JP2011165247A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】リフレッシュに基づくＤＲＡＭのパフォーマンス低下を防ぐ技術を提供する。
【解決手段】電子機器１００は、メモリー制御回路１３０は、ＤＲＡＭ１４０を構成する記憶素子について、所定期間Ｔｓ内に少なくとも１回はリフレッシュがなされるように、所定間隔でＤＲＡＭ１４０に対してリフレッシュコマンドを発行する第１の分散リフレッシュ処理と、ＤＲＡＭ１４０への所定のリクエストがされることを契機として、当該所定間隔よりも短い間隔で集中的にリフレッシュコマンドを所定回数Ｎｃ発行する集中リフレッシュ処理と、所定回数Ｎｃのリフレッシュコマンドを発行し終えると、所定期間Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りの記憶素子についてリフレッシュするためのリフレッシュ間隔Ｔｒを算出し、算出した当該リフレッシュ間隔Ｔｒでリフレッシュコマンドを発行する第２の分散リフレッシュ処理と、を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子機器に関する。

ＤＲＡＭ（Dynamic RAM）は、一定時間アクセスされないと記憶内容が消えてしまうため、一定周期で記憶内容の更新（以下では「リフレッシュ」とよぶ）を行う必要がある（特許文献１など）。例えば、所定期間（６４ｍｓ）以内にＤＲＡＭを構成する全てのセル（記憶域）のリフレッシュを行う場合には、ＤＲＡＭを制御するコントローラーは、平均７．８μｓに１回はＤＲＡＭに対してリフレッシュコマンドを発行しなければならない（セル数または列数が８１９２である場合）。

しかし、必ずしも７．８μｓ以内に１回はリフレッシュを行わなければならないわけではなく、最終的に所定期間（６４ｍｓ）以内に全てのセルをリフレッシュできれば、リフレッシュの間隔は自由である。以下では、等間隔でリフレッシュを行うことを「分散リフレッシュ」とよび、分散リフレッシュよりも短時間に集中的にリフレッシュを行うことを「集中リフレッシュ」とよぶ。

特開２００７−２３３６３３号

ところで、上記のリフレッシュに要する時間は比較的長く、その間ＤＲＡＭへのアクセスを行うことはできないため、リフレッシュのタイミングによってはＤＲＡＭのパフォーマンスに大きな影響がでてしまう。

本発明は、リフレッシュに基づくＤＲＡＭのパフォーマンス低下を防ぐ技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本願発明は、ＤＲＡＭを制御するメモリー制御回路を備えた電子機器であって、前記メモリー制御回路は、前記ＤＲＡＭを構成する記憶素子について、所定期間Ｔｓ内に少なくとも１回はリフレッシュがなされるように、所定間隔で前記ＤＲＡＭに対してリフレッシュコマンドを発行する第１の分散リフレッシュ処理と、前記ＤＲＡＭへの所定のリクエストがされることを契機として、前記所定間隔よりも短い間隔で集中的に前記リフレッシュコマンドを所定回数Ｎｃ発行する集中リフレッシュ処理と、前記所定回数Ｎｃのリフレッシュコマンドを発行し終えると、前記所定期間Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りの記憶素子についてリフレッシュするためのリフレッシュ間隔Ｔｒを算出し、算出した当該リフレッシュ間隔Ｔｒで前記リフレッシュコマンドを発行する第２の分散リフレッシュ処理と、を行う。

本発明の一実施形態が適用された画像処理装置１００のハードウェア構成の一例を示す図である。 メモリー制御ＡＳＩＣ１３０のハードウェア構成の一例を示す図である。 （Ａ）分散リフレッシュモードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。（Ｂ）集中リフレッシュモードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。（Ｃ）両用モードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。 リフレッシュモードの設定処理を示すフロー図である。 集中リフレッシュモードの設定方法を説明するための図である。 両用モードの設定方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態の一例を図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態が適用された画像処理装置１００のハードウェア構成の一例を示す図である。画像処理装置１００は、プリンター、コピー機、複合機、スキャナーなどの装置である。画像処理装置１００は情報処理装置２００と接続される。

情報処理装置２００は、不図示の、ＣＰＵと、ＲＡＭと、ＲＯＭと、ハードディスク等の補助記憶装置と、ディスプレイと、キーボードやマウス等の入力装置と、通信インターフェイスと、などを備えた一般的なコンピューターで実現される。情報処理装置２００では、アプリケーションプログラムや、ドライバープログラム（例えば、プリンタードライバープログラム）が実行される。

画像処理装置１００は、画像処理装置１００における各種処理を制御する電子機器制御装置としてのコントローラー１１０と、印刷媒体への印刷や原稿の読み取りを実行するエンジン部１６０と、ユーザーとの入出力インターフェイスである操作パネル１７０と、を備えている。

コントローラー１１０は、ＣＰＵ１２０と、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０と、ＳＤＲＡＭ１４０と、Ｉ／Ｏ（Input/Output）制御ＡＳＩＣ１５０と、を備える。コントローラー１１０は、エンジン部１６０、操作パネル１７０等の各種機構を制御し、各種画像処理などを含む印刷機能、ファクシミリ機能、スキャナー機能、コピー機能等を実現する。ただし、コントローラー１１０は、この構成に限定されず、例えば、ＣＰＵ１２０をメモリー制御ＡＳＩＣ１３０に内蔵させてもよい。

ＣＰＵ１２０は、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０を介してＳＤＲＡＭ１４０にアクセスし、各種データの読み書きを行うことで各種処理を実行する。ＣＰＵ１２０は、ＳＤＲＡＭ１４０にアクセスするためのアクセス要求をメモリー制御ＡＳＩＣ１３０に対して出す。

メモリー制御ＡＳＩＣ１３０は、ＣＰＵ１２０、Ｉ／Ｏ制御ＡＳＩＣ１５０、エンジン部１６０からのＳＤＲＡＭ１４０へのアクセスを制御する。メモリー制御ＡＳＩＣ１３０は、ＣＰＵ１２０を介さない、ＳＤＲＡＭ１４０へのダイレクトメモリーアクセスを制御するようにしてもよい。

また、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０は、ＳＤＲＡＭ１４０をリフレッシュするためのリフレッシュコマンドを発行する。

ＳＤＲＡＭ１４０は、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０が制御を行うメモリーである。ＳＤＲＡＭ１４０は、複数のセル（記憶域）を有し、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０からリフレッシュコマンドが発行されると、リフレッシュの対象となるセル（或いは列）をリフレッシュする。

Ｉ／Ｏ制御ＡＳＩＣ１５０は、外部機器（操作パネル１７０や、情報処理装置２００など）とのデータの送受信を制御する。

エンジン部１６０は、印刷機能、ファクシミリ機能、スキャナー機能、コピー機能等を実現するための給排紙機構、印字機構、スキャン機構等であり、例えば、印刷エンジン、スキャナーエンジンなどを含む。

操作パネル１７０は、ユーザーの操作を受け付けるためのユニットである。操作パネル１７０は、例えば、ＬＣＤなどのディスプレイと、ディスプレイの表示面側に設けられたタッチパネルを有する。操作パネル１７０は、ボタンキーなどの各種ハードスイッチを有していてもよい。

以上、画像処理装置１００のハードウェア構成について説明した。もちろん、この構成は、本願発明の特徴を説明するにあたって主要構成を説明したのであって、上記の構成に限られない。また、一般的な画像処理装置１００が備える他の構成を排除するものではない。

図２は、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０のハードウェア構成の一例を示す図である。図示するように、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０は、インターフェイス部１３１と、調停回路１３２と、メモリーコントローラー１３３と、を備えている。

インターフェイス部１３１は、ＣＰＵ１２０、Ｉ／Ｏ制御ＡＳＩＣ１５０、エンジン部１６０からのアクセス要求を受け付け、調停回路１３２に通知する。

調停回路１３２は、通知されたアクセス要求を受け付け、メモリーコントローラー１３３に通知する。ここで、調停回路１３２は、複数のアクセス要求を同タイミングで受け付けた場合には、１つのアクセス要求を選択してメモリーコントローラー１３３に通知する制御を行う。

メモリーコントローラー１３３は、調停回路１３２からアクセス要求を受け付けると、ＳＤＲＡＭ１４０に対して所定のコマンドを発行して、アクセス要求に基づくアクセス制御を行う。

また、メモリーコントローラー１３３は、ＳＤＲＡＭ１４０に対してリフレッシュコマンドを発行して、ＳＤＲＡＭ１４０のリフレッシュを行う。

ここで、メモリーコントローラー１３３は、複数の制御方法のうちいずれかの方法によってＳＤＲＡＭ１４０をリフレッシュすることができる。すなわち、メモリーコントローラー１３３は、「分散リフレッシュ」、「集中リフレッシュ」、「両用リフレッシュ」のいずれかの制御方法によって、ＳＤＲＡＭ１４０をリフレッシュする。

＜分散リフレッシュ＞
具体的には、メモリーコントローラー１３３は、分散リフレッシュモードに設定された場合には、等間隔でリフレッシュコマンドをＳＤＲＡＭ１４０に発行する。

図３（Ａ）は、分散リフレッシュモードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。図示するように、メモリーコントローラー１３３は、ＳＤＲＡＭ１４０を構成するセルについて所定区間（期間）Ｔｓ内に少なくとも１回はリフレッシュがなされるように、等間隔でリフレッシュコマンドを発行する。分散リフレッシュモードでリフレッシュコマンドが発行される間隔は、例えば、所定区間（期間）Ｔｓを、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要な総発行回数Ｎｓで除した値（Ｔｓ／Ｎｓ）に設定される。なお、ここでの所定区間（期間）Ｔｓは、リフレッシュせずに記憶内容を保持可能な期間であり、所定の規格（例えば、ＪＥＤＥＣ［Joint Electron Device Engineering Council］により定められている規格）に従う期間とする。

＜集中リフレッシュ＞
また、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュモードに設定された場合には、分散リフレッシュモードでリフレッシュコマンドを発行する間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）よりも短い間隔で、集中的にリフレッシュコマンドをＳＤＲＡＭ１４０に発行する。

図３（Ｂ）は、集中リフレッシュモードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。図示するように、メモリーコントローラー１３３は、所定区間（期間）Ｔｓ内の所定の領域（図示する集中リフレッシュ領域）で、集中的にリフレッシュコマンドを発行する。そして、この所定の領域でリフレッシュコマンドを発行する回数は、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要な総発行回数Ｎｓとなる。従って、必然的に、集中リフレッシュモードにおいてリフレッシュコマンドが発行される間隔は、分散リフレッシュモードでリフレッシュコマンドが発行される間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）よりも短い間隔となる。なお、この間隔は、リフレッシュコマンドを発行可能な範囲でできるだけ短い間隔であることが望ましい。

＜両用リフレッシュ＞
また、メモリーコントローラー１３３は、両用リフレッシュモードに設定された場合には、上記の分散リフレッシュと集中リフレッシュを併用して、リフレッシュコマンドをＳＤＲＡＭ１４０に発行する。すなわち、メモリーコントローラー１３３は、ＳＤＲＡＭ１４０への所定のリクエスト（アクセス要求）がされるまでは、分散リフレッシュ（等間隔でリフレッシュコマンドを発行）を行い、ＳＤＲＡＭ１４０への所定のリクエスト（アクセス要求）がされることを契機（トリガ）として、集中リフレッシュ（分散リフレッシュより短い間隔で集中的にリフレッシュコマンドを発行）を行う。

図３（Ｃ）は、両用リフレッシュモードにおけるリフレッシュコマンドの発行タイミングの一例を示す図である。

図示するように、メモリーコントローラー１３３は、所定区間（期間）Ｔｓの開始時点では、上記の分散リフレッシュモードでリフレッシュコマンドを発行する間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）と同間隔でリフレッシュコマンドを発行する。

そして、メモリーコントローラー１３３は、ＳＤＲＡＭ１４０への所定のリクエスト（アクセス要求）がされると、これを契機（図示する集中リフレッシュトリガ）として集中リフレッシュを開始する。メモリーコントローラー１３３は、この集中リフレッシュを開始してから、所定回数（図示する例では５回）Ｎｃ、リフレッシュコマンドを発行すると集中リフレッシュを終了する。

ここで、集中リフレッシュを開始してから終了するまでの期間Ｔｃにおいては、上記の集中リフレッシュモードでリフレッシュコマンドを発行する間隔と同間隔でリフレッシュコマンドが発行されるため、この期間Ｔｃは、（集中リフレッシュモードでリフレッシュコマンドを発行する間隔）×Ｎｃとなる。すなわち、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュトリガから期間Ｔｃが経過するまで間に、集中リフレッシュを行うようにしている。

このようにする理由は、所定のリクエスト（アクセス要求）がされると、ほぼ決まって一定期間Ｔｃ、ＳＤＲＡＭ１４０へのアクセス要求がされないためである。そして、この期間Ｔｃに集中リフレッシュを行うことより、所定区間（期間）Ｔｓ全体においてリフレッシュ時にアクセス要求が起こる確率を低下させることができ、その結果、ＳＤＲＡＭ１４０のパフォーマンス低下を防ぐことができる。

また、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュを終了すると、所定区間（期間）Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りのセル（記憶域）についてリフレッシュを行うために、等間隔Ｔｒでリフレッシュコマンドを発行する。

そのためには、メモリーコントローラー１３３は、まず、集中リフレッシュを終了した時点において、所定区間（期間）Ｔｓの終了までの時間（Ｔｓ−Ｔｂ−Ｔｃ）と、所定区間（期間）Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りのセル（記憶域）に対してリフレッシュコマンドを発行する必要のある回数Ｎｒを算出する。ここで、Ｎｒは、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要なリフレッシュコマンドの総発行回数Ｎｓから、所定時間（期間）Ｔｓの開始から集中リフレッシュを開始するまでに等間隔でリフレッシュコマンドを発行した回数Ｎｂと、集中リフレッシュを開始してから終了するまでにリフレッシュコマンドを発行した回数（図示する例では５回）Ｎｃと、を減算することにより求めることができる（すなわち、Ｎｒ＝Ｎｓ−Ｎｂ−Ｎｃ）。

次に、メモリーコントローラー１３３は、算出した時間（Ｔｓ−Ｔｂ−Ｔｃ）を、算出した発行回数Ｎｒで除して、集中リフレッシュを終了してから所定区間（期間）Ｔｓの終了までにリフレッシュコマンドを発行する間隔（等間隔）Ｔｒを算出する（すなわち、Ｔｒ＝（Ｔｓ−Ｔｂ−Ｔｃ）／Ｎｒ）。

それから、メモリーコントローラー１３３は、所定区間（期間）Ｔｓが終了するまで、算出した間隔Ｔｒでリフレッシュコマンドを発行する。こうして、本両用リフレッシュモードでも、所定区間（時間）Ｔｓ内にＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（記憶域）をリフレッシュすることができる。

なお、上記の集中リフレッシュトリガには、画像読み取りのリクエスト、色補正のリクエスト、及び、スクリーン処理のリクエスト、の少なくともいずれかが含まれる。

そして、メモリーコントローラー１３３は、分散リフレッシュモード、集中リフレッシュモード、両用リフレッシュモードにおける上記タイミングでのリフレッシュコマンドの発行を、所定区間（期間）Ｔｓを１単位として繰り返し実行する。

以上、コントローラー１１０、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０等の構成について説明した。もちろん、この構成は、本願発明の特徴を説明するにあたって主要構成を説明したものであって、上記の構成に限られない。また、一般的なコントローラー１１０、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０等が備える他の構成を排除するものではない。

次に、上記のメモリーコントローラー１３３の特徴的な動作について説明する。

図４は、リフレッシュモードの設定処理を示すフロー図である。

メモリーコントローラー１３３は、例えば、画像処理装置１００に電源が投入されるタイミングで、リフレッシュモードの設定処理を開始する。もちろん、本フローを開始するタイミングはこれに限定されず、画像処理装置１００の出荷時や、ユーザーから指示されたタイミングで本フローを開始するようにしてもよい。

リフレッシュモードの設定処理を開始すると、メモリーコントローラー１３３は、ＳＤＲＡＭ１４０をリフレッシュする制御方法を選択する（ステップＳ１０１）。例えば、メモリーコントローラー１３３は、操作パネル１７０にリフレッシュの制御方法を選択可能にする画面を表示し、ユーザーからいずれかの制御方法を選択する指示を受け付ける。なお、ここで選択可能な制御方法には、上述したように、「Ａ：分散リフレッシュモード」と、「Ｂ：集中リフレッシュモード」と、「Ｃ：両用リフレッシュモード」と、が含まれる。

ステップＳ１０１において、「Ａ：分散リフレッシュモード」が選択される指示を受け付けると（ステップＳ１０１：Ａ）、メモリーコントローラー１３３は、処理をステップ１０２に移行して、「分散リフレッシュモード」についての設定（手動設定）を行う（ステップＳ１０２）。

具体的には、メモリーコントローラー１３３は、リフレッシュせずにＳＤＲＡＭ１４０のセルの記憶内容を保持可能な期間（上記の所定区間Ｔｓ）と、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要な総発行回数Ｎｓと、をユーザーから受け付ける。それから、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた値（Ｔｓ、Ｎｓ）を用いて、リフレッシュコマンドを発行する間隔（等間隔）を算出する（すなわち、Ｔｓ／Ｎｓを算出する）。そして、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた値（Ｔｓ、Ｎｓ）と、算出したリフレッシュ間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）を、分散リフレッシュモードの設定値として所定の記憶領域（例えば、レジスター）に格納する。

もちろん、上記の所定区間Ｔｓとリフレッシュの総発行回数Ｎｓは、予め登録されていてもよく、ステップＳ１０２では、分散リフレッシュモードでのリフレッシュコマンドの発行間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）を算出するだけにしてもよい。

その後、メモリーコントローラー１３３は、本フローを終了して、アクセス要求を待機するとともに、ステップＳ１０２で設定された設定値に基づいて、分散リフレッシュモードでのリフレッシュコマンドの発行を開始する。

また、ステップＳ１０１において、「Ｂ：集中リフレッシュモード」が選択される指示を受け付けると（ステップＳ１０１：Ｂ）、メモリーコントローラー１３３は、処理をステップ１０３に移行して、「集中リフレッシュモード」についての設定（手動設定）を行う（ステップＳ１０３）。

図５は、「集中リフレッシュモード」についての設定方法を説明するための図である。図示するように、メモリーコントローラー１３３は、リフレッシュせずにＳＤＲＡＭ１４０のセルの記憶内容を保持可能な期間（上記の所定区間Ｔｓ）と、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要な総発行回数Ｎｓと、をユーザーから受け付ける。それから、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュを行う領域（集中リフレッシュ領域）の指定を受け付ける。例えば、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた期間Ｔｓを複数の領域に分割し（図示する例では「６分割」）、分割された領域の中から１つの領域（図示する例では「領域２」）を選択する指示をユーザーから受け付ける。そして、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた値（Ｔｓ、Ｎｓ）と、選択された集中リフレッシュ領域を、集中リフレッシュモードの設定値として所定の記憶領域（例えば、レジスター）に格納する。

もちろん、上記の所定区間Ｔｓとリフレッシュの総発行回数Ｎｓは、予め登録されていてもよい。

その後、メモリーコントローラー１３３は、本フローを終了して、アクセス要求を待機するとともに、ステップＳ１０３で設定された設定値に基づいて、集中リフレッシュモードでのリフレッシュコマンドの発行を開始する。すなわち、メモリーコントローラー１３３は、アクセス要求を待機するとともに、ステップＳ１０３で設定された集中リフレッシュ領域まではリフレッシュコマンドを発行せず、集中リフレッシュ領域では、ステップＳ１０３で設定された総発行回数Ｎｓのリフレッシュコマンドを集中的に発行する。

また、ステップＳ１０１において、「Ｃ：両用リフレッシュモード」が選択される指示を受け付けると（ステップＳ１０１：Ｃ）、メモリーコントローラー１３３は、処理をステップ１０４に移行して、「両用リフレッシュモード」についての設定（自動設定）を行う（ステップＳ１０４、ステップＳ１０５）。

図６は、「両用リフレッシュモード」についての設定方法を説明するための図である。図示するように、メモリーコントローラー１３３は、まず、集中リフレッシュを開始する契機となる集中リフレッシュトリガの設定を行う（ステップＳ１０４）。例えば、メモリーコントローラー１３３は、ユーザーから少なくとも１つ以上のリクエスト（画像読み取りのリクエスト、色補正のリクエスト、スクリーン処理のリクエスト、など）の指定を受け付け、受け付けたリクエストを、集中リフレッシュトリガとして設定する（所定の記憶領域に格納する）。

次に、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュが起こるまでのリフレッシュ間隔の設定を行う（ステップＳ１０５）。具体的には、メモリーコントローラー１３３は、リフレッシュせずにＳＤＲＡＭ１４０のセルの記憶内容を保持可能な期間（上記の所定区間Ｔｓ）と、ＳＤＲＡＭ１４０を構成する全てのセル（或いは所定単位のセル）がリフレッシュされるために必要な総発行回数Ｎｓと、をユーザーから受け付ける。それから、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた値（Ｔｓ、Ｎｓ）を用いて、集中リフレッシュトリガに設定されたリクエストが発生するまでリフレッシュコマンドを発行する間隔（等間隔）を算出する（具体的には、Ｔｓ／Ｎｓを算出する）。そして、メモリーコントローラー１３３は、受け付けた値（Ｔｓ、Ｎｓ）と、算出したリフレッシュ間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）を、両用リフレッシュモードの設定値として所定の記憶領域（例えば、レジスター）に格納する。

もちろん、上記の所定区間Ｔｓとリフレッシュの総発行回数Ｎｓは、予め登録されていてもよく、ステップＳ１０５では、集中リフレッシュが起こるまでのリフレッシュコマンドの発行間隔（Ｔｓ／Ｎｓ）を算出するだけにしてもよい。

また、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュを開始してからリフレッシュコマンドを発行する回数を設定する、具体的には、ユーザーから、集中リフレッシュにおけるリフレッシュコマンドの発行回数Ｎｃを受け付け、両用リフレッシュモードの設定値として所定の記憶領域（例えば、レジスター）に格納する。

その後、メモリーコントローラー１３３は、本フローを終了して、アクセス要求を待機するとともに、ステップＳ１０４、ステップＳ１０５で設定された設定値に基づいて、両用リフレッシュモードでのリフレッシュコマンドの発行を開始する。すなわち、メモリーコントローラー１３３は、アクセス要求を待機するとともに、ステップＳ１０４で設定された集中リフレッシュトリガのリクエストが発生するまでは分散リフレッシュによるリフレッシュコマンドを発行する。そして、集中リフレッシュトリガに設定されたリクエストが発生すると、集中リフレッシュを開始して、ステップＳ１０５で設定された発行回数Ｎｃ、リフレッシュコマンドを集中的に発行する。

また、集中リフレッシュが終了すると、上述したように、メモリーコントローラー１３３は、ステップＳ１０５で設定された期間（所定期間Ｔｓ）内において未だにリフレッシュされていない残りのセル（記憶域）についてリフレッシュを行う。そのために、メモリーコントローラー１３３は、集中リフレッシュの終了時に、ステップＳ１０５で設定された期間（所定期間Ｔｓ）の終了までにリフレッシュコマンドを発行する間隔（等間隔）Ｔｒを算出し（上述したＴｒ＝（Ｔｓ−Ｔｂ−Ｔｃ）／Ｎｒ）、ステップＳ１０５で設定された期間（所定期間Ｔｓ）の終了までは、算出した間隔Ｔｒでリフレッシュコマンドを発行する。

以上の処理により、「分散リフレッシュモード」、「集中リフレッシュモード」、「両用リフレッシュモード」のいずれかのモードによってＳＤＲＡＭ１４０のリフレッシュを行うことができるため、ユーザーの利用形態に応じて最適なリフレッシュを行うことができる。また、両用リフレッシュモードに設定された場合においては、ステップＳ１０４で設定されたリクエストの発生後、決まってＳＤＲＡＭ１４０へのアクセス要求がされない期間Ｔｃがあり、その期間Ｔｃに集中リフレッシュを行っているため、所定区間（期間）Ｔｓ全体においてリフレッシュ時にアクセス要求が起こる確率を低下させることができる。

なお、上記した各フローの各処理単位は、メモリーコントローラー１３３を理解容易にするために、主な処理内容に応じて分割したものである。処理ステップの分類の仕方やその名称によって、本願発明が制限されることはない。メモリーコントローラー１３３が行う処理は、さらに多くの処理ステップに分割することもできる。また、１つの処理ステップが、さらに多くの処理を実行してもよい。

また、上記の実施形態は、本発明の要旨を例示することを意図し、本発明を限定するものではない。多くの代替物、修正、変形例は当業者にとって明らかである。

例えば、メモリーコントローラー１３３は、リフレッシュせずにＳＤＲＡＭ１４０のセルの記憶内容を保持可能な期間（上記の所定区間Ｔｓ）ごとに、分散リフレッシュモード（ステップＳ１０２）、集中リフレッシュモード（ステップＳ１０３）、両用リフレッシュモード（ステップＳ１０４、ステップＳ１０５）において設定された設定値を変更するようにしてもよい。

具体的には、「分散リフレッシュモード」が設定された場合に、ステップＳ１０２において、各設定値（Ｔｓ、Ｎｓ）について複数の設定値を登録しておき、区間（期間）Ｔｓが終了する毎に、登録されている設定値のいずれかに変更するようにしてもよい。また、同様に、「集中リフレッシュモード」が設定された場合に、ステップＳ１０３において、各設定値（集中リフレッシュ領域、Ｔｓ、Ｎｓ）について複数の設定値を登録しておき、区間（期間）Ｔｓが終了する毎に、登録されている設定値のいずれかに変更するようにしてもよい。また、「両用リフレッシュモード」が設定された場合に、ステップＳ１０４、ステップＳ１０５において、各設定値（集中リフレッシュトリガ、Ｔｓ、Ｎｓ、集中リフレッシュ回数Ｎｃ）について複数の設定値を登録しておき、区間（期間）Ｔｓが終了する毎に、登録されている設定値のいずれかに変更するようにしてもよい。

また、メモリーコントローラー１３３は、「両用リフレッシュモード」において、発生したリクエスト（集中リクエストトリガ）の種類に応じて、集中リフレッシュ回数Ｎｃを変更するようにしてもよい。

具体的には、「両用リフレッシュモード」が設定された場合に、ステップＳ１０４において、集中リフレッシュトリガと集中リフレッシュ回数Ｎｃについて複数の設定値を登録しておく。そして、例えば、メモリーコントローラー１３３は、第１のリクエスト（集中リフレッシュトリガ）が発生した場合には、第１の集中リフレッシュ回数Ｎｃ、集中リフレッシュを行い、第１のリクエストとは異なる第２のリクエスト（集中リフレッシュトリガ）が発生した場合には、第１の集中リフレッシュ回数Ｎｃとは異なる第２の集中リフレッシュ回数Ｎｃ、集中リフレッシュを行うようにしてもよい。

また、上記のステップＳ１０４において、複数のリクエスト（画像読み取りのリクエスト、色補正のリクエスト、スクリーン処理のリクエスト、など）が、集中リフレッシュトリガとして設定されている場合には、メモリーコントローラー１３３は、上記のステップＳ１０５で設定された期間（所定区間Ｔｓ）内において各リクエストが発生する毎に、集中リフレッシュを行う（同一の発行回数Ｎｃ、リフレッシュコマンドを集中的に発行する）ようにしてもよい。この場合においても、各集中リフレッシュが終了する毎に、ステップＳ１０５で設定された期間（所定期間Ｔｓ）の終了までにリフレッシュコマンドを発行する間隔（等間隔）Ｔｒを算出し、それ以降は算出した間隔Ｔｒでリフレッシュコマンドを発行する。

また、上記実施形態では、メモリー制御ＡＳＩＣ１３０が制御するメモリーをＳＤＲＡＭ１４０としている。しかし、本発明は、これに限定されず、一定周期でリフレッシュを必要とするメモリーであれば適用可能であり、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ（ＳＤＲ、ＤＤＲ、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３）でもよい。

１００・・・画像処理装置、１１０・・・コントローラー、１２０・・・ＣＰＵ、１３０・・・メモリー制御ＡＳＩＣ、１３１・・・インターフェイス部、１３２・・・調停回路、１３３・・・メモリーコントローラー、１４０・・・ＳＤＲＡＭ、１５０・・・Ｉ／Ｏ制御ＡＳＩＣ、１６０・・・エンジン部、１７０・・・操作パネル、２００・・・情報処理装置。

Claims (8)

1. ＤＲＡＭを制御するメモリー制御回路を備えた電子機器であって、
   前記メモリー制御回路は、
   前記ＤＲＡＭを構成する記憶素子について、所定期間Ｔｓ内に少なくとも１回はリフレッシュがなされるように、所定間隔で前記ＤＲＡＭに対してリフレッシュコマンドを発行する第１の分散リフレッシュ処理と、
   前記ＤＲＡＭへの所定のリクエストがされることを契機として、前記所定間隔よりも短い間隔で集中的に前記リフレッシュコマンドを所定回数Ｎｃ発行する集中リフレッシュ処理と、
   前記所定回数Ｎｃのリフレッシュコマンドを発行し終えると、前記所定期間Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りの記憶素子についてリフレッシュするためのリフレッシュ間隔Ｔｒを算出し、算出した当該リフレッシュ間隔Ｔｒで前記リフレッシュコマンドを発行する第２の分散リフレッシュ処理と、を行う、
   ことを特徴とする電子機器。
2. 請求項１に記載の電子機器であって、
   前記第２の分散リフレッシュ処理では、
   Ｎｒ＝Ｎｓ−Ｎｂ−Ｎｃ、
   Ｔｒ＝（Ｔｓ−Ｔｂ−Ｔｃ）／Ｎｒ、
   （但し、Ｎｓは前記ＤＲＡＭを構成する記憶素子について所定期間Ｔｓ内に少なくとも１回はリフレッシュがなされるために必要なリフレッシュコマンドの総発行回数、Ｎｂは前記第１の分散リフレッシュ処理でのリフレッシュコマンドの発行回数、Ｎｃは前記集中リフレッシュ処理でのリフレッシュコマンドの発行回数、Ｎｒは前記所定期間Ｔｓ内において未だにリフレッシュされていない残りの記憶素子をリフレッシュするために必要なリフレッシュコマンドの発行回数、Ｔｂは前記第１の分散リフレッシュ処理でのリフレッシュコマンドの発行に要した時間、Ｔｃは前記集中リフレッシュ処理でのリフレッシュコマンドの発行に要した時間である。）
   を用いて、前記リフレッシュ間隔Ｔｒを算出する、
   ことを特徴とする電子機器。
3. 請求項１又は２に記載の電子機器であって、
   前記メモリー制御回路は、
   前記第１の分散リフレッシュ処理、前記集中リフレッシュ処理、前記第２の分散リフレッシュ処理、におけるリフレッシュコマンドの発行についての設定値を、前記所定期間Ｔｓが経過する毎に変更する、
   ことを特徴とする電子機器。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器であって、
   前記集中リフレッシュ処理では、
   前記ＤＲＡＭへのリクエストの種類に応じて、リフレッシュコマンドの発行回数Ｎｃを変更する、
   ことを特徴とする電子機器。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器であって、
   前記集中リフレッシュ処理では、
   前記ＤＲＡＭへの複数種類のリクエストを契機として、前記リフレッシュコマンドを同一の所定回数Ｎｃ発行する、
   ことを特徴とする電子機器。
6. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器は画像読取装置であって、
   前記集中リフレッシュ処理では、
   画像読み取りのリクエストがされることを契機として、集中的に前記リフレッシュコマンドを発行する、
   ことを特徴とする電子機器。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器は印刷装置であって、
   前記集中リフレッシュ処理では、
   色補正、スクリーン処理の少なくともいずれかのリクエストがされることを契機として、集中的に前記リフレッシュコマンドを発行する、
   ことを特徴とする電子機器。
8. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器であって、
   前記メモリー制御回路は、
   第１のモードに設定された場合には、
   所定期間Ｔｓ内において常に所定間隔でリフレッシュコマンドを発行し、
   第２のモードに設定された場合には、
   所定期間Ｔｓ内の所定のタイミングで、集中的にリフレッシュコマンドを前記総発行回数Ｎｓ発行し、
   第３のモードに設定された場合には、
   前記第１の分散リフレッシュ処理、前記集中リフレッシュ処理、及び、前記第２の分散リフレッシュ処理、を行う、
   ことを特徴とする電子機器。

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