JP4200573B2 - 記憶装置と画像処理装置およびその方法とリフレッシュ動作制御装置およびその方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、DRAMなどの記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリを備えた記憶装置と、画像処理装置およびその方法と、半導体メモリのリフレッシュ動作を制御するリフレッシュ動作制御装置およびその方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
種々のCAD(Computer Aided Design) システムや、アミューズメント装置などにおいて、コンピュータグラフィックスがしばしば用いられている。特に、近年の画像処理技術の進展に伴い、3次元コンピュータグラフィックスを用いたシステムが急速に普及している。
このような3次元コンピュータグラフィックスでは、各画素(ピクセル)に対応する色を決定するときに、各画素の色の値を計算し、この計算した色の値を、当該画素に対応するディスプレイバッファ(フレームバッファメモリ)のアドレスに書き込むレンダリング(Rendering) 処理を行う。
レンダリング処理の手法の一つに、ポリゴン(Polygon)レンダリングがある。この手法では、立体モデルを三角形の単位図形(ポリゴン)の組み合わせとして表現しておき、このポリゴンを単位として描画を行なうことで、表示画面の色を決定する。
【0003】
上述したようなシステムでは、グラフィックス処理を行って得られた画像信号(データ)を画像メモリに書き込み(描画し)、その後、画像信号を読み出してCRT(Cathode Ray Tube)などのディスプレイに出力する。
上述した画像メモリとしては、一般的に、DRAM(Dynamic Rondom Access Memory)などの半導体メモリが用いられる。
ところで、DRAMは、それぞれコンデンサに電荷を蓄積してデータを記憶する複数のメモリセルを用いて構成されている。このようなメモリセルのコンデンサに蓄積された電荷は、時間の経過に伴い失われることから、記憶データを保持するために、各メモリセルのコンデンサを定期的にリフレッシュ(リチャージ)する必要がある。
なお、リフレッシュ動作中は、データの書き込みおよび読み出しは禁止される。
【0004】
従って、画像メモリとしてDRAMを用いた場合には、ディスプレイに表示する画像の画質がリフレッシュ動作によって劣化しないように、画像信号の水平帰線(ブランク)期間および垂直帰線期間内に、予め決められた所定の回数のリフレッシュ動作を行っている。
また、このような画像メモリには、ディスプレイ上に画像を表示する際の水平帰線期間および垂直帰線期間内のリフレッシュ動作を行っていない期間内に、画像信号が描画され(書き込まれ)、それ以外の表示期間内に、画像メモリから読み出された画像信号がディスプレイに出力される。
【0005】
この場合に、画像メモリにおける画像信号の記憶保持を行う上でリフレッシュ動作は必須であるため、水平帰線期間および垂直帰線期間内では、画像信号の書き込み動作よりもリフレッシュ動作が優先して行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、画像メモリへの画像信号の書き込みの負荷は、画像信号に応じた画像の解像度や、画像信号の内容に応じて変化する。
従って、従来のように、一定の時間間隔で画像メモリのリフレッシュ動作を行うと、書き込みの負荷が所定のレベルを越えたときに、リフレッシュ動作と画像信号の画像メモリへの書き込み動作との双方を帰線期間内に行うことができなくなり、上述したようにリフレッシュ動作が優先的に行われて、画像信号の一部が画像メモリに書き込めないという事態が発生する可能性がある。このように、必要な画像信号が画像メモリに書き込めなくなると、表示される画像が劣化してしまうという問題がある。
また、従来のように、一定の時間間隔で画像メモリのリフレッシュ動作を行うと、書き込みの負荷が最も高いときに、半導体メモリの負荷が最も高くなり、それに伴い消費電力のピークが高くなる。ここで、半導体メモリ内の配線や回路素子などは、消費電力のピークに合わせて大容量のものを用いる必要があり、半導体メモリが大規模化してしまうという問題がある。
【0007】
本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みてなされ、リフレッシュ動作によって半導体メモリの記憶データを適切に保持しながら、半導体メモリへのアクセスの性能を高めることができる記憶装置と、画像処理装置およびその方法と、リフレッシュ動作制御装置およびその方法とを提供することを目的とする。
また、本発明は、リフレッシュ動作に伴う半導体メモリの負荷を軽減して半導体メモリの小規模化が図れる記憶装置、画像処理装置およびリフレッシュ動作制御装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述した従来技術の問題点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の記憶装置は、画像信号を記憶し記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリと、前記半導体メモリにアクセスを行うメモリアクセス回路と、指示された回数のリフレッシュ動作を前記画像信号の帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、前記半導体メモリに対しての前記メモリアクセス回路による前記アクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の前記回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路とを有する。
【0009】
本発明の記憶装置では、メモリアクセス回路によって半導体メモリにアクセスが行われ、当該アクセスの負荷がリフレッシュ動作回数決定回路によって監視される。そして、リフレッシュ動作回数決定回路によって、当該監視した負荷に基づいて、半導体メモリに記憶されている画像信号の帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数が決定され、当該決定された回数がリフレッシュ動作制御回路に指示される。そして、リフレッシュ動作制御回路において、前記指示された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御される。
【0010】
本発明の記憶装置では、画像信号の帰線期間内に行う半導体メモリのリフレッシュ動作の回数を、従来のように固定ではなく、半導体メモリへのアクセスの負荷に基づいて動的に決定する。そのため、例えば、帰線期間における半導体メモリへのアクセスの負荷が大きくなるに従って、当該帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数を少なく決定でき、当該帰線期間内に半導体メモリへのアクセスに割り当てる時間を長くすることが可能になる。その結果、半導体メモリへのアクセス性能を高めることができる。また、半導体メモリへのアクセスの負荷が低いときに、当該負荷が高いときに比べてより多くのリフレッシュ動作を行うことで、記憶保持に必要な回数のリフレッシュ動作回数を半導体メモリに行わせることが可能になる。また、半導体メモリの負荷を分散させることも可能になり、装置の小規模化も図れる。
【0011】
また、本発明の記憶装置は、好ましくは、前記メモリアクセス回路は、前記半導体メモリから読み出した画像信号に応じた画像を表示手段で表示する際の前記帰線期間内に、画像信号を前記半導体メモリに書き込み、前記リフレッシュ動作回数決定回路は、前記メモリアクセス回路による前記画像信号の書き込みの負荷に基づいて、前記リフレッシュ動作の前記回数を決定する。
【0012】
また、本発明のリフレッシュ動作制御装置は、画像信号を記憶し記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリの前記リフレッシュ動作を制御するリフレッシュ動作制御装置であって、指示された回数のリフレッシュ動作を前記画像信号の帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、前記半導体メモリに対してのアクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路とを有する。
【0013】
本発明のリフレッシュ動作制御装置では、リフレッシュ動作回数決定回路によって、半導体メモリに対してのアクセスの負荷が監視され、当該負荷に基づいて、半導体メモリに記憶される画像信号の帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数が決定され、当該決定された回数がリフレッシュ動作制御回路に指示される。そして、リフレッシュ動作制御回路によって、前記指示された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御される。
【0014】
また、本発明の画像処理装置は、画像処理を行って画像データを生成する画像処理回路と、前記画像データを記憶し、記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリと、前記半導体メモリから読み出した画像データに応じた画像を表示手段で表示する際の画像信号の帰線期間内に前記生成された画像データを前記半導体メモリに書き込むメモリアクセス回路と、指示された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、前記半導体メモリに対しての前記メモリアクセス回路による前記アクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の前記回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路とを有する。
【0015】
本発明の画像処理装置では、画像処理回路において、画像処理が行われて画像データが生成される。そして、メモリアクセス回路によって、半導体メモリから読み出した画像データに応じた画像を表示手段で表示する際の画像信号の帰線期間内に、前記生成された画像データが前記半導体メモリに書き込まれる。このとき、リフレッシュ動作回数決定回路によって、前記メモリアクセス回路による前記半導体メモリに対しての前記書き込みの負荷が監視され、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記半導体メモリのリフレッシュ動作の回数が決定され、当該決定された回数が前記リフレッシュ動作制御回路に指示される。そして、リフレッシュ動作制御回路によって、前記指示された回数のリフレッシュ動作が前記帰線期間内に前記半導体メモリで行われるように制御される。
【0016】
また、本発明のリフレッシュ動作制御方法は、画像信号の記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリの前記リフレッシュ動作を制御するリフレッシュ動作制御方法であって、前記半導体メモリに対してのアクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて、前記画像信号の帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、 前記決定された回数の前記リフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御する。
【0017】
また、本発明の画像処理方法は、画像処理を行って画像信号を生成し、記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリに対し、前記生成された画像信号を当該画像信号の帰線期間内に書き込み、前記半導体メモリに対しての前記書き込みの負荷を監視し、当該負荷に基づいて、前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、前記決定された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係わる画像メモリシステムおよび3次元コンピュータグラフィックシステムについて説明する。
第1実施形態
図1は、本実施形態に係わる画像メモリシステム301の構成図である。
図1に示すように、画像メモリシステム301は、タイミング発生回路302、ラインバッファメモリ303、メモリアクセス回路304、CPU(Central Processing Unit) 305、リフレッシュ制御信号生成回路306、リフレッシュ制御回路307を有する。
ここで、リフレッシュ制御信号生成回路306およびリフレッシュ制御回路307によって本発明のリフレッシュ動作制御回路311が構成される。また、リフレッシュ制御回路307およびラインバッファメモリ303は、本発明の半導体メモリに対応するDRAM(Dynamic Random Access Memory)内に組み込まれている。
また、メモリアクセス回路304が本発明のメモリアクセス回路に対応し、CPU305が本発明のリフレッシュ動作回数決定回路に対応している。
【0019】
図1に示す画像メモリシステム301では、画像処理回路320から出力された画像信号S320が、メモリアクセス回路304を介してDRAM310の記憶モジュール304に書き込まれた(描画された)後に、メモリアクセス回路304を介して画像信号S303として読み出されてCRTなどのディスプレイ321に出力される。
また、リフレッシュ制御回路307によるラインバッファメモリ303のリフレッシュ動作が、リフレッシュ制御信号生成回路306からリフレッシュ制御信号S306に基づいて行われる。このとき、メモリアクセス回路304によるラインバッファメモリ303に対しての画像信号S320の書き込みの負荷に基づいて、ラインバッファメモリ303において水平帰線期間内に行われるリフレッシュ動作の回数が決定される。
【0020】
以下、各構成要素について詳細に説明する。
〔タイミング発生回路302〕
タイミング発生回路302は、所定の周波数の水平同期信号S302aを生成し、当該生成した水平同期信号S302aをメモリアクセス回路304、CPU305、リフレッシュ制御信号生成回路304およびメモリアクセス回路307に出力する。
また、タイミング発生回路302は、所定の周波数の垂直同期信号S302bを生成し、当該生成した垂直同期信号S302bをメモリアクセス回路307に出力する。
【0021】
〔ラインバッファメモリ303〕
ラインバッファメモリ303は、例えば、シングルバッファ方式のラインバッファメモリであり、ディスプレイ321に表示する1画面分の画像信号のうち1ライン分の画像信号を記憶する。
また、ラインバッファメモリ303は、記憶データを保持するために、リフレッシュ制御回路307によるリフレッシュ動作が行われる。
当該リフレッシュ動作は、後述するように、ディスプレイ321上の画像表示が途切れることを回避するために、ディスプレイ321上の画像表示の水平帰線期間および垂直帰線期間内に行われる。
【0022】
〔メモリアクセス回路304〕
メモリアクセス回路304は、CPU305からの制御信号S305aに基づいて、タイミング発生回路302からの水平同期信号S302aおよび垂直同期信号S302bを基準としたタイミングで、1ライン分の画像信号を単位として、画像処理回路320から入力した画像信号S320をDRAM310のラインバッファメモリ303に書き込むと共に、ラインバッファメモリ303から読み出した画像信号S303をディスプレイ321に出力する。
ここで、本実施形態では、ラインバッファメモリ303がシングルバッファ方式であるため、メモリアクセス回路304によるラインバッファメモリ303への画像信号S320の書き込み期間(描画期間)は、ディスプレイ321における画像表示の水平帰線期間および垂直帰線期間内に位置する。
そのため、画像表示の水平帰線期間および垂直帰線期間内には、ラインバッファメモリ303への画像信号S320の書き込みとリフレッシュ動作とが行われ、本実施形態では、後述するように、画像信号S320の書き込みの負荷に基づいて、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数を可変に制御する。
【0023】
また、メモリアクセス回路304によるラインバッファメモリ303からの画像信号S303の読み出し期間(表示期間)は、ディスプレイ321における画像表示の水平帰線期間および垂直帰線期間外に位置する。
【0024】
〔CPU305〕
CPU305は、例えば、所定のプログラムを実行し、当該プログラムの実行に応じた制御信号S305aをメモリアクセス回路304に出力する。
また、CPU305は、プログラムの内容に基づいて、メモリアクセス回路304によるDRAM310のラインバッファメモリ303に対しての書き込みの負荷状態を監視し、当該監視の結果に基づいて、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数を決定し、当該回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S305bをリフレッシュ制御信号生成回路306に出力する。
【0025】
以下、CPU305におけるリフレッシュ動作回数指示信号S305bの生成処理について説明する。
図2は、CPU305におけるリフレッシュ動作回数指示信号S305bの生成処理のフローチャートである。
ステップS1:CPU305は、水平同期信号S302a(あるいは水平ブランク信号)に基づいて、ディスプレイ321における画像表示が画像信号S306の水平帰線期間になったか否かを判断し、水平帰線期間になったと判断した場合にステップS2の処理を実行し、そうでない場合にステップS1の処理を繰り返す。
【0026】
ステップS2:CPU305は、プログラムの実行内容に基づいて、メモリアクセス回路304によるDRAM310のラインバッファメモリ303に対しての書き込みの負荷状態を判断し、当該判断の結果に基づいて、ラインバッファメモリ303の負荷を分散するように、当該水平帰線期間内に行うラインバッファメモリ303のリフレッシュ動作の回数を決定する。
具体的には、CPU305は、メモリアクセス回路304によるラインバッファメモリ303への書き込みの負荷が増大(書き込み回数が増加)するに従って、当該水平帰線期間内に行われるリフレッシュ動作の回数を少なく決定する。
【0027】
ステップS3:CPU305は、ステップS2で決定したリフレッシュ動作の回数が予め決められている仕様を満たすかか否かを判断し、満たさないと判断した場合にはステップS4の処理を実行し、満たすと判断した場合にはステップS5の処理を実行する。
具体的には、時間T内に少なくともn回以上のリフレッシュ動作を行うことが仕様で決められている場合には、CPU305は、ステップS2で決定したリフレッシュ動作の回数が、当該仕様で決められている基準を下回らないか否かを判断する。
【0028】
ステップS4:ステップS3においてリフレッシュ動作の回数が仕様を満たさないと判断した場合に実行され、CPU305は、ステップS3で決定したリフレッシュ動作の回数を増加して新たにリフレッシュ動作の回数を決定した後に、ステップS3の処理を再び行う。
【0029】
ステップS5:ステップS3においてリフレッシュ動作の回数が仕様を満たしたと判断した場合に実行され、CPU305は、決定したリフレッシュ動作の回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S305bをリフレッシュ制御信号生成回路306に出力する。CPU305は、その後、ステップS1の処理を再び実行する。
【0030】
〔リフレッシュ制御信号生成回路306〕
リフレッシュ制御信号生成回路306は、水平同期信号S302aを基準として決定された水平帰線期間内に、CPU305からのリフレッシュ動作回数指示信号S305bが示す回数のリフレッシュ動作を行うように制御するリフレッシュ制御信号S306をリフレッシュ制御回路307に出力する。
【0031】
〔リフレッシュ制御回路307〕
リフレッシュ制御回路307は、リフレッシュ制御信号生成回路306からのリフレッシュ制御信号S306に基づいて、ラインバッファメモリ303のリフレッシュ動作を行う。
【0032】
以下、図1に示す画像メモリシステム301の動作について説明する。
先ず、CPU305からの制御信号S305aに基づいて、メモリアクセス回路304によるラインバッファメモリ303へのアクセスが行われる。
【0033】
また、CPU305において、図2に示すフローチャートの処理に基づいて、リフレッシュ動作回数指示信号S305bが生成され、当該信号S305bがリフレッシュ制御信号生成回路306に出力される。
そして、リフレッシュ制御信号生成回路306において、リフレッシュ動作回数指示信号S305bに応じたリフレッシュ制御信号S306が生成され、当該リフレッシュ制御信号S306がリフレッシュ制御回路307に出力される。
そして、リフレッシュ制御回路307において、リフレッシュ制御信号S306に基づいて、ラインバッファメモリ303のリフレッシュ動作が行われる。
【0034】
このとき、図2に示すように、ラインバッファメモリ303への書き込み負荷に基づいて、水平帰線期間内に行われるリフレッシュ動作の回数を決定することで、例えば、ラインバッファメモリ303への書き込み負荷が大きい場合に、すなわち長い描画期間を必要とする場合には、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数が少なく決定され、図3(B)に示すように、リフレッシュ動作期間B1 が短くなり、描画期間C1 が長くなる。
一方、ラインバッファメモリ303への書き込み負荷が小さい場合、すなわち描画期間が短くてもよい場合には、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数が多く決定され、図3(B)に示すように、リフレッシュ動作期間B2 が長くなり、描画期間C2 が短くなる。
【0035】
以上説明したように、画像メモリシステム301によれば、ラインバッファメモリ303への書き込み負荷に基づいて各水平帰線期間内に行われるリフレッシュ動作の回数を決定するため、ラインバッファメモリ303への書き込み負荷が所定値より大きくなったときに、従来のように一定の時間間隔でリフレッシュ動作を行った場合(すなわち、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数を固定にした場合)に比べて、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作を少なくして長い描画期間を確保できる。その結果、1水平期間内に必要な全ての画像信号S320を高い確率でラインバッファメモリ303に書き込むことができ、ディスプレイ321に表示される画像の品質を高めることが可能になる。
また、画像メモリシステム301によれば、所定期間内に必要な回数のリフレッシュ動作が行われるため、ラインバッファメモリ303の記憶状態は保持される。
さらに、画像メモリシステム301によれば、ラインバッファメモリ303の負荷を時間的に分散させることができる。
その結果、画像メモリシステム301における消費電力のピーク値を低減でき、配線や回路素子などの容量を低減し、小規模化を図れる。
【0036】
第2実施形態
上述した第1実施形態では、図1に示すようにシングルバッファ方式のラインバッファメモリ303を用いた場合を例示したが、本実施形態では、デュアルバッファ方式のラインバッファメモリを用いた場合について説明する。
【0037】
図4は、本実施形態に係わる画像メモリシステム401の構成図である。
図4に示すように、画像メモリシステム401は、タイミング発生回路302、記憶モジュール403、メモリアクセス回路404、CPU405、リフレッシュ制御信号生成回路306、リフレッシュ制御回路407を有する。
図4において、図1と同じ符号を付した構成要素は、第1実施形態で前述した構成要素と同じである。
すなわち、図4に示すタイミング発生回路302およびリフレッシュ制御信号生成回路306は、第1実施形態で前述したものと同じである。
【0038】
〔記憶モジュール403〕
記憶モジュール403は、デュアルバッファ方式のラインバッファメモリであり、図4に示すように、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421を有する。
第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421は、それぞれディスプレイ321に表示する1画面分の画像信号のうち1ライン分の画像信号を記憶可能な記憶容量を有する。
ここで、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421は、並列にアクセス可能である。
また、記憶モジュール403のリフレッシュ動作は、リフレッシュ制御回路407の制御に基づいて同時に行われる。
【0039】
〔メモリアクセス回路404〕
メモリアクセス回路404は、CPU405からの制御信号S405aに基づいて、タイミング発生回路302からの水平同期信号S302aおよび垂直同期信号S302bを基準としたタイミングで、1ライン分の画像信号を単位として、画像処理回路320から入力した画像信号S320を記憶モジュール403の第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421に書き込むと共に、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421から読み出した画像信号S403をディスプレイ321に出力する。
【0040】
ここで、メモリアクセス回路404は、第1のラインバッファメモリ420への書き込み/読み出し動作と第2のラインバッファメモリ421への読み出し/書き込み動作とを並行して実行可能である。
すなわち、第1のラインバッファメモリ420への書き込み動作を行っているときに、第2のラインバッファメモリ421からの読み出し動作が可能であり、第1のラインバッファメモリ420からの読み出し動作を行っているときに、第2のラインバッファメモリ421への書き込み動作が可能である。
【0041】
また、メモリアクセス回路404は、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421に対して、1水平期間毎に、書き込み動作と読み出し動作とを交互に行う。
【0042】
〔CPU405〕
CPU405は、プログラムの実行に応じて、第1のラインバッファメモリ420と第2のラインバッファメモリ421とを区別して記憶モジュール403へのアクセス指示を出すこと以外は、基本的に前述した図2に示す第1実施形態のCPU305の処理と同じ処理を行う。
【0043】
〔リフレッシュ制御回路407〕
リフレッシュ制御回路407は、リフレッシュ動作回数指定信号S306に基づいて、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421に対して同時にリフレッシュ動作を行う。
【0044】
以下、図4に示す画像メモリシステム401の動作例について図5を参照しながら説明する。
先ず、CPU405において、実行中のプログラムに応じて、メモリアクセス回路404による第1のラインバッファメモリ420への書き込みの負荷に基づいて、水平帰線期間A1 内に行うリフレッシュ動作の回数が決定され、当該決定されたリフレッシュ動作の回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S405bがリフレッシュ制御信号生成回路306に出力される。
そして、当該リフレッシュ動作回数指示S405bに応じたリフレッシュ制御信号S306がリフレッシュ制御信号生成回路306からリフレッシュ制御回路407に出力され、リフレッシュ制御回路407の制御によって、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421において、前記決定された回数のリフレッシュ動作が水平帰線期間A1 内に行われる。
この場合には、図5(A),(B)に示すように、リフレッシュ動作期間B1 内に、前記決定された回数のリフレッシュ動作が第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421において行われる。
【0045】
リフレッシュ動作期間B1 が終了すると、それに続く描画期間C1 内に、CPU405からの制御信号S405aに基づいて、画像処理回路320からの画像信号S320がメモリアクセス回路404を介して第1のラインバッファメモリ420に書き込まれる。
それと並行して、水平帰線期間A1 とA2 との間の表示期間D2 において、メモリアクセス回路404を介して、第2のラインバッファメモリ421から読み出された画像信号S403がディスプレイ321に出力される。
【0046】
次に、CPU405において、実行中のプログラムに応じて、メモリアクセス回路404による第2のラインバッファメモリ421への書き込みの負荷に基づいて、水平帰線期間A2 内に行うリフレッシュ動作の回数が決定され、当該決定されたリフレッシュ動作の回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S405bがリフレッシュ制御信号生成回路306に出力される。
そして、当該リフレッシュ動作回数指示S405bに応じたリフレッシュ制御信号S306がリフレッシュ制御信号生成回路306からリフレッシュ制御回路407に出力され、リフレッシュ制御回路407の制御によって、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421において、前記決定された回数のリフレッシュ動作が水平帰線期間A2 内に行われる。
この場合には、図5(A),(B)に示すように、リフレッシュ動作期間B2 内に、前記決定された回数のリフレッシュ動作が第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421において行われる。
【0047】
リフレッシュ動作期間B2 が終了すると、それに続く描画期間C2 内に、CPU405からの制御信号S405aに基づいて、画像処理回路320からの画像信号S320がメモリアクセス回路404を介して第2のラインバッファメモリ421に書き込まれる。
それと並行して、水平帰線期間A2 とA3 との間の表示期間D1 において、メモリアクセス回路404を介して、第1のラインバッファメモリ420から読み出された画像信号S403がディスプレイ321に出力される。
その後、上述した処理が繰り返される。
【0048】
以下、その他のデュアルバッファ方式のラインバッファメモリを用いた場合を説明する。
すなわち、上述した実施形態では、ディスプレイ321に表示する1画面分の画像信号のうち1ライン分の画像信号を記憶可能な記憶容量を第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421が有している場合を例示したが、以下、1ライン分の画像信号のデータ量より少ない記憶容量を第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421が備えている場合について説明する。
この場合には、図6に示すように、水平帰線期間外において、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421の双方において、交互に表示期間および描画期間を設定する。
このようにすることで、第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421の記憶容量が、1ライン分の画像信号を記憶する容量よりも小さい場合でも、ディスプレイ321に画像を途切れなく表示できる。
この場合でも、各水平帰線期間内でのリフレッシュ動作の回数は、CPU405において、メモリアクセス回路404による第1のラインバッファメモリ420および第2のラインバッファメモリ421への書き込みの負荷に基づいて決定される。
【0049】
第3実施形態
本実施形態では、記憶モジュールとしてフレームバッファメモリを用いた場合を例示する。
【0050】
図7は、本実施形態に係わる画像メモリシステム501の構成図である。
図7に示すように、画像メモリシステム501は、タイミング発生回路302、フレームバッファメモリ503、メモリアクセス回路504、CPU505、リフレッシュ制御信号生成回路306、リフレッシュ制御回路507を有する。図4において、図1と同じ符号を付した構成要素は、第1実施形態で前述した構成要素と同じである。
すなわち、図4に示すタイミング発生回路302およびリフレッシュ制御信号生成回路306は、第1実施形態で前述したものと同じである。
【0051】
〔フレームバッファメモリ503〕
フレームバッファメモリ503は、ディスプレイ321に表示する1画面分の画像信号を記憶する記憶容量を有し、ディスプレイ321の種類によって記憶容量は異なる。
例えば、ディスプレイ321が、パーソナルコンピュータのモニタ規格であるVESA(Video Electronics Standards Association) 方式のものである場合には、フレームバッファメモリ503は、ディスプレイ321上の実際の表示画像に対応する1024(ライン)×1280(ピクセル)分の画像信号と、当該表示画像の周囲の所定範囲の画像に対応する画像信号とを記憶可能な記憶容量を有する。
なお、フレームバッファメモリ503の構成としては、前述したラインバッファメモリの場合と同様に、単体のフレームバッファメモリからなるシングルバッファ方式、および、同時アクセス可能な2個のフレームバッファメモリからなるデュアルバッファ方式のいずれであってもよい。
【0052】
〔メモリアクセス回路504〕
メモリアクセス回路504によるフレームバッファメモリ503に対してのアクセスは、フレームバッファメモリ503がシングルバッファ方式である場合には、メモリアクセス回路504によるフレームバッファメモリ503への画像信号S320の書き込み期間(描画期間)は、ディスプレイ321における画像表示の図8に示す水平帰線期間A内あるいは垂直帰線期間V内に位置する。また、メモリアクセス回路504によるフレームバッファメモリ503からの画像信号S503の読み出し期間(表示期間)は、ディスプレイ321における画像表示の水平および垂直帰線期間A,V外に位置する。
【0053】
ここで、前述したVESA方式のディスプレイ321を考えると、図8に示すように、1ラインを構成する1280ピクセル分の画像信号S503を表示するのに9.5μsを要し、1024ライン分の画像信号S503を表示するのに12.8msを要する。
この場合に、例えば、前述した図2に示すステップS3に対応した仕様として、フレームバッファメモリ503が8msec内に512回以上のリフレッシュ動作を行うことが要求されている場合に、平均化すれば、1ライン分の画像信号S503をフレームバッファメモリ503に書き込む間に、約4(≒512/(1024×2/12.8))回程度のリフレッシュ動作を行うことになる。
【0054】
ここで、リフレッシュ制御回路507によるリフレッシュ動作の動作周波数を150MHzとし、1回のリフレッシュ動作に10クロックサイクルかかるとすると、4回のリフレッシュ動作に必要とされるリフレッシュ動作期間は、0.26×10-6(4×10/(150×106 ))sとなり、これは水平帰線期間Aの3.0μsの約10%になる。
本実施形態では、8msec内に512回以上のリフレッシュ動作を行うことを条件に、メモリアクセス回路504からフレームバッファメモリ503への書き込み(描画)負荷に基づいて、各水平帰線期間A内に行うリフレッシュ動作の回数を例えば0〜10回程度に可変に設定する。
【0055】
また、フレームバッファメモリ503がデュアルバッファ方式である場合には、第1のフレームバッファメモリへの書き込み/読み出し動作と第2のフレームバッファメモリへの読み出し/書き込み動作とを並行して実行可能である。
すなわち、第1のフレームバッファメモリへの書き込み動作を行っているときに、第2のフレームバッファメモリからの読み出し動作が可能であり、第1のフレームバッファメモリからの読み出し動作を行っているときに、第2のフレームバッファメモリへの書き込み動作が可能である。
このとき、第1のフレームバッファメモリについては、水平帰線期間と、垂直期間期間と、第2のフレームバッファメモリの表示期間とに描画が行われる。また、第2のフレームバッファメモリについては、水平帰線期間と、垂直帰線期間と、第1のフレームバッファメモリの表示期間とに描画が行われる。
【0056】
〔CPU505〕
CPU505におけるリフレッシュ動作回数指示信号S505bの生成処理は、フレームバッファメモリ503がシングルバッファ方式である場合には、前述した図1に示すCPU305の処理と基本的に同じであり、デュアルバッファ方式である場合には、前述した図4に示すCPU405の処理と基本的に同じである。
【0057】
〔リフレッシュ制御回路507〕
リフレッシュ制御回路507によるフレームバッファメモリ503のリフレッシュ動作は、フレームバッファメモリ503がシングルバッファ方式である場合には、前述した図1に示すリフレッシュ制御回路307の処理と基本的に同じであり、デュアルバッファ方式である場合には、前述した図4に示すリフレッシュ制御回路407の処理と基本的に同じである。
【0058】
画像メモリシステム501では、フレームバッファメモリ503を用いていることから比較的余裕をもって描画を行えるが、描画タイミングが集中する傾向があるため、CPU505は、描画タイミングが集中したときに、水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作回数を少なくし、描画が殆ど行われないときに、リフレッシュ動作回数を多く行うようにする。
これにより、画像メモリシステム501によれば、1水平期間内に必要な全ての画像信号S320を高い確率でフレームバッファメモリ503に書き込むことができ、ディスプレイ321に表示される画像の品質を高めることが可能になる。
また、画像メモリシステム501によれば、所定期間内に必要な回数のリフレッシュ動作が行われるため、フレームバッファメモリ503の記憶状態は保持される。
さらに、画像メモリシステム501によれば、フレームバッファメモリ503の負荷を時間的に分散させることができる。その結果、画像メモリシステム501における消費電力のピーク値を低減でき、配線や回路素子などの容量を低減し、小規模化を図れる。
【0059】
第4実施形態
以下、本実施形態においては、任意の3次元物体モデルに対する所望の3次元画像をCRT(Cathode Ray Tube)などのディスプレイ上に高速に表示する3次元コンピュータグラフィックシステムに、本発明の記憶装置を適用した場合について説明する。
図9は、本実施形態の3次元コンピュータグラフィックシステム1のシステム構成図である。
3次元コンピュータグラフィックシステム1は、立体モデルを単位図形である三角形(ポリゴン)の組み合わせとして表現し、このポリゴンを描画することで表示画面の各画素の色を決定し、ディスプレイに表示するポリゴンレンダリング処理を行うシステムである。
また、3次元コンピュータグラフィックシステム1では、平面上の位置を表現する(x,y)座標の他に、奥行きを表すz座標を用いて3次元物体を表し、この(x,y,z)の3つの座標で3次元空間の任意の一点を特定する。
【0060】
図9に示すように、3次元コンピュータグラフィックシステム1は、メインメモリ2、I/Oインタフェース回路3、メインプロセッサ4およびレンダリング回路5が、メインバス6を介して接続されている。
ここで、メインプロセッサ4が、本発明のリフレッシュ動作回数決定回路に対応している。
また、3次元コンピュータグラフィックシステム1は、水平同期信号S6aおよび垂直同期信号S6bを生成するタイミング発生回路7を有する。
【0061】
以下、各構成要素の機能について説明する。
〔メインプロセッサ4〕
メインプロセッサ4は、例えば、プログラムの実行に応じて、レンダリング回路5内の構成要素を制御するための制御信号を生成し、当該制御信号をメインバス6を介してレンダリング回路5に出力する。
【0062】
また、メインプロセッサ4は、前述した第1実施形態で説明した図2に示すフローチャートに応じた処理を行い、各水平帰線期間毎に、実行中にプログラムに基づいてDRAM16のバッファメモリ20〜23への書き込み負荷を判断する。
ここで、当該書き込み負荷は、例えば、3次元画像処理の場合にはポリゴンの数、画素の数、αブレンディング処理の有無などに応じて決まる。
【0063】
そして、メインプロセッサ4は、当該判断の結果に基づいて、当該水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数を決定し、当該決定した回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S4bをメインバス6を介して、レンダリング回路5のメモリI/F回路13に出力する。
【0064】
また、メインプロセッサ4は、プログラム内の所定の命令を実行すると、メインメモリ2から必要なグラフィックデータを読み出し、このグラフィックデータに対してクリッピング(Clipping)処理、ライティング(Lighting)処理およびジオメトリ(Geometry)処理などを行い、ポリゴンレンダリングデータを生成する。メインプロセッサ4は、ポリゴンレンダリングデータS4aを、メインバス6を介してレンダリング回路5に出力する。
【0065】
ここで、ポリゴンレンダリングデータは、ポリゴンの各3頂点の(x,y,z,R,G,B,α,s,t,q,F)のデータを含んでいる。
ここで、(x,y,z)データは、ポリンゴの頂点の3次元座標を示し、(R,G,B)データは、それそれ当該3次元座標における赤、緑、青の輝度値を示している。
データαは、これから描画する画素と、ディスプレイバッファメモリ21に既に記憶されている画素とのR,G,Bデータのブレンド(混合)係数を示している。
(s,t,q)データのうち、(s,t)は、対応するテクスチャの同次座標を示しており、qは同次項を示している。ここで、「s/q」および「t/q」に、それぞれテクスチャサイズUSIZEおよびVSIZEを乗じてテクスチャ座標データ(u,v)が得られる。テクスチャバッファメモリ20に記憶されたテクスチャデータへのアクセスは、テクスチャ座標データ(u,v)を用いて行われる。
ここで、テクスチャデータとは、3次元グラフィックス表示する物体の表面の模様を表すデータである。
Fデータは、フォグのα値を示している。
すなわち、ポリゴンレンダリングデータは、三角形(単位図形)の各頂点の物理座標値と、それぞれの頂点の色とテクスチャおよびフォグの値のデータを示している。
【0066】
〔I/Oインタフェース回路3〕
I/Oインタフェース回路3は、必要に応じて、外部からポリゴンレンダリングデータを入力し、これをメインバス6を介してレンダリング回路5に出力する。
【0067】
〔レンダリング回路5〕
以下、レンダリング回路5について詳細に説明する。
図9に示すように、レンダリング回路5は、DDA(Digital Differential Anarizer) セットアップ回路10、トライアングルDDA回路11、テクスチャエンジン回路12、メモリI/F回路13、CRTコントローラ回路14、DAC回路15、DRAM16およびSRAM17を有し、これらがメインプロセッサ4からの制御信号に基づいて動作する。
DRAM16は、テクスチャバッファメモリ20、ディスプレイバッファメモリ21、zバッファメモリ22およびテクスチャCLUTバッファメモリ23として機能し、例えば、ディスプレイバッファメモリ21としては、フレームバッファメモリが用いられる。
ここで、テクスチャエンジン回路15が本発明の画像処理回路に対応し、バッファメモリ20〜23が本発明の半導体メモリに対応し、メモリI/F回路13が本発明のメモリアクセス回路に対応し、メモリI/F回路13の機能の一部およびリフレッシュ制御回路30が本発明のリフレッシュ動作制御回路に対応する。
【0068】
<DDAセットアップ回路10>
DDAセットアップ回路10は、後段のトライアングルDDA回路11において物理座標系上の三角形の各頂点の値を線形補間して、三角形の内部の各画素の色と深さ情報を求めるに先立ち、ポリゴンレンダリングデータS4aが示す(z,R,G,B,α,s,t,q,F)データについて、三角形の辺と水平方向の差分などを求めるセットアップ演算を行う。
このセットアップ演算は、具体的には、開始点の値と終点の値と、開始点と終点との距離を用いて、単位長さ移動した場合における、求めようとしている値の変分を算出する。
DDAセットアップ回路10は、算出した差分を、変分データS10としてトライアングルDDA回路11に出力する。
【0069】
<トライアングルDDA回路11>
トライアングルDDA回路11は、DDAセットアップ回路10から入力した変分データS10を用いて、三角形内部の各画素における線形補間された(z,R,G,B,α,s,t,q,F)データを算出する。
トライアングルDDA回路11は、各画素の(x,y)データと、当該(x,y)座標における(z,R,G,B,α,s,t,q,F)データとを、DDAデータ(補間データ)S11としてテクスチャエンジン回路12に出力する。
本実施形態では、トライアングルDDA回路11は、並行して処理を行う矩形内に位置する8(=2×4)画素分のDDAデータS11をテクスチャエンジン回路12に出力する。
【0070】
<テクスチャエンジン回路12>
テクスチャエンジン回路12は、「s/q」および「t/q」の算出処理、テクスチャ座標データ(u,v)の算出処理、テクスチャバッファメモリ20からの(R,G,B,α)データの読み出し処理、および、混合処理(αブレンディング処理)を順にパイプライン方式で行う。
なお、テクスチャエンジン回路12は、所定の矩形内に位置する8画素についての処理を同時に並行して行う。
【0071】
また、テクスチャエンジン回路12は、DDAデータS11が示す(s,t,q)データについて、sデータをqデータで除算する演算と、tデータをqデータで除算する演算とを行う。
【0072】
また、テクスチャエンジン回路12は、除算結果である「s/q」および「t/q」に、それぞれテクスチャサイズUSIZEおよびVSIZEを乗じて、テクスチャ座標データ(u,v)を生成する。
また、テクスチャエンジン回路12は、メモリI/F回路13を介して、SRAM17に、前記生成したテクスチャ座標データ(u,v)を含む読み出し要求を出力し、メモリI/F回路13を介して、テクスチャ座標データ(u,v)によって特定されるSRAM17上のアドレスから読み出されたテクスチャデータである(R,G,B,α)データS17を得る。
ここで、テクスチャバッファメモリ20には、MIPMAP(複数解像度テクスチャ)などの複数の縮小率に対応したテクスチャデータが記憶されており、SRAM17には、テクスチャバッファメモリ20に記憶されているテクスチャデータのコピーが記憶されている。
本実施形態では、上述したようにテクスチャ座標(u,v)を生成することで、単位図形である三角形を単位として、所望の縮小率のテクスチャデータをSRAM17から読み出すことができる。
【0073】
テクスチャエンジン回路12は、SRAM17から読み出した(R,G,B,α)データS17の(R,G,B)データと、前段のトライアングルDDA回路11からのDDAデータS11に含まれる(R,G,B)データとを、(R,G,B,α)データS17に含まれるαデータ(テクスチャα)が示す割合で混合し、画素データS12を生成する。
テクスチャエンジン回路12は、この画素データS12を、メモリI/F回路13に出力する。
【0074】
テクスチャエンジン回路12は、フルカラー方式の場合には、テクスチャバッファメモリ20から読み出した(R,G,B,α)データを直接用いる。一方、テクスチャエンジン回路12は、インデックスカラー方式の場合には、予め作成したカラールックアップテーブル(CLUT)をテクスチャCLUTバッファメモリ23から読み出して、内蔵するSRAMに転送および記憶し、このカラールックアップテーブルを用いて、テクスチャバッファメモリ20から読み出したカラーインデックスに対応する(R,G,B)データを得る。
【0075】
<メモリI/F回路13>
メモリI/F回路13は、CRT31に表示を行う際に、ディスプレイバッファメモリ21から読み出した表示データ(画像データ)S21をCRTコントローラ回路14に出力する。
また、メモリI/F回路13は、テクスチャエンジン回路12から入力した画素データS12に対応するzデータと、zバッファメモリ22に記憶されているzデータとの比較を行い、入力した画素データS12によって描画される画像が、前回、ディスプレイバッファメモリ21に書き込まれた画像より、手前(視点側)に位置するか否かを判断し、手前に位置する場合には、画素データS12に対応するzデータでzバッファメモリ22に記憶されたzデータを更新する。
また、メモリI/F回路13は、必要に応じて、画素データS12に含まれる(R,G,B)データと、既にディスプレイバッファメモリ21に記憶されている(R,G,B)データとを、画素データS12に対応するαデータが示す混合値で混合する、いわゆるαブレンディング処理を行い、混合後の(R,G,B)データを表示データとしてディスプレイバッファメモリ21に書き込む。
なお、メモリI/F回路13によるDRAM16に対してのアクセスは、16画素分のデータについて同時に行なわれる。
【0076】
また、メモリI/F回路13は、水平同期信号S6aを基準として決定された水平帰線期間内に、メインプロセッサ4から入力したリフレッシュ動作回数指示信号S4bが示す回数のリフレッシュ動作を行うように制御するリフレッシュ制御信号S13aをリフレッシュ制御回路30に出力する。
このとき、メモリI/F回路13は、各水平帰線期間毎に、バッファメモリ20〜23のうちリフレッシュ動作が終了したラインを特定する情報を記憶し、次にリフレッシュ動作を行う際に、当該記憶したラインに基づいて、次にリフレッシュ動作を行うラインを特定したリフレッシュ制御信号S13aを生成する。
【0077】
<CRTコントローラ回路14>
CRTコントローラ回路14は、タイミング発生回路7から入力した水平同期信号S6aおよび垂直同期信号S6bに同期して、図示しないCRT31に表示するアドレスを発生し、当該アドレスに記憶された表示データをディスプレイバッファメモリ21から読み出す要求をメモリI/F回路13に出力する。この要求に応じて、メモリI/F回路13は、ディスプレイバッファメモリ21から一定の固まりで表示データを読み出す。
CRTコントローラ回路14は、ディスプレイバッファメモリ21から読み出した表示データを記憶するFIFO(First In First Out)回路を内蔵し、当該記憶した表示データを一定の時間間隔で読み出して表示データS14aとしてDAC回路15に出力する。
【0078】
DRAM16
DRAM16は、テクスチャバッファメモリ20、ディスプレイバッファメモリ21、Zバッファメモリ22、テクスチャCLUTバッファメモリ23およびリフレッシュ制御回路30を有する。
ここで、テクスチャバッファメモリ20は、前述したように、MIPMAP(複数解像度テクスチャ)などの複数の縮小率に対応したテクスチャデータを記憶する。
ディスプレイバッファメモリ21は、例えばフレームバッファメモリであり、各画素のR,G,B値を示す表示データを記憶する。
なお、ディスプレイバッファメモリ21は、シングルバッファ方式およびデュアルバッファ方式の何れでもよい。
zバッファメモリ22は、各画素のzデータを記憶する。
テクスチャCLUTバッファメモリ23は、カラールックアップテーブル(CLUT)を記憶する。
【0079】
リフレッシュ制御回路30は、メモリI/F回路13からのリフレッシュ制御信号S13aに基づいて、テクスチャバッファメモリ20、ディスプレイバッファメモリ21、zバッファメモリ22およびテクスチャCLUTバッファメモリ23のリフレッシュ動作を行う。
【0080】
<DAC回路15>
DAC回路15は、各インデックス値に対応するR,G,Bデータを記憶しており、CRTコントローラ回路14から入力した表示データS14bを、D/Aコンバータに転送し、アナログ形式のR,G,Bデータを生成する。DAC回路15は、当該生成したR,G,BデータS15をCRT31に出力する。
【0081】
以下、3次元コンピュータグラフィックシステム1の動作について説明する。ポリゴンレンダリングデータS4aが、メインバス6を介してメインプロセッサ4からDDAセットアップ回路10に出力され、DDAセットアップ回路10において、三角形の辺と水平方向の差分などを示す変分データS10が生成される。
この変分データS10は、トライアングルDDA回路11に出力され、トライアングルDDA回路11において、三角形内部の各画素における線形補間された(z,R,G,B,α,s,t,q,F)データが算出される。そして、この算出された(z,R,G,B,α,s,t,q,F)データと、三角形の各頂点の(x,y)データとが、DDAデータS11として、トライアングルDDA回路11からテクスチャエンジン回路12に出力される。
【0082】
次に、テクスチャエンジン回路12において、DDAデータS11が示す(s,t,q)データについて、sデータをqデータで除算する演算と、tデータをqデータで除算する演算とが行われる。
このとき、8個の図1に示す除算回路400によって、8画素分の除算「s/q」および「t/q」が同時に行われる。そして、除算結果「s/q」および「t/q」に、それぞれテクスチャサイズUSIZEおよびVSIZEが乗算され、テクスチャ座標データ(u,v)が生成される。
次に、メモリI/F回路13を介して、テクスチャエンジン回路12からSRAM17に、前記生成されたテクスチャ座標データ(u,v)を含む読み出し要求が出力され、メモリI/F回路13を介して、SRAM17に記憶されたテクスチャデータである(R,G,B,α)データS17が読み出される。
次に、テクスチャエンジン回路12において、読み出した(R,G,B,α)データS17の(R,G,B)データと、前段のトライアングルDDA回路11からのDDAデータS11に含まれる(R,G,B)データとが、(R,G,B,α)データS17に含まれるαデータ(テクスチャα)が示す割合で混合され、画素データS12が生成される。
この画素データS12は、テクスチャエンジン回路12からメモリI/F回路13に出力される。
【0083】
そして、メモリI/F回路13において、テクスチャエンジン回路12から入力した画素データS12に対応するzデータと、zバッファメモリ22に記憶されているzデータとの比較が行なわれ、入力した画素データS12によって描画される画像が、前回、ディスプレイバッファメモリ21に書き込まれた画像より、手前(視点側)に位置するか否かが判断され、手前に位置する場合には、画像データS12に対応するzデータでzバッファメモリ22に記憶されたzデータが更新される。
【0084】
次に、メモリI/F回路13において、必要に応じて、画像データS12に含まれる(R,G,B)データと、既にディスプレイバッファメモリ21に記憶されている(R,G,B)データとが、画素データS12に対応するαデータ(DDデータS11に含まれるαデータ)が示す混合値で混合され、混合後の(R,G,B)データが表示データとしてディスプレイバッファメモリ21に書き込まれる。
そして、メモリI/F回路13によって、ディスプレイバッファメモリ21に記憶された(R,G,B)データが、水平帰線期間および垂直期間期間以外の表示期間に、表示データS21として読み出されてCRTコントローラ回路14に出力される。
そして、当該表示データS21が、CRTコントローラ回路14においてタイミング調整された後に、表示データS14aとしてDAC回路15に出力される。
そして、表示データS14aが、DAC回路15において、R,G,BデータS15に変換され、当該R,G,BデータS15がCRT31に出力される。
【0085】
また、3次元コンピュータグラフィックシステム1では、上述した処理とは並行して、以下に示す、DRAM410のリフレッシュ動作が行われる。
すなわち、メインプロセッサ4において、前述したように、各水平帰線期間毎に、実行中にプログラムに基づいてDRAM16のバッファメモリ20〜23への書き込み負荷が監視され、当該監視の結果に基づいて、当該水平帰線期間内に行うリフレッシュ動作の回数が決定される。
そして、当該決定された回数を示すリフレッシュ動作回数指示信号S4bが、レンダリング回路5のメモリI/F回路13にメインバス6を介して出力される。
【0086】
そして、メモリI/F回路13において、水平同期信号S6aを基準として決定された水平帰線期間内に、リフレッシュ動作回数指示信号S4bが示す回数のリフレッシュ動作を行うように制御するリフレッシュ制御信号S13aが生成され、当該リフレッシュ制御信号S13aがリフレッシュ制御回路30に出力される。
【0087】
そして、リフレッシュ制御回路30によって、メモリI/F回路13からのリフレッシュ制御信号S13aに基づいて、テクスチャバッファメモリ20、ディスプレイバッファメモリ21、zバッファメモリ22およびテクスチャCLUTバッファメモリ23のリフレッシュ動作が行われる。
【0088】
以上説明したように、3次元コンピュータグラフィックシステム1によれば、メインプロセッサ4によってDRAM16の書き込み負荷が監視され、当該監視の結果に基づいて、水平帰線期間毎にリフレッシュ回数が設定される。
その結果、1水平期間内に必要な全ての表示データを高い確率でディスプレイバッファメモリ21に書き込むことができ、CRT31に表示される画像の品質を高めることが可能になる。
また、3次元コンピュータグラフィックシステム1によれば、所定期間内に必要な回数のリフレッシュ動作が行われるため、DRAM16の記憶状態は保持される。
さらに、3次元コンピュータグラフィックシステム1によれば、DRAM16の負荷を時間的に分散させることができる。
その結果、DRAM16における消費電力のピーク値を低減でき、配線や回路素子などの容量を低減し、小規模化を図れる。
【0089】
本発明は上述した実施形態には限定されない。
例えば、上述した実施形態では、半導体メモリとして、DRAMを例示したが、本発明は、記憶保持のためのリフレッシュ動作を必要とするその他の半導体メモリについても適用可能である。
また、上述した実施形態では、半導体メモリに画像信号を記憶する場合を例示したが、本発明は、半導体メモリにその他の信号を記憶する場合にも同様に適用できる。
【0090】
また、上述した実施形態では、レンダリング回路5の外部に配設されたメインプロセッサ4において、リフレッシュ回数指示信号S4bを生成する場合を例示したが、メモリI/F回路13あるいはCRTコントローラ回路14に、バッファメモリ20〜23への書き込み負荷を判断する機能を持たせることで、レンダリング回路5の内部でリフレッシュ回数指示信号を生成してもよい。
【0091】
また、上述した実施形態では、3次元コンピュータグラフィックシステムに本発明の記憶装置を適用した場合を例示したが、本発明は、2次元コンピュータグラフィックシステムにも適用できる。
【0092】
また、上述した図9に示す3次元コンピュータグラフィックシステム1では、SRAM17を用いる構成を例示したが、SRAM17を設けない構成にしてもよい。
また、図9に示すテクスチャバッファメモリ20およびテクスチャCLUTバッファメモリ23を、DRAM16の外部に設けてもよい。
【0093】
さらに、図9に示す3次元コンピュータグラフィックシステム1では、ポリゴンレンダリングデータを生成するジオメトリ処理を、メインプロセッサ4で行なう場合を例示したが、レンダリング回路5で行なう構成にしてもよい。
【0094】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の記憶装置と、リフレッシュ動作制御装置およびその方法と、画像処理装置およびその方法によれば、リフレッシュ動作によって半導体メモリの記憶データを適切に保持しながら、半導体メモリへのアクセスの性能を高めることができる
また、本発明の記憶装置、画像処理装置およびリフレッシュ動作制御装置によれば、リフレッシュ動作に伴う半導体メモリの負荷を軽減して装置の小規模化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1実施形態に係わる画像メモリシステムの構成図である。
【図2】図2は、図1に示すCPUにおけるリフレッシュ動作回数指示信号の生成処理のフローチャートである。
【図3】図3は、図1に示す画像メモリシステムにおけるDRAMのリフレッシュ動作例を説明するための図である。
【図4】図4は、本発明の第2実施形態に係わる画像メモリシステムの構成図である。
【図5】図5は、図4に示す画像メモリシステムにおけるDRAMのリフレッシュ動作例を説明するための図である。
【図6】図5は、図4に示す画像メモリシステムにおけるDRAMのその他のリフレッシュ動作例を説明するための図である。
【図7】図7は、本発明の第3実施形態に係わる画像メモリシステムの構成図である。
【図8】図8は、図7に示すDRAMから読み出した画像信号の表示タイミングを説明するための図である。
【図9】図7は、本発明の第4実施形態の3次元コンピュータグラフィックシステムのシステム構成図である。
【符号の説明】
1…3次元コンピュータグラフィックシステム、2…メインメモリ、3…I/Oインタフェース回路、4…メインプロセッサ、5…レンダリング回路、6…メインバス、7…タイミング発生回路、10…DDAセットアップ回路、11…トライアングルDDA回路、12…テクスチャエンジン回路、13…メモリI/F回路、14…CRTコントローラ回路、15…DAC回路、16…DRAM、17…SRAM、20…テクスチャバッファメモリ、21…ディスプレイバッファメモリ、22…Zバッファメモリ、23…テクスチャCLUTバッファメモリ、30…リフレッシュ制御回路、31…CRT、301,401,501…画像メモリシステム、302…タイミング発生回路、303,420,421…ラインバッファメモリ、304,404,504…メモリアクセス回路、305,405,505…CPU、306…リフレッシュ制御信号生成回路、307,407,507…リフレッシュ制御回路、320…画像処理回路、321…ディスプレイ、503…フレームバッファメモリ
Claims (22)
- 画像信号を記憶し記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリと、
前記半導体メモリにアクセスを行うメモリアクセス回路と、
指示された回数のリフレッシュ動作を前記画像信号の帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、
前記半導体メモリに対しての前記メモリアクセス回路による前記アクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の前記回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路と
を有する記憶装置。 - 前記メモリアクセス回路は、前記半導体メモリから読み出した画像信号に応じた画像を表示手段で表示する際の前記帰線期間内に、画像信号を前記半導体メモリに書き込み、
前記リフレッシュ動作回数決定回路は、前記メモリアクセス回路による前記画像信号の書き込みの負荷を監視する
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記メモリアクセス回路は、前記帰線期間外に、前記半導体メモリから前記画像信号を読み出す
請求項2に記載の記憶装置。 - 前記リフレッシュ動作回数決定回路は、前記アクセスの負荷が大きくなるに従って前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の前記回数を少なく決定する
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記リフレッシュ動作回数決定回路は、所定のプログラムを実行し、当該実行の結果に基づいて前記メモリアクセス回路を制御し、前記プログラムに基づいて前記アクセスの負荷を判断する
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記半導体メモリは、同時にアクセス可能な少なくとも第1の半導体メモリおよび第2の半導体メモリを有し、
前記メモリアクセス回路は、第1の水平帰線期間内と当該第1の水平帰線期間に続く前記第2の半導体メモリから画像信号を読み出す第1の表示期間内とに、画像信号を前記第1の半導体メモリに書き込み、前記第1の表示期間に続く第2の水平帰線期間内と当該第2の水平帰線期間に続く前記第1の半導体メモリから画像信号を読み出す第2の表示期間内とに、前記画像信号を前記第2の半導体メモリに書き込む
請求項2に記載の記憶装置。 - 前記半導体メモリは、ラインバッファメモリである
請求項2に記載の記憶装置。 - 前記半導体メモリは、フレームバッファメモリである
請求項2に記載の記憶装置。 - 前記帰線期間は、水平帰線期間である
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記半導体メモリは、DRAMである
請求項1に記載の記憶装置。 - 画像信号を記憶し記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリの前記リフレッシュ動作を制御するリフレッシュ動作制御装置であって、
指示された回数のリフレッシュ動作を前記画像信号の帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、
前記半導体メモリに対してのアクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路と
を有するリフレッシュ動作制御装置。 - 前記半導体メモリに画像信号が記憶されており、前記半導体メモリから読み出した画像信号に応じた画像を表示手段で表示する際の前記帰線期間内に、画像信号を前記半導体メモリに書き込む場合に、前記リフレッシュ動作回数決定回路は、前記半導体メモリへの前記画像信号の書き込みの負荷を監視する
請求項11に記載のリフレッシュ動作制御装置。 - 画像処理を行って画像データを生成する画像処理回路と、
前記画像データを記憶し、記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリと、
前記半導体メモリから読み出した画像データに応じた画像を表示手段で表示する際の画像信号の帰線期間内に前記生成された画像データを前記半導体メモリに書き込むメモリアクセス回路と、
指示された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御するリフレッシュ動作制御回路と、
前記半導体メモリに対しての前記メモリアクセス回路による前記アクセスの負荷を監視し、当該負荷に基づいて前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の前記回数を決定し、当該決定した回数を前記リフレッシュ動作制御回路に指示するリフレッシュ動作回数決定回路と
を有する画像処理装置。 - 前記メモリアクセス回路は、前記帰線期間外に、前記半導体メモリから画像データを読み出して前記表示手段に出力する
請求項13に記載の画像処理装置。 - 前記リフレッシュ動作回数決定回路は、所定のプログラムを実行し、当該実行の結果に基づいて前記メモリアクセス回路および前記画像処理回路を制御し、前記プログラムに基づいて前記書き込みの負荷を判断する
請求項13に記載の画像処理装置。 - 立体モデルを共通の処理条件が適用される複数の単位図形の組み合わせで表現し、前記単位図形内に表示される模様を示すテクスチャデータを前記単位図形と対応付けて、当該対応付けに応じた画像を表示する場合に、前記半導体メモリは、前記テクスチャデータおよび前記画像データを記憶し、
前記メモリアクセス回路は、前記半導体メモリから読み出した前記テクスチャデータを前記画像処理回路に出力し、前記画像処理回路は、前記単位図形と前記テクスチャデータとを対応付けて前記画像データを生成する
請求項13に記載の画像処理装置。 - 前記半導体メモリは、相互に異なる縮小率に対応した複数の前記テクスチャデータを記憶する
請求項16に記載の画像処理装置。 - 前記単位図形の頂点についての3次元座標(x,y,z)、R(赤),G(緑),B(青)データ、同次座標(s,t)および同次項qを含む単位図形レンダリングデータを生成する単位図形レンダリングデータ生成回路と、
前記単位図形レンダリングデータを補間して、前記単位図形内に位置する画素の画素データを生成するデータ補間回路と
をさらに有し、
前記メモリアクセス回路は、前記画素データに含まれる前記同次座標(s,t)および前記同次項qによって特定される前記半導体メモリ内のアドレスから、所望の縮小率に対応したテクスチャデータを読み出し、
前記画像処理回路は、前記生成された前記画素データと、前記読み出された前記テクスチャデータとに基づいて前記画像データを生成する
請求項17に記載の画像処理装置。 - 画像信号の記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリの前記リフレッシュ動作を制御するリフレッシュ動作制御方法であって、
前記半導体メモリに対してのアクセスの負荷を監視し、
当該負荷に基づいて、前記画像信号の帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、
前記決定された回数の前記リフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御する
リフレッシュ動作制御方法。 - 前記半導体メモリから読み出した前記画像信号に応じた画像を表示手段で表示する際の前記帰線期間内に、前記画像信号を前記半導体メモリに書き込む場合に、前記半導体メモリへの前記画像信号の書き込みの負荷を監視し、当該負荷に基づいて、前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定する
請求項19に記載のリフレッシュ動作制御方法。 - 画像処理を行って画像信号を生成し、
記憶保持にリフレッシュ動作が必要な半導体メモリに対し、前記生成された画像信号を当該画像信号の帰線期間内に書き込み、
前記半導体メモリに対しての前記書き込みの負荷を監視し、
当該負荷に基づいて、前記帰線期間内に行う前記リフレッシュ動作の回数を決定し、
前記決定された回数のリフレッシュ動作を前記帰線期間内に前記半導体メモリが行うように制御する
画像処理方法。 - 前記帰線期間外に、前記半導体メモリから画像信号を読み出して表示手段に出力する
請求項21に記載の画像処理方法。
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