JP4184936B2 - 磁気ヘッド検査装置、磁気ヘッド検査方法及びディスクドライブ - Google Patents
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Description
本実施形態は、TMR素子を使用したリードヘッドと、ライトヘッドとが分離して、同一のスライダ上に実装された磁気ヘッド(図1の2)を検査対象とする磁気ヘッド検査装置に関する。当該検査装置は、特に、TMR素子のトンネルバリア層中のピンホールの状態(具体的には存在する割合)を判定(評価)する機能を有する。
本実施形態に関する磁気ヘッド検査装置は、図1に示すように、検査対象となるTMR素子をリードヘッドとして実装したスライダ(磁気ヘッド)2を含むヘッド・アセンブリ1を、検査位置に設定するための機構を有する。ここで、検査対象としては、スライダ2に限らず、例えばTMR素子の製造工程途中におけるウエハの状態でもよい。ヘッド・アセンブリ1は、サスペンション3に実装されたスライダ2及びTMR素子に接続されたプリント配線基板(FPC:flexible printed circuit board)4からなる。
以下図11のフローチャートを参照して、本実施形態のTMR素子の検査処理の手順を説明する。
次に、ブレークダウン電圧BDVに従って、TMR素子の耐性を非破壊で検査する方法について説明する。
図12は、本実施形態に関するTMR素子をリードヘッド20Aとして実装している磁気ヘッド2、及びTMR素子の検査機能を有するマイクロプロセッサ(CPU)127を内蔵しているディスクドライブの要部を示すブロック図である。
4…プリント配線基板(FPC)、5…バイアス電流制御部、6…素子抵抗測定部、
7…温度制御部、8…メモリ、9…マイクロプロセッサ(CPU)、
10…主制御装置(コントローラ)、11…第1シールド層、12…第1電極層、
13…ピン止め層、14…ピンド層、15…トンネルバリア層、16…フリー層、
17…第2電極層、18…第2シールド層、120…ディスク、
121…スピンドルモータ(SPM)、122…アクチュエータ、
123…ボイスコイルモータ(VCM)、124…プリアンプ回路、
125…R/Wチャネル、127…マイクロプロセッサ(CPU)。128…メモリ。
Claims (10)
- トンネル型磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドを検査する磁気ヘッド検査装置であって、
前記トンネル型磁気抵抗効果素子に電流を流して、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する測定手段と、
前記抵抗値と前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度との関係に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値に対する温度係数を算出する手段と、
前記温度係数に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子に含まれるトンネルバリア層のピンホールの状態を判定する判定手段と
を具備したことを特徴とする磁気ヘッド検査装置。 - 前記温度係数に従って前記トンネル型磁気抵抗効果素子のブレークダウン電圧を算出する手段を有し、
前記判定手段は、当該ブレークダウン電圧に基づいて、前記トンネルバリア層の特性を評価する手段を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド検査装置。 - 前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度を制御する温度制御手段を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド検査装置。
- 前記測定手段は、前記トンネル型磁気抵抗効果素子に含まれる電極層を使用して前記トンネルバリア層に電流を流すための電流制御手段を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド検査装置。
- 前記トンネル型磁気抵抗効果素子は、第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に前記トンネルバリア層が中間層として設けられた構造のトンネル多層膜を有することを特徴とする請求項1または請求項4のいずれか1項に記載の磁気ヘッド検査装置。
- トンネル型磁気抵抗効果素子を使用したリードヘッド及びコイルに流れる記録電流に応じた記録磁界を発生するライトヘッドを有し、ディスク媒体に対してデータのリード動作またはライト動作を実行する磁気ヘッドと、
前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値に対する温度係数を算出する検査処理時に、前記ライトヘッドのコイルに流す電流を制御して、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度を制御するための制御手段と、
前記トンネル型磁気抵抗効果素子に電流を流して、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する測定手段と、
前記抵抗値と前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度との関係に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値に対する温度係数を算出する手段と、
前記温度係数に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子に含まれるトンネルバリア層のピンホールの状態を判定する判定手段と
を具備したことを特徴とするディスクドライブ。 - 前記温度係数に従って前記トンネル型磁気抵抗効果素子のブレークダウン電圧を算出する手段を有し、
前記判定手段は、当該ブレークダウン電圧に基づいて、前記トンネルバリア層の特性を評価する手段を含むことを特徴とする請求項6に記載のディスクドライブ。 - トンネル型磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドを検査する磁気ヘッド検査装置に適用する磁気ヘッド検査方法であって、
前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度を設定するステップと、
前記トンネル型磁気抵抗効果素子に電流を流して、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定するステップと、
前記抵抗値と前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度との関係に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の抵抗値に対する温度係数を算出するステップと、
前記温度係数に基づいて、前記トンネル型磁気抵抗効果素子に含まれるトンネルバリア層のピンホールの状態を判定するステップと
を有する手順を実行することを特徴とする磁気ヘッド検査方法。 - 前記判定ステップは、前記温度係数に従って前記トンネル型磁気抵抗効果素子のブレークダウン電圧を算出し、当該ブレークダウン電圧に基づいて、前記トンネルバリア層の特性を評価する手順を含むことを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッド検査方法。
- 前記温度係数の算出ステップは、前記トンネル型磁気抵抗効果素子の周囲温度の設定及び前記抵抗値の測定をそれぞれ複数回実行した後に、当該各設定値及び各測定値を使用して前記温度係数を算出する手順を含むことを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッド検査方法。
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US7815369B2 (en) | 2008-02-20 | 2010-10-19 | Tdk Corporation | Method of measuring temperature of tunnel magnetoresistive effect element |
US8120353B2 (en) | 2008-04-28 | 2012-02-21 | International Business Machines Corporation | Methods for detecting damage to magnetoresistive sensors |
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US8040131B2 (en) * | 2008-07-01 | 2011-10-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for testing the acceptability of a magnetic read sensor |
US8008912B1 (en) | 2008-12-16 | 2011-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for testing P2 stiffness of a magnetoresistance transducer at the wafer level |
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US8618793B2 (en) * | 2009-12-23 | 2013-12-31 | HGST Netherlands B.V. | High sensitivity glide sensor using frictional heating |
CN102564637B (zh) * | 2010-12-15 | 2015-09-09 | 新科实业有限公司 | 磁隧道结中偏流/偏压引起的升温的测量方法 |
CN102707246B (zh) * | 2011-03-28 | 2016-01-20 | 新科实业有限公司 | 测量隧道磁电阻传感器中纵向偏磁场的方法 |
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US9548070B1 (en) * | 2015-06-25 | 2017-01-17 | Western Digital Technologies, Inc. | HDD magnetic head degradation field-failure detection and prediction |
US9568704B1 (en) * | 2015-08-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Temperature based control of voice coil motor |
KR101774671B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2017-09-05 | 한양대학교 산학협력단 | Mram에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법 및 시스템 |
CN105741860B (zh) * | 2016-01-30 | 2018-08-28 | 中钧科技(深圳)有限公司 | 硬盘磁头检测装置 |
US9620154B1 (en) * | 2016-09-08 | 2017-04-11 | International Business Machines Corporation | Characterization of dielectric breakdown in TMR sensors |
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US5440233A (en) * | 1993-04-30 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Atomic layered materials and temperature control for giant magnetoresistive sensor |
US6090549A (en) * | 1996-01-16 | 2000-07-18 | University Of Chicago | Use of continuous/contiguous stacking hybridization as a diagnostic tool |
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US5729410A (en) * | 1996-11-27 | 1998-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing |
US5880899A (en) | 1997-02-25 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Removal of raised irregularities on a data storage disk with controlled abrasion by a magnetoresistive head |
US5898547A (en) * | 1997-10-24 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide |
US6195219B1 (en) * | 1998-10-20 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for improving a thermal response of a magnetoresistive element |
JP3557493B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2004-08-25 | Tdk株式会社 | 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP2001084523A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及び該ヘッドの製造方法 |
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JP2001085218A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 強磁性金属酸化物多結晶体及びその製造方法 |
US6445554B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-09-03 | Read-Rite Corporation | Method and system for providing edge-junction TMR for high areal density magnetic recording |
JP2002015498A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Fujitsu Ltd | センス電流の設定方法 |
US6680831B2 (en) * | 2000-09-11 | 2004-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element, method for manufacturing the same, and method for forming a compound magnetic thin film |
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US6898040B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method and apparatus determining maximum read bias current and maximum write current for disk merged read/write heads based upon write current and measured read resistance |
US6841395B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-01-11 | International Business Machines Corporation | Method of forming a barrier layer of a tunneling magnetoresistive sensor |
JP4262969B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2009-05-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜磁性体記憶装置 |
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