다. 즉 상기에서는 시스템이 디지털 TV인 것을 예로 들어 설명하였으나, 시스템이 다른 용도로 사용되는 장치인 경우에는 일부 프로세서가 제거 될 수도 있으며, 다양한 프로세서를 더 구비할 수도 있을 것이다. 예를 들어 시스템이 차량용 네비게이션 시스템인 경우에 GPS(Global Positioning System) 기능을 수행하기 위한 GPS 프로세서를 더 구비할 수 있다.
그리고 메모리 컨트롤러(160)는 데이터 입력부(110), 오디오 디코더(120), 비디오 디코더(130), 디스플레이 프로세서(140) 및 비휘발성 메모리(150)에서 인가되는 데이터를 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에 저장하고, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210~240)에 저장된 데이터를 각각 오디오 디코더(120), 비디오 디코더(130) 및 디스플레이 프로세서(140)로 출력한다. 특히 메모리 컨트롤러(160)는 데이터 입력부(110)에서 인가되는 입력 데이터(input)가 파워모드 명령을 나타내면, 이후 초기화시에 필요한 데이터인 초기화 데이터의 양을 판단하여 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 중 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치를 선택하고, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에 저장된 데이터 중에서 시스템의 초기화 데이터를 선택된 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치에 저장한다. 즉 메모리 컨트롤러(160)는 파워다운 모드 명령이 인가되면, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에 분산되어 저장되어 있는 초기화 데이터를 선택된 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치에 집중하여 저장한다.
여기서 선택된 휘발성 메모리 장치의 개수는 저장해야하는 초기화 데이터의 양에 따라 메모리 컨트롤러(160)가 조절할 수 있다. 즉 초기화 데이터의 양이 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 중 하나의 휘발성 메모리 장치에 저장될 수 있으면, 메모리 컨트롤러(160)는 하나의 휘발성 메모리 장치만을 선택하여 데이터를 저장한다. 반면 초기화시에 필요한 데이터의 양이 각각의 휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 용량 보다 크다면 메모리 컨트롤러(160)는 데이터의 양에 대응하는 휘발성 메모리 장치를 선택하여 데이터를 저장한다. 이후 메모리 컨트롤러(160)는 선택된 휘발성 메모리 장치를 셀프 리플레시 모드로 설정하고, 선택되지 않은 휘발성 메모리 장치는 파워다운 모드 또는 딥 파워다운 모드로 설정한다.
그러므로 본 발명의 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템은 파워다운 모드에 진입하면, 메모리 컨트롤러(160)에 의해 선택된 휘발성 메모리 장치만 셀프 리플레시 모드로 동작하고, 나머지 휘발성 메모리 장치는 파워다운 모드 또는 딥 파워다운 모드로 동작한다. 따라서 재부팅 시에 선택된 휘발성 메모리 장치에 저장된 데이터를 이용하여 빠른 속도로 초기화 동작을 수행하면서도 파워다운 상태의 불필요한 전력 소모를 최대한 줄일 수 있다.
한편 시스템이 파워다운 모드에 진입할 때마다, 메모리 컨트롤러(160)가 항상 동일한 휘발성 메모리 장치(예를 들면 제1 메모리(210))를 선택하여 초기화시에 필요한 데이터를 저장하면, 선택된 휘발성 메모리 장치의 사용 빈도가 높아져서 메모리 열화가 발생할 수 있다. 복수개의 휘발성 메모리 장치중 하나의 휘발성 메모리 장치(210)라도 열화로 인하여 오동작을 수행하게 되면, 시스템 전체가 오동작하게 되므로, 시스템의 안정성을 위하여 휘발성 메모리 장치의 열화는 방지되어야 한다.
상기한 바와 같은 휘발성 메모리 장치의 열화 문제를 방지하기 위하여 메모리 컨트롤러(160)는 시스템이 파워다운 모드로 진입할 때마다, 서로 다른 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)를 선택할 수 있다. 즉 메모리 컨트롤러(160)는 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 균등한 비율로 선택되도록 복수개의 휘발성 메모리 장치를 순차적으로 선택 할 수 있다.
도 2 는 도 1 의 복수개의 휘발성 메모리 장치를 나타내는 도면이다. 도 2 를 참조하면, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)는 각각 4개의 뱅크((ba11 ~ ba14), (ba21 ~ ba24), (ba31 ~ ba34), (ba41 ~ ba44))를 구비한다.
최근 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)는 데이터 저장 용량의 증가에 따라 복수개의 뱅크((ba11 ~ ba14), (ba21 ~ ba24), (ba31 ~ ba34), (ba41 ~ ba44))를 구비하고, 복수개의 뱅크 중 일부 뱅크만이 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 하는 부분 셀프 리플레시(Partial Array Self Refresh : PASR) 동작을 지원한다. 부분 셀프 리플레시 동작은 개별 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 선택된 적어도 하나의 뱅크에 대해서만 셀프 리플레시 동작을 수행하고, 선택되지 않은 나머지 뱅크는 셀프 리플레시 동작을 수행하지 않도록 하여 전력 소모를 줄인다. 또한 셀프 리플레시 동작이 수행될 뱅크 및 뱅크의 개수는 메모리 컨트롤러(160)에 의해 선택될 수 있다.
따라서 도 1 의 메모리 컨트롤러(160)는 파워다운 모드시마다 각각 다른 휘발성 메모리 장치를 선택하여 초기화 데이터를 저장하고 셀프 리플레시를 수행하여 복수개의 휘발성 메모리 장치의 사용 빈도를 균일하게 하여 열화를 방지할 수도 있으나, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 각각이 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 하여 열화를 방지할 수도 있다. 도 2에서 각각의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)는 4개의 뱅크를 구비하는 것으로 도시하였다. 따라서 4개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 각각에서 하나씩의 뱅크(예를 들면 뱅크1(ba11, ba21, ba31, ba41)가 선택되면, 하나의 휘발성 메모리 장치(210)가 선택된 것과 동일한 데이터 저장 용량을 갖게 된다. 즉 메모리 컨트롤러(160)가 하나의 휘발성 메모리 장치를 선택하는 것과 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에서 각각 하나씩의 뱅크를 선택하는 것은 동일한 데이터 저장 용량을 갖는다. 더욱이 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)는 각각 메모리 컨트롤러(160)와 병렬로 연결되어 데이터를 입출력하므로, 데이터의 전송 속도가 빨라져서 하나의 휘발성 메모리 장치가 선택되는 경우보다 더 빨리 시스템을 초기화 시킬 수 있다.
즉 메모리 컨트롤러(160)는 시스템이 파워다운 모드로 진입하면, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 각각에서 적어도 하나씩의 뱅크를 선택하고 선택된 뱅크에 초기화 데이터를 저장한다. 이때 메모리 컨트롤러(160)는 초기화 데이터의 양에 따라 각각의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에서 선택되는 뱅크의 개수를 조절할 수 있다. 그리고 메모리 컨트롤러(160)는 선택된 뱅크에 대해서만 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 부분 셀프 리플레시 명령을 각각의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)로 인가한다. 따라서 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)는 시스템의 파워다운 모드 시에 모두 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하기 때문에 균일한 사용 빈도를 갖게 된다.
그러나 메모리 컨트롤러(160)가 동일한 휘발성 메모리 장치를 반복적으로 선택함으로 인해 열화가 발생할 수 있는 것과 마찬가지로, 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 매번 동일한 뱅크를 선택하여 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하게 되면, 선택된 뱅크는 나머지 뱅크에 비하여 높은 사용 빈도를 갖게 되어 열화가 발생할 수 있다. 따라서 메모리 컨트롤러(160)는 시스템의 파워다운 모드 시마다 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에서 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하는 뱅크가 다르게 선택되도록 휘발성 메모리 장치를 제어할 수 있다.
또한 메모리 컨트롤러(160)는 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)의 부분 셀프 리플레시 기능을 이용하여, 셀프 리플레시가 수행될 영역을 최소화하여 전력 소모를 추가적으로 절감 할 수 있다.
휘발성 메모리 장치 각각의 데이터 저장 용량이 512MB 이고, 4개의 뱅크를 가지는 경우에 각 뱅크((ba11 ~ ba14), (ba21 ~ ba24), (ba31 ~ ba34), (ba41 ~ ba44))의 데이터 저장 용량은 128MB 이다. 그리고 초기화 데이터의 데이터 양이 600MB 인 것으로 가정하면, 메모리 컨트롤러(160)는 2개의 휘발성 메모리 장치(210, 220)를 선택하여 데이터를 저장하여야 한다. 여기서 하나의 휘발성 메모리 장치(210)는 모든 뱅크(ba11 ~ ba14)에 데이터가 저장되어야 하지만, 다른 하나의 휘발성 메모리 장치(220)에서는 하나의 뱅크(ba21)에만 데이터가 저장 된다. 이런 경우에 각각의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시 동작을 지원하지 않는다면, 메모리 컨트롤러(160)는 2개의 휘발성 메모리 장치(210, 220)의 모든 뱅크((ba11 ~ ba14), (ba21 ~ ba24))가 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 제어해야한다. 그러나 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시 동작을 지원한다면, 하나의 휘발성 메모리 장치(210)는 모든 뱅크(ba11 ~ ba14)에 대해 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 하고, 나머지 하나의 휘발성 메모리 장치(220)는 데이터가 저장된 뱅크(ba21)만 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 하여, 전력 소모를 절감 할 수 있다.
유사하게 메모리 컨트롤러(160)가 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 각각의 적어도 하나의 뱅크에 초기화 데이터를 저장하는 경우에도, 각 메모리별로 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하는 뱅크의 개수를 서로 다르게 설정할 수 있다. 즉 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240) 각각의 제1 뱅크(ba11, ba21, ba31, ba41)와 휘발성 메모리 장치(210)의 제2 뱅크(ba12)를 선택하여 부분 셀프 리플레시 동작을 수행하도록 하여, 전력 소모를 추가적으로 줄일 수 있다.
도 3 은 본 발명에 따른 시스템의 동작을 나타내는 도면이다.
먼저 시스템이 동작을 시작하면(S11), 시스템은 먼저 비휘발성 휘발성 메모리 장치(150)에서 초기화 동작을 수행 위한을 초기화 데이터를 메모리부(200)의 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에 저장한다(S12). 그리고 휘발성 메모리 장치에 저장된 초기화 데이터에 따라 시스템을 초기화한다(S13). 이후 외부 명령이 인가되면(S14), 파워다운 모드 명령인지 판별한다(S14). 판결된 명령이 파워다운 모드 명령이 아니면, 시스템은 인가된 명령에 대응하는 동작을 수행한다(S15).
그러나 인가된 명령이 파워다운 모드 명령이면, 메모리 컨트롤러(160)는 초기화 데이터의 용량을 분석한다(S17). 이때 초기화 데이터는 비휘발성 휘발성 메모리 장치(150)에서 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)로 저장된 초기화 데이터와 동일한 데이터일 수도 있으나 다른 데이터일 수도 있다. 시스템은 최초 초기화 동작 이후 외부 명령에 따른 동작을 수행하면서(S15), 각종 설정이 변경 될 수가 있다. 이후 시스템이 재부팅될 때에는 사용자의 편의를 위하여 변경된 설정에 따라 재부팅되어야 한다. 디지털 TV를 예로 들면, 사용자가 디지털 TV를 사용하는 동안 채널 및 볼륨이 조절될 수 있다. 그리고 디지털 TV가 재부팅 될 때, 사용자가 이전에 마지막으로 선택한 채널 및 볼륨으로 재부팅되어야 한다. 따라서 메모리 컨트롤러(160)가 분석하는 초기화 데이터는 비휘발성 휘발성 메모리 장치(150)에서 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)로 저장되는 데이터와 다른 데이터일수 있으며, 데이터 용량에서도 차이가 발생할 수 있다.
메모리 컨트롤러(160)는 초기화 데이터의 용량 분석을 수행한 후(S17), 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시 동작을 지원하는지 여부를 판별한다(S18). 상기한 바와 같이 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시 동작을 지원한다면 전력 소모를 추가적으로 줄일 수 있다. 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시 동작을 지원한다면, 메모리 컨트롤러(160)는 분석된 초기화 데이터 용량에 대응하여 복수개의 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에서 적어도 하나의 뱅크를 선택한다(S19). 이때 메모리 컨트롤러(160)는 상기한 바와 같이 이전 파워다운 모드 진입 시에 선택된 뱅크와 다른 뱅크를 선택한다. 메모리 컨트롤러(160)는 선택된 뱅크에 초기화 데이터를 저장하고(S20), 선택된 뱅크가 부분 셀프 리플레시 모드로 동작하도록 휘발성 메모리 장치를 제어한다(S21). 선택된 뱅크가 부분 셀프리플레시 모드로 동작하면, 시스템은 파워다운 모드로 진입한다(S25).
한편 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)가 부분 셀프 리플레시동작을 지원하지 않으면, 메모리 컨트롤러(160)는 분석된 초기화 데이터 용량에 대응하여 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치를 선택하고(S22), 선택된 휘발성 메모리 장치에 초기화 데이터를 저장한다(S23). 메모리 컨트롤러(160)는 이후 선택된 휘발성 메모리 장치를 셀프 리플레시 모드로 동작하도록 제어하고, 선택되지 않은 휘발성 메모리 장치는 딥 파워다운 모드로 동작하도록 제어한다. 선택된 휘발성 메모리 장치가 셀프리플레시 모드로 동작하면, 시스템은 파워다운 모드로 진입한다(S25).
이후 시스템은 재부팅 명령이 인가되는지 판별하여(S26), 재부팅 명령이 인가되지 않으면, 파워다운 모드를 그대로 유지하고, 재부팅 명령이 인가되면, 선택된 뱅크 또는 휘발성 메모리 장치에 저장된 초기화 데이터를 이용하여 초기화 동작을 다시 수행한다(S13).
본 발명에서 초기화 데이터는 상기한 바와 같이 비휘발성 휘발성 메모리 장치(150)에 저장된 데이터뿐만 아니라, 시스템의 재부팅 동작을 빠르게 하기 위한 다양한 데이터를 포함할 수 있다. 예를 들어 본 발명이 네비게이션 시스템에 적용될 경우에, GPS 정보를 초기화 데이터로서 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)에 저장할 수 있다. 네비게이션 시스템은 초기화 동작 시에 GPS 위치 정보를 확인하기 위하여 상당한 시간을 필요로 한다. 그리고 차량용 네비게이션 시스템은 파워다운 시에 확인되는 GPS 위치 정보와 재부팅시에 확인되는 GPS 위치 정보가 대부분 동일하다. 따라서 시스템이 파워다운 될 때의 GPS 위치 정보를 저장하고 이후 재부팅 시에 저장된 GPS 위치 정보를 이용하여 초기화하는 경우에 네비게이션 시스템의 초기화 시간을 크게 단축시킬 수 있다.
상기에서는 메모리 제어부(160)가 초기화 데이터를 분석하고, 분석된 초기화 데이터에 따라 휘발성 메모리 장치(210 ~ 240)를 선택하는 것으로 설명하였으나, 초기화 데이터를 저장하기 위한 메모리 장치가 미리 지정될 수도 있다. 즉 메모리부(200)에서 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치를 초기화 메모리 장치로서 지정하여 초기화 데이터를 저장할 수 있다. 또한 초기화 데이터의 용량이 초기화 메모리 장치의 저장 용량을 초과하는 경우를 위하여 초기화 데이터를 저장하고, 정상 동작 시에 초기화 데이터가 아닌 데이터를 저장하기 위한 휘발성 메모리 장치를 지정할 수도 있다.
또한 상기에서는 휘발성 메모리 장치의 부분 셀프 리플레시 동작이 뱅크 단위로 설정되는 것으로 설명하였으나, 각각의 뱅크에 구비되는 복수개의 블록에 대해 블록단위로 부분 셀프 리플레시 동작이 수행될 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 복수개의 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템 파워다운 방법에 있어서,
    파워다운 모드 명령이 인가되면 초기화 데이터를 분석하는 단계;
    상기 복수개의 휘발성 메모리 장치 중에서 상기 초기화 데이터를 저장하기 위한 휘발성 메모리 장치를 선택하여 상기 초기화 데이터를 상기 선택된 메모리 장치에 저장하는 단계; 및
    상기 선택된 휘발성 메모리 장치를 제1 모드로 설정하고, 선택되지 않은 휘발성 메모리 장치를 상기 제1 모드보다 전력 소모가 적은 제2 모드로 설정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는
    이전 파워다운 모드 명령이 인가될 때 선택된 휘발성 메모리 장치를 제외한 적어도 하나의 휘발성 메모리 장치를 선택하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 제1 모드는 셀프 리플레시 모드이고, 상기 제2 모드는 딥 파워다운 모드인 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는
    상기 초기화 데이터의 용량이 상기 선택된 휘발성 메모리 장치의 복수개의 뱅크 중 적어도 하나의 뱅크에 대응하는 경우에, 상기 초기화 데이터의 용량에 대응하는 상기 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는
    이전 파워다운 모드 명령이 인가될 때 선택된 뱅크를 제외한 적어도 하나의 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 초기화 데이터를 저장하는 단계는
    상기 선택된 뱅크에 상기 초기화 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 셀프 리플레시 모드로 설정하는 단계는
    제6 항에 있어서, 상기 제1 모드는 상기 선택된 휘발성 메모리 장치 각각에서 상기 선택된 뱅크에 대한 부분 셀프 리플레시 모드이고, 상기 제2 모드는 딥 파워다운 모드인 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 휘발성 메모리 장치를 선택하는 단계는
    상기 복수개의 휘발성 메모리 장치 각각에서 적어도 하나의 뱅크를 선택하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 시스템의 파워다운 방법은
    상기 복수개의 휘발성 메모리 장치가 상기 제1 및 제2 모드로 설정되면, 파워다운 모드로 진입하는 단계; 및
    상기 선택된 휘발성 메모리 장치에 저장된 상기 초기화 데이터를 이용하여 재부팅하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 초기화 데이터는
    상기 재부팅하는 단계의 동작속도를 높이기 위한 데이터인 것을 특징으로 하는 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법.
KR1020100019484A 2010-03-04 2010-03-04 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법 KR20110100466A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100019484A KR20110100466A (ko) 2010-03-04 2010-03-04 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법
US12/966,039 US8656199B2 (en) 2010-03-04 2010-12-13 Power-down method for system having volatile memory devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100019484A KR20110100466A (ko) 2010-03-04 2010-03-04 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110100466A true KR20110100466A (ko) 2011-09-14

Family

ID=44532317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100019484A KR20110100466A (ko) 2010-03-04 2010-03-04 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8656199B2 (ko)
KR (1) KR20110100466A (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102360411A (zh) * 2011-10-17 2012-02-22 三一重工股份有限公司 一种开盖锁定方法、装置及通信设备
US9182999B2 (en) * 2012-05-30 2015-11-10 Advanced Micro Devices, Inc. Reintialization of a processing system from volatile memory upon resuming from a low-power state
US9424896B2 (en) * 2012-06-22 2016-08-23 Nxp B.V. Method and system for fast initialization of a memory unit
JP5998677B2 (ja) * 2012-06-29 2016-09-28 富士通株式会社 ストレージ装置および接続装置
TWI503662B (zh) 2012-12-27 2015-10-11 Ind Tech Res Inst 記憶體控制裝置及方法
KR20150106778A (ko) 2014-03-12 2015-09-22 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 제어 방법
US9671855B2 (en) * 2014-06-30 2017-06-06 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods of entering unselected memories into a different power mode during multi-memory operation
EP3321767B1 (en) 2015-12-30 2020-04-15 Huawei Technologies Co., Ltd. Method for reducing power consumption of memory and computer device
US11262921B2 (en) 2017-12-21 2022-03-01 Qualcomm Incorporated Partial area self refresh mode

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6336161B1 (en) * 1995-12-15 2002-01-01 Texas Instruments Incorporated Computer configuration system and method with state and restoration from non-volatile semiconductor memory
JP4056173B2 (ja) 1999-04-14 2008-03-05 富士通株式会社 半導体記憶装置および該半導体記憶装置のリフレッシュ方法
JP3745185B2 (ja) 2000-03-13 2006-02-15 沖電気工業株式会社 ダイナミックランダムアクセスメモリ
JP2005011434A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックメモリ制御装置及びこれを用いた携帯端末
JP4272172B2 (ja) 2005-02-02 2009-06-03 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 ダイナミックランダムアクセスメモリ
US7734866B2 (en) * 2005-08-04 2010-06-08 Rambus Inc. Memory with address-differentiated refresh rate to accommodate low-retention storage rows
JP2007280608A (ja) 2007-07-27 2007-10-25 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8656199B2 (en) 2014-02-18
US20110219248A1 (en) 2011-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110100466A (ko) 휘발성 메모리 장치를 구비하는 시스템의 파워다운 방법
US8769256B2 (en) Fast switching between multiple operating systems using standby state
US10310757B2 (en) Systems and methods for memory power saving via kernel steering to memory balloons
US20230236654A1 (en) System on chip for reducing wake-up time, method of operating same, and computer system including same
EP2267602B1 (en) Interleaving policies for flash memory
US8792273B2 (en) Data storage system with power cycle management and method of operation thereof
US7574590B2 (en) Method for booting a system on a chip integrated circuit
US8918629B2 (en) Method and apparatus for controlling operation of booting video image reproducing apparatus
US9767882B2 (en) Method of refreshing memory device
US7380148B2 (en) System and method for information handling system multimedia mode boot optimization
US9554187B2 (en) Smart television system and turn-on and turn-off method thereof
US20080186319A1 (en) Dynamically activated frame buffer
US20050216722A1 (en) Computer system having multi-operation system and method for changing operating system in computer system
KR100685547B1 (ko) 메모리 제어 시스템 및 메모리 뱅크 리프레쉬 방법
KR20130134918A (ko) 불휘발성 메모리를 포함하는 컴퓨터 시스템 및 컴퓨터 시스템의 동작방법
CN101606128A (zh) 在媒体设备中支持多个操作系统
US11709539B2 (en) Low power state staging
CA2671387A1 (en) Hide boot
US8898521B2 (en) Method and apparatus for booting an image reproduction apparatus
US20120233451A1 (en) Method for fast resuming computer system and computer system
KR20110017722A (ko) 영상 재생 장치 및 영상 재생 장치의 제어 방법
US20110037905A1 (en) Image reproducing apparatus and method for controlling the same
US20100115258A1 (en) Image processing apparatus and control method thereof
TWI482004B (zh) 系統開機失敗之處理裝置及處理方法
US20150317181A1 (en) Operating system switching method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid