JP3433782B2 - 走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法 - Google Patents
走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法Info
- Publication number
- JP3433782B2 JP3433782B2 JP04437297A JP4437297A JP3433782B2 JP 3433782 B2 JP3433782 B2 JP 3433782B2 JP 04437297 A JP04437297 A JP 04437297A JP 4437297 A JP4437297 A JP 4437297A JP 3433782 B2 JP3433782 B2 JP 3433782B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever
- region
- junction
- present
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査プローブ顕微
鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法に係
り、特に、走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ : Atomic Fo
rce Microscope）に好適な走査プローブ顕微鏡およびそ
の半導体歪センサならびにその製造方法に関する。さら
に具体的にいえば、半導体基板で構成したカンチレバー
の撓み部分にｐｎ接合を形成し、カンチレバーの撓み量
をｐｎ接合部分でのダイオード特性の変化として検出で
きるようにした半導体歪センサならびにその製造方法、
およびこの半導体歪センサをカンチレバーとして採用し
た走査プローブ顕微鏡に関する。
鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法に係
り、特に、走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ : Atomic Fo
rce Microscope）に好適な走査プローブ顕微鏡およびそ
の半導体歪センサならびにその製造方法に関する。さら
に具体的にいえば、半導体基板で構成したカンチレバー
の撓み部分にｐｎ接合を形成し、カンチレバーの撓み量
をｐｎ接合部分でのダイオード特性の変化として検出で
きるようにした半導体歪センサならびにその製造方法、
およびこの半導体歪センサをカンチレバーとして採用し
た走査プローブ顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
では、探針がカンチレバーの自由端に取り付けられ、試
料表面の凹凸に応じて探針が上下動する際に生ずるカン
チレバーの撓み量は、光学インターフェロメトリや光学
偏光技術によって検出されていた。しかしながら、これ
らの光学的な検出方法では構成が複雑化して調整も難し
いという問題があった。一方、近年になって撓み量や加
速度を検出するセンサとして、小型、軽量であり、撓み
量を電気信号として直接出力し得る特徴を持った半導体
歪センサが広く用いられるようになり、これがＡＦＭの
カンチレバーにも採用されるようになってきた。
では、探針がカンチレバーの自由端に取り付けられ、試
料表面の凹凸に応じて探針が上下動する際に生ずるカン
チレバーの撓み量は、光学インターフェロメトリや光学
偏光技術によって検出されていた。しかしながら、これ
らの光学的な検出方法では構成が複雑化して調整も難し
いという問題があった。一方、近年になって撓み量や加
速度を検出するセンサとして、小型、軽量であり、撓み
量を電気信号として直接出力し得る特徴を持った半導体
歪センサが広く用いられるようになり、これがＡＦＭの
カンチレバーにも採用されるようになってきた。
【０００３】このようなカンチレバー型半導体歪センサ
は、例えば図１３に示されているように、半導体基板の
一部２を「コの字」形に選択蝕刻して形成された自由端
１ａを有する片持ばりアーム部（梁部）１と、片持ばり
アーム部１の固定端近傍（根元）に形成されたゲージ部
３とにより構成され、ゲージ部３は、自由端１ａの撓み
量に応じて当該部分に生じる応力歪を検出し、これを電
気信号に変換して出力する。
は、例えば図１３に示されているように、半導体基板の
一部２を「コの字」形に選択蝕刻して形成された自由端
１ａを有する片持ばりアーム部（梁部）１と、片持ばり
アーム部１の固定端近傍（根元）に形成されたゲージ部
３とにより構成され、ゲージ部３は、自由端１ａの撓み
量に応じて当該部分に生じる応力歪を検出し、これを電
気信号に変換して出力する。
【０００４】従来の半導体歪センサでは、例えば特開平
５−１９６４５８号公報に記載されているように、ゲー
ジ部３がピエゾ抵抗体で構成されていた。ピエゾ抵抗体
は応力が加わると電気抵抗が変化することから、撓み量
の検出は、ピエゾ抵抗体の抵抗変化をホイートストンブ
リッジ等の抵抗ブリッジ回路で測定することによって行
われていた。
５−１９６４５８号公報に記載されているように、ゲー
ジ部３がピエゾ抵抗体で構成されていた。ピエゾ抵抗体
は応力が加わると電気抵抗が変化することから、撓み量
の検出は、ピエゾ抵抗体の抵抗変化をホイートストンブ
リッジ等の抵抗ブリッジ回路で測定することによって行
われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、カン
チレバーの撓み量をピエゾ抵抗体に加わる応力歪として
検出しようとすると、ピエゾ抵抗体では歪量に対する抵
抗変化率、換言すれば電圧あるいは電流変化率が小さ
く、かつ測定感度が低いので、その検出のためには複雑
な抵抗ブリッジ回路が必要になるのみならず、抵抗ブリ
ッジを構成する各抵抗体の調整を極めて正確に行わなけ
ればならないという問題があった。 本発明の目的は、
上記した従来技術の問題点を解決し、カンチレバーの撓
み量を簡単な構成で、かつ大きな信号変化として出力す
る半導体歪センサならびにその製造方法、およびこの半
導体歪センサをカンチレバーとして採用した走査プロー
ブ顕微鏡を提供することにある。
チレバーの撓み量をピエゾ抵抗体に加わる応力歪として
検出しようとすると、ピエゾ抵抗体では歪量に対する抵
抗変化率、換言すれば電圧あるいは電流変化率が小さ
く、かつ測定感度が低いので、その検出のためには複雑
な抵抗ブリッジ回路が必要になるのみならず、抵抗ブリ
ッジを構成する各抵抗体の調整を極めて正確に行わなけ
ればならないという問題があった。 本発明の目的は、
上記した従来技術の問題点を解決し、カンチレバーの撓
み量を簡単な構成で、かつ大きな信号変化として出力す
る半導体歪センサならびにその製造方法、およびこの半
導体歪センサをカンチレバーとして採用した走査プロー
ブ顕微鏡を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、以下のような手段を講じた。 (1) 本発明の半導体歪センサは、自由端および固定端を
有するカンチレバーと、前記カンチレバーの、自由端の
変位によって応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合
と、前記ｐｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域の
それぞれに形成されたコンタクト領域とによって構成さ
れる。(2) 本発明の半導体歪センサの製造方法は、第１
導電型の半導体基板を蝕刻して自由端および固定端を有
するカンチレバーを形成する工程と、前記カンチレバー
部の、前記自由端の変位によって応力歪が生じる領域が
露出するようにマスクを形成する工程と、前記露出部分
の表面に第２導電型の不純物を導入し、前記応力歪が生
じる領域にｐｎ接合を形成する工程とからなる。 (3) 本発明の走査プローブ顕微鏡は、自由端の変位によ
って応力歪が生じる領域にｐｎ接合が形成された片持ば
り式の半導体歪センサを走査プローブとして用いた。
ために、本発明では、以下のような手段を講じた。 (1) 本発明の半導体歪センサは、自由端および固定端を
有するカンチレバーと、前記カンチレバーの、自由端の
変位によって応力歪が生じる領域に形成されたｐｎ接合
と、前記ｐｎ接合を形成するｐ型領域およびｎ型領域の
それぞれに形成されたコンタクト領域とによって構成さ
れる。(2) 本発明の半導体歪センサの製造方法は、第１
導電型の半導体基板を蝕刻して自由端および固定端を有
するカンチレバーを形成する工程と、前記カンチレバー
部の、前記自由端の変位によって応力歪が生じる領域が
露出するようにマスクを形成する工程と、前記露出部分
の表面に第２導電型の不純物を導入し、前記応力歪が生
じる領域にｐｎ接合を形成する工程とからなる。 (3) 本発明の走査プローブ顕微鏡は、自由端の変位によ
って応力歪が生じる領域にｐｎ接合が形成された片持ば
り式の半導体歪センサを走査プローブとして用いた。
【０００７】上記した構成(1) によれば、カンチレバー
の自由端が撓むとｐｎ接合部分に応力歪が発生し、当該
ｐｎ接合の電気的特性（ダイオード特性）が大きく変化
するので、これを適宜の検出回路で検出すれば自由端の
撓み量を測定できる。上記した構成(2) によれば、自由
端の変位によって応力歪が生じる領域にｐｎ接合が形成
された片持ばり式の半導体歪センサを簡単に製造でき
る。
の自由端が撓むとｐｎ接合部分に応力歪が発生し、当該
ｐｎ接合の電気的特性（ダイオード特性）が大きく変化
するので、これを適宜の検出回路で検出すれば自由端の
撓み量を測定できる。上記した構成(2) によれば、自由
端の変位によって応力歪が生じる領域にｐｎ接合が形成
された片持ばり式の半導体歪センサを簡単に製造でき
る。
【０００８】上記した構成(3) によれば、カンチレバー
の歪み量をｐｎ接合の電気的特性の変化としてとらえる
ことができるので、試料の表面形状を高感度で観察でき
るようになる。
の歪み量をｐｎ接合の電気的特性の変化としてとらえる
ことができるので、試料の表面形状を高感度で観察でき
るようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。図１(a) は、本発明の第１実施形態であ
るカンチレバー型半導体歪センサの平面図であり、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での断面図である。 本発明
のカンチレバー１０は、Ｕ字状の片持ばりアーム部１０
ａおよび支持部１０ｂによって構成され、片持ばりアー
ム部１０ａの先端（自由端）１０ｃにはＡＦＭ用の探針
（図示せず）が設けられている。本実施形態では、カン
チレバー１０はＮ型基板３１によって構成され、そのＵ
字状部分の内側表面にはＰ-拡散領域３２が形成されて
いる。Ｐ-拡散領域３２とＮ型基板３１との境界にはｐ
ｎ接合５０が形成されるため、本実施形態では、Ｕ字状
の片持ばりアーム部１０ａに沿ってｐｎ接合５０がＵ字
状に形成されることになる。支持部１０ｂでは、Ｎ型基
板領域内にはＮ+コンタクト領域２１が形成され、Ｐ-拡
散領域３２内にはＰ+コンタクト領域２２が形成されて
いる。 このような構成において、探針が試料表面で走
査されると、カンチレバー１０の片持ばりアーム部１０
ａは支持部１０ｂを支点として試料の表面形状に応じて
撓むため、アーム部１０ａに形成されたｐｎ接合５０に
応力歪が生じ、その部分でのダイオード特性が変化す
る。
細に説明する。図１(a) は、本発明の第１実施形態であ
るカンチレバー型半導体歪センサの平面図であり、同図
(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での断面図である。 本発明
のカンチレバー１０は、Ｕ字状の片持ばりアーム部１０
ａおよび支持部１０ｂによって構成され、片持ばりアー
ム部１０ａの先端（自由端）１０ｃにはＡＦＭ用の探針
（図示せず）が設けられている。本実施形態では、カン
チレバー１０はＮ型基板３１によって構成され、そのＵ
字状部分の内側表面にはＰ-拡散領域３２が形成されて
いる。Ｐ-拡散領域３２とＮ型基板３１との境界にはｐ
ｎ接合５０が形成されるため、本実施形態では、Ｕ字状
の片持ばりアーム部１０ａに沿ってｐｎ接合５０がＵ字
状に形成されることになる。支持部１０ｂでは、Ｎ型基
板領域内にはＮ+コンタクト領域２１が形成され、Ｐ-拡
散領域３２内にはＰ+コンタクト領域２２が形成されて
いる。 このような構成において、探針が試料表面で走
査されると、カンチレバー１０の片持ばりアーム部１０
ａは支持部１０ｂを支点として試料の表面形状に応じて
撓むため、アーム部１０ａに形成されたｐｎ接合５０に
応力歪が生じ、その部分でのダイオード特性が変化す
る。
【００１０】図２は、応力歪によってｐｎ接合のダイオ
ード特性が変化する様子を示した図であり、同図(a) は
順バイアス時、同図(b) は逆バイアス時の特性を示して
いる。同図から、順バイアス時には、ｐｎ接合に応力歪
が生じると順方向電流の流れ始める印加電圧が低下し、
印加電圧に対する順方向電流Ｉ0 の割合が増加すること
が判る。また、逆バイアス時には、歪が生じるとブレー
ク電圧が低下し、リーク電流が増加することが判る。
ード特性が変化する様子を示した図であり、同図(a) は
順バイアス時、同図(b) は逆バイアス時の特性を示して
いる。同図から、順バイアス時には、ｐｎ接合に応力歪
が生じると順方向電流の流れ始める印加電圧が低下し、
印加電圧に対する順方向電流Ｉ0 の割合が増加すること
が判る。また、逆バイアス時には、歪が生じるとブレー
ク電圧が低下し、リーク電流が増加することが判る。
【００１１】また、図３，４，５は、それぞれｐｎ接合
のＩ−Ｖ特性、電流Ｉ−歪量特性、および電圧Ｖ−歪量
特性を、ピエゾ抵抗体のそれと比較して示した図であ
り、歪量に対する電流Ｉ，電圧Ｖの変化率はｐｎ接合が
ピエゾ素子よりも大きく、電圧Ｖに対する電流Ｉの変化
率もｐｎ接合がピエゾ素子よりも大きい。したがって、
本実施形態のようにカンチレバー１０の撓み部分にｐｎ
接合を形成し、ｐｎ接合のダイオード特性の変化を検出
するようにすれば、歪量の検出感度が向上し、ホイート
ストンブリッジ等の精密なブリッジ回路を用いる事な
く、カンチレバー１０の撓み量を正確に測定できるよう
になる。
のＩ−Ｖ特性、電流Ｉ−歪量特性、および電圧Ｖ−歪量
特性を、ピエゾ抵抗体のそれと比較して示した図であ
り、歪量に対する電流Ｉ，電圧Ｖの変化率はｐｎ接合が
ピエゾ素子よりも大きく、電圧Ｖに対する電流Ｉの変化
率もｐｎ接合がピエゾ素子よりも大きい。したがって、
本実施形態のようにカンチレバー１０の撓み部分にｐｎ
接合を形成し、ｐｎ接合のダイオード特性の変化を検出
するようにすれば、歪量の検出感度が向上し、ホイート
ストンブリッジ等の精密なブリッジ回路を用いる事な
く、カンチレバー１０の撓み量を正確に測定できるよう
になる。
【００１２】図６は、前記図１に関して説明した構造の
カンチレバー型半導体歪センサの製造方法を示した図で
あり、特に図１のＣ−Ｄ線での断面構造を示している。
初めに、Ｎ型半導体基板３１を図１のカンチレバー形状
に蝕刻し、その一方の全表面にレジスト８１を塗布す
る。次いで、公知のフォトレジスト技術を利用して前記
図１のＰ-領域３２に相当する部分のレジストのみを選
択的に除去してマスクを形成し、その表面からＰ型不純
物（例えば、リン）をイオン打ち込みし［同図(a) ］、
さらに熱拡散を行ってＰ-領域３２を形成する［同図(b)
］。
カンチレバー型半導体歪センサの製造方法を示した図で
あり、特に図１のＣ−Ｄ線での断面構造を示している。
初めに、Ｎ型半導体基板３１を図１のカンチレバー形状
に蝕刻し、その一方の全表面にレジスト８１を塗布す
る。次いで、公知のフォトレジスト技術を利用して前記
図１のＰ-領域３２に相当する部分のレジストのみを選
択的に除去してマスクを形成し、その表面からＰ型不純
物（例えば、リン）をイオン打ち込みし［同図(a) ］、
さらに熱拡散を行ってＰ-領域３２を形成する［同図(b)
］。
【００１３】次いで、再び全面にレジスト８２を塗布
し、コンタクト領域２２に相当する部分を開口する。次
いで、Ｐ型不純物をイオン打ち込みし［同図(c) ］、こ
れを拡散させてＰ+コンタクト領域２２を形成する［同
図(d) ］。次いで、再び全面にレジスト８３を塗布した
後にコンタクト領域２１に相当する部分を開口し、前記
と同様にして今度はＮ型不純物（例えば、ボロン）をイ
オン打ち込みし［同図(e) ］、Ｎ+コンタクト領域２１
を形成する。最後に全面にパッシベーション膜（図示せ
ず）を形成し、各コンタクト領域２１，２２を露出させ
てアルミ電極（図示せず）を接続する。
し、コンタクト領域２２に相当する部分を開口する。次
いで、Ｐ型不純物をイオン打ち込みし［同図(c) ］、こ
れを拡散させてＰ+コンタクト領域２２を形成する［同
図(d) ］。次いで、再び全面にレジスト８３を塗布した
後にコンタクト領域２１に相当する部分を開口し、前記
と同様にして今度はＮ型不純物（例えば、ボロン）をイ
オン打ち込みし［同図(e) ］、Ｎ+コンタクト領域２１
を形成する。最後に全面にパッシベーション膜（図示せ
ず）を形成し、各コンタクト領域２１，２２を露出させ
てアルミ電極（図示せず）を接続する。
【００１４】図７は、本発明の第２実施形態であるカン
チレバーの平面図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での
断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部分
を表している。本実施形態は、Ｐ-領域３２を実質的に
カンチレバー１０の表面全体に形成するようにした点に
特徴がある。すなわち、上記した第１実施形態では、ｐ
ｎ接合５０をカンチレバー１０の表面の一部のみに形成
したためにｐｎ接合の面積が比較的小さい。このため、
リーク電流は少なくできる反面、高い感度は得にくいと
いう特徴がある。しかしながら、この第２実施形態で
は、ｐｎ接合５０がカンチレバー１０の全面に形成され
ているため、リーク電流は前記第１実施形態に比べて若
干多くなるが高い感度が得られるという利点がある。
チレバーの平面図、同図(b) は同図(a) のＡ−Ｂ線での
断面図であり、前記と同一の符号は同一または同等部分
を表している。本実施形態は、Ｐ-領域３２を実質的に
カンチレバー１０の表面全体に形成するようにした点に
特徴がある。すなわち、上記した第１実施形態では、ｐ
ｎ接合５０をカンチレバー１０の表面の一部のみに形成
したためにｐｎ接合の面積が比較的小さい。このため、
リーク電流は少なくできる反面、高い感度は得にくいと
いう特徴がある。しかしながら、この第２実施形態で
は、ｐｎ接合５０がカンチレバー１０の全面に形成され
ているため、リーク電流は前記第１実施形態に比べて若
干多くなるが高い感度が得られるという利点がある。
【００１５】次に、本発明の第３実施形態の平面図を図
８に示す。なお、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。本実施形態は、ｐｎ接合がカンチレバ
ー１０の端面に露出しないように、Ｐ-領域３２をカン
チレバー１０の中央部に帯状に設けるようにした点に特
徴がある。一般に、リーク電流はｐｎ接合の端面近傍で
生じるが、本実施形態によれば、ｐｎ接合５０がカンチ
レバー１０の端面に露出していないので、製造工程は多
少繁雑化するがリーク電流を抑えながら高い感度が得れ
られるようになる。
８に示す。なお、前記と同一の符号は同一または同等部
分を表している。本実施形態は、ｐｎ接合がカンチレバ
ー１０の端面に露出しないように、Ｐ-領域３２をカン
チレバー１０の中央部に帯状に設けるようにした点に特
徴がある。一般に、リーク電流はｐｎ接合の端面近傍で
生じるが、本実施形態によれば、ｐｎ接合５０がカンチ
レバー１０の端面に露出していないので、製造工程は多
少繁雑化するがリーク電流を抑えながら高い感度が得れ
られるようになる。
【００１６】次に、本発明の第４実施形態の平面図を図
９に示す。本実施形態は、カンチレバー１０が撓んだ時
にＵ字状部の全体は歪まず、歪量は片持ばりアーム部１
０ａと支持部１０ｂとの境界部分すなわちカンチレバー
１０の付根部分が最も大きくなり、それ以外の部分では
小さいことに着目してなされたものである。本実施形態
は、図示されているように、Ｐ-領域３２をカンチレバ
ー１０が撓んだときに歪量が最も大きくなる前記付根部
分のみに形成するようにした点に特徴がある。本実施形
態によれば、歪量の検出に寄与しない部分にはｐｎ接合
が形成されないので、リーク電流を抑えながら高い感度
が得れられるようになる。
９に示す。本実施形態は、カンチレバー１０が撓んだ時
にＵ字状部の全体は歪まず、歪量は片持ばりアーム部１
０ａと支持部１０ｂとの境界部分すなわちカンチレバー
１０の付根部分が最も大きくなり、それ以外の部分では
小さいことに着目してなされたものである。本実施形態
は、図示されているように、Ｐ-領域３２をカンチレバ
ー１０が撓んだときに歪量が最も大きくなる前記付根部
分のみに形成するようにした点に特徴がある。本実施形
態によれば、歪量の検出に寄与しない部分にはｐｎ接合
が形成されないので、リーク電流を抑えながら高い感度
が得れられるようになる。
【００１７】次に、本発明の第５実施形態の平面図を図
１０に示す。本実施形態は前記第４実施形態と同様に、
カンチレバー１０の付根部分のみにＰ-拡散領域３２を
形成すると共に、リーク電流を低減するために、Ｐ-拡
散領域３２をカンチレバー１０の中央部に帯状に設けた
点に特徴がある。次に、本発明の第６，７実施形態の平
面図を図１０，１１に示す。この第６，７実施形態は、
それぞれ前記第４，５実施形態のＰ-拡散領域３２を、
前記付け根部分の一方のみに形成するようにした点に特
徴がある。これらの実施形態によれば、検出感度が若干
低下するもののリーク電流を大幅に低減できる。
１０に示す。本実施形態は前記第４実施形態と同様に、
カンチレバー１０の付根部分のみにＰ-拡散領域３２を
形成すると共に、リーク電流を低減するために、Ｐ-拡
散領域３２をカンチレバー１０の中央部に帯状に設けた
点に特徴がある。次に、本発明の第６，７実施形態の平
面図を図１０，１１に示す。この第６，７実施形態は、
それぞれ前記第４，５実施形態のＰ-拡散領域３２を、
前記付け根部分の一方のみに形成するようにした点に特
徴がある。これらの実施形態によれば、検出感度が若干
低下するもののリーク電流を大幅に低減できる。
【００１８】なお、上記した各実施形態では、Ｎ型基板
内３１にＰ-拡散領域３２を形成してｐｎ接合を得るも
のとして説明したが、これとは逆に、Ｐ型基板内にＮ-
領域を形成することでｐｎ接合を得るようにしても良
い。ところで、上記した図８、１０、１２に関して説明
した各実施形態のように、ｐｎ接合がカンチレバー１０
の端面に露出しないようにＰ-拡散領域３２をカンチレ
バー端部から離間して形成する構成では、図１４に示し
たように、ｐｎ接合に逆バイアスが印加されて空乏層５
０が発生し、これが基板端部に達してしまうと、リーク
電流が増大して測定感度が低下してしまうという新たな
問題が生じ得る。そこで、次に説明する本発明の各実施
形態では、このような空乏層の広がりを防止してリーク
電流の増加を抑えている。
内３１にＰ-拡散領域３２を形成してｐｎ接合を得るも
のとして説明したが、これとは逆に、Ｐ型基板内にＮ-
領域を形成することでｐｎ接合を得るようにしても良
い。ところで、上記した図８、１０、１２に関して説明
した各実施形態のように、ｐｎ接合がカンチレバー１０
の端面に露出しないようにＰ-拡散領域３２をカンチレ
バー端部から離間して形成する構成では、図１４に示し
たように、ｐｎ接合に逆バイアスが印加されて空乏層５
０が発生し、これが基板端部に達してしまうと、リーク
電流が増大して測定感度が低下してしまうという新たな
問題が生じ得る。そこで、次に説明する本発明の各実施
形態では、このような空乏層の広がりを防止してリーク
電流の増加を抑えている。
【００１９】図１５は、本発明の第８実施形態の平面図
およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、特に、自由端の
変位に応じて撓む梁部近傍を拡大して示している。本実
施形態では、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２を
カンチレバー１０の梁部の中央に帯状に設けてｐｎ接合
がカンチレバー１０の端面に露出しないようにすると共
に、カンチレバー１０の端部とＰ-領域３２との間で露
出したＮ型基板３１の表面に、空乏層の広がりを阻止す
るためのＮ+ガード層６１を設けた点に特徴がある。な
お、Ｐ-領域３２およびＮ+ガード層６１の表面には、そ
れぞれコンタクト電極３２ｃ、６１ｃが形成されてい
る。
およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、特に、自由端の
変位に応じて撓む梁部近傍を拡大して示している。本実
施形態では、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２を
カンチレバー１０の梁部の中央に帯状に設けてｐｎ接合
がカンチレバー１０の端面に露出しないようにすると共
に、カンチレバー１０の端部とＰ-領域３２との間で露
出したＮ型基板３１の表面に、空乏層の広がりを阻止す
るためのＮ+ガード層６１を設けた点に特徴がある。な
お、Ｐ-領域３２およびＮ+ガード層６１の表面には、そ
れぞれコンタクト電極３２ｃ、６１ｃが形成されてい
る。
【００２０】このような構成によれば、Ｐ-領域３２と
Ｎ型基板３１との間に逆バイアスが印加されてｐｎ接合
部分に空乏層が発生しても、その横方向への広がりはＮ
+ガード層６１によって阻止され、空乏層がカンチレバ
ー１０の端部に到達してしまうことはない。したがっ
て、リーク電流の増加が抑えられて測定感度を高く保つ
ことができる。なお、前記Ｎ+ガード層６１は、同図(b)
に示したように、Ｎ型基板３１の表面のみに形成して
も良いし、あるいは同図(c) に示したように、基板内部
で連続してＰ-領域３２を包み込むように形成しても良
い。
Ｎ型基板３１との間に逆バイアスが印加されてｐｎ接合
部分に空乏層が発生しても、その横方向への広がりはＮ
+ガード層６１によって阻止され、空乏層がカンチレバ
ー１０の端部に到達してしまうことはない。したがっ
て、リーク電流の増加が抑えられて測定感度を高く保つ
ことができる。なお、前記Ｎ+ガード層６１は、同図(b)
に示したように、Ｎ型基板３１の表面のみに形成して
も良いし、あるいは同図(c) に示したように、基板内部
で連続してＰ-領域３２を包み込むように形成しても良
い。
【００２１】図１６は、本発明の第９実施形態の平面図
およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。本実施形態で
は、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２をカンチレ
バー１０の梁部の中央に帯状に設けてｐｎ接合がカンチ
レバー１０の端面に露出しないようにすると共に、Ｐ-
領域３２を囲むようにＮ+ガード層６２を設けた点に特
徴がある。Ｐ-領域３２およびＮ+ガード層６２の表面に
は、それぞれコンタクト電極３２ｃ、６２ｃが形成され
ている。
およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、前記と同一の符
号は同一または同等部分を表している。本実施形態で
は、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２をカンチレ
バー１０の梁部の中央に帯状に設けてｐｎ接合がカンチ
レバー１０の端面に露出しないようにすると共に、Ｐ-
領域３２を囲むようにＮ+ガード層６２を設けた点に特
徴がある。Ｐ-領域３２およびＮ+ガード層６２の表面に
は、それぞれコンタクト電極３２ｃ、６２ｃが形成され
ている。
【００２２】本実施形態でも、空乏層の横方向への広が
りはＮ+ガード層６２によって阻止され、カンチレバー
１０の端部にまで達成することがないので、リーク電流
の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができる。
なお、前記Ｎ+ガード層６２も、同図(b) に示したよう
に、Ｎ型基板３１の表面のみに形成しても良いし、ある
いは同図(c) に示したように、基板内部で連続してＰ-
領域３２を包み込むように形成しても良い。
りはＮ+ガード層６２によって阻止され、カンチレバー
１０の端部にまで達成することがないので、リーク電流
の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができる。
なお、前記Ｎ+ガード層６２も、同図(b) に示したよう
に、Ｎ型基板３１の表面のみに形成しても良いし、ある
いは同図(c) に示したように、基板内部で連続してＰ-
領域３２を包み込むように形成しても良い。
【００２３】図１７は、本発明の第１０実施形態の平面
図およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、前記と同一の
符号は同一または同等部分を表している。本実施形態で
は、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２をカンチレ
バー１０の左右の梁部の中央部にそれぞれ帯状に設けて
ｐｎ接合がカンチレバー１０の端面に露出しないように
すると共に、Ｐ-領域３２を三方から囲むようにＮ+ガー
ド層６３を設けた点に特徴がある。Ｐ-領域３２および
Ｎ+ガード層６３の表面には、それぞれコンタクト電極
３２ｃ、６３ｃが形成されている。
図およびそのＡ−Ｂ線での断面図であり、前記と同一の
符号は同一または同等部分を表している。本実施形態で
は、同図(a) に示したように、Ｐ-領域３２をカンチレ
バー１０の左右の梁部の中央部にそれぞれ帯状に設けて
ｐｎ接合がカンチレバー１０の端面に露出しないように
すると共に、Ｐ-領域３２を三方から囲むようにＮ+ガー
ド層６３を設けた点に特徴がある。Ｐ-領域３２および
Ｎ+ガード層６３の表面には、それぞれコンタクト電極
３２ｃ、６３ｃが形成されている。
【００２４】本実施形態でも、空乏層の横方向への広が
りはＮ+ガード層６３によって阻止され、カンチレバー
１０の端部にまで達成することがないので、リーク電流
の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができる。
なお、前記Ｎ+ガード層６３も、同図(b) に示したよう
に、Ｎ型基板３１の表面のみに形成しても良いし、ある
いは同図(c) に示したように、基板内部で連続してＰ-
領域３２を包み込むように形成しても良い。
りはＮ+ガード層６３によって阻止され、カンチレバー
１０の端部にまで達成することがないので、リーク電流
の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができる。
なお、前記Ｎ+ガード層６３も、同図(b) に示したよう
に、Ｎ型基板３１の表面のみに形成しても良いし、ある
いは同図(c) に示したように、基板内部で連続してＰ-
領域３２を包み込むように形成しても良い。
【００２５】図１８は、本発明を適用した走査型プロー
ブ顕微鏡の構成を示したブロック図である。３次元試料
ステージ５５上には試料５２が載置され、試料５２の上
方には、上記した構成のカンチレバー１０の探針３１ｂ
が対向して配置されている。カンチレバー１０に形成さ
れたｐｎ接合のダイオード特性は測定部７１で測定さ
れ、撓み量信号Ｓ１として比較器７５の非反転入力端子
（＋）に入力される。比較器７５の反転入力端子（−）
には、例えば撓み量が０の時に差動増幅器７５の出力が
０になるように、カンチレバー１０の撓み量に関する基
準値が基準値発生部７９から入力されている。比較器７
５から出力される誤差信号Ｓ２は制御部７６に入力され
る。制御部７６は、誤差信号Ｓ２が０に近付くようにア
クチュエータ駆動増幅器７０を制御する。また、制御部
７６の出力信号が輝度信号としてＣＲＴへ供給される。
走査信号発生部７８は、試料５２をＸＹ方向へ微動させ
るための微動信号をアクチュエータ駆動増幅器７０へ供
給し、ＣＲＴへはラスタ走査信号を供給する。
ブ顕微鏡の構成を示したブロック図である。３次元試料
ステージ５５上には試料５２が載置され、試料５２の上
方には、上記した構成のカンチレバー１０の探針３１ｂ
が対向して配置されている。カンチレバー１０に形成さ
れたｐｎ接合のダイオード特性は測定部７１で測定さ
れ、撓み量信号Ｓ１として比較器７５の非反転入力端子
（＋）に入力される。比較器７５の反転入力端子（−）
には、例えば撓み量が０の時に差動増幅器７５の出力が
０になるように、カンチレバー１０の撓み量に関する基
準値が基準値発生部７９から入力されている。比較器７
５から出力される誤差信号Ｓ２は制御部７６に入力され
る。制御部７６は、誤差信号Ｓ２が０に近付くようにア
クチュエータ駆動増幅器７０を制御する。また、制御部
７６の出力信号が輝度信号としてＣＲＴへ供給される。
走査信号発生部７８は、試料５２をＸＹ方向へ微動させ
るための微動信号をアクチュエータ駆動増幅器７０へ供
給し、ＣＲＴへはラスタ走査信号を供給する。
【００２６】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、以下
のような効果が達成される。 (1) 歪量に応じて電気的特性が敏感に変化するｐｎ接合
をカンチレバーに設け、カンチレバーの撓み量をｐｎ接
合の電気的特性の変化として検出できるようにしたの
で、カンチレバーの撓み量に対する感度が向上するのみ
ならず、後段に接続される検知回路の構成を簡単化でき
るようになる。(2) ｐｎ接合部分に発生する空乏層がカ
ンチレバーの端部まで達しないように、ｐｎ接合とカン
チレバー端部との間にガード層を設けたので、リーク電
流の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができ
る。 (3) 本発明の半導体歪センサを走査型プローブ顕微鏡の
カンチレバーとして用いれば、カンチレバーの歪み量と
して検出される試料の表面形状をｐｎ接合の電気的特性
の変化としてとらえることができるので、試料の表面形
状を高感度で観察できるようになる。
のような効果が達成される。 (1) 歪量に応じて電気的特性が敏感に変化するｐｎ接合
をカンチレバーに設け、カンチレバーの撓み量をｐｎ接
合の電気的特性の変化として検出できるようにしたの
で、カンチレバーの撓み量に対する感度が向上するのみ
ならず、後段に接続される検知回路の構成を簡単化でき
るようになる。(2) ｐｎ接合部分に発生する空乏層がカ
ンチレバーの端部まで達しないように、ｐｎ接合とカン
チレバー端部との間にガード層を設けたので、リーク電
流の増加が抑えられて測定感度を高く保つことができ
る。 (3) 本発明の半導体歪センサを走査型プローブ顕微鏡の
カンチレバーとして用いれば、カンチレバーの歪み量と
して検出される試料の表面形状をｐｎ接合の電気的特性
の変化としてとらえることができるので、試料の表面形
状を高感度で観察できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図２】ｐｎ接合のダイオード特性を示した図である。
【図３】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性をピエゾ抵抗体と比較し
た図である。
た図である。
【図４】ｐｎ接合のＩ−歪量特性をピエゾ抵抗体と比較
した図である。
した図である。
【図５】ｐｎ接合のＶ−歪量特性をピエゾ抵抗体と比較
した図である。
した図である。
【図６】図１のカンチレバーの製造方法を示した断面図
である。
である。
【図７】本発明の第２実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の第３実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第４実施形態の平面図および断面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の第５実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１１】本発明の第６実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１２】本発明の第７実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１３】従来の半導体歪センサの斜視図である。
【図１４】ｐｎ接合部分に生じる空乏層の様子を示した
図である。
図である。
【図１５】本発明の第８実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１６】本発明の第９実施形態の平面図および断面図
である。
である。
【図１７】本発明の第１０実施形態の平面図および断面
図である。
図である。
【図１８】本発明を適用した走査型プローブ顕微鏡の主
要部のブロック図である。
要部のブロック図である。
１０ カンチレバー
１０ａ Ｕ字状の片持ばりアーム部
１０ｂ 支持部
３１ Ｎ型基板
３２ Ｐ-拡散領域
２１ Ｎ+コンタクト領域
２２ Ｐ+コンタクト領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 米国特許4422063（ＵＳ，Ａ)
国際公開94／29894（ＷＯ，Ａ１)
Ａ．Ｐ．Ｆｒｉｅｄｒｉｃｈ，Ｐ.
Ａ．Ｂｅｓｓｅ，Ｅ．Ｆｕｌｌｉｎ ａ
ｎｄ Ｒ．Ｓ．Ｐｏｐｏｖｉｃ，”Ｌａ
ｔｅｒａｌ Ｂａｃｋｗａｒｄ Ｄｉｏ
ｄｅｓ ａｓ Ｓｔｒａｉｎ Ｓｅｎｓ
ｏｒｓ”，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇ
ｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａ
ｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ，米国,
1995年12月10日，ｐ．597−600
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 13/10 - 13/24
G12B 21/00 - 21/24
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 自由端および固定端を有するカンチレバ
ーと、前記カンチレバーの自由端の変位によって応力歪
を生じる領域に形成されたｐｎ接合と、前記ｐｎ接合を
形成するｐ型領域およびｎ型領域のそれぞれに形成され
たコンタクト領域とを具備していて、前記カンチレバー
は、前記ｐｎ接合を形成する第1導電型半導体基板と、
前記第1導電型半導体基板の表面に露出するように形成
された第２導電型半導体領域とで構成されており、前記
第２導電型半導体領域は、前記カンチレバーの端部を含
まない中央部に形成された帯状領域であって、前記第２
導電型半導体領域と前記カンチレバーの端部との間で露
出した前記第１導電型半導体基板の表面には、第１導電
型高濃度半導体領域が露出していることを特徴とする半
導体歪センサ。 - 【請求項２】 前記第１導電型高濃度半導体領域は、基
板表面に露出した前記第２導電型半導体領域を基板表面
で囲むように形成されたことを特徴とする請求項１記載
の半導体歪センサ。 - 【請求項３】 前記第１導電型高濃度半導体領域は、前
記第２導電型半導体領域を包み込むように形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体歪センサ。 - 【請求項４】 前記請求項１から３にいずれか記載のカ
ンチレバーを用い試料表面の形状、機能を検出する走査
型プローブ顕微鏡。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04437297A JP3433782B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法 |
| US08/842,845 US6049115A (en) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Scanning probe microscope, and semiconductor distortion sensor for use therein |
| DE69722702T DE69722702T2 (de) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Halbleiterdehnungssensoren mit pn Übergang, Rastersondenmikroskop |
| EP97106397A EP0802394B1 (en) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | Semiconductor distortion sensors with pn junction, scanning probe microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04437297A JP3433782B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239331A JPH10239331A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3433782B2 true JP3433782B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=12689686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04437297A Expired - Fee Related JP3433782B2 (ja) | 1996-04-18 | 1997-02-27 | 走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3433782B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100537508B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2005-12-19 | 삼성전자주식회사 | 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법 |
| JP2008151673A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku | 走査型プローブ顕微鏡用化合物半導体カンチレバー、及びその製造法 |
| JP2018044811A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社村田製作所 | ピエゾ抵抗型センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4422063A (en) | 1982-04-01 | 1983-12-20 | Pitney Bowes Inc. | Semiconductor strain gauge |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP04437297A patent/JP3433782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4422063A (en) | 1982-04-01 | 1983-12-20 | Pitney Bowes Inc. | Semiconductor strain gauge |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａ．Ｐ．Ｆｒｉｅｄｒｉｃｈ，Ｐ．Ａ．Ｂｅｓｓｅ，Ｅ．Ｆｕｌｌｉｎ ａｎｄ Ｒ．Ｓ．Ｐｏｐｏｖｉｃ，"Ｌａｔｅｒａｌ Ｂａｃｋｗａｒｄ Ｄｉｏｄｅｓ ａｓ Ｓｔｒａｉｎ Ｓｅｎｓｏｒｓ"，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ，米国，１９９５年１２月１０日，ｐ．５９７−６００ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10239331A (ja) | 1998-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5959200A (en) | Micromachined cantilever structure providing for independent multidimensional force sensing using high aspect ratio beams | |
| KR100214152B1 (ko) | 원자력 현미경용 압저항 캔틸레버 | |
| JP2560140B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6211540B1 (en) | Semiconductor strain sensor and scanning probe microscope using the semiconductor strain sensor | |
| US6388252B1 (en) | Self-detecting type of SPM probe and SPM device | |
| US6049115A (en) | Scanning probe microscope, and semiconductor distortion sensor for use therein | |
| JP3433782B2 (ja) | 走査プローブ顕微鏡およびその半導体歪センサならびにその製造方法 | |
| JP3124485B2 (ja) | 半導体歪センサおよび走査型原子間力顕微鏡用カンチレバー | |
| JPH11304825A (ja) | 半導体歪センサおよびその製造方法ならびに走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP4185089B2 (ja) | 自己検知型ｓｐｍプローブ | |
| JPH06109561A (ja) | 力検出装置 | |
| JP3768639B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び該プローブを備えた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH10282129A (ja) | 半導体歪センサおよびこれを用いた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH0337534A (ja) | 半導体歪検出装置 | |
| JP2540973B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JP2000111563A (ja) | 自己検知型ｓｐｍプロ―ブ | |
| JP3590109B2 (ja) | 集積型ｓｐｍセンサ | |
| JPH1183874A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| Chui et al. | A novel dual-axial AFM cantilever with independent piezoresistive sensors for simultaneous detection of lateral and vertical forces | |
| JPH05312562A (ja) | 集積型ａｆｍセンサー | |
| JPH01162159A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH07325092A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサーおよびその温度測定回路 | |
| JPH07146301A (ja) | 集積型ｓｐｍセンサー | |
| JP2002090231A (ja) | 半導体ピエゾ抵抗センサ | |
| JP2004055592A (ja) | 半導体力検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530 Year of fee payment: 7 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100530 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110530 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120530 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130530 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |