JP4253383B2 - メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、スタンバイ時に、レジスタなどコアのメモリセル以外のストレージにデータを格納するメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
メモリ装置は、その省電力化の要求によって、不使用時には消費電力を低減するように構成されているものがある。
【0003】
図7はその一例である。図において300はメモリ装置であり、301はメモリセルを含むコア部、302はコア部以外の領域として、たとえば外部との入出力を行う機能を備えた周辺部である。ここでコア部301は、スタンバイ状態(省電力状態)になると、記憶内容の保持動作(たとえばDRAMならセルフリフレッシュ動作)のみを行うように制御される。また、同様に周辺部302は、アクティブ状態への復帰コマンドを判定する判定部303を残して、それ以外の部分には電力を供給しないように(スタンバイ状態)構成されている。
【0004】
このような形式のメモリ装置は、判定部303で復帰コマンドが識別されれば、コア部301、周辺部302ともにアクティブ状態へと復帰される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
一方、図8に示すように、周辺部302内に設けられた端子310、周辺回路311(入出力回路など)の他にレジスタ312(コア部のメモリセル以外のストレージ)を設ける態様が知られている。このレジスタ312は、コア部301がスタンバイ状態の間に情報が記憶されるように構成されている。レジスタ312に記憶される内容は、例えば、コア部301がアクティブ状態へ復帰した後の動作を示す情報が記憶されるものであり、グラフィックメモリなどで使用されるスペシャルモードレジスタセット(SMRS:special mode resistor set )として知られているものが代表的である。
【0006】
ところが、このようなメモリが、SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory )に代表される同期式メモリであれば、図7に示した例のように、コマンドを判定する部分(判定部303)以外をスタンバイ状態とする構成では、レジスタに正確な値を取り込むことはできない。
【0007】
すなわち、同期式のメモリ装置は、スタンバイ状態であっても図9に示すようにクロックckに同期して各入力端子の信号をラッチするため、もし判定部303のラッチ回路だけを常に動作させておき、それ以外の周辺部302のラッチ回路はスタンバイとする構成であれば、判定部303以外の周辺部302に入力されたデータは、判定部303でコマンドが判定される期間iを経過した後、ようやくラッチが可能になる。
【0008】
しかし図9に示すように、その時刻では既に取得対象のデータの有効性が保証されない時刻(次のデータ期間へ移行)になっており、レジスタ312に記憶するべきデータを消失してしまうのである。この問題は、コマンドの判定のために複数段の論理処理を行う場合、特に顕著(期間iが長い)である。
【0009】
このため、同期式のメモリ装置で、コア部301のスタンバイ中にレジスタ312へ情報を格納するタイプでは、周辺部302全体を常にアクティブ状態とする必要があり、周辺部302の消費電力はコア部301のアクティブ/スタンバイ状態に関わらず減少することができなかった。
【0010】
本発明は、このようなメモリ装置において、スタンバイ時における周辺部302の消費電力の低減を図ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、コマンドおよびデータそれぞれのラッチ回路については、コア部のアクティブ/スタンバイ状態に関わらず、同期クロックによるラッチを行わせるが、一方、ラッチされたコマンドを判定して活性化コマンドを検出するまでは、データのラッチ部よりも後段の少なくともバッファ回路については、スタンバイ状態を維持するものである。
【0012】
図1は本発明の原理を説明する図である。
【0013】
図1において、1aはデータ入力端子、1bはコマンド入力端子、2a,2bはそれぞれ入力されたデータおよびコマンドを同期クロックckによってラッチするラッチ部、3はバッファ部、4は入力されたデータ(動作モードなど)が記憶されるレジスタ、5はコア部がスタンバイ状態である場合にバッファ部をスタンバイ状態とするとともに、前記ラッチされたコマンドを判定し、そのコマンドがレジスタ書き込み時の活性化命令(レジスタへのデータ書き込み命令やレジスタ書き込みのための回路を活性化する命令など)であるか否かを検知してコア部がスタンバイ状態であってもバッファをアクティブ状態にする判定部である。
【0014】
図2は本発明の動作を説明するための図である。
【0015】
図2はコア部(図示しない)がスタンバイ状態である場合の態様を説明するものであり、ラッチタイミングT1の時点ではバッファ部3は制御部5によってコア部と同じくスタンバイ状態に制御されている。なお、本発明で述べるコア部とは、少なくともメモリセルアレイを備えたものであり、スタンバイ状態にはメモリセルの保持動作がなされる部分を指す。
【0016】
本発明では同期クロックckに基づくラッチタイミング(T1〜T4)よってデータd,コマンドcがラッチされる。ラッチされたデータLdおよびコマンドLcは、次のラッチタイミングまではその値が保持される。
【0017】
ここで、ラッチタイミングT2でラッチされたコマンドLcが、レジスタ書込み時の活性化命令(例えばレジスタへの書き込みを指示する命令)であった場合を考える。
【0018】
まず、判定部5はラッチされたコマンドLcについて、時刻taから判定を開始する。
【0019】
判定部5によって、入力されたコマンドが活性化命令であることが検出されるとバッファ部に対してイネーブルEを出力する。(時刻tb)
イネーブルEが出力される時刻tbでは、既にデータ入力端子1aについては前のデータ期間が終了しているが、前述したように、ラッチ回路2aは次のラッチタイミングT3までは前の入力データを保持しているため、ラッチ回路2aの後段に設けられたバッファ回路3については、時刻tb以降(>T3)にアクティブ状態に制御されても時刻T2でラッチされたデータを取得でき、それをレジスタ4へ供給することができるのである。
【0020】
すなわち本発明は、バッファ部においてはコマンド判定後であっても、データが有効であることから、これをアクティブ/スタンバイ制御し、それによって、消費電力を低減するのである。
【0021】
なお、バッファ部のスタンバイ状態は、バッファ部へデータが入力されないように制御することで、入力に応じたバッファ部の出力駆動を行わせない(電力消費小)ことで実現することができる。また、その他にもバッファ部の内部論理を固定(ラッチ)することで、出力駆動を行わせないようにしたり、更には、バッファ回路への電力供給を停止することでも同様にスタンバイ状態を実現することができる。
【0022】
バッファ部としては、例えばフリップフロップ構成を有しており、入力バッファとしての機能を持つものが採用できる。
【0023】
レジスタには、コア部がアクティブ状態へ復帰した時の動作モードを記憶することができる。
【0024】
また、本発明は例えば同期型ダイナミックランダムアクセスメモリに使用することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
図3は本発明の実施の形態を示す図である。
【0026】
図において100はデータdが入力されるデータ入力端子、110はデータdをラッチするラッチ回路、121〜124はコマンドc1〜c4が入力されるコマンド入力端子、131〜134はコマンドc1〜c4をそれぞれラッチするラッチ回路である。なお、図示していないが入力端子100,121〜124と、ラッチ回路110,131〜134との間には、静電保護回路やレベルコンバータが設けられることもある。
【0027】
140はコマンドを判定するデコーダ、150はデコーダ140の出力または、コア部(図示せず)のアクティブ/スタンバイを示す信号にしたがってイネーブルE1を発生するOR回路である。
【0028】
160はインバータ、161はエンハンスメント型pチャネルトランジスタ、162はエンハンスメント型nチャネルトランジスタであり、イネーブルE1によってトランジスタ161および162の導通/非導通が制御される。
【0029】
163および164はインバータであり、相互に接続することで、バッファ165を構成している。このバッファ165は、コア部がアクティブであればコア部の、コア部がスタンバイ状態であればレジスタ193の入力バッファとして機能する。
【0030】
170〜172はデコーダ140の判定出力を遅延してイネーブルE2を生成するインバータである。
【0031】
180はインバータ、181はエンハンスメント型pチャネルトランジスタ、182はエンハンスメント型nチャネルトランジスタであり、イネーブルE2によってトランジスタ181および182の導通/非導通が制御される。
【0032】
190および191はインバータであり、相互に接続されてレジスタ192を構成する。なお、レジスタ192の出力は、レジスタ192に記憶された情報を参照する回路(例えば命令デコーダなど)へと接続される。
【0033】
図4はラッチ回路110,131〜134の具体構成であり、200および201はスイッチ、202,203および204,205はフリップフロップを構成するインバータである。図4に示すように本実施形態のラッチ回路は、スイッチ200,201がラッチタイミングT1〜T4に基づいて生成されるワンショットパルスPおよび/Pによって相補的にゲーティングされる。入力は、スイッチ200の導通,スイッチ201の非導通によってインバータ202,203で構成されたフリップフロップにサンプルされ、スイッチ200の非導通,スイッチ201の導通によってそれがホールドされる。なお、インバータ204,205で構成されたフリップフロップは、上記サンプル時に出力がフローティング状態になるのを防止するために用意されている。
【0034】
また、図5はデコーダ140の具体構成であり、210は4入力のAND回路、211はAND回路210の出力を受けて所定の出力期間の後にAND回路をリセットするタイマー回路である。
【0035】
本実施形態の場合、デコーダ140はラッチ出力Lc1,Lc3,Lc4が論理H、Lc2が論理Lである場合にそれをレジスタ書込みコマンドとして判定して論理Hのコマンド検知出力をなす。(このため、Lc2はAND回路210に対して反転入力される)また、タイマー回路211によって出力期間がカウントされた後は、デコーダ140の出力を論理Lにリセットするように構成されている。
【0036】
以下、図3においてコア部がスタンバイ状態である時の動作を図6に示すタイミングチャートに基づいて説明する。(なお、本実施形態では、データやコマンドの入力端子100,121〜124はこれらが専用に設けられているわけではなく、コア部がアクティブ状態である期間はアドレスやデータの入力端子として機能する)
図6においてckは同期クロック、T1〜T4はラッチタイミング、dは端子100に入力されるデータ信号、c1〜c4は端子121〜124に入力されるコマンド信号、Ldはラッチ回路110の出力、Lc1〜Lc4はラッチ回路131〜134の出力、E1はバッファイネーブル、E2はレジスタイネーブル、Bはバッファ165の出力をそれぞれ示している。
【0037】
図6において、ラッチタイミングT1より前の時点では、コマンド信号c1〜c4はコマンドとして検知されておらず(デコーダ140の出力:論理L)、一方、図示しないコア部がスタンバイ状態(論理L)であるため、OR回路150は論理L出力を行う。したがって、トランジスタ161,162は非導通となり、バッファ165の入力には信号変化が起きない。
【0038】
したがって、ラッチタイミングT1以前にデータ入力端子100に入力変化が起きても、バッファ165はそれに応じた出力変化を行わない。(バッファ165はスタンバイ状態)
一般に電子回路は、出力に信号変化が生じない場合、定常電流が消費されているだけであり、したがって、その間は消費電力は低減されている。
【0039】
特に、バッファ回路をCMOS回路で構成していれば、出力を駆動しない場合は実質的に電力消費は起きないので、低消費電力化に有利である。
【0040】
次に、ラッチタイミングT2でラッチされたコマンドc1〜c4がレジスタへの書き込みコマンドであった場合を説明する。
【0041】
まず、ラッチタイミングT2でデータdおよびコマンドc1〜c4がラッチされ、ラッチ回路100、131〜134は、ラッチ出力であるLdおよびLc1〜Lc4を出力する。(時刻Ta)
なお、ラッチ回路100、131〜134は図4で示したように次のラッチタイミングT3が入来するまで、その値を保持するように構成されている。
【0042】
デコーダ140ではラッチ出力Lc1〜Lc4の組合せ論理をデコードし、レジスタへの書き込みコマンドであることを検知すると、論理H出力を行う。また、OR回路150はデコーダ140のH出力を受けて、H出力のバッファイネーブルE1を出力する。(時刻tb)
この時点でラッチタイミングT2でラッチされた入力データdの有効期間は過ぎており、データ入力端子100の値は不定になっているが、ラッチ回路110は依然としてラッチタイミングT2でラッチされた値を保持している。
【0043】
したがって、バッファイネーブルE1によって、トランジスタ162およびトランジスタ161が導通すると、ラッチタイミングT2でラッチされた値がバッファ165へ転送される。(バッファ165のアクティブ状態)
バッファ165は、ラッチ出力Ldに基づいてバッファ出力Bを出力する。(時刻tc)
なお、バッファイネーブルE1はデコーダ140の出力期間を経過した後は論理Lになり、バッファ163は再びラッチ出力Ldから切り離され、スタンバイ状態へと戻るが、その出力Bは直前の状態で保持状態にある。
【0044】
一方、デコーダ140のコマンド判定出力は、遅延回路を構成するインバータ170〜172を介して時刻tdにレジスタイネーブルE2を出力する。
【0045】
レジスタイネーブルE2は、トランジスタ181,182を導通させて、レジスタ193に出力Bをサンプルさせ、デコーダ140の出力期間が経過の後(時刻te)にトランジスタ181,182を非導通にして、バッファ出力Bをホールドする。
【0046】
これによって、レジスタ193にはラッチタイミングT2で入力されたデータdが記憶されるのである。
【0047】
以上説明したように、本実施形態によれば、バッファについてはコア部と同様にアクティブ/スタンバイの制御を行ってもレジスタに正しい値がセットでき、したがってコア部のスタンバイ状態での消費電力を低減することができる。
【0048】
なお、本実施形態ではバッファ165はフリップフロップ型の入力バッファ回路を例示したが、その他、例えば論理処理を行う回路などであっても良い。ようするにバッファ部はラッチ部とレジスタとの間に介在していることが重要なのである。
【0049】
また、バッファ165のスタンバイ状態は、本実形形態のように入力変化がバッファに伝えられないようにして出力駆動による消費電力の増加を抑える方法のほか、バッファの論理状態をラッチ回路などで固定することで、バッファの入力が変化してもバッファ出力が変化しないようにしてもよいし、更には、バッファ自体を電源から切り離してもよい。そしてこれらスタンバイの手法は、バッファ部をCMOS回路で構成した場合に消費電力低減効果が高いことは、前述の通りである。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、同期式のメモリにおいてコア部がスタンバイ状態の期間に(レジスタに情報を格納するため)周辺部を常にアクティブ状態にする必要がなくなり、少なくともバッファにおいては消費電力を低減できることから、スタンバイ時のデバイス全体の消費電力を低減することができる。
【0051】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する図
【図2】本発明の原理動作を説明するタイミングチャート
【図3】本発明の実施形態を説明する図
【図4】本発明の実施形態におけるラッチ回路を説明する図
【図5】本発明の実施形態におけるデコーダを説明する図
【図6】本発明の実施形態の動作を説明するタイミングチャート
【図7】従来のメモリ装置の全体構成を説明する図
【図8】従来のメモリ装置の一部構成を説明する図
【図9】従来のメモリ装置の動作を説明するタイミングチャート
【符号の説明】
1a,1b入力端子
2a,2bラッチ部
3バッファ部
4レジスタ
5判定部
Claims (10)
- 制御信号に基づいて、アクティブ状態、スタンバイ状態の制御がなされるコア部と、
コマンド信号端子、データ信号端子となる複数の端子と、
前記複数の端子にそれぞれ入力されるコマンド信号及びデータ信号を前記アクティブ状態および前記スタンバイ状態の両方の期間で、同期クロックによって同時にラッチするラッチ部と、
ラッチされた前記データ信号を第1転送手段を介して受けるとともに受けた前記データ信号を前記コア部に供給するバッファ部と、
前記バッファ部を介した前記データ信号を第2転送手段を介して記憶するレジスタと、
前記コア部が前記スタンバイ状態である期間に、前記バッファ部をスタンバイ状態にする制御を行うとともに、ラッチされた前記コマンド信号を判定して、同スタンバイ状態の期間に前記バッファ部を前記スタンバイ状態から前記アクティブ状態へと復帰させ、前記レジスタへの前記データ信号の入力を可能とする判定部とを備え、
前記第1転送手段は、前記判定結果と前記制御信号とに基づいて生成される第1判定信号によって制御され、
前記第2転送手段は、前記判定結果に基づいて生成される第2判定信号によって制御されること
を特徴とするメモリ装置。 - 前記バッファ部のスタンバイ状態は、前記バッファ部へのデータ入力を禁止することでなすことを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。
- 前記バッファ部のスタンバイ状態は、前記バッファ部内部の論理状態を固定することでなすことを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。
- 前記バッファ部のスタンバイ状態は、前記バッファ部への電力供給を停止することでなすことを特徴とする請求項1記載のメモリ装置。
- 前記バッファ部は、フリップフロップであることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一に記載のメモリ装置。
- 前記レジスタには、前記メモリ装置の動作モードが記憶されることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一に記載のメモリ装置。
- 前記メモリ装置は、同期型ダイナミックランダムアクセスメモリであることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一に記載のメモリ装置。
- 前記第1判定信号は、前記判定結果と前記制御信号とを論理演算することで生成されることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか一に記載のメモリ装置。
- 前記第2判定信号は、前記判定結果を所定時間遅延させて生成されることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一に記載のメモリ装置。
- 前記判定部は、
前記コマンド信号を論理演算する論理回路と、
所定期間カウントした後に前記論理回路の出力をリセットするタイマと、
を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか一に記載のメモリ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35405798A JP4253383B2 (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | メモリ装置 |
KR1019990057019A KR100571734B1 (ko) | 1998-12-14 | 1999-12-13 | 메모리 장치 |
US09/459,650 US6137744A (en) | 1998-12-14 | 1999-12-13 | Memory device with reduced power consumption |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35405798A JP4253383B2 (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | メモリ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000182372A JP2000182372A (ja) | 2000-06-30 |
JP4253383B2 true JP4253383B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=18435013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35405798A Expired - Fee Related JP4253383B2 (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | メモリ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6137744A (ja) |
JP (1) | JP4253383B2 (ja) |
KR (1) | KR100571734B1 (ja) |
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-
1998
- 1998-12-14 JP JP35405798A patent/JP4253383B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-12-13 US US09/459,650 patent/US6137744A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100571734B1 (ko) | 2006-04-18 |
JP2000182372A (ja) | 2000-06-30 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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