JP4220951B2 - 新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス - Google Patents
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R−Z1−CH=CH−Z2−R (5)
(式中、Z1およびZ2はそれぞれ独立に、下記式、
で表される二価の置換基であって、Y4〜Y10はそれぞれ同一かまたは異なり、硫黄原子、酸素原子または窒化物NRa(Raは水素原子、塩素原子、炭素数1〜8のアルキル基または置換されてもよいアリール基である)で示される有機分子配向薄膜用材料に関する提案がなされている。
(式中、Xは酸素原子、アミン、又は硫黄原子である)で示される有機半導体化合物に関する提案がなされている。
Ar2−Ar1−Ar3 (1)
式中、Ar1は下記構造式、
で表され、ここで、Y1、Y2、はそれぞれ硫黄原子またはセレン原子、nは1〜3の整数であり、Ar2、Ar3はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキルオキシ基、炭素数1〜18のアルキルチオ基およびアリール基からなる群から選択される少なくとも1種の置換基を有していてもよい下記構造式、
で表わされる)で表されることを特徴とするものである。
X1−Ar1−X2 (2)
(式中、Ar1は前記のものと同じものであり、X1、X2はそれぞれ独立にハロゲン原子である)で表わされるハロゲン誘導体と、次の一般式(3)および/または(4)、
Ar2−M1 (3)
Ar3−M2 (4)
(式中、Ar2、Ar3は前記のものと同じものであり、M1、M2はそれぞれ独立に金属原子を含有する)で表される有機金属化合物とを縮合させる工程を含み、該工程においてパラジウム化合物および塩基を共存させることを特徴とする有機半導体化合物の製造方法である。
Ar2−Ar1−Ar3 (1)
(式中、Ar1は下記構造式、
で表され、ここで、Y1、Y2、Y3はそれぞれ独立にカルコゲン原子、nは1〜3の整数であり、Ar2、Ar3はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキルオキシ基、炭素数1〜18のアルキルチオ基およびアリール基からなる群から選択される少なくとも1種の置換基を有していてもよいアリール基である)で表されるものである。
つまり、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、テルフェニル、アントラセン、ピレン等を好適に挙げることができる。
次の一般式(2)、
X1−Ar1−X2 (2)
(式中、Ar1は前記のものと同じものであり、X1、X2はそれぞれ独立にハロゲン原子である)で表わされるハロゲン誘導体と、次の一般式(3)および/または(4)、
Ar2−M1 (3)
Ar3−M2 (4)
(式中、Ar2、Ar3は前記のものと同じものであり、M1、M2はそれぞれ独立に金属原子を含有する)で表される有機金属化合物とを縮合させる工程を含み、該工程においてパラジウム化合物および塩基を共存させることを特徴とするものである。
X1−Ar1−X2(1当量)と、Ar2−B(OH)2またはAr2−B(OR1)2(2当量)と、K3PO4(8当量)と、PdCl2(触媒量)とをDMF(N,N−ジメチルホルムアミド)等の溶媒に溶解させ、撹拌し反応を行う。反応時間および反応温度は使用する原料の反応性に応じて適宜決定する。反応終了後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液により沈殿させ、目的の化合物を得ることができる。なお、得られた結晶の精製方法は特に制限されるものではなく、既知の方法にて行うことができるが、ソックスレー抽出、カラムクロマトグラフィー、昇華精製および再結晶を適宜、組み合わせて行うことが好ましい。
合成例1
2,5-ジフェニルチエノ[3,2-b]チオフェン(8)の合成
乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモチエノ[3,2-b]チオフェン(298mg,1mmol)、フェニルボロン酸(244mg,2mmol)、K3PO4(1.7g)およびPdCl2(dppf)(40mg)をDMF 7mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。次いで、得られた反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液50mlに開け固体を濾取した。最後に、塩化メチレン50mlでソックスレー抽出し、塩化メチレンとシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで極性成分を取り除き黄色固体を得た(240mg,80%)。
Mp>300℃; 1H NMR(CDCl3)δ7.31(t,J=7.3Hz,2H),7.41(m,4H),7.48(s,2H),7.58(d,J=7.6Hz,4H); MS:m/z=290; 元素分析:計算値(C18H12S2)C,73.93%;H,4.14%,実測値C,73.98%;H,4.05%.
2,5-ジ(2-ナフチル)チエノ[3,2-b]チオフェン(9)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモチエノ[3,2-b]チオフェン(179mg,0.6mmol)、2-ナフチルボロン酸(207mg,1.2mmol)、K3PO4(1.02g)およびPdCl2(dppf)(22mg)をDMF 7mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を、同じく合成例1と同様に処理し、黄色固体を得た(231mg,60%)。
Mp>300℃; MS:m/z=390; 元素分析:計算値(C26H16S2)C,79.55;H,4.11%,実測値C,79.48;H,4.12%.
2,5-ビス(4−ビフェニルイル)チエノ[3,2-b] チオフェン(10)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモチエノ[3,2-b]チオフェン(179mg,0.6mmol)、4-ビフェニルボロン酸ピナコールエステル(336mg,1.2mmol)、K3PO4(1.02g,4.8mmol)およびPdCl2(dppf)(22mg)をDMF 7mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を同じく合成例1と同様に処理し、黄色固体を得た (178mg,68%)。
Mp>300℃; MS:m/z=442; 元素分析:計算値(C30H20S2)C,81.04;H,4.53%,実測値C,81.45;H,4.66%.
2,5-ビス(4-ヘキシルフェニル)チエノ[3,2-b]チオフェン(11)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモチエノ[3,2-b]チオフェン(238mg,0.8mmol)、p-ヘキシルフェニルボロン酸ピナコールエステル(461mg,1.6mmol)、K3PO4(1.36g,6.4mmol)およびPdCl2(dppf)(32mg)をDMF 15mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を同じく合成例1と同様に処理し、黄色固体を得た(370mg,80%)。
Mp =287-289℃; 1H NMRδ0.89(m,6H,-CH2CH2CH2CH 3),1.32(m,12H,-CH2CH2CH 2CH 2CH 2CH3),1.61(m,4H,-CH2CH 2CH2CH2CH2CH3),2.62(t,J=7.8Hz,4H,CH 2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH3),7.21(d,J=8.3Hz,4H,p位),7.42(s,2H,β位),7.54(d,J=8.0Hz,4H,o位); MS:m/z=458; 元素分析:計算値(C30H36S2)C,78.21;H,7.88%,実測値C,77.99;H,7.85%.
2,5-ジフェニルセレノフェノ[3,2-b]セレノフェン(12)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモセレノフェノ[3,2-b]セレノフェン(314mg,0.8mmol)、フェニルボロン酸(195mg,1.6mmol)、K3PO4(1.36g,6.4mmol)およびPdCl2(dppf)(30mg)をDMF 12mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液50mlに開け固体を濾取した。昇華精製することで黄色固体を得た(135mg,43%)。
2,5-ビス(4−ビフェニルイル)セレノフェノ[3,2-b] セレノフェン(13)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,5-ジブロモセレノフェノ[3,2-b]セレノフェン(314mg,0.8mmol)、4-ビフェニルボロン酸ピナコールエステル(448mg,1.6mmol)、K3PO4(1.36g,6.4mmol)およびPdCl2(dppf)(30mg)をDMF 15mlに溶解し、120 ℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を得られた反応溶液を、合成例5と同様に処理し、黄色固体を得た(185mg,43%)。
Mp>300℃; MS:m/z=534; 元素分析:計算値(C30H20Se2)C,66.92;H,3.74%,実測値C,66.83;H,3.72%.
2,6-ジフェニルジチエノ[3,2-b:2',3'-d]チオフェン(14)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,6-ジブロモジチエノ[3,2-b:2',3'-d]チオフェン(211.2mg,0.6mmol)、フェニルボロン酸(146mg,1.2mmol)、K3PO4(1.02 g,4.8mmol)およびPdCl2(dppf)(22mg)をDMF 10mlに溶解し、120℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を合成例5と同様に処理し、黄色固体を得た(90mg,43%)。
Mp=184-185℃; 1H NMRδ7.32(m,2H),7.41(m,4H),7.52(s,2H),7.67(m,J=8.0Hz,4H); MS:m/z=348; 元素分析:計算値(C20H12S3)C,68.93;H,3.47%,実測値C,68.92;H,3.58%.
2,6-ビス(4−ビフェニルイル)ジチエノ[3,2-b:2',3'-d]チオフェン(15)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,6-ジブロモジチエノ[3,2-b:2',3'-d]チオフェン(211mg,0.6mmol)、4-ビフェニルボロン酸ピナコールエステル(336mg,1.2mmol)、K3PO4(1.02g,4.8mmol)およびPdCl2(dppf)(22mg)をDMF 10mlに溶解し、120℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を合成例5と同様に処理し、黄色固体を得た(180mg,60%)。
Mp>300℃; MS:m/z=500; 元素分析:計算値(C32H20S3)C,76.76;H,4.03%,実測値C,76.53;H,3.97%.
2,6-ジフェニルナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]ジチオフェン(16)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,6-ジブロモナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]ジチオフェン(350mg,1mmol)、フェニルボロン酸(120mg,1.0mmol)、K3PO4(612mg)およびPdCl2(dppf)(20mg)をDMF 20mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ、生成した固体を濾取、乾燥した。次いで、塩化メチレンでソックスレー抽出し、シリカゲルのカラムクロマトグラフィーにより、抽出液から極性成分を取り除き、クロロホルムから再結晶することで、赤色板状 結晶を得た(78%,100mg)。
mp=264-265℃; 1H NMRδ7.38(t,J=7.5Hz,2H),7.53(t,J=7.5Hz,4H),7.77(d,J=9.0Hz,2H),7.84(d,J=9.0Hz,2H),7.86(d,J=7.5Hz,4H); MS:m/z=366(M+); 元素分析:計算値(C24H14S2)C,78.65%;H,3.85%,実測値C,78.53%;H,3.87%
2,6-ジ(2-ナフチル)ナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]ジチオフェン(17)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,6-ジブロモナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]ジチオフェン(130mg,0.35mmol)、2-ナフチルボロン酸(150mg,0.87mmol)、K3PO4(612g)およびPdCl2(dppf)(20mg)をDMF 20mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を実施例9と同様に処理し、赤色板状結晶を得た(109mg,67%)。
Mp>300℃; 1H NMRδ7.42-7.53(m,4H),7.79(d,J=9.1Hz,2H),7.92(d,J=9.1Hz,2H),7.80-8.00(m,8H),8.24(d,J=1.0Hz,2H); MS:m/z=466(M+); 元素分析:計算値(C32H18S2)C,82.37;H,3.89%,実測値C,82.28;H,3.80%.
2,6-ビス(4−ビフェニルイル)ナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]ジチオフェン(18)の合成
合成例1と同様に、乾燥窒素雰囲気下、2,6-ジブロモナフト[1,8-bc:5,4-b’c’]
ジチオフェン(130mg,0.35mmol)、4-ビフェニルボロン酸ピナコールエステル(212mg,0.76mmol)、K3PO4(612mg)およびPdCl2(dppf)(15mg)をDMF 20mlに溶解し、80℃で15時間攪拌した。得られた反応溶液を実施例9と同様に処理し、赤色板状結晶を得た(97mg,53%)。
Mp>300℃; MS:m/z=518(M+); 元素分析:計算値(C36H22S2)C,83.36;H,4.26%,実測値C,83.66;H,4.36%.
2 ドレイン
3 ゲート電極用接点
4 シリコン基板(ゲート電極)
5 誘電層
6 有機半導体材料(有機半導体層)
Claims (10)
- 前記一般式(1)中、Y 1 、Y 2 が硫黄原子である請求項1記載の有機半導体化合物。
- 請求項1または2記載の有機半導体化合物を製造するにあたり、
次の一般式(2)、
X1−Ar1−X2 (2)
(式中、Ar1は前記のものと同じものであり、X1、X2はそれぞれ独立にハロゲン原子である)で表わされるハロゲン誘導体と、次の一般式(3)および/または(4)、
Ar2−M1 (3)
Ar3−M2 (4)
(式中、Ar2、Ar3は前記のものと同じものであり、M1、M2はそれぞれ独立に金属原子を含有する)で表される有機金属化合物とを縮合させる工程を含み、該工程においてパラジウム化合物および塩基を共存させることを特徴とする有機半導体化合物の製造方法。 - 前記金属原子がホウ素原子、スズ原子、亜鉛原子および銅原子からなる群から選択される請求項3記載の有機半導体化合物の製造方法。
- 前記M1および/またはM2が−B(OH)2または−B(OR1)2(式中、R1は炭化水素である)である請求項3または4記載の有機半導体化合物の製造方法。
- 請求項1または2記載の有機半導体化合物を有機半導体材料として用いることを特徴とする有機半導体デバイス。
- 有機半導体層を有する薄膜トランジスタである請求項6記載の有機半導体デバイス。
- 有機キャリア輸送層および/または発光層を有する発光デバイスである請求項6記載の有機半導体デバイス。
- 0.1cm2/Vs以上の電界効果移動度を有する請求項6〜8のうちいずれか一項記載の有機半導体デバイス。
- 105以上のオン/オフ電流比を有する請求項6〜9のうちいずれか一項記載の有機半導体デバイス。
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Cited By (2)
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KR101235369B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2013-02-20 | (주)씨에스엘쏠라 | 유기발광화합물 및 이를 구비한 유기발광소자 |
KR101323867B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2013-10-31 | (주)씨에스엘쏠라 | 신규한 염료 감응 태양 전지용 염료 및 이로부터 제조된 염료 감응 태양 전지 |
Families Citing this family (19)
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---|---|---|---|---|
JP2010513611A (ja) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 縮合したセレノフェンを含むポリマー |
US8148548B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-04-03 | Konarka Technologies, Inc. | Heterocyclic fused selenophene monomers |
US7982055B2 (en) * | 2007-07-13 | 2011-07-19 | Konarka Technologies, Inc. | Heterocyclic fused selenophene monomers |
JP5284677B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-09-11 | 山本化成株式会社 | 有機トランジスタ |
JP5420191B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-02-19 | 山本化成株式会社 | 有機トランジスタ |
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US7919634B2 (en) * | 2009-05-28 | 2011-04-05 | Corning Incorporated | Fused thiophenes, articles, and methods thereof |
US9056871B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-06-16 | Teijin Limited | Adduct compound, methods for purification and preparation of fused polycyclic aromatic compound, solution for formation of organic semiconductor film, and novel alpha-diketone compound |
CN101955491B (zh) * | 2009-12-22 | 2014-11-12 | 长春富乐玻显示技术有限公司 | 用于非平面金属酞菁弱外延生长薄膜的诱导层材料 |
US8710094B2 (en) * | 2010-01-30 | 2014-04-29 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Quinoid thiophene organic photoelectric material, preparation method thereof and application thereof |
JP5765559B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2015-08-19 | 株式会社リコー | 置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置 |
JP5721491B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-05-20 | キヤノン株式会社 | 新規有機化合物およびそれを有するエレクトロクロミック素子 |
CN102560632B (zh) * | 2010-12-21 | 2016-06-29 | 长春富乐玻显示技术有限公司 | 用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层 |
CN103619851B (zh) | 2011-06-07 | 2016-08-17 | 佳能株式会社 | 电致变色器件 |
EP2740735A4 (en) | 2011-08-05 | 2014-09-03 | Teijin Ltd | CONDENSED POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND, AROMATIC POLYMER, AND PROCESS FOR SYNTHESIZING AROMATIC COMPOUND |
US8901543B2 (en) | 2012-02-15 | 2014-12-02 | Kyushu University National University Corporation | Organic semiconductor device and its production method, and compound |
WO2017159025A1 (ja) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置 |
CN109912630B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-04-13 | 河南大学 | 硒吩衍生物及其制备方法和在作为有机半导体材料方面的应用 |
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- 2004-09-24 JP JP2004277269A patent/JP4220951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101235369B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2013-02-20 | (주)씨에스엘쏠라 | 유기발광화합물 및 이를 구비한 유기발광소자 |
KR101323867B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2013-10-31 | (주)씨에스엘쏠라 | 신규한 염료 감응 태양 전지용 염료 및 이로부터 제조된 염료 감응 태양 전지 |
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