JP4244327B2 - 表面グラフト材料およびそれを用いたグラフトパターン形成方法 - Google Patents
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Description
前記利点を有する表面グラフトポリマーは、これらの特異的な性質を利用して、細胞培養、抗血栓性人工血管、人工関節などの生体分野や、表面に高い親水性を必要とする親水性フィルムおよび印刷版の親水性支持体などへの応用技術が種々提案されている。
例えば、イニファーターと呼ばれる表面に固定化した重合開始基をもちいて親水性グラフトパターンを形成し、それを細胞区画培養材料として用いたり(例えば、非特許文献1参照。)、グラフトパターンに染料を吸着させ、可視画像のパターンができることが報告されている(例えば、非特許文献2参照。)。
また、表面に固定化したイニファーター重合開始剤を用いてパターン状に親水性、疎水性モノマーの重合させグラフトポリマーパターンを得て、色素構造を有するモノマーをグラフトさせることにより色素ポリマーのパターン形成する技術(例えば、非特許文献3参照。)や、マイクロコンタクト印刷法を用いて開始剤を金基板の上に画像様に付着させ、その開始剤から原子移動重合(ATRP重合)を起こさせHEMA(ヒドロキシエチルメタクリレート)やMMA(メチルメタクリレート)のグラフトポリマーをパターン状に形成し、それをレジストとして応用する技術(例えば、非特許文献4参照。)などが報告されている。
また、グラフト生成に使用するモノマーは一般的に溶液状態であり、人体に有害なものも多く、パターン形成は排気設備の整った環境において行う必要があった。
即ち、本発明の表面グラフト材料は、基材表面に共有結合により片末端で直接結合してなる表面グラフトポリマー鎖を有する基材であって、該表面グラフトポリマー鎖が、前記基材との結合能を有する基材結合基と、後述する特定の光開裂しうる部位と、重合開始基とがこの順に結合した化合物に由来する基を介して、基材表面と共有結合してなることを特徴とする。
また、本発明の請求項2に係るグラフトパターン形成方法は、基材表面に共有結合により片末端で直接結合してなる表面グラフトポリマー鎖を有する基材であって、該表面グラフトポリマー鎖が、前記基材との結合能を有する基材結合基と、後述する特定の光開裂部位と、重合開始基とがこの順に結合した化合物に由来する基を介して、基材表面と共有結合してなる表面グラフト材料を露光し、露光領域において、光開裂しうる部位を開裂させ、表面グラフトポリマー鎖を除去することで、表面グラフトポリマー鎖の存在領域/不存在領域を形成する、ことを特徴とする。
また、従来のモノマーを接触させて露光することでグラフトパターンを形成する方法では、パターン露光の都度モノマーの塗布が必要であり工程が煩雑であったが、本発明の表面グラフト材料を用いることで、格別の設備を必要とせず、パターン露光するだけで容易に高解像度のグラフトパターンを形成しうるため、生産性が格段に向上するという利点をも有するものである。
本発明の表面グラフト材料は、基材表面に共有結合により片末端で直接結合してなる表面グラフトポリマー鎖を有する基材であって、該表面グラフトポリマー鎖が、光開裂しうる部位を介して基材表面と共有結合してなることを特徴とする。
このような表面グラフト材料は、基材表面にモノマーを接触させた状態で、加熱するか、又は、触媒を用いて重合反応を生起させ、全面グラフトポリマーを基材表面に生成させることで製造される。このとき、基材表面と結合しないホモポリマーも副成されるが、基材表面に結合するグラフト鎖を1とすると、その100倍程度のホモポリマーが生成されるものと考えられる。表面グラフト生成後にホモポリマーを除去し、精製することで表面グラフト材料を得ることができる。
(1)基材表面を改質する方法
この方法は、まず、基材表面を改質し、末端に開始能を有する特定の連結部位を導入した後、その開始能を有する部分を起点としてグラフトを生成する方法である。
図1は、基材表面を改質する方法の概念図を表す。
基材表面には当初より官能基(図中、Zで表される)が存在する。ここに、両末端に基材との結合能を有する基材結合基(Q)と、重合開始基(Y)とを有し、該両末端の間に光開裂部位(X)を有する化合物(Q−X−Y)を、基材結合基(Q)と基材表面の官能基(Z)とを結合させることで導入する。その後、この表面にモノマーなど公知のグラフトポリマー原料を接触させ、導入された化合物(Q−X−Y)の重合開始基(Y)を起点としてグラフトポリマー鎖を生成させ、表面グラフト材料を得る。
末端に基材との結合能を有する特定の連結部位を導入したポリマーを予め作製し、該ポリマーの結合能を用いてグラフトポリマーを基材表面に結合させる方法。
図2は、特定の連結部位を有するポリマーを使用する方法の概念図を表す。
基材表面には当初より官能基(図中、Zで表される)が存在する。なお、予め、両末端に基材との結合能を有する基材結合基(Q)と、重合開始基(Y)とを有し、該両末端の間に光開裂部位(X)を有する化合物(Q−X−Y)の重合開始基(Y)を起点としてグラフトポリマー鎖を生成させたポリマーを作製する。その後、得られた連結部位を有するポリマーを、その基材結合基(Q)と基材表面に存在する官能基(Z)とを結合させることで連結し、表面グラフト材料を得る。
図1及び図2においてZで表示される基は、基材表面に存在する官能基であり、具体的には、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などが挙げられる。これらの官能基はシリコン基板、ガラス基板における基材の材質に起因して基材表面にもともと存在しているものでもよく、基材表面にコロナ処理などの表面処理を施すことにより表面に存在させたものであってもよい。
次に、光切断部位を有する化合物の構造について具体的に説明する。
両末端に基材との結合能を有する基材結合基(Q)と、重合開始基(Y)とを有し、該両末端の間に光開裂部位(X)を有する化合物(Q−X−Y)のモデルを用いて詳細に説明すれば、一般にXは、光により開裂しうる一重結合(単結合)を含む部位である。
Qは基材表面に存在する官能基Zと反応して結合しうる反応性基であり、具体的には、以下に示すような基が挙げられる。
またXの別の例として、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、N−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、αケトスルホネート開裂反応、ケトスルホン開裂反応、などの結合開裂反応を組み込むことにより開裂が可能な部位が挙げられ、この開裂を利用したものとして、下記光開裂部位例5、7、8、10が挙げられ、構造中の波線で表示された部分の単結合が開裂する。
なお、このような化合物は、種々の方法により合成することができる。その一部を示すと、光開裂部位と重合開始部位とを連結させ、最後に基板結合基を連結させる方法、基板結合基と重合開始部位とを連結すると同時に結合部位に光開裂基を導入する方法、基板結合部位と光開裂部位とを結合した後、重合開始部位を結合する方法などがある。
例示された如き化合物(Q−X−Y)を基材表面に存在する官能基Zに結合させて表面に導入するにあたっては、化合物(Q−X−Y)をトルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散させ、基材表面に接触させる化学吸着法と呼ばれる方法、もしくは、化合物(Q−X−Y)を加熱し、気化させることで基材表面と反応させる気相法と呼ばれる方法などを適用すればよい。なお、気相法を適用するときの加熱温度は50〜300℃の範囲が好ましい。また、化学吸着法を適用するとき、溶媒中の化合物(Q−X−Y)の濃度は、0.01〜10質量%であることが好ましく、接触させる場合の液温は0〜100℃、接触時間は、1分間〜50時間であることが好ましい。
本発明においてグラフトポリマー生成に用いられる重合性基を有する親水性モノマー(以下、重合性基含有親水性モノマーと称する。)とは、分子内に、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリル基などのエチレン付加重合性不飽和基が導入され、かつ、親水性官能基を有するモノマーを指す。
親水性官能基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルフィン酸基、ホスホン酸基、アミノ基およびその塩、アミド基、水酸基、エーテル基、ポリオキシエチレン基などを挙げることができる。
上述の重合性基を有する化合物を溶解、分散するための溶媒としては、該重合性基を有する化合物や必要に応じて添加される添加剤が溶解可能ならば特に制限はないが、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加したものなどが好ましい。
水溶性溶剤は、水と任意の割合で混和しうる溶剤を言い、そのような水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリンの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトンの如きケトン系溶剤、ホルムアミドの如きアミド系溶剤、などが挙げられる。
本発明においては、重合開始基Yを含む特定化合物(Q−X−Y)を固定化した基材に重合可能な官能基を有する化合物を接触させる方法として、前記した親水性モノマーなどを溶解、分散してなる溶液中に、基板を浸漬する方法が一般的に用いられる。このように両者を接触した状態でエネルギーを付与することで、重合開始基Yと重合可能な官能基を有する化合物との間で重合反応が生起、進行する。
このようなグラフトポリマー鎖に、親水性、他の物質に対する吸着性などの機能を付与する場合には、グラフト鎖を生成させるために用いるモノマーに、所望の官能基を有するものを用いればよい。
以下に、前記化合物(Q−X−Y)を出発物質として作製された特定ポリマーの具体例を示す。
化合物(Q−X−Y)に連結したポリマーを、基材表面に導入する方法としては、前記化合物(Q−X−Y)を導入するのと同じ、化学吸着法や気相法が挙げられ、なかでも、製造適性の観点から、化学吸着による方法をとることが好ましい。
上述のようにして(2)の方法により形成されるグラフト層の厚さは、0.1mg/m2〜10g/m2の範囲であることが好ましく、1mg/m2〜5g/m2の範囲であることがより好ましい。
本発明の表面グラフト材料に用いうる基材には特に制限はなく、表面に水酸基、カルボキシル基、アミノ基など、グラフトポリマー鎖の生成の起点となる官能基を有するもの、或いは、プラズマ処理などの表面処理により、これらの官能基を表面に導入、或いは、生成しうるものであれば適宜目的に応じて選択することができる。
一般的には、シリコン基板、ガラス基板、アルミニウム板、プラスチックフィルム等のような平板状の基材が用いられるが、必ずしも平板状基板に限定されず、円筒形などの任意の形状の基材表面にも同様にグラフトポリマー鎖を導入することができる。
基材としては、シリコンウェハ、ガラス板、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが挙げられ、なかでも、ガラス板、シリコン基板などが好ましい。
基材の厚みは、特に制限されるものではなく、表面グラフト材料の使用目的に応じて、例えば、1μmから数cmの範囲から任意に選択することができる。
精製後の表面グラフト材料は、その表面に残存するホモポリマーが完全の除去され、基材と強固に結合したグラフトポリマー鎖のみが存在することになる。
好ましい露光光源としては、紫外光、深紫外光などが挙げられる。
また、本発明のグラフト表面材料を用いれば、高解像度のパターン形成が可能であり、高精細画像記録用のパターン露光を施すことにより、露光に応じた高精細パターンが形成される。高精細パターン形成のための露光方法としては、光学系を用いた光ビーム走査露光、マスクを用いた露光などが挙げられ、所望のパターンの解像度に応じた露光方法をとればよい。
高精細パターン露光としては、具体的には、i線ステッパー、KrFステッパー、ArFステッパーなどのステッパー露光などが挙げられる。
(合成例1:光開裂型シランカップリング化合物1の合成)
前記例示化合物1の合成は、以下の4つのステップにより行われる。それぞれのステップのスキームを挙げて説明する。
1.ATRP開始剤「l」の合成(エーテル化(Williamson反応)によるオレフィンの導入)
窒素置換した1000ml三口フラスコ中に4−ヒドロキシ−4’−(ヒドロキシエトキシ)−2−メチルプロピオフェノン22.4g(0.1mol)とテトラヒドロフラン(THF)300gを入れて氷バスで冷却し、撹拌した。そこにNaH(60〜72% in oil)9.7g(0.24mol)を徐々に加え、全て加え終わったら氷バスを外して2時間撹拌した。再び氷バスで反応溶液を冷却し、THF25gとジメチルアセトアミド(DMAc)25gに溶かしたアリルブロミド13.3g(0.11mol)の半分量をゆっくり滴下した。残り半分は30分後に滴下した。滴下後30分撹拌して氷バスを外し、DMAc300gを100gづつ3回(氷バスを外してから1.5時間後、2.5時間後、4時間後)に分けて加えた。DMAcを全量加えてから3時間後に撹拌を止め、終夜静置した。少量のメタノールを反応溶液に加えて未反応のNaHを潰した。その反応溶液を水1500mlに徐々に投入した。溶液中の有機相を酢酸エチルで抽出し、塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。溶媒を留去して、生成物1aを含む黄色オイル27gを得た。
合成スキームを以下に示す。
δ=1.64 (s、6H、−CH3 k−CH3 l)、 3.8(t、J=4.5−5.1、2H、−CH2 e)、 4.1(d、J=5.7、2H、−CH2 d)、 4.2(t、J=4.2−5.4、2H、−CH2 f)、 4.3(s、2H、−OHm)、 5.2(dd、JHbHc=10.2−10.7、J HaHb=0.9−1.2、1H、Hb.)、 5.3(dd、JHaHc=17−22、JHaHb=0.9−1.2、1H、Ha.)、 5.9(ddd、JHaHc=22−17、JHbHc=10.2−10.7、JHcHd=5.4−5.7、1H、Hc)、 7.0(dd、JHhHi=7、JHgHj=7、JHgHh=2、JHiHj=2、2H、Hg Hi)、 8.1(dd、JHhHi=7、JHgHj=7、JHgHh=2、JHiHj=2、2H、Hh Hj)
まず、200mlのナスフラスコに8−ブロモ−1−オクタノール14.4g(0.069mol)とTHF10gを入れ、撹拌しながら3、4−ジヒドロ−2H−ピラン7.3g(0.087mol)を滴下した。30分撹拌を続けて溶液Aを得た。
次に、300ml三口フラスコに1aを含む黄色オイル14.5g(0.055 mol)とDMAc100gを入れて氷バスで冷却しながら撹拌した。NaH(60〜72% in oil)3.3g(0.083mol)を徐々に加えて30分間撹拌した。先に作っておいた溶液Aを滴下し、氷バスをウォーターバスに替え50℃で1.5時間加熱した。少量のメタノールを反応溶液に加えた後、氷水300mlに徐々に投入した。有機相を酢酸エチルで抽出し、塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。溶媒を留去して黄色オイルを得た。この黄色オイルをメタノール200mlに溶かし、少量のp−トルエンスルホン酸を加えて70℃で1時間加熱した。この溶液に水を加え、有機相を酢酸エチルで抽出した。溶媒を留去して生成物1bを含む褐色オイル35.1gを得た。
合成スキームを以下に示す。
塩化カルシウム管を設置した1000ml三口フラスコに1bを含む褐色オイル25.52g(0.065mol)、THF200gとピリジン6.17g(0.078mol)を入れて撹拌した。その溶液を氷バスで冷却しブロモイソ酪酸ブロミド14.94g(0.065mol)を徐々に加えて15分間撹拌した後、室温に戻して1.5時間撹拌した。反応溶液を水300mlに投入した。有機相を酢酸エチルで抽出し、塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。溶媒を留去して、生成物AM2543cを含む褐色オイル43.9gを得た。カラム(充填剤:ワコーゲルC−200、展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/5)で1cを単離した。
合成スキームを以下に示す。
δ=1.2−1.4(mb、8H)、 1.5(s、6H)、 1.7(t、J=6.9−7.5、4H)、 1.9(s、6H)、 3.2(t、J=6.0−6.9、2H)、 3.8(t、J=4.8、2H)、4.1−4.2(m、6H)、 5.2 (dd、 J=1.8、J=10.2−11.4、1H.)、 5.3(dd、J=1.8、J=17.1−22.5、1H.)、5.9−6.0(ddd、J=5.4−5.7、J=10.2−11.4、J=17.1−22.5、2H)、 6.9(d、J=9.0、2H)、 8.3(d、J=9.0、2H)
塩化カルシウム管を設置した50ml三口フラスコに1cを4.5g(8.31×10-3mol)入れ、Speir catalyst (H2PtCl4・6H2O/2−PrOH 0.1M)を1滴加えて撹拌した。反応溶液を氷バスで冷却し、トリクロロシラン(98%)を2.4g(17.46×10-3mol)滴下した。滴下後室温に戻して1時間後に反応が終了した。減圧下で100度に加熱して過剰のトリクロロシランを除去し、目的物1を得た。
合成スキームを以下に示す。
δ=1.2−1.4(mb、20H)、 1.5(s、6H)、 1.9(s、6H)、 3.2(t、J=6.9、2H)、 3.6(t、J=6.9、2H)、 4.2(m、4H)、 6.9(d、J=9.3、2H)、 8.3(d、J=9.3、2H:)
(グラフト基板A−1(アクリル酸グラフト)の合成)
ピランハ溶液(硫酸/過酸化水素(30wt%)の1/1vol混合液)をもちいて洗浄したシリコン基板をアルゴン下、開始剤基を有するシランカップリング剤(前記合成例1で得られた例示化合物1)の1質量%脱水トルエン溶液に終夜浸漬することにより、シリコン基板上に開始剤を固定化した。次に、この開始剤を固定化した基板を、セパラブルフラスコに入れ、Ar気流下、塩化銅(I)、2、2’−ビピリジルを触媒としてアクリル酸Naの水溶液に浸漬、攪拌後、一晩放置することによりグラフト基板A−1を得た。膜厚をエリプソメトリーで測定したところ100nmであった。
グラフト化したシリコン基板A−1を石英板に形成されたマスクパターン(NC−1、凸版印刷社製)に密着させ、UV露光機(ウシオ電機社製、UVL−4001−N、高圧水銀灯)を用いて20分間照射した。そののち、純水で洗浄した。
前記グラフトパターンA−1を、原子間顕微鏡AFM(ナノピクス1000、セイコーインスツルメンツ社製、DFMカンチレバー使用)で観察した。その結果パターンA−1では線幅5μmのパターンが形成されていることが確認された。
(グラフト基板A−2(メチルメタクリレート)の合成)
上記実施例1におけるグラフト基板A−1と同様の方法にてシリコン基板上に開始剤を固定化した。次に、この開始剤を固定化した基板を、セパラブルフラスコに入れ、Ar気流下、臭化銅(I)(0.01M)を4、4’−ジ−n−ヘプチル−2、2’−ビピリジン(0.02M)を含むジフェニルエーテルに、p−トルエンスルホニルクロリド(0.0024M)およびMMA(メチルメタクリレート、4.7M)を加え、基板を浸漬し、90℃で10時間反応させた。その後、基板を取り出し、クロロホルムで十分洗浄した。膜厚をエリプソメトリーで測定したところ80nmであった。
グラフト化したシリコン基板A−2を石英板に形成されたマスクパターン(NC−1、凸版印刷社製)に密着させ、UV露光機(ウシオ電機社製、UVL−4001−N、高圧水銀灯)を用いて20分間照射した。そののち、アセトンで洗浄した。
得られたグラフトパターンA−2を、実施例1におけるのと同様にしてAFMで観察した。その結果パターンA−2では線幅8μmのパターンが形成されていることが確認された。
また、このパターンA−2を、0.1wt%メチレンブルー水溶液に5分間浸漬し、純水で洗浄した。その後、光学顕微鏡で確認したところ線幅8μmの着色パターンが形成されていることが確認できた。
上記各実施例から、本発明の表面グラフト材料を用いることにより、10μm以下の微細なグラフトポリマーパターンが容易に形成されうることがわかる。
Claims (3)
- 前記表面グラフトポリマー鎖は、前記重合開始基を起点としてモノマーが重合されて形成されたものである請求項2に記載のグラフトパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004081482A JP4244327B2 (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 表面グラフト材料およびそれを用いたグラフトパターン形成方法 |
US11/084,046 US7291427B2 (en) | 2004-03-19 | 2005-03-21 | Surface graft material, conductive pattern material, and production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004081482A JP4244327B2 (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 表面グラフト材料およびそれを用いたグラフトパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005264078A JP2005264078A (ja) | 2005-09-29 |
JP4244327B2 true JP4244327B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=35088949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004081482A Expired - Fee Related JP4244327B2 (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 表面グラフト材料およびそれを用いたグラフトパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4244327B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4502855B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-07-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US20090136719A1 (en) * | 2005-03-31 | 2009-05-28 | Fujifilm Corporation | Surface graft material and its manufacturing method, electrically conductive material and its manufacturing method, and electrically conductive pattern material |
JP4795100B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2011-10-19 | 富士フイルム株式会社 | 金属膜形成方法、金属膜形成用基板、金属膜、金属パターン形成方法、金属パターン形成用基板、金属パターン、及びポリマー層形成用組成物 |
JP4708284B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2011-06-22 | 三井化学株式会社 | 表面親水化ポリオレフィン系成形体 |
JP5111016B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-12-26 | 三井化学株式会社 | 表面親水性ポリオレフィン成形体およびその製造方法 |
JP4895226B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2012-03-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 重合開始剤、それを用いた高分子修飾材料の製造方法、および高分子修飾材料を含む成型体 |
JP5672892B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2015-02-18 | 学校法人東京理科大学 | リガンド固定化用共重合体及び該共重合体によるリガンドの固定化方法 |
JP5721228B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-05-20 | 学校法人神奈川大学 | 光分解性ヘテロ二価性架橋剤 |
-
2004
- 2004-03-19 JP JP2004081482A patent/JP4244327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005264078A (ja) | 2005-09-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060515 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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