JP4192577B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、内燃機関の排気浄化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、三元触媒等の排気浄化触媒にはその活性温度があり、排気浄化触媒がその活性温度未満である場合にはその排気浄化触媒では例えば排気ガス中の炭化水素(以下、「HC」と称す)がほとんど浄化されない。そこで、このような低温であっても排気ガス中のHCを保持し且つ離脱開始温度以上となると保持しているHCを離脱させるHC保持剤を排気浄化触媒の排気下流に配置した排気浄化装置が知られている。このような排気浄化装置では、上流側の排気浄化触媒の温度がその活性温度未満であっても排気ガス中のHCはHC保持剤に保持されるため大気中に流出しない。また、HC保持浄化触媒としてHC保持剤を白金触媒等の触媒成分と共に担体に担持させることで、HC保持剤から離脱せしめられたHCを触媒成分によって酸化させ、こうして一旦HC保持剤に保持されたHCも浄化するようにしている。
【0003】
このようなHC保持剤は、HC保持浄化触媒に流入する排気ガス中のHCを全て保持することができるわけではないため、HC保持浄化触媒にHCが流入する機関は短い方が好ましい。そこで、従来では、機関始動時等、HC保持剤および排気浄化触媒が低温であるときには、HC保持浄化触媒の排気上流に配置された排気浄化触媒を点火時期遅角等の昇温制御によって早期に昇温することで、機関始動後のできるだけ早い時期に排気浄化触媒を活性温度に到達させている。こうすることで、HC保持剤にHCが流入する期間が短くなり、これにより排気浄化装置全体としての排気ガス浄化性能が高められている(特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−164930号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、HC保持剤の温度が離脱開始温度以上となった場合、HC保持剤の温度が急激に上昇すると、HC保持剤から多量のHCが一気に離脱してしまう。一方、HC保持剤と共にHC保持浄化触媒を構成する触媒成分が完全に活性する完全活性温度はHC保持剤の離脱開始温度よりも高く、また、触媒成分が完全に活性するまでは触媒成分によるHCの酸化能力は低く、少量のHCのみしか酸化することができない。したがって、上述したようにHC保持剤の温度が離脱開始温度以上で急激に上昇すると、HC保持剤から離脱したHCの一部は触媒成分によって酸化されずに残ってしまい、大気中に放出されてしまう。
【0006】
本発明はこのような問題を鑑みてなされたものであり、その目的は、冷間始動時等の低温時においても炭化水素を良好に浄化することができる排気浄化装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第1の発明では、内燃機関の排気通路上に炭化水素保持剤と触媒成分とを担持する炭化水素保持浄化触媒が配置され、上記炭化水素保持剤は、該炭化水素保持剤の温度がその離脱開始温度未満の場合には流入する排気ガス中の炭化水素を保持し、炭化水素保持剤の温度がその離脱開始温度以上である場合には保持している炭化水素を離脱させ、上記触媒成分は該触媒成分の温度が特定温度以上になると炭化水素保持剤から離脱した炭化水素を浄化し、上記炭化水素保持浄化触媒を昇温させる昇温制御を実行する昇温手段を具備する内燃機関の排気浄化装置において、冷間始動時には上記昇温手段によって炭化水素保持浄化触媒を昇温させ、炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度以上に達したら昇温制御を中止する。
【0008】
第1の発明によれば、炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度以上に達したら昇温制御が中止されるため、その後は炭化水素保持剤の温度が急激に上昇することなく、徐々に上昇していく。このため、炭化水素保持剤から多量の炭化水素が一気に離脱されることが防止され、よって触媒成分の温度が特定温度(完全活性温度)未満であっても離脱された炭化水素が十分に酸化・浄化される。
【0009】
第2の発明では、第1の発明において、上記炭化水素保持浄化触媒の排気上流に排気浄化触媒を配置し、該排気浄化触媒はその温度が活性温度以上になると流入する排気ガス中の炭化水素を浄化し、上記昇温手段は排気浄化触媒に流入する排気ガスの温度を昇温させ、上記排気浄化触媒の温度がその活性温度以上に達した場合には炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度以上に達していなくても昇温制御を中止する。
【0010】
第2の発明によれば、排気浄化触媒の温度がその活性温度以上になれば、炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度未満であっても昇温制御を中止することにより、排気浄化装置のHC浄化能力を低下させることなく、昇温制御を実行することによるエネルギの消費や燃焼効率の悪化を抑制し、機関運転状態の悪化を防止することができる。
【0011】
第3の発明では、第1または第2の発明において、当該内燃機関の排気浄化装置は上記炭化水素保持剤または排気浄化触媒の温度を吸入空気量に基づいて推定する。
【0012】
第4の発明では、第2または第3の発明において、当該排気浄化装置は上記炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度に到達するよりも早く上記排気浄化触媒の温度が活性温度に到達するように構成されている。
【0013】
第5の発明では、第4の発明において、上記排気浄化触媒の温度が早く活性温度に到達するように、上記炭化水素保持浄化触媒の熱容量を上記排気浄化触媒の熱容量よりも大きくした。
このようにするために、例えば炭化水素保持浄化触媒に担持させる触媒成分および炭化水素保持剤の量が多くされ、排気浄化触媒に担持させる触媒成分の量が少なくされる。
【0014】
第6の発明では、第4の発明において、上記排気浄化触媒の温度が早く活性温度に到達するように、上記排気浄化触媒を収容するケーシングとその上流の排気管との断熱性を上記炭化水素保持浄化触媒を収容するケーシングと排気浄化触媒の排気下流の排気管との断熱性よりも高くした。
このようにするため、例えば、排気浄化触媒用のケーシングおよびその上流の排気管が二重管にされ、排気浄化触媒下流の排気管および炭化水素保持浄化触媒のケーシングが一重管にされる。
【0015】
第7の発明では、第2〜6のいずれか一つの発明において、上記排気浄化触媒は触媒成分を担持しており、上記排気浄化触媒の触媒成分担持量は、上記炭化水素保持浄化触媒の触媒成分担持量よりも多い。
第7の発明によれば、温度上昇し易い上流側の排気浄化触媒に多くの触媒成分が担持されており、よって、冷間始動後の比較的早い時期から排気浄化触媒によって炭化水素がほぼ完全に浄化される。
【0016】
第8の発明では、第2の発明において、閉弁することで燃焼室内に特定の吸気ガス流れを生成する吸気流制御弁をさらに具備し、上記昇温手段は点火時期を遅角させることによって昇温を行っており、上記昇温制御中は基本的に吸気流制御弁を開弁するが、昇温制御中であっても燃焼室周りの温度が所定温度未満である場合には吸気流制御弁を閉弁する。
【0017】
一般に、点火時期を遅角させると燃焼が不安定になるため、これを防止するために冷間始動時には吸気流制御弁を閉じて燃焼室内に特定の吸気ガス流れ、例えばタンブルまたはスワールを生成させる。一方、吸気流制御弁を開いている方が排気ガスの温度が上昇する。したがって、第8の発明によれば、吸気流制御弁を閉じなくても燃焼が安定する程度にまで燃焼室の温度が上昇すれば、吸気流制御弁を開くことによって、排気ガスの温度を上げることができる。なお、本発明では、両触媒が十分に昇温されていなくても、吸気流制御弁を開くことになる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図1に概略的に示した機関本体1は火花点火式内燃機関を示す。しかしながら、本発明を例えば筒内噴射型火花点火式内燃機関等の別の内燃機関に適用してもよい。
【0019】
図1に示したように、本発明の第一の実施例では機関本体1はシリンダブロック2と、シリンダブロック2内で往復動するピストン3と、シリンダブロック2上に固定されたシリンダヘッド4とを具備する。ピストン3とシリンダヘッド4との間には燃焼室5が形成される。シリンダヘッド4には各気筒毎に吸気弁6と、吸気ポート7と、排気弁8と、排気ポート9とが配置される。さらに、図1に示したようにシリンダヘッド4の内壁面の中央部には点火プラグ10が配置され、吸気ポート7内壁面には燃料噴射弁11が配置される。
【0020】
各気筒の吸気ポート7はそれぞれ対応する吸気枝管13を介してサージタンク14に連結され、サージタンク14は吸気ダクト15およびエアフロメータ16を介してエアクリーナ(図示せず)に連結される。吸気枝管13内には燃焼室5内に流入する吸気ガスの流れを制御する吸気流制御弁12が配置される。また、吸気ダクト15内にはスロットル弁17が配置され、スロットル弁17にはスロットルポジションセンサ18が設けられる。一方、各気筒の排気ポート9は排気マニホルド19に連結され、この排気マニホルド19は排気浄化装置20に連結される。排気浄化装置20は、例えば三元触媒である排気浄化触媒21と、炭化水素保持浄化触媒(以下、「HC保持浄化触媒」と称す)24とを具備する。より詳細には、排気マニホルド19には排気浄化触媒21を収容するケーシング22が連結され、このケーシング22の排気下流には排気管23を介してHC保持浄化触媒24を収容するケーシング25が連結される。
【0021】
電子制御ユニット(ECU)26はディジタルコンピュータからなり、例えばエアフロメータ16、スロットルポジションセンサ18等の各種センサに接続され、各種センサによって検出された各種パラメータの値に対応する出力がECU26に入力される。例えば、エアフロメータ15からは吸入空気量に比例した出力電圧がECU26に入力され、スロットルポジションセンサ18からはスロットル弁の開度に比例した出力電圧がECU26に入力される。さらにECU26は点火プラグ10、燃料噴射弁11、吸気流制御弁12等にもそれぞれ接続され、例えば点火プラグ10による点火時期や、燃料噴射弁11によって噴射される燃料噴射量等を制御する。
【0022】
次に、HC保持浄化触媒24について説明する。HC保持浄化触媒24は、図2に示したように、例えばコージェライト等のセラミックでハニカム状に形成された担体31の表面上に、炭化水素保持剤(以下、「HC保持剤」と称す)32の層をコーティングし、さらにこのHC保持剤32の表面上に触媒成分33の層をコーティングしたものである。HC保持剤32は、HC保持剤32の温度が離脱開始温度よりも低い場合にはHC保持浄化触媒24に流入する排気ガス中の炭化水素(以下、「HC」と称す)を保持し、HC保持剤32の温度が離脱開始温度以上である場合にはHC保持剤32に保持されているHCを離脱させるものであり、例えばゼオライトから形成される。一方、触媒成分33は、触媒成分33の温度が完全活性温度(特定温度)以上になると、触媒成分33の周囲のHCを酸化・浄化することができる。なお、一般に触媒成分33の完全活性温度はHC保持剤32の離脱開始温度よりも高い。
【0023】
したがって、HC保持浄化触媒24では、冷間始動時等、HC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤32の離脱開始温度よりも低いときには、HC保持浄化触媒24に流入する排気ガス中のHCがHC保持剤32に保持され、その後、HC保持浄化触媒24の温度が触媒成分33の完全活性温度以上になると、HC保持剤32からHCが離脱せしめられると共に、離脱したHCが触媒成分33によって酸化・浄化される。このように、HC保持浄化触媒24では、冷間始動時に内燃機関から排出されたHCを一旦保持し、その後浄化することができる。
【0024】
一方、三元触媒等の一般的な排気浄化触媒21では、排気浄化触媒21の温度がその活性温度以上である場合には排気浄化触媒21に流入する排気ガス中のHCをほぼ完全に酸化することができるが、排気浄化触媒21の温度がその活性温度未満である場合には排気ガス中のHCを酸化・浄化することができない。そこで、図1に示したような構成の排気浄化装置では、排気浄化触媒21の排気下流にHC保持浄化触媒24を配置して、排気浄化触媒21の温度がその活性温度未満のときにはHC保持浄化触媒24によりHCを浄化し、活性温度以上のときには排気浄化触媒21によってHCを浄化することで、常に排気ガス中のHCを浄化することができるようにしている。
【0025】
ただし、HC保持浄化触媒24は、その温度がHC保持剤32の離脱開始温度以下のときに、流入するHCを全て保持することができるわけではなく、僅かながらHC保持浄化触媒24の排気下流へと流出してしまう。また、HC保持浄化触媒24が保持可能なHCの量には限界がある。これらの事から、HC保持浄化触媒24の温度が低い間に多くのHCがHC保持浄化触媒24に流入することのないように、冷間始動時には、HC保持浄化触媒24が設けられている場合であっても、排気浄化触媒21を早期に昇温する必要がある。このため、冷間始動時に昇温手段によって排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24を昇温するための昇温制御を行う排気浄化装置が知られている。
【0026】
ところで、HC保持浄化触媒24において触媒成分33の温度とHC保持剤32の温度とが常にほぼ同一であるとすると、冷間始動時には、HC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤32の離脱開始温度と触媒成分33の完全活性温度との間にある状態が存在し、上記の説明ではこの場合にはHC保持剤32からHCが離脱されるが、そのHCは触媒成分33では酸化・浄化されないことになる。しかしながら、上記説明における触媒成分33の温度、またはHC保持浄化触媒24の温度とは、触媒成分33全体またはHC保持浄化触媒24全体の平均温度であり、また、完全活性温度とは触媒成分33全体が活性化する温度である。よって、触媒成分33の平均温度が完全活性温度未満であっても、触媒成分33は局所的に活性温度以上となっており、よって少量ではあるが触媒成分33によってHCは酸化・浄化される。なお、本明細書では、このように触媒成分33の温度が完全活性温度以下でありながらも、少量ながら触媒成分33によってHCが酸化・浄化されるような温度を部分活性温度と称す。
【0027】
一方、HC保持剤32は、その温度が離脱開始温度以上である場合、HC保持剤32の温度が急激に上昇すると、HC保持剤32に保持されているHCがHC保持剤32から多量に一気に離脱せしめられる。したがって、冷間始動時に昇温制御を行って、HC保持浄化触媒24の温度が離脱開始温度以上であって完全活性温度未満となっても昇温制御をそのまま続けると、HC保持浄化触媒24の温度が急激に上昇し、よってHC保持剤32から離脱せしめられた多量のHCを触媒成分33が酸化・浄化することができず、HC保持浄化触媒24の排気下流にHCが流出してしまう。
【0028】
そこで、本発明の第一実施形態の排気浄化装置20では、HC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤32の離脱開始温度以上になったら昇温制御を中止する。内燃機関の燃焼室5から排出される排気ガスの温度はこの時のHC保持浄化触媒24の温度よりも高いため、昇温制御を行わなくてもHC保持浄化触媒24の温度は徐々に上昇するが、急激に上昇するわけではなのいでHC保持剤32からは微量ずつHCが離脱せしめられ、よって離脱せしめられたHCはそのほとんどが触媒成分33で酸化・浄化される。このため、本発明によれば、HC保持浄化触媒の温度が離脱開始温度以上であって完全活性温度以下であっても、HCがHC保持浄化触媒24の排気下流に流出してしまうことが防止される。
【0029】
なお、排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24を昇温させるための昇温制御としては、例えば、点火時期遅角制御、後着火制御が挙げられる。点火時期遅角制御とは、点火プラグ10による混合気への点火時期を遅角させることで燃焼を遅らせ、燃焼室から排出される排気ガスの温度を高めることであり、後着火制御とは、排気浄化触媒の排気上流に着火装置を設け、この着火装置で後燃えを発生させることで排気ガスの温度を上昇させることである。なお、本実施形態では、昇温制御として点火時期遅角制御を行う。
【0030】
ところで、冷間始動時において昇温制御を行って排気浄化触媒21に流入する排気ガスを昇温させると、HC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤の離脱開始温度に到達する前に、排気浄化触媒21の温度がその活性温度に到達することがある。この場合、内燃機関から排出された排気ガス中のHCはほとんどが排気浄化触媒21において浄化されるため、HC保持浄化触媒24にはほとんどHCが流入せず、よってHC保持浄化触媒24を早期に昇温させる必要が無くなる。
【0031】
そこで、本発明の第一実施形態の排気浄化装置20では、冷間始動時に昇温制御を行った場合、排気浄化触媒21の温度がその活性温度以上に達した場合には、HC保持剤32の温度が離脱開始温度以上になっていなくても、昇温制御を中止するようにしている。一般に、昇温制御を行うと、昇温制御の方法に関わらず、排気浄化触媒に流入する排気ガスを昇温するためにエネルギが消費される。また、本実施形態のように点火時期遅角制御によって昇温制御を行うと、内燃機関の効率が悪化し、さらに機関運転状態が不安定になってしまう。これに対して、上述したように昇温制御を中止することによって、排気浄化装置20のHC浄化能力を低下させることなく、エネルギの消費量および燃焼効率の悪化を抑制し、さらに内燃機関が不安定になることを防止することができる。
【0032】
したがって、本発明の第一実施形態の排気浄化装置20では、冷間始動時において、排気浄化触媒21の温度がその活性温度未満であり且つHC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤32の離脱開始温度未満である場合には昇温制御を行い、排気浄化触媒21の温度がその活性温度以上であるかまたはHC保持浄化触媒24の温度がHC保持剤32の離脱開始温度以上である場合には昇温制御を中止する。なお、第一実施形態では、排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24の温度は、機関冷却水の水温、または機関始動からの時間から推定される。
【0033】
以下、図3を参照して本発明の第一実施形態の排気浄化装置20における冷間始動時HC浄化制御の制御ルーチンについて説明する。ステップ101において、排気浄化触媒21の温度TCAがその活性温度TCA1未満であるか否かが判定される。排気浄化触媒21の温度TCAがその活性温度TCA1以上であると判定された場合にはステップ104へと進む。一方、排気浄化触媒21の温度TCAがその活性温度TCA1未満であると判定された場合にはステップ102へと進む。ステップ102では、HC保持浄化触媒24の温度THCがHC保持剤の離脱開始温度THC1未満であるか否かが判定される。HC保持浄化触媒24の温度THCが離脱開始温度THC1以上であると判定された場合にはステップ104へと進む。一方、HC保持浄化触媒24の温度THCがHC保持剤の離脱開始温度THC1未満であると判定された場合には、ステップ103へと進む。ステップ103では昇温制御が実行され、制御ルーチンが終了せしめられる。一方、ステップ104では昇温制御が中止され、制御ルーチンが終了せしめられる。
【0034】
次に、本発明の第二実施形態の排気浄化装置について説明する。第二実施形態の排気浄化装置の構成は基本的に第一実施形態の排気浄化装置20の構成と同一である。
【0035】
ところで、本実施形態の排気浄化装置は、図1に示したように、吸気流制御弁12を備えている。この吸気流制御弁12は、閉弁されているときには吸気流制御弁12と吸気枝管13壁面との間に部分的に隙間ができるようになっており、この隙間を通って吸気ガスが燃焼室5内に流入することにより、燃焼室5内に特定の吸気ガス流れ、例えばスワールまたはタンブルが生成される。一方、吸気流制御弁12が開弁されているときには燃焼室5内には上述したようなスワールまたはタンブルは生成されない。
【0036】
このように吸気流制御弁12を閉じることによって燃焼室5内にスワールまたはタンブルが生成されると、燃焼室5内での燃焼状態が良くなる。したがって、例えば、冷間始動時に点火時期遅角制御を行った場合等、燃料が燃焼しにくく且つ機関運転状態が不安定になってしまうような場合であっても、吸気流制御弁12を閉じることによって燃料は良好に燃焼するようになり機関運転状態も安定する。また、吸気流制御弁12を閉じた場合には、燃焼室5内で燃料が瞬時に燃焼するため、燃焼室5から排出される排気ガスの温度は比較的低い。
【0037】
一方、吸気流制御弁12を開いている場合には、上記吸気流制御弁12を閉じている場合に比べて、燃焼室5内での燃焼状態は悪化する。このため、この場合、燃焼室5内の燃料は点火プラグ10による点火が行われても、瞬時に燃焼せずに徐々に燃焼し、よって点火時期遅角制御を行ったときと同様に、燃焼室5から排出される排気ガスの温度が上昇する。
【0038】
そこで、本発明の第二実施形態の排気浄化装置では、昇温制御中には基本的に吸気流制御弁12を開弁するようにしている。ただし、昇温制御中であっても冷間始動直後であって燃焼室周りの温度が所定温度未満である場合には吸気流制御弁12を閉弁するようにしている。このように冷間始動直後に吸気流制御弁12を閉弁することによって、冷間始動直後に機関運転状態が不安定になるのが防止される。特に、冷間始動直後から点火時期遅角制御を行う場合、点火時期遅角制御によって機関運転状態が不安定になってしまうことが多いので、吸気流制御弁12を閉弁することがより効果的である。
【0039】
その後、燃焼室5周りの温度が所定温度、すなわち燃焼室5内での燃焼が比較的安定して行われるような温度以上になると、吸気流制御弁12が開弁され、これにより燃焼室から排出される排気ガスの温度が高められ、よって排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24が早期に昇温されるようになる。そして、昇温制御の終了に伴って、吸気流制御弁12は内燃機関の運転状態に応じて開閉が制御される。
【0040】
なお、燃焼室5周りの温度は、機関冷却水の温度、冷間始動後の経過時間、吸入空気量等から推定するようにしている。したがって、実際には、閉弁されていた吸気流制御弁12を開弁させるタイミングは、機関冷却水の温度、冷間始動後の経過時間、吸入空気量等に基づいて決定される。
【0041】
ところで、上述したように第一実施形態では、排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24の温度を、機関冷却水の温度、冷間始動後の経過時間等から推定するとしているが、第二実施形態では、エアフロメータ16によって検出される吸入空気量の積算値(以下、「積算吸入空気量」と称す)から算出するようにしている。一般に、燃料噴射弁11から噴射される燃料の量は吸入空気量に比例しており、よって排気ガスの温度も吸入空気量に比例している。したがって、積算吸入空気量から排気浄化触媒21およびHC保持浄化触媒24の温度を比較的正確に算出することができる。
【0042】
次に、図4を参照して本発明の第二実施形態の排気浄化装置における冷間始動時HC浄化制御について説明する。図4は、冷間始動時HC浄化制御を実行した場合の排気浄化触媒の温度TCA、HC保持浄化触媒の温度THCおよび積算吸入空気量ΣGaのタイムチャートを示す。
【0043】
図4に示したように、冷間始動直後には点火時期遅角制御が行われていると共に、吸気流制御弁12が閉弁されている。機関始動後から時刻t1まで、積算吸入空気量ΣGaが徐々に増大し、それに伴って排気浄化触媒の温度TCAおよびHC保持浄化触媒の温度THCが徐々に上昇する。この間、吸気流制御弁が閉じられていることにより点火時期遅角制御による燃焼悪化が防止される。
【0044】
時刻t1において積算吸入空気量ΣGaが第一所定量Ga1に到達すると、閉弁されていた吸気流制御弁12が開弁される。この第一所定量Ga1は燃焼室5周りの温度が所定温度以上となるような積算吸入空気量であり、これ以降は吸気流制御弁12を閉弁しても燃焼悪化が生じない。また、吸気流制御弁12が閉弁されたことにより、時刻t1以降は両触媒21、24の温度上昇率が高くなる。
【0045】
次いで時刻t2において、吸入空気量ΣGaが第二所定量Ga2となり、排気浄化触媒の温度TCAがその活性温度TCA1に到達すると、点火時期遅角制御が中止される。これにより、時刻t2以降はHC保持浄化触媒24の温度THCの上昇率が低下し、HC保持浄化触媒24の温度THCは穏やかに上昇する。その後、時刻t3において吸入空気量ΣGaが第三所定量Ga3となり、HC保持浄化触媒24の温度THCが離脱開始温度THC1に到達し、HC保持浄化触媒24のHC保持剤32に保持されているHCが徐々に離脱され、離脱したHCが触媒成分33によって酸化・浄化される。
【0046】
なお、上述したように点火時期遅角制御を中止するタイミングは吸入空気量ΣGaが第三所定量Ga3となったときでもよい。また、機関始動時における機関温度が異なると、各触媒21、24が或る温度に到達するまでに必要な熱量が異なり、よって吸入空気量も異なるため、上記所定量Ga1、Ga2、Ga3は冷間始動時の機関温度に応じて変わる値である。
【0047】
次に、図5を参照して本発明の第二実施形態の冷間始動時HC浄化制御の制御ルーチンを示す。まず、ステップ111においてエアフロメータ16から積算吸入空気量ΣGaが算出される。次いで、ステップ112においてΣGaが第一所定値Ga1未満であるか否かが判定され、ΣGaがGa1未満であると判定された場合には、ステップ113へと進む。ステップ113およびステップ114では、それぞれ吸気流制御弁12が閉弁され、点火時期遅角制御が実行され、そして制御ルーチンが終了せしめられる。一方、ステップ112において、ΣGaがGa1以上であると判定された場合には、ステップ115へと進む。ステップ115では、積算吸入空気量ΣGaが第二所定量Ga2未満であるか否かが判定され、ΣGaがGa2未満であると判定された場合には、ステップ116へと進む。ステップ116およびステップ117では、それぞれ吸気流制御弁12が開弁され、点火時期遅角制御が実行され、そして制御ルーチンが終了せしめられる。一方、ステップ115において、ΣGaが第二所定量Ga2以上であると判定された場合には、ステップ118へと進む。ステップ118およびステップ119では、それぞれ吸気流制御弁12が開弁され、点火時期遅角制御が中止され、そして制御ルーチンが終了せしめられる。
【0048】
次に、本発明の第三実施形態の排気浄化装置について説明する。第三実施形態の排気浄化装置は基本的に第一実施形態または第二実施形態の排気浄化装置と同様である。ただし、第三実施形態の排気浄化装置は、冷間始動時において、HC保持浄化触媒24の温度が離脱開始温度に到達するよりも早く排気浄化触媒21の温度が活性温度に到達するように構成されている。このため、HC保持剤32からHCが離脱されるときには、HC保持浄化触媒24にはHCがほとんど流入しておらず、よってこのときHC保持浄化触媒24の触媒成分33は排気ガス中のHCを浄化する必要はなく、HC保持剤32から離脱したHCを浄化するためのみに用いられる。したがって、HC保持剤32から離脱したHCはほとんど触媒成分33によって酸化・浄化される。
【0049】
このようにHC保持浄化触媒24の温度が離脱開始温度に到達するよりも早く排気浄化触媒21の温度が活性温度に到達するようにするために、本実施形態では、HC保持浄化触媒24の熱容量が排気浄化触媒21の熱容量よりも大きくされている。したがって、各触媒21、24に同じ熱量が流入しても、HC保持浄化触媒24の方が昇温されにくい。より具体的には、各触媒21、24間の熱容量を変えるために、HC保持浄化触媒24の担体に担持されているHC保持剤32および触媒成分33の量を、排気浄化触媒21の担体に担持されている触媒成分の量よりも多くすることや、HC保持浄化触媒24に用いられる担体の厚さを排気浄化触媒21の担体に用いられる担体の厚さよりも厚くすることが挙げられる。
【0050】
さらに、本実施形態では、排気浄化触媒21を収容するケーシング22とその上流の排気管(排気マニホルド19)との断熱性が、HC保持浄化触媒24を収容するケーシング25と排気浄化触媒21の排気下流の排気管23との断熱性よりも高くされる。したがって、内燃機関から排出された排気ガスは、排気浄化触媒21に到達するまでには外気によって熱が奪われず、よってその温度が大きく低下することが防止される。一方、排気浄化触媒21から流出した排気ガスは、HC保持浄化触媒24に到達するまでに外気によって熱が奪われ、よってその温度が大きく低下する。こうして、排気浄化触媒21が比較的早期に急激に昇温されるのに対してHC保持浄化触媒24は徐々に昇温されるようになる。
【0051】
より具体的には、例えば、排気浄化触媒21用のケーシング22およびその上流の排気管19が二重管にされ、排気浄化触媒21下流の排気管23およびHC保持浄化触媒24のケーシング25が一重管にされる。または、ケーシング22およびその上流の排気管19にのみ断熱材を巻いてもよい。
【0052】
また、本発明では、上記排気浄化触媒24の触媒成分担持量は、上記HC保持浄化触媒21の触媒成分担持量よりも多くしている。一般に、触媒成分の担持量を増加させると、HC浄化能力が高くなるため、排気浄化触媒24の触媒成分担持量を多くすることにより、排気浄化触媒24のHC浄化能力が高くなる。上述したように排気浄化触媒21はHC保持浄化触媒24の排気上流にあることにより比較的早期に温度が上昇しやすいので、排気浄化触媒21に多くの触媒成分を担持させることによって、冷間始動後の比較的早い時期から高いHC浄化能力を持った排気浄化触媒21によってHCが浄化されるようになる。これにより、排気浄化装置全体としてのHC浄化率が高くなる。
【0053】
なお、排気浄化触媒21の触媒成分およびHC保持浄化触媒24の触媒成分33は、単に白金等の貴金属触媒であってもよいし、三元触媒であってもよい。また、排気浄化触媒21は三元触媒でなく、NOxを保持・離脱することでNOxを浄化することができるNOx触媒であってもよい。
【0054】
また、上記説明では、HC保持浄化触媒24において、HC保持剤32と触媒成分33とは基本的に同一の温度としているが、実際には触媒成分33は表面側にあり、高温の排気ガスに接触するため、HC保持剤32よりも温度が高い。特に、触媒成分33のコーティング量をHC保持剤32のコーティング量よりも少なくすることにより、HC保持剤32の温度と触媒成分33の温度との差を大きくすることができる。こうすることにより、冷間始動時において、HC保持剤32の温度が離脱開始温度に到達してから直ぐに触媒成分33の温度を完全活性温度に到達させることができ、これによりHC保持剤32からHCが離脱されながらも触媒成分33の酸化・浄化能力が低い状態を短い期間にすることができる。
【0055】
【発明の効果】
本発明によれば、炭化水素保持剤から多量の炭化水素が一気に離脱されることが防止され、よって触媒成分の温度が完全活性温度未満であっても離脱された炭化水素が十分に酸化・浄化されるため、冷間始動時等の低温時においても炭化水素を良好に浄化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の排気浄化装置を備えた内燃機関の概略図である。
【図2】炭化水素保持浄化触媒の部分断面図である。
【図3】第一実施形態の冷間始動時HC浄化制御のフローチャートである。
【図4】冷間始動時HC浄化制御を行う際のタイムチャートである。
【図5】第二実施形態の冷間始動時HC浄化制御のフローチャートである。
【符号の説明】
10…点火プラグ
12…吸気流制御弁
19…排気マニホルド
20…排気浄化装置
21…排気浄化触媒(三元触媒)
23…排気管
24…炭化水素保持浄化触媒(HC保持浄化触媒)
Claims (8)
- 内燃機関の排気通路上に炭化水素保持剤と触媒成分とを担持する炭化水素保持浄化触媒が配置され、上記炭化水素保持剤は、該炭化水素保持剤の温度がその離脱開始温度未満の場合には流入する排気ガス中の炭化水素を保持し、炭化水素保持剤の温度がその離脱開始温度以上である場合には保持している炭化水素を離脱させ、上記触媒成分は該触媒成分の温度が特定温度以上になると炭化水素保持剤から離脱した炭化水素を浄化し、上記炭化水素保持浄化触媒を昇温させる昇温制御を実行する昇温手段を具備する内燃機関の排気浄化装置において、
冷間始動時には上記昇温手段によって炭化水素保持浄化触媒を昇温させ、炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度以上に達したら昇温制御を中止する内燃機関の排気浄化装置。 - 上記炭化水素保持浄化触媒の排気上流に排気浄化触媒を配置し、該排気浄化触媒はその温度が活性温度以上になると流入する排気ガス中の炭化水素を浄化し、上記昇温手段は排気浄化触媒に流入する排気ガスの温度を昇温させ、上記排気浄化触媒の温度がその活性温度以上に達した場合には炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度以上に達していなくても昇温制御を中止する請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 上記炭化水素保持剤または排気浄化触媒の温度を吸入空気量に基づいて推定する請求項1または2に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 上記炭化水素保持剤の温度が離脱開始温度に到達するよりも早く上記排気浄化触媒の温度が活性温度に到達するように構成された請求項2または3に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 上記排気浄化触媒の温度が早く活性温度に到達するように、上記炭化水素保持浄化触媒の熱容量を上記排気浄化触媒の熱容量よりも大きくした請求項4に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 上記排気浄化触媒の温度が早く活性温度に到達するように、上記排気浄化触媒を収容するケーシングとその上流の排気管との断熱性を上記炭化水素保持浄化触媒を収容するケーシングと排気浄化触媒の排気下流の排気管との断熱性よりも高くした請求項4に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 上記排気浄化触媒は触媒成分を担持しており、上記排気浄化触媒の触媒成分担持量は、上記炭化水素保持浄化触媒の触媒成分担持量よりも多い請求項2〜6のいずれか一つに記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 閉弁することで燃焼室内に特定の吸気ガス流れを生成する吸気流制御弁をさらに具備し、上記昇温手段は点火時期を遅角させることによって昇温を行っており、上記昇温制御中は基本的に吸気流制御弁を開弁するが、昇温制御中であっても燃焼室周りの温度が所定温度未満である場合には吸気流制御弁を閉弁する請求項1〜7のいずれか一つに記載の内燃機関の排気浄化装置。
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