JP4187687B2 - 回路付サスペンション基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、グランド端子を有する回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
近年、コンピュータおよびその周辺機器などの記憶装置は、伝達速度と精度の向上が、ますます要求されており、そのため、電気信号には、高周波数が用いられる傾向にある。しかし、周波数が高くなると、送信される電気信号にノイズが増加する。
ハードディスクに搭載される回路付サスペンション基板は、金属基板としての金属箔基材の上に、絶縁層が形成され、その絶縁層の上に、導体パターンとしての導体層が形成されている（例えば、特許文献１参照。）ことから、このような回路付サスペンション基板においては、金属基板と導体パターンとの間の電位差が、ノイズの発生原因となる。
ハードディスクに搭載される回路付サスペンション基板は、金属基板としての金属箔基材の上に、絶縁層が形成され、その絶縁層の上に、導体パターンとしての導体層が形成されている（例えば、特許文献１参照。）ことから、このような回路付サスペンション基板においては、金属基板と導体パターンとの間の電位差が、ノイズの発生原因となる。
そのため、回路付サスペンション基板では、そのようなノイズを低減すべく、導体パターンに、金属基板と導通させるためのグランド端子を形成して、そのグランド端子を磁気ヘッドなどの電子部品のグランド端子と接続して、グランド接続できるようにしている。
また、グランド端子には、腐食を防止するために、電解金めっきにより、金めっき層を形成するようにしている。
また、グランド端子には、腐食を防止するために、電解金めっきにより、金めっき層を形成するようにしている。
グランド端子に金めっき層を形成するには、図５（ａ）に示すように、外形加工前の回路付サスペンション基板１を、導体パターン７におけるグランド端子１３の形成位置のみが露出されるように、めっきレジスト１７で被覆して、その後、図５（ｂ）に示すように、金属基板２から給電して電解金めっきすることにより、導体パターン７におけるグランド端子１３の形成位置に金めっき層１２を形成した後、図５（ｃ）に示すように、めっきレジスト１７を除去するようにしている。なお、図５において、図１に示す部材と同一の部材には、同一の参照符号を付して示している。
特開平１０−２６５５７２号公報
しかし、上記の方法では、金属基板２から給電するので、金属基板２に金めっき層１２が形成されることを防止するために、回路付サスペンション基板１を、導体パターン７におけるグランド端子１３の形成位置を除いて、めっきレジスト１７によって、すべて被覆する必要がある。一方、めっきレジスト１７を形成し、その後除去するには、めっきレジスト１７の貼付、露光、現像および剥離という煩雑な工程を要し、非常に手間がかかり、製造コストの上昇を生じる。
本発明の目的は、工数および手間の軽減を図りつつ、グランド端子を形成して、製造コストを低減することのできる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属基板を用意する工程、前記金属基板の上に、グランド端子の形成位置に前記金属基板が露出するベース開口部を有するベース絶縁層を形成する工程、前記ベース開口部内の金属基板および前記ベース絶縁層の上に、金属薄膜を形成する工程、前記ベース開口部内の金属薄膜の上を含むように、前記金属薄膜の上に、導体パターンを形成する工程、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記ベース開口部に対向して前記導体パターンが露出するカバー開口部を有する、カバー絶縁層を形成する工程、前記金属基板に、前記ベース開口部およびその周囲のベース絶縁層が露出する基板開口部を形成する工程、前記導体パターンから給電して、前記カバー開口部内の導体パターンの上に、電解めっき層を形成する工程、前記電解めっき層と前記金属基板とが導通するように、前記基板開口部内に金属充填層を形成する工程を備えていることを特徴としている。
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、金属基板に、ベース開口部およびその周囲のベース絶縁層が露出する基板開口部を形成する、つまり、ベース開口部よりも大きな基板開口部を形成するので、金属基板と導体パターンとの導通が遮断される。そして、導体パターンから給電して、カバー開口部内の導体パターンの上に電解めっき層を形成する。そのため、めっきレジストで被覆しなくても、グランド端子の形成位置の導体パターンの上に、電解めっき層を形成することができ、その後、金属充填層を形成することにより、グランド端子を形成することができる。その結果、工数および手間の軽減を図りつつ、グランド端子を形成して、製造コストを低減することができる。
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
図１において、この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、金属基板２を用意する。金属基板２としては、特に制限されず、例えば、金属箔または金属薄板が用いられる。また、金属基板２を形成するための金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
図１において、この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、金属基板２を用意する。金属基板２としては、特に制限されず、例えば、金属箔または金属薄板が用いられる。また、金属基板２を形成するための金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、金属基板２の上に、ベース絶縁層４を、後述するグランド端子１３の形成位置において金属基板２の表面を露出させるベース開口部３が形成されるような、所定パターンで形成する。
ベース絶縁層４を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性の合成樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
ベース絶縁層４を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性の合成樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、金属基板２の上に、ベース絶縁層４をベース開口部３を含む所定パターンで形成する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を、予め用意された金属基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１５を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、その皮膜１５を、フォトマスク１６を介して露光させ、必要により露光部分を所定温度に加熱した後、現像することにより、図３（ｃ）に示すように、皮膜１５をベース開口部３を含む所定パターンに形成する。なお、フォトマスク１６を介して照射する照射線は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜１２００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは、２００〜１２００ｍＪ／ｃｍ2である。
また、照射された皮膜１５の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法によって処理する。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図３においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
そして、図３（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化された感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１５を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層４を、ベース開口部３を含む所定パターンで形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、金属基板２の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗工またはドライフィルムとして貼着する。この場合において、ベース開口部３は、塗工または貼着後に、あるいは、ドライフィルムの場合には貼着前に、例えば、打ち抜き、ドリル穿孔、レーザ穿孔、エッチングなどの公知の方法により形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、金属基板２の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗工またはドライフィルムとして貼着する。この場合において、ベース開口部３は、塗工または貼着後に、あるいは、ドライフィルムの場合には貼着前に、例えば、打ち抜き、ドリル穿孔、レーザ穿孔、エッチングなどの公知の方法により形成する。
また、このようにして形成されるベース絶縁層４の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、ベース開口部３の形状は特に制限されず、円形、矩形など適宜選択することができ、円形の場合には、その直径が、例えば、３０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍであり、矩形の場合には、その一辺の長さが、例えば、３０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍである。
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、ベース絶縁層４の全面と、ベース絶縁層４のベース開口部３から露出する金属基板２の表面とに、アディティブ法の種膜となる金属薄膜５を形成する。
金属薄膜５の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、金属薄膜５となる金属は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層４の全面と、ベース絶縁層４のベース開口部３から露出する金属基板２の表面とに、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、クロム薄膜の厚みが、好ましくは、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、好ましくは、５００〜２０００Åである。
金属薄膜５の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、金属薄膜５となる金属は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層４の全面と、ベース絶縁層４のベース開口部３から露出する金属基板２の表面とに、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、クロム薄膜の厚みが、好ましくは、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、好ましくは、５００〜２０００Åである。
次いで、図１（ｄ）〜（ｇ）に示すように、金属薄膜５の上に導体パターン７を形成する。この導体パターン７は、磁気ヘッド（図示せず。）に対して出入力される電気信号を伝達するための信号配線パターンと、磁気ヘッドのグランド端子（図示せず。）と、後述するグランド端子１３とに接続されるグランド配線パターンとが含まれる。グランド配線パターンは、グランド端子１３の形成位置を含み、グランド端子１３の形成位置において、ベース開口部３内に導体が充填される。
導体パターン７を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
導体パターン７を、上記した配線パターンとして形成するには、アディティブ法が用いられ、例えば、まず、図１（ｄ）に示すように、金属薄膜５の上に、配線パターンと反転するパターンのめっきレジスト６を形成する。めっきレジスト６は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像する公知の方法により、レジストパターンとして形成する。次いで、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト６から露出する金属薄膜５の上に、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、上記した配線パターンで導体パターン７を形成する。
導体パターン７を、上記した配線パターンとして形成するには、アディティブ法が用いられ、例えば、まず、図１（ｄ）に示すように、金属薄膜５の上に、配線パターンと反転するパターンのめっきレジスト６を形成する。めっきレジスト６は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像する公知の方法により、レジストパターンとして形成する。次いで、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト６から露出する金属薄膜５の上に、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、上記した配線パターンで導体パターン７を形成する。
導体パターン７の厚みは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍである。
そして、図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト６を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
その後、図１（ｇ）に示すように、導体パターン７から露出する金属薄膜５（つまり、めっきレジスト６が形成されていた部分の金属薄膜５）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
そして、図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト６を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
その後、図１（ｇ）に示すように、導体パターン７から露出する金属薄膜５（つまり、めっきレジスト６が形成されていた部分の金属薄膜５）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
次いで、この方法では、図１（ｈ）に示すように、導体パターン７を被覆するためのカバー絶縁層９を、ベース開口部３に対向する導体パターン７を露出させるカバー開口部８が形成されるような、所定パターンで形成する。カバー絶縁層９を形成するための絶縁体としては、例えば、ベース絶縁層４と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー絶縁層９を形成する場合には、図４（ａ）に示すように、導体パターン７を被覆するようにベース絶縁層４の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（ポリアミック酸樹脂）の溶液を塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１８を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、その皮膜１８を、フォトマスク１９を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、図４（ｃ）に示すように、皮膜１８を、導体パターン７を被覆し、かつカバー開口部８を含む所定パターンに形成する。なお、この露光および現像の条件は、ベース絶縁層４を露光および現像する条件と同様の条件でよい。また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図４においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
そして、図４（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化された感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１８を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層９を、導体パターン７を被覆するようにベース絶縁層４の上に形成する。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層４の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗工またはドライフィルムとして貼着する。この場合において、カバー開口部８は、塗工または貼着後に、あるいは、ドライフィルムの場合には貼着前に、例えば、打ち抜き、ドリル穿孔、レーザ穿孔、エッチングなどの公知の方法により形成する。カバー絶縁層９の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。また、カバー開口部８の形状は特に制限されず、例えば、ベース開口部３と同一の形状および大きさで形成すればよい。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層４の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗工またはドライフィルムとして貼着する。この場合において、カバー開口部８は、塗工または貼着後に、あるいは、ドライフィルムの場合には貼着前に、例えば、打ち抜き、ドリル穿孔、レーザ穿孔、エッチングなどの公知の方法により形成する。カバー絶縁層９の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。また、カバー開口部８の形状は特に制限されず、例えば、ベース開口部３と同一の形状および大きさで形成すればよい。
そして、この方法では、グランド端子１３を形成するために、図２（ｉ）に示すように、まず、ベース開口部３およびその周囲のベース絶縁層４と対向する金属基板２の部分を除いて、金属基板２をエッチングレジスト１０により被覆する。エッチングレジスト１０は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法によりレジストパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図２（ｊ）に示すように、エッチングレジスト１０から露出した金属基板２の部分を除去して、基板開口部１１を形成する。エッチングレジスト１０から露出した金属基板２の部分の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。
この基板開口部１１は、ベース開口部３およびその周囲のベース絶縁層４が露出するように、つまり、基板開口部１１の周端縁が、ベース開口部３から露出する金属薄膜５の周端縁と接触しないように、ベース開口部３よりも大きく開口される。これによって、次に電解めっき層１２を形成するときに、金属基板２の表面に電解めっき層１２が形成されることを、防止することができる。
この基板開口部１１は、ベース開口部３およびその周囲のベース絶縁層４が露出するように、つまり、基板開口部１１の周端縁が、ベース開口部３から露出する金属薄膜５の周端縁と接触しないように、ベース開口部３よりも大きく開口される。これによって、次に電解めっき層１２を形成するときに、金属基板２の表面に電解めっき層１２が形成されることを、防止することができる。
また、基板開口部１１の形状は特に制限されず、円形、矩形など適宜選択することができ、好ましくは、ベース開口部３の相似形状（例えばベース開口部３を１００％とした場合に、１２０〜１０００％の相似形状）に形成する。
次いで、この方法では、図２（ｋ）に示すように、エッチングレジスト１０を、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
次いで、この方法では、図２（ｋ）に示すように、エッチングレジスト１０を、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
そして、この方法では、図２（ｌ）に示すように、導体パターン７を電解めっきのリード部として利用して、カバー開口部８から露出した導体パターン７の表面に、電解めっきにより電解めっき層１２を形成する。なお、電解めっき層１２は、基板開口部１１から露出した金属薄膜５の表面にも形成される。電解めっきに用いられる金属としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、金などが用いられ、好ましくは、ニッケル、金などが用いられる。そして、導体パターン７から給電して、電解めっき、好ましくは、電解ニッケルめっきおよび／または電解金めっきすることにより、好ましくは、ニッケルおよび／または金からなる電解めっき層１２を形成する。
なお、この電解めっきにおいては、上記したように、導体パターン７（金属薄膜５）と金属基板２とが接触していないので、導体パターン７から給電しても金属基板２の表面には電解めっき層１２が形成されず、そのため、金属基板２の表面をめっきレジスト１７（図５参照）で被覆する手間を省略することができる。なお、電解めっき層１２の厚みは、例えば、０．２〜６μｍ、好ましくは、０．５〜４μｍである。
次いで、この方法では、図２（ｍ）に示すように、基板開口部１１から露出した金属薄膜５の表面に形成された電解めっき層１２と金属基板２とが電気的に導通するように、基板開口部１１内に金属充填層１４を形成することにより、グランド端子１３を形成し、これによって、回路付サスペンション基板１を得る。金属充填層１４は、例えば、はんだペーストを、スクリーン印刷により基板開口部１１内に充填した後、加熱して、はんだを溶融することによって形成する。金属充填層１４は、基板開口部１１内における電解めっき層１２と金属基板２との隙間に充填され、それらを電気的に導通させることができれば、その厚みは特に制限されないが、好ましくは、金属基板２と同一の厚みに形成される。
そして、このような回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、図２（ｌ）に示すように、基板開口部１１をベース開口部３よりも大きく開口するので、カバー開口部８から露出した導体パターン７の表面に、導体パターン７から給電して電解めっき層１２を形成するときに、回路付サスペンション基板１の全体をめっきレジスト１７で被覆する必要がなく、工数および手間の軽減を図りつつ、グランド端子１３を形成することができ、製造コストを低減することができる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
回路付サスペンション基板の作製
厚さ２０μｍのステンレス箔（図１（ａ）参照）の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１００℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図３（ａ）参照）、次いで、その皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、６５０ｍＪ／ｃｍ2）させ（図３（ｂ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像で、ベース開口部を含むパターンに形成した（図３（ｃ）参照）。
回路付サスペンション基板の作製
厚さ２０μｍのステンレス箔（図１（ａ）参照）の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１００℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図３（ａ）参照）、次いで、その皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、６５０ｍＪ／ｃｍ2）させ（図３（ｂ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像で、ベース開口部を含むパターンに形成した（図３（ｃ）参照）。
次いで、パターン化されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３６０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ（図３（ｄ）参照）、これによって、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、ベース開口部を含む所定パターンで形成した（図１（ｂ）参照）。なお、ベース開口部は、円状で、その大きさは、直径２００μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の全面と、ベース絶縁層のベース開口部から露出する金属基板の表面とに、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ６００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後（図１（ｃ）参照）、その上に、導体パターンと反転するパターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し（図１（ｄ）参照）、次いで、めっきレジストから露出する金属基板の上に、電解銅めっきにより、導体パターンを形成した（図１（ｅ）参照）。その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後（図１（ｆ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分のクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した（図１（ｇ）参照）。なお、この導体パターンは、厚さ１０μｍの、信号配線パターンとグランド配線パターンとが含まれる配線パターンとして形成した。
次いで、ベース絶縁層の全面と、ベース絶縁層のベース開口部から露出する金属基板の表面とに、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ６００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後（図１（ｃ）参照）、その上に、導体パターンと反転するパターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し（図１（ｄ）参照）、次いで、めっきレジストから露出する金属基板の上に、電解銅めっきにより、導体パターンを形成した（図１（ｅ）参照）。その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後（図１（ｆ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分のクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した（図１（ｇ）参照）。なお、この導体パターンは、厚さ１０μｍの、信号配線パターンとグランド配線パターンとが含まれる配線パターンとして形成した。
次いで、導体パターンを含むベース絶縁層の表面に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１００℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し（図４（ａ）参照）、次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１２００ｍＪ／ｃｍ2）させ（図４（ｂ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜を、導体パターンを被覆し、かつカバー開口部を含む所定パターンに形成した（図４（ｃ）参照）。次いで、パターン化されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３６０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ（図４（ｄ）参照）、これによって、厚さ４μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、カバー開口部を含む所定パターンで、ベース絶縁層の上に形成した。
その後、ステンレス箔の表面に、ドライフィルムレジストからなるエッチングレジストをラミネートし、露光および現像して、ベース開口部およびその周囲のベース絶縁層と対向するステンレス箔の部分を除く、レジストパターンとして形成した（図２（ｉ）参照）。エッチングレジストから露出するステンレス箔を化学エッチングし（図２（ｊ）参照）、その後、化学エッチングによりエッチングレジストを除去することにより、円状の直径５００μｍの大きさの基板開口部を形成した（図２（ｋ）参照）。次いで、導体パターンを電解めっきのリード部として利用して、カバー開口部から露出した導体パターンの表面および基板開口部から露出した金属薄膜の表面に、厚さ２μｍの金めっき層を形成した（図２（ｌ）参照）。
その後、基板開口部から露出した金属薄膜の表面に形成された金めっき層と、ステンレス箔とが電気的に導通するように、基板開口部内に、はんだペーストを充填してリフローし、金属充填層を形成することにより、グランド端子を有する回路付サスペンション基板を得た（図２（ｍ）参照）。
１ 回路付サスペンション基板
２ 金属基板
３ ベース開口部
４ ベース絶縁層
５ 金属薄膜
７ 導体パターン
８ カバー開口部
９ カバー絶縁層
１１ 基板開口部
１２ 電解めっき層
１３ グランド端子
１４ 金属充填層
２ 金属基板
３ ベース開口部
４ ベース絶縁層
５ 金属薄膜
７ 導体パターン
８ カバー開口部
９ カバー絶縁層
１１ 基板開口部
１２ 電解めっき層
１３ グランド端子
１４ 金属充填層
Claims (1)
- 金属基板を用意する工程、
前記金属基板の上に、グランド端子の形成位置に、前記金属基板が露出するベース開口部を有するベース絶縁層を形成する工程、
前記ベース開口部内の金属基板および前記ベース絶縁層の上に、金属薄膜を形成する工程、
前記ベース開口部内の金属薄膜の上を含むように、前記金属薄膜の上に、導体パターンを形成する工程、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記ベース開口部に対向して前記導体パターンが露出するカバー開口部を有する、カバー絶縁層を形成する工程、
前記金属基板に、前記ベース開口部およびその周囲のベース絶縁層が露出する基板開口部を形成する工程、
前記導体パターンから給電して、前記カバー開口部内の導体パターンの上に、電解めっき層を形成する工程、
前記電解めっき層と前記金属基板とが導通するように、前記基板開口部内に金属充填層を形成する工程
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
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