JP4261461B2 - 半導体集積回路装置、及びそれを用いた不揮発性メモリシステム - Google Patents
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Description
図1に、“擬似パス機能”を備えるNANDフラッシュメモリで使用される擬似パス機能対応型データレジスタの一例を示す。
上記第1実施形態は、発動パルス数NFをROMヒューズ11に保持させる例であったが、発動パルス数NFはROMヒューズ11以外にも保持させることができる。第2実施形態は、ROMヒューズ11以外に保持させる一例に関する。
次に、この発明の実施形態に係る半導体集積回路装置、又はその半導体集積回路装置を用いた不揮発性メモリシステムが利用される電子機器の例を説明する。
Claims (5)
- 書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能を備えた不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置であって、
前記不揮発性メモリは、擬似パス機能を発動するタイミングを任意に設定可能な発動タイミング調節部を備え、
前記発動タイミング調節部は、前記擬似パス機能を発動するタイミングを、書き込みシーケンス/消去シーケンスにおける最大ループ回数(Max Loop)に達する以前の、プログラム/イレーズパルス数に設定可能である
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記発動タイミング調節部は、
前記擬似パス機能を発動する擬似パス発動パルス数を保持するパルス数保持部と、
プログラム/イレーズパルスの印加回数を計数するパルス印加回数計数部と、
前記パルス数保持部に保持された擬似パス発動パルス数と、前記パルス印加回数計数部の計数した印加回数とが一致したとき、前記擬似パス機能を発動させる発動フラグを出力する発動フラグ出力部とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記パルス数保持部に保持された擬似パス発動パルス数は、書き換え可能であることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラとを具備し、
前記不揮発性メモリは、
書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能と、
擬似パス機能を発動するタイミングを任意に設定可能な発動タイミング調節機能と、を備え、
前記発動タイミング調節機能は、前記擬似パス機能を発動するタイミングを、書き込みシーケンス/消去シーケンスにおける最大ループ回数(Max Loop)に達する以前の、プログラム/イレーズパルス数に設定可能であり、
前記メモリコントローラは、
前記擬似パス機能を発動するタイミングを変更する発動タイミング変更機能を備えることを特徴とする不揮発性メモリシステム。 - 請求項4記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記発動タイミング調節機能は、
前記擬似パス機能を発動する擬似パス発動パルス数を保持し、前記擬似パス発動パルス数を書き換え可能なパルス数保持部と、
プログラム/イレーズパルスの印加回数を計数するパルス印加回数計数部と、
前記パルス数保持部に保持された擬似パス発動パルス数と、前記パルス印加回数計数部の計数した印加回数とが一致したとき、前記擬似パス機能を発動させる発動フラグを出力する発動フラグ出力部とを備える
ことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリシステム。
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