JP3124485B2 - 半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー - Google Patents
半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバーInfo
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- JP3124485B2 JP3124485B2 JP08097120A JP9712096A JP3124485B2 JP 3124485 B2 JP3124485 B2 JP 3124485B2 JP 08097120 A JP08097120 A JP 08097120A JP 9712096 A JP9712096 A JP 9712096A JP 3124485 B2 JP3124485 B2 JP 3124485B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体歪センサおよ
び走査型原子力間力顕微鏡（ＡＦＭ： Atomic Force Mi
croscope）のカンチレバーに関する。さらに具体的にい
えば、半導体基板で構成したカンチレバーの撓み部分に
ｐｎ接合を形成し、カンチレバーの撓み量をｐｎ接合部
分でのダイオード特性の変化として検出できるようにし
た半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチ
レバーに関する。
び走査型原子力間力顕微鏡（ＡＦＭ： Atomic Force Mi
croscope）のカンチレバーに関する。さらに具体的にい
えば、半導体基板で構成したカンチレバーの撓み部分に
ｐｎ接合を形成し、カンチレバーの撓み量をｐｎ接合部
分でのダイオード特性の変化として検出できるようにし
た半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチ
レバーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
では、探針がカンチレバーの自由端に取り付けられ、試
料表面の凹凸に応じて探針が上下動する際に生ずるカン
チレバーの撓み量は、光学インターフェロメトリや光学
偏光技術によって検出されていた。しかしながら、これ
らの光学的な検出方法では構成が複雑化して調整も難し
いという問題があった。一方、近年になって撓み量や加
速度を検出するセンサとして、小型、軽量であり、撓み
量を電気信号として直接出力し得る特徴を持った半導体
歪センサが広く用いられるようになり、これがＡＦＭの
カンチレバーにも採用されるようになってきた。
では、探針がカンチレバーの自由端に取り付けられ、試
料表面の凹凸に応じて探針が上下動する際に生ずるカン
チレバーの撓み量は、光学インターフェロメトリや光学
偏光技術によって検出されていた。しかしながら、これ
らの光学的な検出方法では構成が複雑化して調整も難し
いという問題があった。一方、近年になって撓み量や加
速度を検出するセンサとして、小型、軽量であり、撓み
量を電気信号として直接出力し得る特徴を持った半導体
歪センサが広く用いられるようになり、これがＡＦＭの
カンチレバーにも採用されるようになってきた。
【０００３】このようなカンチレバー型半導体歪センサ
は、例えば図１３に示されているように、半導体基板の
一部２を「コの字」形に選択蝕刻して形成された自由端
１ａを有する片持ばりアーム部１と、片持ばりアーム部
１の固定端近傍（根元）に形成されたゲージ部３とによ
って構成され、ゲージ部３は、自由端１ａの撓み量に応
じて当該部分に生じる応力歪を検出し、これを電気信号
に変換して出力する。
は、例えば図１３に示されているように、半導体基板の
一部２を「コの字」形に選択蝕刻して形成された自由端
１ａを有する片持ばりアーム部１と、片持ばりアーム部
１の固定端近傍（根元）に形成されたゲージ部３とによ
って構成され、ゲージ部３は、自由端１ａの撓み量に応
じて当該部分に生じる応力歪を検出し、これを電気信号
に変換して出力する。
【０００４】従来の半導体歪センサでは、例えば特開平
５−１９６４５８号公報に記載されているように、ゲー
ジ部３がピエゾ抵抗体で構成されていた。ピエゾ抵抗体
は応力が加わると電気抵抗が変化することから、撓み量
の検出は、ピエゾ抵抗体の抵抗変化をホイートストンブ
リッジ等の抵抗ブリッジ回路で測定することによって行
われていた。
５−１９６４５８号公報に記載されているように、ゲー
ジ部３がピエゾ抵抗体で構成されていた。ピエゾ抵抗体
は応力が加わると電気抵抗が変化することから、撓み量
の検出は、ピエゾ抵抗体の抵抗変化をホイートストンブ
リッジ等の抵抗ブリッジ回路で測定することによって行
われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、カン
チレバーの撓み量をピエゾ抵抗体に加わる応力歪として
検出しようとすると、ピエゾ抵抗体では歪量に対する抵
抗変化率、換言すれば電圧あるいは電流変化率が小さ
く、かつ測定感度が低いので、その検出のためには複雑
な抵抗ブリッジ回路が必要になるのみならず、抵抗ブリ
ッジを構成する各抵抗体の調整を極めて正確に行わなけ
ればならないという問題があった。
チレバーの撓み量をピエゾ抵抗体に加わる応力歪として
検出しようとすると、ピエゾ抵抗体では歪量に対する抵
抗変化率、換言すれば電圧あるいは電流変化率が小さ
く、かつ測定感度が低いので、その検出のためには複雑
な抵抗ブリッジ回路が必要になるのみならず、抵抗ブリ
ッジを構成する各抵抗体の調整を極めて正確に行わなけ
ればならないという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解決し、カンチレバーの撓み量を簡単な構成で、か
つ大きな信号変化として出力する半導体歪センサおよび
走査型原子間力顕微鏡用カンチレバーを提供することに
ある。
点を解決し、カンチレバーの撓み量を簡単な構成で、か
つ大きな信号変化として出力する半導体歪センサおよび
走査型原子間力顕微鏡用カンチレバーを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、以下のような手段を講じた。本発
明の半導体歪センサは、自由端および固定端を有するカ
ンチレバーと、前記カンチレバーの、自由端の変位によ
って応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記
ｐｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれ
に形成されたコンタクト領域とによって構成される。
ために、本発明では、以下のような手段を講じた。本発
明の半導体歪センサは、自由端および固定端を有するカ
ンチレバーと、前記カンチレバーの、自由端の変位によ
って応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記
ｐｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれ
に形成されたコンタクト領域とによって構成される。
【０００８】上記した構成によれば、カンチレバーの自
由端が撓むとｐｎ接合部分に応力歪が発生し、当該ｐｎ
接合の電気的特性（ダイオード特性）が大きく変化する
ので、これを適宜の検出回路で検出すれば自由端の撓み
量を測定できるようになる。
由端が撓むとｐｎ接合部分に応力歪が発生し、当該ｐｎ
接合の電気的特性（ダイオード特性）が大きく変化する
ので、これを適宜の検出回路で検出すれば自由端の撓み
量を測定できるようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。図１(a) は、本発明の第１実施形態であ
るカンチレバー型半導体歪センサの平面図であり、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での断面図である。
細に説明する。図１(a) は、本発明の第１実施形態であ
るカンチレバー型半導体歪センサの平面図であり、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での断面図である。
【００１０】本発明のカンチレバー１０は、Ｕ字状の片
持ばりアーム部１０ａおよび支持部１０ｂによって構成
され、片持ばりアーム部１０ａの先端１０ｃにはＡＦＭ
用の探針（図示せず）が設けられている。本実施形態で
は、カンチレバー１０はＮ型基板３１によって構成さ
れ、そのＵ字状部分の内側表面にはＰ-拡散領域３２が
形成されている。Ｐ-拡散領域３２とＮ型基板３１との
境界にはｐｎ接合５０が形成されるため、本実施形態で
は、Ｕ字状の片持ばりアーム部１０ａに沿ってｐｎ接合
５０がＵ字状に形成されることになる。支持部１０ｂで
は、Ｎ型基板領域内にはＮ+コンタクト領域２１が形成
され、Ｐ-拡散領域３２内にはＰ+コンタクト領域２２が
形成されている。
持ばりアーム部１０ａおよび支持部１０ｂによって構成
され、片持ばりアーム部１０ａの先端１０ｃにはＡＦＭ
用の探針（図示せず）が設けられている。本実施形態で
は、カンチレバー１０はＮ型基板３１によって構成さ
れ、そのＵ字状部分の内側表面にはＰ-拡散領域３２が
形成されている。Ｐ-拡散領域３２とＮ型基板３１との
境界にはｐｎ接合５０が形成されるため、本実施形態で
は、Ｕ字状の片持ばりアーム部１０ａに沿ってｐｎ接合
５０がＵ字状に形成されることになる。支持部１０ｂで
は、Ｎ型基板領域内にはＮ+コンタクト領域２１が形成
され、Ｐ-拡散領域３２内にはＰ+コンタクト領域２２が
形成されている。
【００１１】このような構成において、探針が試料表面
で走査されると、カンチレバー１０の片持ばりアーム部
１０ａは支持部１０ｂを支点として試料の表面形状に応
じて撓むため、アーム部１０ａに形成されたｐｎ接合５
０に応力歪が生じ、その部分でのダイオード特性が変化
する。
で走査されると、カンチレバー１０の片持ばりアーム部
１０ａは支持部１０ｂを支点として試料の表面形状に応
じて撓むため、アーム部１０ａに形成されたｐｎ接合５
０に応力歪が生じ、その部分でのダイオード特性が変化
する。
【００１２】図２は、応力歪によってｐｎ接合のダイオ
ード特性が変化する様子を示した図であり、同図(a) は
順バイアス時、同図(b) は逆バイアス時の特性を示して
いる。同図から、順バイアス時には、ｐｎ接合に応力歪
が生じると順方向電流の流れ始める印加電圧が低下し、
印加電圧に対する順方向電流Ｉ0 の割合が増加すること
が判る。また、逆バイアス時には、歪が生じるとブレー
ク電圧が低下し、リーク電流が増加することが判る。
ード特性が変化する様子を示した図であり、同図(a) は
順バイアス時、同図(b) は逆バイアス時の特性を示して
いる。同図から、順バイアス時には、ｐｎ接合に応力歪
が生じると順方向電流の流れ始める印加電圧が低下し、
印加電圧に対する順方向電流Ｉ0 の割合が増加すること
が判る。また、逆バイアス時には、歪が生じるとブレー
ク電圧が低下し、リーク電流が増加することが判る。
【００１３】また、図３，４，５は、それぞれｐｎ接合
のＩ−Ｖ特性、電流Ｉ−歪量特性、および電圧Ｖ−歪量
特性を、ピエゾ抵抗体のそれと比較して示した図であ
り、歪量に対する電流Ｉ，電圧Ｖの変化率はｐｎ接合が
ピエゾ素子よりも大きく、電圧Ｖに対する電流Ｉの変化
率もｐｎ接合がピエゾ素子よりも大きい。したがって、
本実施形態のようにカンチレバー１０の撓み部分にｐｎ
接合を形成し、ｐｎ接合のダイオード変化を検出するよ
うにすれば歪量の検出感度が向上し、ホイートストンブ
リッジ等の精密なブリッジ回路を用いる事なく、カンチ
レバー１０の撓み量を正確に測定できるようになる。
のＩ−Ｖ特性、電流Ｉ−歪量特性、および電圧Ｖ−歪量
特性を、ピエゾ抵抗体のそれと比較して示した図であ
り、歪量に対する電流Ｉ，電圧Ｖの変化率はｐｎ接合が
ピエゾ素子よりも大きく、電圧Ｖに対する電流Ｉの変化
率もｐｎ接合がピエゾ素子よりも大きい。したがって、
本実施形態のようにカンチレバー１０の撓み部分にｐｎ
接合を形成し、ｐｎ接合のダイオード変化を検出するよ
うにすれば歪量の検出感度が向上し、ホイートストンブ
リッジ等の精密なブリッジ回路を用いる事なく、カンチ
レバー１０の撓み量を正確に測定できるようになる。
【００１４】図６は、前記図１に関して説明した構造の
カンチレバー型半導体歪センサの製造方法を示した図で
あり、特に図１のＣ−Ｄ線での断面構造を示している。
初めに、Ｎ型半導体基板３１を図１のカンチレバー形状
に蝕刻し、その一方の全表面にレジスト８１を塗布す
る。次いで、公知のフォトレジスト技術を利用して前記
図１のＰ-領域３２に相当する部分のレジストのみを選
択的に除去してマスクを形成し、その表面からＰ型不純
物（例えば、リン）をイオン打ち込みし［同図(a) ］、
さらに熱拡散を行ってＰ-領域３２を形成する［同図(b)
］。
カンチレバー型半導体歪センサの製造方法を示した図で
あり、特に図１のＣ−Ｄ線での断面構造を示している。
初めに、Ｎ型半導体基板３１を図１のカンチレバー形状
に蝕刻し、その一方の全表面にレジスト８１を塗布す
る。次いで、公知のフォトレジスト技術を利用して前記
図１のＰ-領域３２に相当する部分のレジストのみを選
択的に除去してマスクを形成し、その表面からＰ型不純
物（例えば、リン）をイオン打ち込みし［同図(a) ］、
さらに熱拡散を行ってＰ-領域３２を形成する［同図(b)
］。
【００１５】次いで、再び全面にレジスト８２を塗布
し、コンタクト領域２２に相当する部分を開口する。次
いで、Ｐ型不純物をイオン打ち込みし［同図(c) ］、こ
れを拡散させてＰ+コンタクト領域２２を形成する［同
図(d) ］。次いで、再び全面にレジスト８３を塗布した
後にコンタクト領域２１に相当する部分を開口し、前記
と同様にして今度はＮ型不純物（例えば、ボロン）をイ
オン打ち込みし［同図(e) ］、Ｎ+コンタクト領域２１
を形成する。最後に全面にパッシベーション膜（図示せ
ず）を形成し、各コンタクト領域２１，２２を露出させ
てアルミ電極（図示せず）を接続する。
し、コンタクト領域２２に相当する部分を開口する。次
いで、Ｐ型不純物をイオン打ち込みし［同図(c) ］、こ
れを拡散させてＰ+コンタクト領域２２を形成する［同
図(d) ］。次いで、再び全面にレジスト８３を塗布した
後にコンタクト領域２１に相当する部分を開口し、前記
と同様にして今度はＮ型不純物（例えば、ボロン）をイ
オン打ち込みし［同図(e) ］、Ｎ+コンタクト領域２１
を形成する。最後に全面にパッシベーション膜（図示せ
ず）を形成し、各コンタクト領域２１，２２を露出させ
てアルミ電極（図示せず）を接続する。
【００１６】図７は、本発明の第２実施形態であるカン
チレバーの平面図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での
断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部分
を表している。本実施形態は、Ｐ-領域３２を実質的に
カンチレバー１０の表面全体に形成するようにした点に
特徴がある。
チレバーの平面図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での
断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部分
を表している。本実施形態は、Ｐ-領域３２を実質的に
カンチレバー１０の表面全体に形成するようにした点に
特徴がある。
【００１７】すなわち、上記した第１実施形態では、ｐ
ｎ接合５０をカンチレバー１０の表面の一部のみに形成
したためにｐｎ接合の面積が比較的小さい。このため、
リーク電流は少なくできる反面、高い感度は得にくいと
いう特徴がある。しかしながら、この第２実施形態で
は、ｐｎ接合５０がカンチレバー１０の全面に形成され
ているため、リーク電流は前記第１実施形態に比べて若
干多くなるが高い感度が得られるという利点がある。
ｎ接合５０をカンチレバー１０の表面の一部のみに形成
したためにｐｎ接合の面積が比較的小さい。このため、
リーク電流は少なくできる反面、高い感度は得にくいと
いう特徴がある。しかしながら、この第２実施形態で
は、ｐｎ接合５０がカンチレバー１０の全面に形成され
ているため、リーク電流は前記第１実施形態に比べて若
干多くなるが高い感度が得られるという利点がある。
【００１８】次に、本発明の第３実施形態の平面図を図
８に示す。なお、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。本実施形態は、ｐｎ接合がカンチレバ
ー１０の端面に露出しないように、Ｐ-領域３２をカン
チレバー１０の中央部に帯状に設けるようにした点に特
徴がある。一般に、リーク電流はｐｎ接合の端面近傍で
生じるが、本実施形態によれば、ｐｎ接合５０がカンチ
レバー１０の端面に露出していないので、製造工程は多
少繁雑化するがリーク電流を抑えながら高い感度が得れ
られるようになる。
８に示す。なお、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。本実施形態は、ｐｎ接合がカンチレバ
ー１０の端面に露出しないように、Ｐ-領域３２をカン
チレバー１０の中央部に帯状に設けるようにした点に特
徴がある。一般に、リーク電流はｐｎ接合の端面近傍で
生じるが、本実施形態によれば、ｐｎ接合５０がカンチ
レバー１０の端面に露出していないので、製造工程は多
少繁雑化するがリーク電流を抑えながら高い感度が得れ
られるようになる。
【００１９】次に、本発明の第４実施形態の平面図を図
９に示す。本実施形態は、カンチレバー１０が撓んだ時
にＵ字状部の全体は歪まず、歪量は片持ばりアーム部１
０ａと支持部１０ｂとの境界部分すなわちカンチレバー
１０の付根部分が最も大きくなり、それ以外の部分では
小さいことに着目してなされたものである。
９に示す。本実施形態は、カンチレバー１０が撓んだ時
にＵ字状部の全体は歪まず、歪量は片持ばりアーム部１
０ａと支持部１０ｂとの境界部分すなわちカンチレバー
１０の付根部分が最も大きくなり、それ以外の部分では
小さいことに着目してなされたものである。
【００２０】本実施形態は、図示されているように、Ｐ
-領域３２をカンチレバー１０が撓んだときに歪量が最
も大きくなる前記付根部分のみに形成するようにした点
に特徴がある。本実施形態によれば、歪量の検出に寄与
しない部分にはｐｎ接合が形成されないので、リーク電
流を抑えながら高い感度が得れられるようになる。
-領域３２をカンチレバー１０が撓んだときに歪量が最
も大きくなる前記付根部分のみに形成するようにした点
に特徴がある。本実施形態によれば、歪量の検出に寄与
しない部分にはｐｎ接合が形成されないので、リーク電
流を抑えながら高い感度が得れられるようになる。
【００２１】次に、本発明の第５実施形態の平面図を図
１０に示す。本実施形態は前記第４実施形態と同様に、
カンチレバー１０の付根部分のみにＰ-拡散領域３２を
形成すると共に、リーク電流を低減するために、Ｐ-拡
散領域３２をカンチレバー１０の中央部に帯状に設けた
点に特徴がある。
１０に示す。本実施形態は前記第４実施形態と同様に、
カンチレバー１０の付根部分のみにＰ-拡散領域３２を
形成すると共に、リーク電流を低減するために、Ｐ-拡
散領域３２をカンチレバー１０の中央部に帯状に設けた
点に特徴がある。
【００２２】次に、本発明の第６，７実施形態の平面図
を図１１，１２に示す。この第６，７実施形態は、それ
ぞれ前記第４，５実施形態のＰ-拡散領域３２を、前記
付け根部分の一方のみに形成するようにした点に特徴が
ある。これらの実施形態によれば、検出感度が若干低下
するもののリーク電流を大幅に低減できる。
を図１１，１２に示す。この第６，７実施形態は、それ
ぞれ前記第４，５実施形態のＰ-拡散領域３２を、前記
付け根部分の一方のみに形成するようにした点に特徴が
ある。これらの実施形態によれば、検出感度が若干低下
するもののリーク電流を大幅に低減できる。
【００２３】さらに、上記した各実施形態ではＮ型基板
内３１にＰ-拡散領域３２を形成してｐｎ接合を得るも
のとして説明したが、これとは逆に、Ｐ型基板内にＮ-
領域を形成することでｐｎ接合を得るようにしても良
い。
内３１にＰ-拡散領域３２を形成してｐｎ接合を得るも
のとして説明したが、これとは逆に、Ｐ型基板内にＮ-
領域を形成することでｐｎ接合を得るようにしても良
い。
【００２４】
【発明の効果】上記したように、本発明では歪量に応じ
て電気的特性が敏感に変化するｐｎ接合をカンチレバー
に設け、カンチレバーの撓み量をｐｎ接合の電気的特性
の変化として検出できるようにしたので、カンチレバー
の撓み量に対する感度が向上するのみならず、後段に接
続される検知回路の構成を簡単化できるようになる。
て電気的特性が敏感に変化するｐｎ接合をカンチレバー
に設け、カンチレバーの撓み量をｐｎ接合の電気的特性
の変化として検出できるようにしたので、カンチレバー
の撓み量に対する感度が向上するのみならず、後段に接
続される検知回路の構成を簡単化できるようになる。
【図１】本発明の第１実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図２】ｐｎ接合のダイオード特性を示した図である。
【図３】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性をピエゾ抵抗体と比較し
た図である。
た図である。
【図４】ｐｎ接合のＩ−歪量特性をピエゾ抵抗体と比較
した図である。
した図である。
【図５】ｐｎ接合のＶ−歪量特性をピエゾ抵抗体と比較
した図である。
した図である。
【図６】図１のカンチレバーの製造方法を示した断面図
である。
である。
【図７】本発明の第２実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の第３実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第４実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の第５実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１１】本発明の第６実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１２】本発明の第７実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１３】従来の半導体歪センサの斜視図である。
１０ カンチレバー １０ａ Ｕ字状の片持ばりアーム部 １０ｂ 支持部 ３１ Ｎ型基板 ３２ Ｐ-拡散領域 ２１ Ｎ+コンタクト領域 ２２ Ｐ+コンタクト領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｇ０１Ｂ 7/34 Ｇ０１Ｂ 7/34 Ｚ (56)参考文献 特開 平８−62230（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−240395（ＪＰ，Ａ) 特公 昭47−41785（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 7/00 - 7/34 102 G01B 21/00 - 21/32 G01N 13/10 - 13/24 G01N 37/00 H01J 37/28 H01L 29/84
Claims (6)
- 【請求項１】 自由端および固定端を有するカンチレバ
ーと、前記カンチレバーの、自由端の変位によって応力
歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記ｐｎ接合
を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれに形成さ
れたコンタクト領域とを具備し、 前記カンチレバー部は、第１導電型半導体基板と、前記
第１導電型半導体基板内に形成された低濃度もしくは高
濃度の第２導電型領域とで構成されており、 前記第２導電型領域は、前記カンチレバーの両端部を含
まない中央部に形成された帯状領域である ことを特徴と
する半導体歪センサ。 - 【請求項２】 自由端および固定端を有するカンチレバ
ーと、前記カンチレバーの、自由端の変位によって応力
歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記ｐｎ接合
を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれに形成さ
れたコンタクト領域とを具備し、 前記カンチレバー部は、第１導電型半導体基板と、前記
第１導電型半導体基板内に形成された低濃度もしくは高
濃度の第２導電型領域とで構成されており、 前記第２導電型領域は、自由端と固定端との境界領域お
よびその近傍のみに選択的に形成されたことを特徴とす
る 半導体歪センサ。 - 【請求項３】 自由端および固定端を有し前記自由端に
走査型原子間力顕微鏡用の探針が設けられて成るカンチ
レバー部と、前記カンチレバーの、自由端の変位によっ
て応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記ｐ
ｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれに
形成されたコンタクト領域とを具備して成る走査型原子
間力顕微鏡用カンチレバーにおいて、 前記カンチレバー部は、第１導電型半導体基板と、前記
第１導電型半導体基板内に形成された低濃度もしくは高
濃度の第２導電型領域とで構成され、 前記第２導電型領域は、前記カンチレバー部の一方の端
部に沿って延びるように形成された帯状領域であること
を特徴とする走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー。 - 【請求項４】 自由端および固定端を有し前記自由端に
走査型原子間力顕微鏡用の探針が設けられて成るカンチ
レバー部と、前記カンチレバーの、自由端の変位によっ
て応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記ｐ
ｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれに
形成されたコンタクト領域とを具備して成る走査型原子
間力顕微鏡用カンチレバーにおいて、 前記カンチレバー部は、第１導電型半導体基板と、前記
第１導電型半導体基板内に形成された低濃度もしくは高
濃度の第２導電型領域とで構成され、 前記第２導電型領域は、前記カンチレバーの自由端の全
面に形成されたことを特徴とする走査型原子間力顕微鏡
用カンチレバー。 - 【請求項５】 Ｕ字状の片持ばりアーム部及び支持部を
有し前記片持ばりアーム部の先端に走査型原子間力顕微
鏡用の探針が設けられて成る走査型原子間力顕微鏡用カ
ンチレバーにおいて、 前記片持ばりアーム部及び前記支持部が第１導電型半導
体基板によって一体に形成されており、低濃度もしくは
高濃度の第２導電型領域を前記片持ばりアーム部の一方
の端部に沿って延びる帯状領域に形成して前記片持ばり
アーム部の変位による応力歪を検出するためのｐｎ接合
を形成したことを特徴とする走査型原子間力顕微鏡用カ
ンチレバー。 - 【請求項６】 Ｕ字状の片持ばりアーム部及び支持部に
よって構成され、前記片持ばりアーム部の先端に走査型
原子間力顕微鏡用の探針が設けられて成る走査型原子間
力顕微鏡用カンチレバーにおいて、 前記片持ばりアーム部及び前記支持部が第１導電型半導
体基板によって一体に形成されており、低濃度もしくは
高濃度の第２導電型領域を前記片持ばりアーム部の全面
に形成して前記片持ばりアーム部の変位による応力歪を
検出するためのｐｎ接合を形成したことを特徴とする走
査型原子間力顕微鏡用カンチレバー。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08097120A JP3124485B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー |
| DE69722702T DE69722702T2 (de) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Halbleiterdehnungssensoren mit pn Übergang, Rastersondenmikroskop |
| EP97106397A EP0802394B1 (en) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Semiconductor distortion sensors with pn junction, scanning probe microscope |
| US08/842,845 US6049115A (en) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Scanning probe microscope, and semiconductor distortion sensor for use therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08097120A JP3124485B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09280809A JPH09280809A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3124485B2 true JP3124485B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=14183718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08097120A Expired - Lifetime JP3124485B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124485B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161425A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nec Corp | パッケージ収納ソケット |
| JPH09139268A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | Ｌｓｉソケット |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-04-18 JP JP08097120A patent/JP3124485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161425A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nec Corp | パッケージ収納ソケット |
| JPH09139268A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | Ｌｓｉソケット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09280809A (ja) | 1997-10-31 |
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