JP4215844B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば画像データなどの2次元構造を有するデータを記憶した際に、その記憶したデータの対角線方向のデータを高速にアクセスできる半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
通常用いられている半導体記憶装置の、データのアクセス方法について説明する。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)などの半導体記憶装置においては、通常、チップ内部ではメモリ素子をシリコン平面上に二次元的に配列してある。その二次元配列を示す座標の一方をXiアドレス、他方をYiアドレスとすると、まず、Xiアドレスによって特定のワード線が選択される。その結果、そのワード線につながっている全てのメモリ素子は、それらメモリ素子と同数のセンスアンプによって同時にアクセスされる。そして、Yiアドレスによって、そのアクセスされたデータの中から所望のデータのみが選択され、出力される。
【0003】
このXiアドレスに対応したワード線の選択から、メモリ素子のデータのセンスアンプへの出力に至る一連の動作に要する時間は、次に続くYiアドレスに対応した所望のデータの選択に要する時間の3倍、あるいはそれ以上と非常に長い。
そこで、DRAMでは、データアクセス効率を上げるために、短時間で動作が完了する、すなわちサイクルタイムの短い、Yiアドレス選択モード(ページモード)を使用可能にしている場合が多い。ページモードは、動作サイクルごとにXiアドレスとYiアドレスの両方のアドレスをともに異なった値として新たに設定するということをせず、できるだけXiアドレスを固定したアドレスシーケンスでアクセスを行うというものである。
また、DRAMでは、Xiアドレスを変更するごとにプリチャージというデータのアクセス動作からみれば余計な動作をしなければならず、これもデータアクセス効率の低下につながっているが、この余計な動作の回数もページモードを使うことによって減少させることができる。
【0004】
また、外部からチップに与えられるX−Yアドレスと、チップ内部のメモリ素子配置に対応したこのXi−Yiアドレスは一致していない場合がある。もちろんX−YアドレスとXi−Yiアドレスは1対1で対応しており、入力されたX−Yアドレスは適切にXi−Yiアドレスに変換されて、特定のメモリ素子がアクセスされる。
前述したページモードにおけるページの選択は、通常、Xアドレスによって行われるため、Xアドレスはページアドレスとも呼ばれる。そして、このページアクセス動作を不都合なく実現させるために、Xiアドレスは、Xアドレスと同じかその整数倍かに設定されている。
【0005】
ところで、前述したようなページモードを通常に使用しただけでは、Xアドレス方向にはデータを効率よく高速にアクセスすることができるが、Yアドレス方向にはデータの高速かつ効率のよいアクセスはできない。
この不都合を解決するために、1ページ内のデータを二次元平面にリマッピングするという手法が採られることが多い。
たとえば、1ページ内に16個のデータがあるとする。これは4ビットのYアドレスによって16個の中の1つのデータが選択される構成となっているはずであるが、これを4ビットのアドレスで規定される空間と見ずに、たとえば水平方向2ビット(Hアドレス)、垂直方向2ビット(Vアドレス)の空間のデータと見なす。すなわち、図10に示すように、4×4のブロックを1つのページのデータとして記憶する。このようにすれば、4つまでのデータをH方向にもV方向にも高速に効率よくアクセスすることができる。
【0006】
この手法では、1つの方向に連続アクセス可能な最長データ数が16から4になってしまっており、効率の向上はないように思えるが、実際にはシステム効率が向上する場合が多い。たとえば、DVD(Digital Video Disc)の誤り訂正ではデータブロックを横方向(PI)と縦方向(PO)に読み出し、それぞれの方向で誤り訂正の処理を施すが、この処理は並列パイプラインで行われる。そこで、縦方向と横方向でデータのメモリからのアクセス時間に大きな差があったりすると、パイプライン処理に乱れが生じ、その結果、システム効率が低下する。しかし、前述したようなリマッピングを行っておけば、横方向と縦方向のいずれの方向に対しても同じ速度で読み出しができるので、並列パイプライン処理を行っている前述したようなシステムでは、効率の向上が期待される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したような方法によれば、XおよびY方向に効率よく高速にデータをアクセスすることはできたが、X−Yアドレス空間の対角線方向には、効率よく高速にデータをアクセスすることができない場合がある。
図11に示すような、4×4のブロックの頂点から始まるような対角線aであれば、XおよびY方向のデータのアクセスと同様に、1つのページアクセスに基づいて4個のデータを得ることができるが、4×4のブロックの頂点からずれたたとえば対角線bの場合には、1つのブロック、すなわち1回のページアクセスから得られるデータは2個しかなく、対角線aやXおよびY方向のデータのアクセスの2倍の回数のページアクセスをしなければ対角線を追跡することができない。
したがって、たとえば、CD−ROM(Compact Disc ROM)の誤り訂正を行う場合などの、データブロックを縦方向と対角線方向(PO)に読み出し、それぞれの方向で誤り訂正を施すような処理を行う場合には、これまでのような構成のDRAMでは効率よく高速にデータをアクセスすることができなかった。
【0008】
したがって、本発明の目的は、2次元構造を有するデータを記憶した際に、その記憶したデータの対角線方向のアクセスを高速に行える半導体記憶装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記課題を課題を解決するために、メモリ空間をサブブロックの縦または横方向のデータ数分に分割し、その各分割メモリ空間ごとに元のページアドレスに対して1ページシフトしたページをアクセス可能にし、これにより、対角線上のデータをアクセスするような、規則的に1ページだけずれたデータが必要となるようなアクセスを、容易に行えるようにした。
【0010】
本発明によれば、2次元的に配置される画像データを記憶するための半導体記憶装置であって、
各データ位置のためのxアドレスとyアドレスとを備えると共に、記憶素子が配置された所定の数のページをそれぞれ有する複数のメモリアレイと、各メモリアレイに関連して実質的にxアドレスをシフトするためのxアドレスシフタと、各xアドレスシフタに実質的にアドレスを供給するxアドレスバッファと、各メモリアレイに結合されたyアドレスデコーダと、2次元的に配置される画像データにおける対角線アドレスの入力信号を受けて各yアドレスデコーダにyアドレスを出力すると共に上記対角線アドレスの所定数の下位ビットを出力する対角線アドレスバッファと、対角線アドレスの下位ビットを受けて各xアドレスシフタにシフト信号を出力するデコーダと、を有し、
上記 x アドレスシフタは、隣接する第 1 のメモリアレイと第 2 のメモリアレイとの間に配置されており、上記シフト信号に応答して、第 1 のメモリアレイにおいて活性化されるワード線に対応する第 2 のメモリアレイのワード線、又はシフトされた第 2 のメモリアレイのワード線を活性化する、半導体記憶装置が提供される。
【0011】
好ましくは、 1 つまたはそれ以上のメモリアレイの x アドレスを活性化されない x アドレスシフタにおいて対応するページアドレスと同等とされる隣接したページにシフトするために、各 x アドレスシフタに対するシフト信号が 1 つまたはそれ以上のアドレスシフタを活性化する。
【0012】
また好ましくは、 2 次元データ空間における対角線のデータが 1 つのページとして効果的にアクセスされるように、 1 つまたはそれ以上の x アドレスが隣接するページのアドレスにシフトされる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体記憶装置の一実施の形態を図1〜図8を参照して説明する。
本実施の形態においては、2次元座標で各画素が特定される画像データを、たとえばECC(Error Checking and Correcting) コードの付与などの処理に供するために、対角線方向に順に読み出すのに好適なように記録することのできるDRAMを例示する。
【0015】
図1は、そのDRAMの本発明に係わる主要部の構成を示すブロック図である。
DRAM1は、Xアドレスバッファ10、対角線アドレスバッファ11、デコーダ12、Xアドレスデコーダ13、第1〜第4のアドレスシフタ14-1〜14-4、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4および第1〜第4のYアドレスデコーダ16-1〜16-4を有する。
【0016】
まず、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4への画像データの記録の方法について説明する。
第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4の各々は、1つのワード線に対して4個のメモリ素子がつながっているメモリアレイであり、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4全体として、1のページアドレスにより16ビットのデータがアクセスされる。
【0017】
DRAM1に書き込むXY二次元空間データは、図2に示すように、4×4のサブブロック(SB00,SB01,・・・,SBnn)に分割され、このサブブロックの16個のデータが同一のページのデータとして、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4に記録される。
具体的には、まず、XY空間上でX方向にならんでいる第1列目のサブブロックSB00,SB01・・・が、連続したページアドレスに順に書き込まれる。次に、第2列目以降のサブブロックSB10,SB11,・・・が、同様に連続したページアドレスに順に書き込まれる。以下、第3列目以降についても同じである。
【0018】
また、各サブブロックを記録する際には、図3に示すように、各サブブロックの、Y方向の列の各データが同一のメモリアレイ15-i(i=1〜4)に記録され、かつ、各サブブロック内における同じ位置にあるY方向の列が、同じメモリアレイ15-iに記録されるように記録する。
すなわち、各サブブロックSB00〜SBnnのY方向1列目のデータが第1のメモリアレイ15-1に、Y方向2列目のデータが第2のメモリアレイ15-2に、Y方向3列目のデータが第3のメモリアレイ15-3に、またY方向4列目のデータが第4のメモリアレイ15-4に各々記録される。
【0019】
次に、DRAM1の各主要部の構成について説明する。
Xアドレスバッファ10は、入力されるXアドレス(ページアドレス)を一時的に記憶しておくバッファである。
【0020】
対角線アドレスバッファ11は、入力される対角線アドレスを記憶しておくバッファである。
ここで、図2に示したようなXY空間において、対角線D(m,n)はX=m,Y=nを起点とする対角線であり、対角線はいずれも左上から右下に延びるとする。簡単のために、n=0とすると、このように定義される対角線Dのmが、対角線を定義するアドレスであり、対角線アドレスとして入力され、対角線アドレスバッファ11に記憶される。なお、このmのLSB2ビットを除く上位ビットは、サブブロックSBxのxを示し、LSB2ビットは、サブブロックをまたがるデータの数、換言すれば、ページアドレスで指示されるサブブロックの右隣のサブブロックSB(x+1)から読み出すデータの数を示す。
【0021】
デコーダ12は、対角線アドレスバッファ11より入力される、ページアドレスで指示されるサブブロックの右隣のサブブロックSB(x+1)から読み出すデータの数である対角線アドレスの下位2ビットをデコードし、第1〜第3のアドレスシフタ14-1〜14-3に入力するシフト信号SFT00〜SFT10を生成する。入力される対角線アドレスの下位2ビットの信号と生成されるシフト信号の関係を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】
すなわち、対角線アドレスの下位2ビットが00であれば、右隣のサブブロックのデータは読み出さなくてよいので、シフト信号SFT00〜SFT11はいずれも発生しない。対角線アドレスの下位2ビットが01であれば、その対角線はサブブロックの左から2列目から開始され、4番目のデータは隣のサブブロックのデータとなる。したがって、右隣のサブブロックからデータ1個を読み出すために、シフト信号SFT00が1にされる。同様に、対角線アドレスの下位2ビットが10および11の時には、右隣のサブブロックのデータを2個または3個読み出すことになるので、シフト信号SFT01およびSFT10を各々1にする。
【0024】
Xアドレスデコーダ13は、Xアドレスバッファ10から供給されるXアドレスをデコードし、対応するワード線を1つアクティブにする。
第1〜第4のアドレスシフタ14-1〜14-4は、各々第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4においてアクティブにされるページ選択信号(ワード線)を、各アドレスシフタ14-i(i=1〜4)に入力されるシフト信号SFT00〜SFT10に基づいてシフトさせるための回路である。
【0025】
アドレスシフタ14-i(i=1〜4)の具体的な回路構成を図4に示す。
図4に示すように、各アドレスシフタ14-iは、メモリアレイ15-iのワード線に対応した信号入力および信号出力があり、入力されるシフト信号SFT(SFT00〜SFT10)が0の時には、入力される各ワード線は、そのまま対応するアドレスの出力信号に接続される。したがって、その場合、入力されたいずれかのページを選択するページ選択信号は、そのまま、当初のページを選択する信号として出力され、対応するメモリアレイ15-iに入力される。
また、シフト信号SFTが1の時には、入力される各ワード線は、対応するアドレスの次のアドレスの出力信号と接続される。したがって、入力されたいずれかのページを選択する選択ページ選択信号は、当初のページの次のページを選択する信号にシフトされて出力される。
【0026】
また、アドレスシフタ14において、X方向の最も右のサブブロックに対するページ選択信号については、シフトさせることにより、その列の最も左のサブブロックをアクセスするような回路となっている。これは、対角線方向のアクセスが、画像データの右または下の終端部に達した時に好適に処理をするためであり、具体的な機能、動作については後述する。
【0027】
また、図1に示すように、Xアドレスデコーダ13の出力は、第4のアドレスシフタ14-4、第3のアドレスシフタ14-3、第2のアドレスシフタ14-2、第1のアドレスシフタ14-1の順に直列に入力される。したがって、いずれかのアドレスシフタ14-iで選択されるワード線がシフトされると、後段のアドレスシフタ14-(i-1)にも、選択されたワード線がシフトされた状態で信号が入力される。
また、本実施の形態においては、4×4画素で1サブブロックを構成しており、3画素以上をずらすことはないので、第4のアドレスシフタ14-4は実際には機能する必要はない。そのため、これに対するシフト信号(SFT11)は接地されている。
【0028】
第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4は、前述したように、各々1つのワード線に対して4個のメモリ素子がつながっているメモリアレイである。各第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4には、対応する第1〜第4のアドレスシフタ14-1〜14-4を介してワード線が入力される。
【0029】
第1〜第4のYアドレスデコーダ16-1〜16-4は、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4より読み出された16個のデータより、所望の1のデータを選択して出力する。
【0030】
次に、このようなDRAM1に前述したように画像データを記録した場合の、その記録した画像データをアクセスする動作について説明する。
まず、前述したように、サブブロック単位のデータを一塊として、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4の同一ページ内に書き込んでいるので、DRAM1のページモードを使って4つまでのデータをX方向にもY方向にも高速にアクセスできることは、これまでと同様に可能である。
【0031】
次に、この記録されている画像データを、X−Y空間の対角線方向にアクセスする動作について説明する。
まず、対角線D(0,0)の各データのアクセスについて説明する。
図5に示すごとく、対角線D(0,0)上のデータの最初の4個のデータはサブブロックSB00にあり、次の4個のデータはサブブロックSB11にあり、その次の4個のデータはサブブロックSB22にある。すなわち、対角線D(0,0)では、サブブロック1個の中に4個のデータがある。したがって、ページP00をアクセスすば最小の4個のデータが、またページP11をアクセスすれば次に続く4個のデータがページバッファに読み出される。したがって、この場合は、X方向Y方向へのデータアクセスの場合と同じで、特別な工夫をしなくても1回のアクセスで4個ずつ高速にアクセスできる。
対角線D(4,0)、D(8,0)など、各サブブロックの左上の頂点がスタートとなるような対角線については、対角線D(0,0)と同様に、1回のアクセスで4個ずつ高速にアクセスできる。
【0032】
次に、対角線D(1,0)の各データのアクセスについて説明する。
対角線D(1,0)上のデータのアクセスは、図6に示すように、最初の3個のデータはサブブロックSB00にあるが、次のデータはサブブロックSB01にある。したがって、最小の3個のデータはページP00上にあるから、第2〜第4のメモリアレイ15-2〜15-4をアクセスすればそれらはページバッファに読み出せる。残り1個のデータはサブブロックSB01にある。したがって、第1のメモリアレイ15-1ではページP01をアクセスしなければならない。
【0033】
そこで、シフト信号SFT00のみを1にする。外部からページアドレスP00を全てのメモリアレイに与える。シフト信号SFT01,SFT10,SFT11は0であるから第1のメモリアレイ15-1を除く他の3つのメモリアレイにおいては、外部ページアドレスP00がそのまま各々のメモリアレイの内部ページアドレスとして受け取られ、そのページ位置にあるデータがページバッファに読み出される。シフト信号SFT00は1であるから、第1のメモリアレイ15-1の内部ページアドレスは1番地シフトし、ページP01の位置にあるデータがページバッファに読み出される。したがって、DRAMメモリアレイ1回のアクセスで、図6に黒丸で示すような4個のデータをDRAMのページバッファに読み出すことができる。
【0034】
対角線D(2,0)上のデータのアクセスの場合は、図7に示すように、最初の2個のデータはサブブロックSB00にあり、次の2個のデータはサブブロックSB01にある。したがって、シフト信号SFT01を1にすると、第1のメモリアレイ15-1および第2のメモリアレイ15-2のページアドレスが1番地シフトされ、所望の4個のデータが出力できる。
同様に、対角線D(3,0)上のデータは、最初の1個のデータはサブブロクSB00にあり、次の3個のデータはサブブトックSB01にあるので、シフト信号SFT10を1にすればよい。
【0035】
次に、対角線の終端付近のデータのアクセスについて図8を参照して説明する。
この場合、基本的には前述した方法と同じでよいが、ページアドレスを1番地だけシフトさせるのではなく、同じ列の先頭アドレスへシフトさせることになる。
図8(A)に示すように、対角線D(0,0)上のデータの最後の4個のデータはサブブロックSBnnにある。したがって、ページPnnをアクセスすれば、これら4個のデータはDRAMメモリアレイ1回のアクセスでページバッファに読み出すことができる。
対角線D(1,0)の場合は、図8(B)に示すように、最後の4個のデータのうち、3個はサブブロクSBnnにあるが、残り1個は、サブブロックSBn0にある。図4に示したように、アドレスシフタ14-i(i=1〜4)では、X方向の最も右のサブブロックをアクセスするページアドレスは、シフトさせることにより、その列の最も左のサブブロックをアクセスするような回路となっている。したがって、第1のメモリアレイ15-1では、ページPnnが外部からあたえられた時にシフト信号SFT00を1にすることによって、ページPn0が選択でき、その結果、適切に終端の1個のデータを得ることができる。
同様に、図8(C)に示すような対角線D(2,0)の場合、および、図8(D)に示すような対角線D(3,0)の場合も、画像データの右端に達した対角線は、その列の左端に適切に継続され、所望のデータを得ることができる。
【0036】
このように、本実施の形態のDRAM1によれば、記憶された2次元データを任意の画素を出発点として対角線方向に走査する場合においても、X方向およびY方向への単純なアクセスと同様の速度で、画素データを読み出すことができる。その結果、対角線方向へのアクセスなどを利用する画像データに対するECCコードの付与などの処理を、高速に行うことができる。
【0037】
なお、本発明の半導体記憶装置は、本実施例に限られるものではなく、種々の改変が可能である。
たとえば、本実施の形態においては、画像データを4×4のサブブロックに分割し、これを1つのページに記憶するようにしたが、このサブブロックのサイズは、5×5とか、8×8であってもよい。その場合には、シフト信号により独立してアドレスをシフトできるメモリアレイを、その分割数、すなわち5個あるいは8個設けるのが好適である。
【0038】
また、本実施の形態では、入力されたXアドレスを1つのXアドレスデコーダ13でデコードし、ここで生成したページ選択信号を第1〜第4のアドレスシフタ14-1〜14-4で各々シフトさせて、各第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4に入力するページ選択信号を生成していた。しかし、たとえば図9に示すように、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4に対応させて各々独立に4個のXアドレスデコーダ13-1〜13-4を具え、外部から入力されるページアドレスおよび対角線アドレスに基づいて、各Xアドレスデコーダ13-i(i=1〜4)で各々ページ選択信号を直接生成するようにしてもよい。
本発明の半導体記憶装置は、外部から与えられた単一アドレスから、走査するデータに応じて2つまたはそれ以上の異なった内部アドレスを発生させ、それにより、走査方法などによらず、必ず所望なデータを所定数だけアクセスすることにあり、実際のその異なる内部アドレスの生成手段は、任意の手段で実現してよい。
【0039】
また、本実施の形態においては、X方向に並んでいるサブブロックを順次連続したページに書き込んでいくとしたが、Y方向に一列に並んでいるサブブロックを連続したページに書き込んでいってもよい。
また、本実施の形態のDRAM1においては、第1〜第4のメモリアレイ15-1〜15-4に対応して第1〜第4のアドレスシフタ14-1〜14-4が設けられているが、前述したように4列をシフトさせることはないので、第4のアドレスシフタ14-4は実際には必要としない。したがって、これを削除したような構成であってもなんら差し支えない。
【0040】
また、本実施の形態においては、1つのデータは1ビットのデータであるものとして説明をしたが、本実施の形態でいう1つのデータ自体が、たとえば4ビットや8ビットのデータであってもよい。通常の多値画像データを記憶する場合などには、そのような構成が好適である。また、1ビット構成のDRAMを複数個並べてそのような多値画像データを記憶するようにした場合も、本発明の範囲内であることは明らかである。
また、本実施の形態では、全ての回路を同一のチップに搭載したものとして説明したが、複数のチップを用いて、このようなアドレスのリマッピングを実現させる回路を構成してもよい。
さらに、本実施の形態の回路を2つ具え、パイプライン方式でかわるがわる動作させれば、間断なくデータをアクセスでき好適である。そのような構成にしてもよい。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体記憶装置によれば、X方向、Y方向の、そして対角線の方向に、データを高速に効率よくアクセスすることができる。その結果、たとえば画像データに対してECCコードを付与するための処理などに用いて好適な半導体記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態のDRAMの主要部の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示したDRAMに画像データの記憶する際に、同一ページとして記憶するサブブロックを説明するための図である。
【図3】図2に示したサブブロックのデータを、図1に示したDRAMの第1〜第4のメモリアレイに記憶する記憶方法を説明するための図である。
【図4】図1に示したDRAMのアドレスシフタの回路図である。
【図5】図1に示したDRAMにおいて、対角線の走査を説明するための第1の図である。
【図6】図1に示したDRAMにおいて、対角線の走査を説明するための第2の図である。
【図7】図1に示したDRAMにおいて、対角線の走査を説明するための第3の図である。
【図8】図1に示したDRAMにおいて、対角線の終端付近の走査を説明するための図である。
【図9】図1に示した本発明の一実施の形態の変形例を示す図である。
【図10】従来の半導体記憶装置における画像データの記憶方法を説明するための図である。
【図11】従来の半導体記憶装置において記憶した画像データを対角線方向に読み出す状態を示す図である。
【符号の説明】
1…DRAM
10…Xアドレスバッファ
11…対角線アドレスバッファ
12…デコーダ
13…Xアドレスデコーダ
14…アドレスシフタ
15…メモリアレイ
16…Yアドレスデコーダ
Claims (3)
- 2次元的に配置される画像データを記憶するための半導体記憶装置であって、
各データ位置のためのxアドレスとyアドレスとを備えると共に、記憶素子が配置された所定の数のページをそれぞれ有する複数のメモリアレイと、
各メモリアレイに関連して実質的にxアドレスをシフトするためのxアドレスシフタと、
各xアドレスシフタに実質的にアドレスを供給するxアドレスバッファと、
各メモリアレイに結合されたyアドレスデコーダと、
2次元的に配置される画像データにおける対角線アドレスの入力信号を受けて各yアドレスデコーダにyアドレスを出力すると共に上記対角線アドレスの所定数の下位ビットを出力する対角線アドレスバッファと、
対角線アドレスの下位ビットを受けて各xアドレスシフタにシフト信号を出力するデコーダと、
を有し、
上記 x アドレスシフタは、隣接する第 1 のメモリアレイと第 2 のメモリアレイとの間に配置されており、上記シフト信号に応答して、第 1 のメモリアレイにおいて活性化されるワード線に対応する第 2 のメモリアレイのワード線、又はシフトされた第 2 のメモリアレイのワード線を活性化する、
半導体記憶装置。 - 1つまたはそれ以上のメモリアレイのxアドレスを活性化されないxアドレスシフタにおいて対応するページアドレスと同等とされる隣接したページにシフトするために、各xアドレスシフタに対するシフト信号が1つまたはそれ以上のアドレスシフタを活性化する請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 2次元データ空間における対角線のデータが1つのページとして効果的にアクセスされるように、1つまたはそれ以上のxアドレスが隣接するページのアドレスにシフトされる請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。
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