JP4213408B2 - 高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4213408B2 JP4213408B2 JP2002175815A JP2002175815A JP4213408B2 JP 4213408 B2 JP4213408 B2 JP 4213408B2 JP 2002175815 A JP2002175815 A JP 2002175815A JP 2002175815 A JP2002175815 A JP 2002175815A JP 4213408 B2 JP4213408 B2 JP 4213408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- purity
- less
- wtppm
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体特性を有し、光通信用素子や太陽電池用材料として使用することが可能である半導体素子用高純度Si−Ge系スパッタ膜又はこれらを製造するための高純度Si−Ge系合金ターゲット及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、LSI用半導体材料としては、シリコンが最もポピュラーな材料であるが、光通信用(LE/LED)としてはインジウム・燐、ガリウム・砒素等の化合物半導体が使用されている。
しかし、インジウムは資源寿命が極めて少なく、20年程度が採掘可能年数と云われており、また砒素は周知のように毒性の強い元素である。このようなことから、現在広範囲に使用されている光通信用半導体材料は、使用上に大きな問題があると云わざるを得ない。
特に、製品寿命の短い携帯電話に使用されているガリウム・砒素の半導体素子は、強い毒性を持つ砒素があるために、これらの廃棄処理が大きな問題となっている。
【0003】
このような情況において、Si−Ge系材料が半導体特性を有することが分かり、好ましい光通信用素子や太陽電池用材料であるとの指摘がなされている。このSi−Ge系材料の大きな利点は、いずれも地球上で豊富な材料であること、また毒性等の心配が全くないことであるが、さらに従来の化合物半導体と同等の半導体特性が得られかつ安価であるという大きな利点がある。
しかし、このSi−Ge系材料に問題がないわけではなく、現在のところ高純度かつ高品質な材料に作製するための技術が確立されていないことである。
【0004】
現在、Si−Ge系材料からなる薄膜を形成する技術としては、Si−Ge系材料ターゲットをスパッタリングしてSi基板上にSi−Ge系半導体膜を形成するものである。
Si−Ge系材料からなる薄膜に含有される主な不純物としては、Fe、Ni、Co、Cu等の遷移金属元素、Na、K等のアルカリ金属元素、U、Th等の放射性元素、その他の不純物として、Al、Cr、Ca、Mg等の重金属元素又は軽金属元素が挙げられる。
前記遷移金属元素は、界面接合部のトラブルの発生原因となり、アルカリ金属元素は拡散し易く、容易に移動するためMOS−LSI界面特性の劣化につながり、また放射性元素はα線を放出し、ソフトエラーとなることが知られている。また重金属元素又は軽金属元素の存在は、電気抵抗を上げ半導体素子の動作性能の信頼性を低下させる原因となっている。
【0005】
また、酸素、炭素、窒素、水素、硫黄等のガス成分もSi−Ge系材料ターゲットのスパッタリングの際に、アーキングやパーティクル発生の原因になり、電気抵抗を上げる原因ともなっている。
しかし、Si−Ge系材料は高純度化が難しく、また一旦高純度化してもスパッタリングターゲットの製造工程では、上記のような不純物が混入し易く、純度を維持することが難しいという問題がある。したがって、Si−Ge系材料ターゲットをスパッタリングしてSi基板上にSi−Ge系半導体膜を形成する場合に、ターゲットの純度の向上は、極めて重要な問題となっている。
【0006】
また、一般にスパッタリングにより成膜する場合、成膜速度を高速化し生産効率を上げるために、成膜面積を拡大する、すなわち大きな面積のターゲットを使用してスパッタリングを行なうことが行なわれるが、スパッタリングの際の、パーティクルの発生又は膜厚の均一性が大きな問題となる。
製造工程によるSi−Ge系材料ターゲットの性状や構造がスパッタリングに直接反映されるので、従来は所定の膜組成を大きな基板に均一に成膜することが難しく、またアーキングやパーティクル発生が避けられなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題を解決するために、不純物が少なく、成膜時における厚膜の均一化が可能であり、またパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティと膜組成が均一で、スパッタ特性が良好である、高純度Si−Ge系合金ターゲット及び該高純度ターゲットを安定して製造できる方法並びに膜厚が均一でリーク電流が少なく膜特性に優れたSi−Ge系スパッタ膜を得ることを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1.ガス成分を除き、純度が5N(99.999wt%)以上であり、ターゲットの相対密度が90%以上であることを特徴とする高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット
2.ターゲット中の不純物として、Fe、Ni、Co、Cu等の遷移金属元素がそれぞれ2wtppm以下、Na、K等のアルカリ金属元素がそれぞれ1wtppm以下、U、Th等の放射性元素の含有量が1wtppb以下、その他の不純物として、Al、Cr、Ca、Mg等の重金属元素又は軽金属元素の含有量がそれぞれ1wtppm以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット
3.ターゲット中のガス成分である酸素が1000wtppm以下であることを特徴とする上記1又は2記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット
4.ターゲット中のガス成分である炭素50wtppm以下、窒素50wtppm以下、水素50wtppm以下、硫黄50wtppm以下(いずれもドーパントとする場合を除く)であることを特徴とする上記1〜3のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
5.固溶組織を備えた上記1〜4のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
6.B及び又はCのドーパントを固溶する範囲で含有することを特徴とする上記1〜4のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット、を提供する。
【0009】
また、本発明は、
7.Ge原料を王水に溶解してGeCl4として回収し、これを水素還元して5NレベルのGe粉末を得、この5NレベルのGe粉末と同5NレベルのSiを混合して、高真空中で溶解・鋳造して合金インゴットを作製し、これを粉砕してSi−Ge合金微粉末を作製した後、この微粉末を焼結することを特徴とする高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法、を提供する。
【0010】
また、本発明は、
8.B及び又はCのドーパントを固溶する範囲で含有することを特徴とする上記7記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法
9.平均粒径が1mm以上の塊状のSiと混合して溶解することを特徴とする上記7記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法
10.微粉末をホットプレス、熱間静水圧プレス又は放電プラズマ焼結法で焼結することを特徴とする上記7〜9のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法、を提供する。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のSi−Ge系合金ターゲットは、半導体特性を有する範囲の成分範囲を含む。通常5〜50wt%Si−Geであり、少量のB、C等のドーパントを固溶する範囲で含有するSi−Geターゲットを包含する。また本発明のSi−Ge系合金ターゲットは、Si−Ge固溶体の組織を備えている。
本発明のターゲットの製造に際しては、3NレベルのGe原料を王水等の酸に溶解してGeCl4として回収し、これを水素還元により5NレベルのGe粉末を得る。水素還元後、一旦これを真空中で溶解し、スラグ等の不純物を除去してさらに純度を向上させることもできる。
次に、この5NレベルのGe粉末と同5NレベルのSiを混合して真空中で溶解する。5NレベルのSiは、平均粒径1mm以下の微粉を使用すると汚染の原因となりうることから、塊状(平均粒径1mm以上)のSiを使用することが望ましい。
【0012】
上記の、主成分となる高純度Si及び高純度Geを高真空中で溶解・鋳造して合金インゴットを作製する。溶解の際、表面に浮上したスラグは除去し、純度をさらに向上させる。インゴットを粉砕してSi−Ge系合金微粉末を作製する。この微粉末は固溶体となっている。このSi−Ge系合金微粉末を焼結して高純度Si−Ge系合金ターゲットを得る。このターゲットには、B、C等のドーパントを固溶する範囲で含有することができる。
微粉末をホットプレス、熱間静水圧プレス又は放電プラズマ焼結法で焼結することができる。以上の工程により、高純度Si−Ge系合金ターゲットの製造する。
【0013】
上記の製造方法によって、本発明のターゲットは、ガス成分を除き、純度が5N(99.999wt%)以上である高純度Si−Ge系合金ターゲットを得ることができる。これによって、成膜時における厚膜の均一化が可能であり、またパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティと膜組成が均一で、スパッタ特性が良好である、高純度Si−Ge系合金ターゲットが得られる。
また、ターゲット中の不純物として、Fe、Ni、Co、Cu等の遷移金属元素がそれぞれ2wtppm以下、Na、K等のアルカリ金属元素がそれぞれ1wtppm以下、U、Th等の放射性元素の含有量が1wtppb以下、その他の不純物として、Al、Cr、Ca、Mg等の重金属元素又は軽金属元素の含有量がそれぞれ1wtppm以下である高純度Si−Ge系合金ターゲット得ることができ、半導体素子の動作性能の信頼性に優れた成膜が可能となる。
【0014】
ターゲット中のガス成分である酸素は1000wtppm以下、好ましくは600ppm以下、さらに好ましくは150ppm以下とすることができる。これによって、さらにパーティクルの発生を抑制し、ユニフォーミティと膜組成が均一な成膜が可能となる。
また、ターゲット中のガス成分である炭素50wtppm以下、窒素50wtppm以下、水素50wtppm以下、硫黄50wtppm以下(いずれもドーパントとする場合を除く)とすることができ、同様な特性上の向上を図ることができる。
ターゲットの相対密度は90%以上、さらには95%以上とすることができ、固溶組織を備えた高純度Si−Ge系合金ターゲットを得ることができる。
さらにターゲット組織の平均結晶粒径は300μm以下、好ましくは150μm以下、さらに好ましくは75μm以下とすることができるが、これによって、さらにアーキングやパーティクルの発生を抑制し、安定した特性を持つ膜を得ることができる。
【0015】
スパッタリングに際しては、ターゲットに安定したバイアス電圧を印加できるので、プラズマ密度が上げ易く、スパッタガス圧が低く抑えられるのでガス損傷の少ない良好な膜を得ることができる。
以上によって、パーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティと膜組成が均一で、リーク電流が少ない膜特性に優れた成膜が可能となる。
本発明は、高純度Si−Ge系合金ターゲットを使用して形成された高純度Si−Ge系スパッタ膜の全てを包含するものである。
【0016】
【実施例及び比較例】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
【0017】
(実施例1)
純度3NレベルのGe1500gを王水に溶解し、GeCl4として回収する。次に、これ水素還元してGe粉末1200gを得た。
これを石英ボート中で、1000°Cで真空溶解した。上部に浮いたスラグを除去した後、凝固させたものをメノウ乳鉢で粉砕し、800gのGe粉末を得た。
一方、市販品である5Nレベルの多結晶Si粉を篩いにかけ、平均粒径1mm以上の粒を200g秤量した。そして、これらの粉末を真空中で石英アンプル中に封入した。
【0018】
次に、Ge粉末及びSi粒を封入した石英アンプルを1050°Cに加熱し、溶解した。溶湯の上部のスラグを除去した後、凝固させ、得られたインゴットを微粉砕した。Ge−Si合金インゴットは固溶体であり、非常に脆いので容易に粉砕できた。
このようにして得たGe−Si合金粉末を、さらに真空加圧焼結法により950°C、面圧250〜300kgf/cm2で、2時間焼結した。
得られた焼結体の表面を平面研削盤で表面層を除去し、ターゲットを作製した。アルキメデス法で密度を測定し、さらにXRDで結晶構造解析した。このGe−Siターゲットの不純物を化学分析した結果を、表1に示す。
ターゲット中のガス成分である酸素は300wtppm、炭素20wtppm、窒素20wtppm、水素1wtppm以下、硫黄1wtppm以下であった。また、ターゲットの相対密度は97%であり、均一な固溶体であった。
このターゲットを使用してSi(100)基板上にDCマグネトロンスパッタして、パーティクルの発生個数及び膜厚分布を調べた。その結果を表2に示す。
【0019】
【表1】
【0020】
(実施例2)
実施例1で得たGe粉末800gと同様のSi粉末200g及びB粉末0.1gを実施例1と同様に、真空中で石英アンプル中に封入した。
このGe粉末及びSi粉末を封入した石英アンプルを1150°Cに加熱し、溶解した。これを急冷してインゴットを得た。これをさらに微粉砕した。
同様にGe−Si−B合金インゴットは固溶体であり非常に脆いので、容易に粉砕できた。これを、真空加圧焼結法により950°C、面圧250〜300kgf/cm2で、2時間焼結した。
得られた焼結体の表面を平面研削盤で表面層を除去し、ターゲットを作製した。また、アルキメデス法で密度を測定し、さらにXRDで結晶構造解析した。また、このGe−Si−Bターゲットの不純物を化学分析した結果を、表1に示す。
ターゲット中のガス成分である酸素は400wtppm、炭素30wtppm、窒素10wtppm以下、水素1wtppm以下、硫黄1wtppm以下であった。また、ターゲットの相対密度は96%であり、均一な固溶体であった。
このターゲットを使用してSi(100)基板上にDCマグネトロンスパッタして、パーティクルの発生個数及び膜厚分布を調べた。その結果を表2に示す。
【0021】
【表2】
【0022】
(比較例1)
ボールミルで粉砕したSi粉末20gとGe粉末80gを混合し、この混合粉末を黒鉛モールドに充填し、真空雰囲気中で950°C、面圧250〜300kgf/cm2で、2時間焼結した。
得られた焼結体の表面を平面研削盤で表面層を除去し、ターゲットを作製した。また、アルキメデス法で密度を測定し、さらにXRDで結晶構造解析した。
ターゲット中のガス成分である酸素は820wtppm、炭素100wtppm、窒素70wtppm、水素40wtppm、硫黄40wtppmであった。また、ターゲットの相対密度は85%であった。
組織観察したところ、組織が不均一となっており、Siリッチ相とGeリッチ相の相が観察された。
このターゲットを使用してスパッタリングを実施し、パーティクルの発生個数及び膜厚分布を調べた。その結果を表2に示す。
【0023】
表1に示すように、本発明の実施例においては、ガス成分を除く不純物含有量が10wtppm以下であり、また酸素等のガス成分含有量も低く、相対密度はいずれも95%以上、膜の均一性(ユニフォーミティ、3σ)が良好、パーティクルの発生は著しく低く、スパッタ性が良好であるという結果が得られた。
これに対して、比較例はSiリッチ相とGeリッチ相の相が観察され、組織が不均一であり、不純物含有量が高く、パーティクルの発生が顕著で、剥離し易い膜が形成された。そして、これらはスパッタ成膜の品質を低下させる原因となった。
【0024】
【発明の効果】
本発明の高純度Si−Ge系合金ターゲットは、不純物が少なく、成膜時における厚膜の均一化が可能であり、またパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティと膜組成が均一で、スパッタ特性が良好であるという優れた効果を有し、さらに該ターゲットを安定して製造できる著しい効果を有する。
Claims (10)
- ガス成分を除き、純度が5N(99.999wt%)以上であり、ターゲットの相対密度が90%以上であることを特徴とする高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
- ターゲット中の不純物として、Fe、Ni、Co、Cu等の遷移金属元素がそれぞれ2wtppm以下、Na、K等のアルカリ金属元素がそれぞれ1wtppm以下、U、Th等の放射性元素の含有量が1wtppb以下、その他の不純物として、Al、Cr、Ca、Mg等の重金属元素又は軽金属元素の含有量がそれぞれ1wtppm以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
- ターゲット中のガス成分である酸素が1000wtppm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
- ターゲット中のガス成分である炭素50wtppm以下、窒素50wtppm以下、水素50wtppm以下、硫黄50wtppm以下(いずれもドーパントとする場合を除く)であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
- 固溶組織を備えた請求項1〜4のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge系合金ターゲット。
- B及び又はCのドーパントを固溶する範囲で含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲット。
- Ge原料を王水に溶解してGeCl4として回収し、これを水素還元して5NレベルのGe粉末を得、この5NレベルのGe粉末と同5NレベルのSiを混合して、高真空中で溶解・鋳造して合金インゴットを作製し、これを粉砕してSi−Ge合金微粉末を作製した後、この微粉末を焼結することを特徴とする高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法。
- B及び又はCのドーパントを固溶する範囲で含有することを特徴とする請求項7記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法。
- 平均粒径が1mm以上の塊状のSiと混合して溶解することを特徴とする請求項7記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法。
- 微粉末をホットプレス、熱間静水圧プレス又は放電プラズマ焼結法で焼結することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の高純度Si−Ge合金焼結体ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002175815A JP4213408B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | 高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002175815A JP4213408B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | 高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004018946A JP2004018946A (ja) | 2004-01-22 |
JP4213408B2 true JP4213408B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=31174365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002175815A Expired - Lifetime JP4213408B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | 高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4213408B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109722542A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-07 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 含锗砷化镓废料的处理回收方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5401132B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2014-01-29 | 信越ポリマー株式会社 | 電波透過性装飾部材およびその製造方法 |
JP5346632B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-11-20 | 信越ポリマー株式会社 | 電波透過性加飾フィルムおよびこれを用いた装飾部材 |
US10916423B2 (en) | 2015-09-24 | 2021-02-09 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Paste composition and method for forming silicon germanium layer |
JP2022157011A (ja) | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物、及び、ゲルマニウム化合物層の形成方法 |
-
2002
- 2002-06-17 JP JP2002175815A patent/JP4213408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109722542A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-07 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 含锗砷化镓废料的处理回收方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004018946A (ja) | 2004-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4388263B2 (ja) | 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5144766B2 (ja) | Cu−Ga焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 | |
JP5818139B2 (ja) | Cu−Ga合金ターゲット材およびその製造方法 | |
US20130126346A1 (en) | Chalcogenide alloy sputter targets for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
JP2008163367A (ja) | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2010280944A (ja) | Cu−Ga合金、スパッタリングターゲット、Cu−Ga合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2000038861A1 (en) | Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets | |
US20110290643A1 (en) | Low Melting Point Sputter Targets for Chalcogenide Photovoltaic Applications and Methods of Manufacturing the Same | |
US20110284372A1 (en) | Cu-Ga ALLOY MATERIAL, SPUTTERING TARGET, METHOD OF MAKING Cu-Ga ALLOY MATERIAL, Cu-In-Ga-Se ALLOY FILM, AND METHOD OF MAKING Cu-In-Ga-Se ALLOY FILM | |
JP2009287092A (ja) | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPWO2011058828A1 (ja) | Cu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR20140097131A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
KR100807525B1 (ko) | 규화철 분말 및 그 제조방법 | |
JP4957968B2 (ja) | Cu−In−Ga三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2009120863A (ja) | Cu−In−Ga三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
KR20140106468A (ko) | MoTi 타깃재 및 그 제조 방법 | |
JP4213408B2 (ja) | 高純度Si−Ge合金ターゲット及びその製造方法 | |
JP5418832B2 (ja) | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
US20150001069A1 (en) | Polycrystalline Silicon Sputtering Target | |
JP2015045060A (ja) | Cu系粉末の製造方法およびこれを用いたCu系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
KR20150040294A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
JP6436006B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR100753332B1 (ko) | 규화철 분말 및 그 제조방법 | |
JP2017019668A (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 | |
CN117758088A (zh) | 一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081030 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4213408 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |