JP4185089B2 - 自己検知型spmプローブ - Google Patents
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Description
つとして、走査型プローブ顕微鏡( SPM : Scanning Probe Microscope ) が用いられている。その中でも、原子間力顕微鏡( A F M : Atomic Force Microscope ) は、走査プローブとして、先端部に探針を設けたカンチレバーを使用しており、そのカンチレバーの探針を試料表面に沿って走査し、試料表面と探針との間に発生する原子間力( 引力または斥力) をカンチレバーの撓み量として検出することにより、試料表面の形状測定を達成している。
ここで、この方式に用いられるカンチレバーを特に光てこ式カンチレバーと称する。しかしながら、この光てこ式カンチレバーを使用する際には、カンチレバーに向けて照射するレーザ光の照射角度と、カンチレバーからの反射光を検出するフォトダイオードの位置等の微調整が必要であり、特に、頻繁に行われるカンチレバーの交換の際に、その微調整を繰り返し行わなければならないという煩雑さが伴っていた。
これらのカンチレバー202 およびリファレンス204 は、その表面にそれぞれU字状のピエゾ抵抗体208 および210を形成している。
ここでは、ピエゾ抵抗体208 および210 は、n 型のシリコン基板206 の表面に、それぞれU字状にp 型の不純物イオンを選択的に注入することにより、p+ のピエゾ抵抗体として形成されている。
そして、各メタルコンタクト部には、コンタクト用のアルミニウム電極( Al )214 、216 、218 および2 20 がそれぞれ埋め込まれる。
ここでは、n 型のシリコン基板206 の表面に、p型の不純物イオンを注入してp+ のピエゾ抵抗体208 および210 を形成したが、逆に、p 型のシリコン基板を用いた場合は、基板表面にn 型の不純物イオンを注入してn+ のピエゾ抵抗体が形成される。
その際に発生する試料表面と探針との間の原子間力( 引力または斥力) が、カンチレバー202 を撓ませ、この撓みは、カンチレバー202 上に形成されたピエゾ抵抗体208 の抵抗値を変動させる。この抵抗値がカンチレバー202 の撓み量として検出される。ピエゾ抵抗体208 の抵抗値の変動は、上記メタルコンタクト部のアルミニウム電極214 および216 を介して、信号処理部( 図示せず) に導かれ、試料表面を表す信号として画像化される。
このX 方向の力に対する変位は、実際には、カンチレバーの捩れによってもたらされ、カ
ンチレバー先端の探針と試料表面との間においてカンチレバーの走査の際に生じる摩擦力
等を起因とする。
2つのU字状のピエゾ抵抗体は、一端を互いに接続してクランド電位が与えられており、他端をそれぞれ増幅器に接続している。
また、それぞれ屈曲部上のピエゾ抵抗体は、屈曲部の長手方向において2つの直線状のピエゾ抵抗体を連結した形としてU字状を形成しているので、屈曲部自体の捩れによりU字状のピエゾ抵抗体の直線部分間での抵抗値変化として一部が相殺されてしまい、2つのU字状のピエゾ抵抗体間における正確な抵抗値差を得ることはできなかった。
また、請求項2の発明に係る自己検知型SPMプローブは、請求項1の発明において、前記変位検出機構は、前記屈曲部を2つ設けて、該屈曲部上に設けることを特徴とする。
さらに、各屈曲部上に前記ピエゾ抵抗体または前記第1の導電層を形成することで、ピエゾ抵抗体間における抵抗値の差を計測することにより、屈曲部の捩れ量をより高精度に検出することができるという効果を奏する。
2つの屈曲部上には、それぞれピエゾ抵抗体112 および114 が、支持部− レバー部−支持部に亘ってU字状に形成されている。
また、SOI シリコン層16 とピエゾ抵抗体112 および114 の表面には、絶縁層( 図示せず) が形成されている。
低抵抗層116 は、メタルコンタクト部113 および115 によって、下層のピエゾ抵抗体112 との電気的接続を果たし、後述する導電層32 および34 と同材料の金属であることが好ましい。
レバー部において捩れ量を検出するのに、レバー部の長手方向に対して垂直な方向のピエゾ抵抗体領域は意味をもたず、むしろ高抵抗領域として機能する。低抵抗層116 は、その部分に流れる電流を迂回させるために機能し、より捩れ量の実質的な検出を可能にする。
低抵抗層118 は、メタルコンタクト部117 および119 によって、下層のピエゾ抵抗体114 との電気的接続を果たしている。
また、同様に、導電層28 および34 は、それぞれピエゾ抵抗体114 の端部に位置するメタルコンタクト部38 および44 との電気的接続を果たし、支持部においてピエゾ抵抗体114 の形成されていない領域まで導かれる。
なお、図2 および図3 では、図1 のカンチレバー110 のピエゾ抵抗体112 を形成する工程断面を示している。
そして、そのSOI 基板の表面側と裏面側とを熱酸化することにより、シリコン酸化膜(SiO2 ) 19 および13 を形成し、シリコン酸化膜19 上に、さらにエッチングマスクとなるフォトレジスタ膜21 をパターニングする。
続いて、パターニングされたシリコン酸化膜19 をマスクとして、リアクティブ・イオン・エッチング( RIE ) を行うことにより、図1 ( c ) に示すように、マスク19 の下に先鋭化した探針12 が形成する。
フォトレジスト膜25 をマスクとしてRIE によりSOI シリコン層16 を、埋め込み酸化層14 に達するまでエッチングし、カンチレバーの端部を形成する。
フォトレジスト膜27 をマスクとして緩衝フッ酸溶液( BHF ) を用いたバックエッチングを行い、シリコン酸化膜13 をパターニング形成する。
さらに、ここで、メタルコンタクト部44 , 38 から配線される導電層28 , 34 が形成される( 図示せず) 。
その場合、ピエゾ抵抗体は、レバー部の捩れが検出されるように、探針を通りかつカンチレバーの長手方向に沿った直線を中心軸として、屈曲部に、対称的に形成されるのが好ましい。
その場合、参照用カンチレバーは、探針12 を取り除いたこと以外は自己検知型SPMプローブ110 ( または120 、130 ) と同様な構成であり、自己検知型SPMプローブ110 ( または120 、130 ) の動作と並行して、その参照用カンチレバー上のピエゾ抵抗体における抵抗値の測定が行われる。
これは、従来の自己検知型SPMプローブにおけるリファレンスと同様に、ピエゾ抵抗体自体の抵抗値の不要な変動情報を自己検知型SPMプローブ110 ( または120 、130 ) において測定される抵抗値の変動から取り除くための参照抵抗値を提供するものである。
さらに、ピエゾ抵抗体上の低抵抗層の存在により、電流損失の少ない、より実質的なピエゾ抵抗体の抵抗値の検出が可能になる。
よって、カンチレバーは、一般に、ウェハ上から個別に取り出した状態で使用される。
しかしながら、例えば使用されるカンチレバーが不良であった場合に、そのカンチレバーがウェハ上のどの位置に形成されていたかを知る術がなかった。
さらに、この仮想マトリクスの縦軸に沿った要素区域に対して、それぞれA , B , C , .. . と記号を付す。同様に、横軸に沿った要素区域に対して、それぞれ01 , 02 , 03 , . . . と番号を付す。
これにより、仮想マトリクス内の要素区域が記号と番号によって特定でき、これを識別マークとする。例えば、カンチレバー152 は、F−06 の要素区域として表すことができる。この場合、カンチレバー形成領域151 に含まれない要素区域( 例えば、A−01 〜 A−05 ) には、実際には、カンチレバーは形成されないが、識別マークからウェハ上の位置を特定するには、このように、方形状のマトリクスを想定した方が直感的に判り易い。
なお、識別マークとして使用する符号は、マトリクス内において位置が特定できる記号または番号であれば何でも良い。
これら識別マークは、実施の形態1 において説明されたカンチレバーの作成工程の1つとして、例えば、図3 ( g ) に示す工程においてメタルコンタクト部44 , 38 および導電層28 , 34 ( 図示していない) と同時に、アルミニウム( Al ) 等で形成する。
よって、特に不良なカンチレバーに対して、ウェハ上における不良カンチレバー位置分布を得ることができ、さらには、その不良カンチレバー位置分布によって不良要因を特定し、その要因を取り除くように、カンチレバー作成工程を再現性高く、良質な工程となるように改善することができる。
12 探針
14 ,17 酸化層
15 ,16 シリコン層
112 ,114 ピエゾ抵抗体
36 , 38 ,42 , 44 ,113 ,115 ,117 ,119 メタルコンタクト部
116 , 118 低抵抗層
152 , 202 カンチレバー
Claims (2)
- 先鋭化された探針を先端に設けたレバー部と、該レバー部を支持する支持部と、前記レバー部と前記支持部とを連結する屈曲部とからカンチレバーを構成し、このカンチレバー上にピエゾ抵抗体を設けた自己検知型SPMプローブにおいて、
前記ピエゾ抵抗体を前記支持部に2つの電極端子を配置して前記レバー部にて折り返すようにU字状に形成し、前記レバー部に位置する該ピエゾ抵抗体の一部に該ピエゾ抵抗体と電気的に接続した低抵抗層を設けて変位検出機構とし、
該変位検出機構を前記屈曲部に前記レバー部の長手方向に沿って並列に複数個備えたことを特徴とする自己検知型SPMプローブ。 - 前記屈曲部を2つ設けて、各屈曲部上に前記変位検出機構を設けたことを特徴とする請求項1に記載の自己検知型SPMプローブ。
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