JP4184598B2 - 電磁遮蔽 - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は電磁障害遮蔽用に用いられる磁性粒子およびこれら磁性粒子を混和した複合材料に関する。本発明は、さらにこの磁性粒子を製造する方法に関する。
【0002】
発明の背景
移動用個人ディジタル装置[電話機、ページャー(記憶装置、pagers) など]の発達のような電気通信における進歩に伴って、結果として生じる電磁障害(EMI)からの遮蔽に関連する新しい技術上の問題が起きてきた。特に、電子装置および電気通信装置からのEMIは、例えば、病院での医療装置および消費者用電子装置で重大な誤作動を誘き起すことが見いだされた。さらに、EMIに個体が曝されることに関して、健康上の心配がでてきた。これらの問題のために、米国[FCC(連邦通信委員会)規制]、欧州(1996年の規則)、日本(VCCIガイドライン)においては、一定水準のEMI遮蔽を保証するために、電子装置および電気通信装置の製造業者に対する規制が設けられている。ラジオ波およびマイクロ波周波数領域における電磁遮蔽が特に望まれる。
【0003】
本発明の要約
ナノスケール磁性粒子は、電子構成部品をEMI放射線から遮蔽するための材料の製造に有用である。このナノスケール粒子は、実質的に結晶性であるのが望ましい。このスケールの小さい粒子は透磁率を高くすることができる。一般に、この粒子は、バインダー内に埋込まれた粒子を含む粒子担持フィルムに、または重合体のような材料の最上部の層としての粒子担持フィルムに、成形される。このナノスケール粒子を混和した複合遮蔽材は、高い透磁率、大きい電気伝導率および大きい誘電定数を有するのが望ましい。
【0004】
第1の態様では、本発明は、特にEMI遮蔽用組成物を含む電子装置用遮蔽材に関し、そのEMI遮蔽用組成物は、実質的に結晶性で、そして約1000nm以下の平均直径を有する磁性粒子とバインダーを含んでいる。この粒子は、その粒子の少なくとも約95%が、その平均直径の約60%より大きい直径を有し、且つその平均直径の約140%より小さい直径を有するような、直径分布を有する。この粒子は、Fe2 O3 、Fe3 O4 、Fe3 CおよびFe7 C3 、からなる群から選ばれる組成物を含んでなる。この粒子は、約5nmから約50nmの平均直径を有し、そして望ましくは、約5nmから約20nmの平均直径を有する。
【0005】
望ましい実施態様では、バインダーは、電気導体を含んでいる。この電気導体は、金属もしくは、ドープされた、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンおよびポリフェニレンビニレンのような電気伝導性有機重合体である。遮蔽用組成物は層に成形される。遮蔽材は、遮蔽用組成物により形成されている層に隣接する伝導性の層をさらに含んでいてもよい。この伝導性層は、電気伝導性有機重合体を含んでいてもよい。或いはまた、遮蔽用組成物は、複合粒子に成形されていてもよい。
【0006】
もう一つの態様では、本発明は特に、遮蔽されるべき電気構成部品と電磁障害の潜在源の間に、磁性粒子を挿入する工程を含んでなる電磁障害を遮蔽する方法に関し、その磁性粒子は、実質的に結晶性で、そして約1000nm以下の平均直径を有する。この粒子は、約5nmから約50nmの平均直径を有する。さらにこの粒子は、その粒子の少なくとも約95パーセントが、平均直径の約60パーセントより大きく、且つ平均直径の約140パーセントより小さい平均直径を有するような直径分布を有している。この粒子は、Fe2 O3 、Fe3 O4 、Fe3 CおよびFe7 C3 、からなる群から選ばれる組成物を含んでいる。幾つかの態様では、これら粒子はバインダー中に保持されている。
【0007】
もう一つの態様では、本発明は特に、鉄前駆体、酸化剤および放射線吸収用ガスを含んでなる分子流を反応チャンバー中で熱分解する工程を含んでいる鉄酸化物粒子の製造法に関し、その熱分解はレーザビームから吸収される熱によって駆動される。このレーザビームは、CO2 レーザにより発生されるのが望ましい。酸化性ガスは、O2 、O3 、CO、CO2 およびそれらの混合物から成る群から選ばれる。分子流は、一次元方向に伸びているノズルにより発生されるのが望ましい。
【0008】
本発明の他の特徴と利点は、以下の詳細な説明と特許請求の範囲から明らかである。
【0009】
好ましい実施態様の説明
本発明は、電磁障害に対して有効な遮蔽材の製造に、非常に小さい磁性粒子を組入れて使用する。さらに、この小さい粒子は、一般に高水準の結晶性を有する。この磁性粒子は、強(フェロ)磁性体であっても、フェリ磁性体であってもよい。それらの小さい大きさ、磁気的性質および結晶性に因って、この粒子は遮蔽材の製造に非常に適している。これらの粒子は、複合材に混和することができ、その結果、有用な性質を有する遮蔽材が得られる。
【0010】
放射線の吸収に基づく遮蔽は、放射線の反射に基づく遮蔽より優れている。これは、反射された放射線は、他の近くの電子装置を干渉することがあるからである。推奨される遮蔽材は、大きい電気伝導率、高い透磁率および大きい誘電定数を有する。これら性質の組合せが、EMI放射線の高い吸収を生じる。一般に、単一の材料はこれらの性質の全てを備えていないので、様々な形の複合材料が貴重である。
【0011】
推奨される磁性粒子は、それらが混和される複合材料に高い透磁率を提供する。この磁性粒子は電気伝導性に寄与し得るが、一般には、下に一般的に説明されるように、その複合材もしくは遮蔽材の他の素材が電気伝導性に何らかの寄与をする。この複合材は、一般に、特定の遮蔽用途のために、適切に成形することができる。磁性粒子を保持するバインダーなどの、この遮蔽材の他の成分が電気伝導性である場合もあり、この材料に追加のEMI遮蔽性を付与する。
【0012】
下に説明するように、この粒子の小さい大きさと結晶性は、比較的高い透磁率をもたらす。この磁性粒子は、例えばFe2 O3 、Fe3 O4 、Fe3 CおよびFe7 C3 、を含む既知の磁性材料から作られる。
【0013】
レーザ熱分解は、平均粒径分布が狭い磁性粒子を効率的に製造するのに適した素晴らしい方法である。下で考察するように、適当に小さい大きさの粒子を製造するために、レーザ熱分解を応用する場合の基本的な特徴は、金属化合物前駆体、放射線吸収材および、酸素もしくは炭素源として役立つ反応物を含む分子流を作ることである。この分子流が、強いレーザ・ビームで熱分解される。
【0014】
レーザ線の吸収の結果生じる強い熱が、選定された酸素もしくは炭素雰囲気中での金属前駆体化合物の反応を誘起する。レーザ熱分解は、熱力学的平衡条件下では生成するのが困難である金属化合物の相を生成させる。分子流がレーザビームを離れると、粒子は急速に冷却される。
【0015】
A.粒子の製造
レーザ熱分解は、問題のナノスケール金属酸化物および金属炭化物粒子を製造するための有用な手段であることが見いだされている。さらに、レーザ熱分解で製造されたこれら粒子は、希望の金属化合物粒子を製造するための経路を広げるために、さらに加工するのに好都合な材料である。かくして、レーザ熱分解を単独で、もしくは追加の加工と組合せて使用することにより、広範囲に多様な金属酸化物および金属炭化物粒子を製造することができる。幾つかの場合には、同等の粒子を製造するために代替の製造経路が用いられることもある。
【0016】
レーザ熱分解で製造される粒子の品質は、反応条件で決まる。レーザ熱分解のための反応条件は、希望する性質を有する粒子を製造するために、比較的正確に制御される。特定タイプのナノ粒子を製造するのに適した反応条件は、普通、特定装置の設計に依存する。それにもかかわらず、反応条件と得られる粒子の間には、幾つかの一般的な相関関係が認められる。
【0017】
レーザ出力が増すと、反応領域の反応温度が上昇し、さらにまた急冷速度がより速くなる。急速な急冷速度は、高エネルギー構造の生成を容易にする傾向がある。同様に、反応チャンバーの圧力が増しても、Fe3 Cのような、より高いエネルギー構造が生成し易くなる傾向がある。また反応物流中の酸素源もしくは炭素源として役立つ反応物の濃度が増すと、その粒子の組成物中の金属に比べて酸素もしくは炭素の量が多い金属酸化物もしくは炭化物が生成し易くなる。
【0018】
反応物ガスの流量 および反応物ガス流の速度は、粒径に逆比例する。即ち反応物ガスの流量または速度が増すと、平均粒径はより小さくなる。さらにまた、粒子の成長の動力学も得られる粒子の大きさに有意に影響する。言葉を換えていえば、一つの生成化合物の中の異なる結晶形状の物は、比較的似ている条件下で他の結晶形状の物とは大きさの異なる粒子を生成する傾向がある。レーザ出力も粒径に影響し、レーザ出力が増すと、融点のより低い材料では、より大きい粒子が生成し易く、そして融点のより高い材料では、より小さい粒子が生成し易い。
【0019】
適した金属前駆体化合物に含まれるのは、一般的に言って、合理的な蒸気圧、即ち反応物流中で希望の量の前駆体蒸気を得るのに十分な蒸気圧、を有する金属化合物である。この前駆体化合物を溜めて置く容器は、希望に応じて、その金属前駆体化合物の蒸気圧を上げるために、加熱することができる。望ましい鉄前駆体は、例えば、Fe(CO)5 である。
【0020】
推奨される酸素源は、例えば、O2 、CO、CO2 、O3 および、それらの混合物である。推奨される炭素源は、例えばC2 H4 である。この酸素源もしくは炭素源からの化合物は、反応ゾーンに入る前に、金属前駆体化合物と有意な程反応してはならない。何故なら、反応すると、一般に、大きい粒子が生成する結果になるからである。
【0021】
レーザ熱分解は、多様な光学的レーザ周波数で行われる。推奨されるレーザは、電磁スペクトルの赤外部分で操作される。CO2 レーザは特に推奨されるレーザ光源である。分子流中に含ませる赤外線吸収剤は、例えば、C2 H4 、NH3 、SF6 、SiH4 およびO3 である。O3 は、赤外線吸収剤と酸素源の両方として作用することができる。同様に、C2 H4 は、赤外線吸収剤と炭素源の両方として作用することができる。この赤外線吸収剤のような放射線吸収剤は、放射線ビームからエネルギーを吸収し、そのエネルギーを、熱分解を駆動するために他の反応物に分配する。
【0022】
望ましくは、放射線ビームから吸収されたエネルギーは、制御された条件下での強い発熱反応によってエネルギーが普通生じるであろう場合の速度、の何倍も大きい驚異的な速度で温度を上昇させる。この過程は、一般に、非平衡条件を含んでいるが、その温度は、吸収領域でのエネルギーを基にして大体説明できる。このレーザ熱分解過程は、エネルギー源が反応を開始するが、その反応は、発熱反応で放出されるエネルギーによって駆動されるような燃焼反応器中での過程とは定性的に異なる。
【0023】
反応物チャンバー構成部材と接触する反応物分子および生成物分子の量を減らすために、不活性遮蔽ガスが用いられる。適した遮蔽ガスは、例えばAr、HeおよびN2 である。
【0024】
レーザ熱分解による炭化鉄の製造は、バイ(Bi) 達により、“CO2 レーザ熱分解により製造される非結晶性α‐Fe、Fe3 CおよびFe7 C3 ”、J.Mater.Res.8:1666-1674(1993) の中で説明されており、この文献は、本明細書中に引用参照される。
【0025】
適したレーザ熱分解装置は、一般に、周囲の環境から隔離された反応チャンバーを含んでいる。反応物供給装置に連結された反応物導入管が、その反応チャンバーを通る分子流を生成する。レーザ・ビームの経路は、反応ゾーンでその分子流と交差する。この分子流は、反応ゾーンを通過した後、出口まで連続しておりそこで、この分子流は反応チャンバーを出て、捕集装置に行く。一般に、このレーザ源は、反応チャンバーの外部に位置しており、そしてレーザビームは適切な窓を通して反応チャンバーに入る。
【0026】
図1を参照して説明すると、熱分解装置の特定の態様100は、反応物供給装置102、反応チャンバー104、捕集装置106およびレーザ108を含んでいる。反応物供給装置102は、前駆体化合物の貯蔵源120を含んでいる。液体前駆体の場合、担体ガス源122からの担体ガスが、前駆体の送達を容易にするために、液体前駆体がはいっている前駆体源120に導入されてもよい。この担体ガス源122からの担体ガスは、赤外線吸収剤か不活性ガスのいずれかであるのが望ましく、そして、液体前駆体化合物を通して吹き込まれるのが望ましい。反応ゾーン中での前駆体蒸気の量は担体ガスの流量に大体比例する。
【0027】
あるいはまた、担体ガスは、適宜、赤外線吸収剤源124または不活性ガス源126から直接供給されることもある。酸素もしくは炭素を提供する反応物は、供給源128から供給され、128は、ガス・シリンダーでも他の適した容器でもよい。前駆体源120からのガスは、反応物源128、赤外線吸収剤源124および不活性ガス源126からのガスと、これらのガスを配管130の単一部分で一緒にすることにより、混合される。これらのガスは、反応チャンバー104に入る前に、それらのガスがよく混合されるように、反応チャンバー104から十分な距離一緒に流される。管130の中で一緒になったガスは、ダクト132を通り抜けて、反応物を反応チャンバーの方向に向けるための射出ノズルの一部を形成している長方形の流路134に入る。
【0028】
各源122、124、126および128からのガス流は、独立に、質量流量制御装置136で調節されるのが望ましい。質量流量制御装置136は、各個別の源から調節された流量を提供するのが望ましい。適した質量流量制御装置は、例えば、Edwards High Vacuum International,Wilmington,MA からのエドワード質量流量制御装置、モデル 825シリーズである。
【0029】
不活性ガス源138が不活性ガスダクト140に連結されており、環状流路142に流れる。質量流量制御装置144は、不活性ガスの気流を不活性ガス・ダクト140に向けて制御する。不活性ガス源126も、所望により、ダクト140用の不活性ガス源として機能し得る。
【0030】
反応チャンバー104は、主チャンバー200を含んでいる。反応物供給装置102は、射出ノズル202の所で、主チャンバー200に連結している。射出ノズル202の端には、不活性遮蔽用ガスの通路用の環状開口204、および反応物ガスの通路用の、反応チャンバー中に分子流を形成するための長方形スリット206が付いている。環状開口204は、例えば、直径が約1.5インチで、半径方向に沿った幅が約1/16インチである。環状開口204を通る遮蔽用ガスの流れは、反応チャンバー104全体に反応物ガスおよび生成物粒子が広がるのを防ぐことを助ける。
【0031】
管状セクション208、210は、射出ノズル202の両側に所在している。管状セクション208、210は、それぞれ、ZnSe窓212、214を含んでいる。窓212、214は、望ましくは平面収束レンズで、その焦点距離は、ビームをノズル口の中心の丁度下の点に集めるように、チャンバーの中心とレンズの表面との間の距離に等しいのが望ましい。窓212、214は、反射防止コーティングされているのが望ましい。適したZnSeレンズは、Janos Technology,Townshend,Vermontから入手できる。管状セクション208、210は、窓212、214が、反応物もしくは生成物により汚染されることがより少なくなるように、窓212、214を主チャンバーから離れるようにずらすことができるようになっている。例えば、窓212、214は、主チャンバーの端から約3cmずらされる。
【0032】
窓212、214は、反応チャンバー104の中に周囲の空気が流れるのを防ぐために、管状セクション208、210に、ゴムO‐リングでシールされている。窓212、214の汚染を減らすために、管状セクション208、210への遮蔽用ガスの流入用に、管状吸気口216、218が備えられている。管状吸気口216、218は、不活性ガス源138または別の不活性ガス源に連結されている。いずれの場合にも、管状吸気口216、218への気流は、質量流量制御装置220で制御されているのが望ましい。
【0033】
レーザ108は、発生するレーザビーム222が窓212を入って窓214を出るように配列されている。窓212、214は、主チャンバー200を通るレーザ光路を、反応ゾーン224で反応物の流れと交差するように規定する。窓214を出た後、レーザビーム222は、ビームダンプ(beam dump)としても作用する電力計226を直撃する。適した電力計は、Coherent Inc.,Santa Clara,CA、から入手できる。レーザ108は、アークランプのような、強い常用の光源で置き換えることもできる。レーザ108は、赤外線レーザ、特に、PRC Corp.,Landing,NJ、から入手できる最大出力1800ワットのレーザ、または最大出力375ワットのCoherentR model 525(Coherent Inc.,Santa Clara,CA) のようなCW CO2 レーザが望ましい。
【0034】
射出ノズル202中のスリット206を通り抜けた反応物は、分子流となる。この分子流は、反応ゾーン224を通り抜け、そこで、前駆体化合物を巻き込んで反応を起こす。反応ゾーン224中でのガスの加熱は極端に速く、特定条件に依存して、大体105 ℃/秒の桁である。反応ゾーン224を出るとこの反応は急速に冷却され、その分子流の中に、ナノ粒子228が生成する。この反応は非平衡反応なので、粒度分布が非常に均一で構造的均質性の高いナノ粒子の製造が可能になる。
【0035】
分子流の経路は、捕集ノズル230まで連続している。捕集ノズル230は、射出ノズル202から約2cm離れている。射出ノズル202と捕集ノズル230の空間距離が小さいことは、反応物および生成物による反応チャンバー104の汚染を減らす助けになる。捕集ノズル230は、環状の開口232を備えている。環状開口232が、捕集装置106に送り込む。
【0036】
チャンバーの圧力は、主チャンバーに取付けられた圧力計で監視される。このチャンバーの圧力は、普通、約5Torrから約1000Torrの範囲である。希望の酸化物および炭化物の製造のために推奨されるチャンバー圧は、約80Torrから約500Torrの範囲である。
【0037】
反応チャンバー104は、図に示されていない二つの追加の管状セクションを備えている。追加の管状セクションの一つは、図1の断面図の面に向かって伸びており、そして第2の追加の管状セクションは、図1の断面図の面から突き出ている。上から見た場合、四つの管状セクションは、そのチャンバーの中心の回りに大体対称的に分布している。これらの追加の管状セクションは、チャンバーの内部を観察する窓を備えている。装置のこの相対的配置では、これら二つの追加の管状セクションは、ナノ粒子の製造を促進するためには用いられない。
【0038】
捕集装置106は捕集ノズル230に繋がっているカーブした導管250を含んでいてもよい。粒子の粒径が小さいために、この生成粒子はカーブの回りをガス流について流れる。捕集装置106は、この生成物粒子を捕集するために、ガス流中にフィルター252を含んでいる。テフロン、ガラス繊維および類似の材料などの多様な材料が、不活性で、その粒子を捕捉するのに十分微細な目を有する限りにおいて、このフィルター用に用いられる。このフィルター用に適した材料は、例えば、ACE Glass Inc.,Vineland,NJ、からのガラス繊維である。
【0039】
捕集装置106を減圧に維持するためにポンプ254が用いられる。多様な異なるポンプを使用することができる。適したポンプ254は、例えば、Busch,Inc.,Virginia BEACH,VAからの、約25立方フィート/分(cfm)の排気性能を有するBusch Model B0024 ポンプおよび、Leybold Vacuum Products,Export,PAからの約195cfmの排気容量を有するLeybold Model SV300 ポンプである。このポンプの排気は、大気中に出る前に、残存している何等かの反応性の化学物質を除去するために、スクラバー256を通して流すことが望ましい。全装置100は、排出目的と安全を考慮して、ヒューム・フード(fume hood)の中に置かれている。一般に、レーザは、サイズが大きいので、そのヒューム・フードの外側に残されている。
【0040】
この装置は、コンピュータで制御されている。一般に、このコンピュータは、レーザを制御し、そして反応チャンバー中の圧力を監視している。このコンピュータは、反応物および/または遮蔽用ガスの流れを制御するためにも用いられる。排気速度は、ポンプ254とフィルター252の間に挿入されている手動のニードル・バルブもしくは自動のスロットル・バルブのいずれかによって制御される。フィルター252上に粒子が蓄積することに因りチャンバーの圧力が増大すると、その手動バルブもしくはスロットル・バルブを調整して、排気速度とそれに対応するチャンバー圧を維持することができる。
【0041】
反応は、ポンプが反応チャンバー104内に望ましい圧力を最早維持できない程十分多くのナノ粒子が、フィルター252の通過抵抗に抗してフィルター252上に捕集されるまで続けられる。反応チャンバー104内の圧力をもはや望ましい値に維持できない場合、反応を停止し、そしてフィルター252が外される。この態様では、チャンバー圧がもはや維持できなくなる前の一回の運転で、約3〜75グラムのナノ粒子が捕集できる。一回の運転は、製造される粒子と特定フィルターのタイプに依存して、普通、約10分から約3時間継続し得る。かくして、巨視的な量の粒子、即ち裸眼で視える量が、簡単に生成する。
【0042】
この反応条件は比較的正確に制御することができる。質量流量制御装置は、極めて正確である。このレーザは、一般に、約0.5パーセントの出力安定性を有する。チャンバーの圧力は、手動制御バルブもしくはスロットル・バルブにより、約1パーセント以内に制御できる。
【0043】
反応物供給装置102と捕集装置106の相対的配置は、逆にすることができる。この代替配置構造では、反応物は反応チャンバーの底から供給され、そして生成物粒子がチャンバーの最上部から捕集される。この代替配置構造では、粒子は周囲のガスの中に浮遊する傾向があるので、生成物の捕集量が僅かに多くなる傾向がある。この配置構造では、捕集フィルターが反応チャンバーの上に直接取付けられないように、その捕集装置にカーブした部分が含まれているのが望ましい。
【0044】
もう一つの他の設計のレーザ熱分解装置が報告されている。本明細書に引用参照される“化学反応による粒子の効率的な製造”という名称の、共通権利人の米国特許出願08/808,850号明細書を参照されたい。この代替設計は、レーザ熱分解により、大量生産される量のナノ粒子の製造を容易にすることを意図するものである。反応チャンバーに反応物原料を射出するための多様な配置構造が記載されている。
【0045】
この代替装置は、生産能力を上げて、そして原料を有効に利用するために、チャンバーの器壁の粒子による汚染を最少にするように設計されている反応チャンバーを備えている。これらの目的を達成するために、この反応チャンバーは、一般に、細長い反応物導入管の形状をしており、分子流の外側の遊びの空間体積(dead volume:死空間)を減らしている。ガスは、この死空間に蓄積する可能性があり、反応していない分子による散乱もしくは吸収により無駄になる放射線の量が増える。この死空間内のガスが減ることに因り、粒子が死空間の中に蓄積し、チャンバーが汚染する原因になることもある。
【0046】
改善された反応チャンバー300の設計が、図2および3に図式的に示されている。反応物ガスの流路302は、ブロック304の内部に位置している。ブロック304のファセット(facets:面)306は、導入路308の一部を形成している。導入路308のもう一つの部分は、端の処で、主チャンバー312の内面に繋がっている。導入路308は、遮蔽用ガス流入口314の処で終わっている。ブロック304は、その反応条件および希望の条件に応じて、細長い反応物流入口316と遮蔽用ガス流入口314の間の相対的関係を変えるために、位置を変えたり、取り替えたりすることができる。遮蔽用ガス流入口314からの遮蔽用ガスは、反応物流入口316から始まる分子流の回りにブランケット(煙幕)を形成する。
【0047】
細長い反応物流入口316の寸法は、粒子の製造効率を大きくするように設計されているのが望ましい。当該の酸化物、硫化物および炭化物粒子の製造用の反応物流入口の合理的な寸法は、1800ワットCO2 レーザを使用する場合、約5mmから約1mである。
【0048】
主チャンバー312は、一般に、細長い反応物流入口316の形状と同じである。主チャンバー312は、微粒子状生成物、任意の未反応ガスおよび不活性ガスを除去するための、分子流に沿った出口318を含んでいる。環状セクション320、322が、主チャンバー312から延びている。環状セクション320、322は、反応チャンバー300を通るレーザ・ビーム経路328を規定するための窓324、326を把持している。環状セクション320、322は、遮蔽用ガスを環状セクション320、322に導入するための遮蔽用ガスの入り口330、332を含んでいる。
【0049】
この改良された装置は、分子流から粒子を除去するための捕集装置を備えている。この捕集装置は、その捕集装置内の別の粒子捕集器と切換えることにより、生産を停止することなしに、または望ましくは、連続生産を続けながら、大量の粒子を捕集できるように設計されている。この捕集装置は、その流路内に、図1に示した捕集装置のカーブした部分に似たカーブした構成部材を含んでいる。この反応物射出部分と捕集装置の相対的配置は、粒子が装置の最上部で捕集されるように、逆になっていてもよい。
【0050】
上で指摘したように、この金属化合物粒子の性質は、さらなる加工により改質することができる。例えば、金属酸化物もしくは金属炭化物ナノ粒子は、その粒子の酸素含有量および/または結晶構造を変えるために、オーブン中で、酸素環境中または不活性環境中で加熱される。さらに、この加熱工程は、その粒子の品質を向上するために粒子上に吸着した化合物の除去にも恐らく用いられる。マイルドな条件、即ち、そのナノ粒子の融点より十分低い温度を使用すれば、そのナノ粒子をより大きい粒子に有意に焼結させることなしに、その化学量論組成もしくは結晶構造を変更できることが見いだされた。オーブン中でのこの加工は、本明細書に引用参照される“熱による酸化バナジウム粒子の加工”という名称の、共通権利人により同時出願されている米国特許出願08/897,903号明細書でさらに考察されている。
【0051】
この加工を行うための装置400の一例が、図4に示されている。装置400は、管402を含み、その中に粒子が置かれる。管402は、反応物ガス源404および不活性ガス源406に連結されている。所望の雰囲気を生成させるための、反応物ガス、不活性ガスもしくはそれらの組合せが、管402の内部に入れられる。
【0052】
所望のガスが、管402を通して流されるのが望ましい。酸素環境(反応物ガス)を作るのに適した活性ガスは、例えば、O2 、O3 、CO、CO2 もしくは、それらの組合せである。この反応ガスは、Ar、HeおよびN2 のような不活性ガスで稀釈されることもある。管402内のガスは、所望によっては、もっぱら不活性ガスである場合もある。
【0053】
管402はオーブンあるいは炉408の中に位置している。オーブン408はその管の適切な部分を比較的一定の温度に維持するが、この温度は、希望に応じて加工工程中、系統的に変えることができる。オーブン408の中の温度は、普通、熱電対410で測定される。粒子は、管402の内部のバイアル412の中に置かれる。バイアル412は、ガス流による粒子の損失を防ぐ。バイアル412は、普通、その開放端をガス流源の方向に向けて置かれる。
【0054】
希望するタイプの生成物材料を製造するために、反応物のタイプ(もしあれば)、反応物ガスの濃度、ガスの圧力および流量、温度および加工時間を含む精密な条件が選定される。温度は一般に、マイルドで、その材料の融点より有意に低い温度である。マイルドな条件を使用すれば、より大きいサイズの粒子が生成する粒子間焼結が避けられる。僅かにより大きい平均粒径の物を製造するために、オーブン408の中で、或る程度高い温度で、或る程度制御して、金属酸化物粒子の焼結を行うことができる。
【0055】
温度は、約50℃から約1000℃の範囲が望ましく、そしてより望ましくは約50℃から約400℃で、そしてさらにより望ましくは約50℃から約300℃である。粒子は、約1時間から約100時間加熱されるのが望ましい。希望する材料を生産するために適した条件を作りだすために或る程度経験的な調整が必要なこともある。
【0056】
B.粒子の性質
推奨される粒子の集合体の平均直径は、ミクロン以下、望ましくは約5nmから約500nmそして、より望ましくは約5nmから約100nm、さらにより望ましくは約5nmから約50nmである。この粒子は、一般に、大体球形で光沢のある外観を有する。より詳しく調べると、これら粒子は、一般に、下にある結晶格子に対応する小さい面を有する。にもかかわらず、これら粒子は、物理的三次元方向に大体等しく成長する傾向があり、光沢のある球状外観を生じる。非対称軸を有する粒子での直径の測定は、その粒子の主軸に沿っての長さの平均値の測定に基づく。主軸に沿ってのこの測定値は、望ましくは、これらのナノ粒子の少なくとも約95パーセントで、そしてより望ましくは、そのナノ粒子の少なくとも約98パーセントで、約1ミクロン以下である。
【0057】
粒径が小さいことにより、これらの粒子は、隣接する粒子の間で、ファンデルワールス力および磁気的相互作用により、ゆるい集合体を形成する傾向がある。にも拘らず、これら粒子の透過電子顕微鏡写真で、ナノメータ・スケールの粒子(即ち一次粒子)が明瞭に観察できる。結晶性の粒子の場合、その粒径は、普通その結晶の大きさに対応する。この粒子は、一般に、その電子顕微鏡写真で観察されるようなナノメータ・スケールの粒子に対応する表面積を有する。さらに、これらの粒子は、それらの小さいサイズと材料の重量当たりの表面積が大きいことに因り、ユニークな性質を示す。
【0058】
製造したままで、この粒子は、サイズ均質度が高いことが望ましい。透過電子顕微鏡写真の検討から求められるように、この粒子は、一般に、その粒子の少なくとも約95パーセントが、平均直径の約40パーセントより大きく、且つ、平均直径の約160パーセントより小さい平均直径を有するような粒度分布を有している。望ましくは、この粒子は、その粒子の少なくとも約95パーセントが、平均直径の約60パーセントより大きく、且つ、平均直径の約140パーセントより小さい平均直径を有するような直径分布を有している。下に説明するように、この狭い粒度分布により多様な用途に活用される。幾つかの用途では、希望の粒径分布を得るために、それぞれ狭い粒径分布を有する数種の粒子の集合体を混合するのが望ましいこともある。
【0059】
さらに、このナノ粒子は、普通非常に高水準の純度を有している。上の方法で製造された金属酸化物もしくは金属炭化物粒子は、その結晶生成過程が、その格子から汚染物を排除する傾向があるので、反応物ガスより高い純度を有することが期待される。さらに、レーザ熱分解で製造された金属化合物粒子は、高い結晶度を有することが見いだされた。実質的に結晶性の粒子では、適切な倍率の電子顕微鏡写真中に、その格子像が明瞭に観察される。
【0060】
大半の反応条件下では、この粒子は一般に、単一の結晶相を有する。この粒子は、少なくとも約90重量パーセントを構成する単一の結晶相を有する。この粒子は、少なくとも約95重量パーセント、より望ましくは少なくとも約99重量パーセント、そしてさらにより望ましくは少なくとも約99.9重量パーセントの単一結晶相均質性を有する。
【0061】
鉄は、数種の異なる酸化状態で存在することが知られている。例えば、酸化鉄は、例えば、FeO(立方晶系結晶)、Fe3 O4 (立方晶系結晶、逆スピネル構造)およびFe2 O3 (α‐三方晶系結晶、γ‐立方晶系結晶、スピネル構造)の化学量論組成を有する酸化鉄が知られている。同様に、Fe3 C(セメンタイト‐斜方晶系)、Fe7 C3 (六方晶系、擬六方晶系あるいは斜方晶系)、Fe5 C2 [ハグ(Hagg)カーバイド‐単斜晶系]、Fe2 C(セメンタイト‐斜方晶系)、Fe20C9 、Fe4 Cおよびε‐炭化物(FeX C、2<x<3、六方晶系)の化学量論組成を有する炭化鉄が見いだされている。レーザ熱分解で用いられる条件は、これら異なる形の鉄化合物から、選んで変更することができる。Fe3 CとFe7 C3 の間の選別製造用の特別な装置での条件は、バイ(Bi)達により、前記の文献で説明されている。
C.電磁遮蔽
遮蔽材は、敏感な電子装置をEMIから保護するために用いられる。この遮蔽材は、一般に、約1キロヘルツより大きい周波数を有する、そして望ましくは約1メガヘルツより大きい周波数を有する電磁波から構成部材を遮蔽するのに有効である。この遮蔽材が十分な強さを有していれば、この遮蔽材は、電子装置用の入れ物にも成形できるが、そうでなければ、この遮蔽材は、例えば、十分な機械的強さを有する容器材料を作るための他の材料と層として組合せることができる。あるいはまた、この遮蔽材は電子装置もしくはその電子装置の敏感な部分を、その電子装置の任意の他の構造封入容器とは独立に取り囲むことができる。
【0062】
この遮蔽材は、普通、粒子を含む層500を有している。粒子を含む層500は、図5に概略的に示されているように、バインダー504の中に埋込まれている磁性粒子502を含んでいる。或いはまた、この粒子は、バインダーの表面に層として配置されていてもよい。このバインダーは電気的に伝導性でも電気的に非伝導性でもよい。
【0063】
粒子を含むフィルム500は、遮蔽材もしくは、遮蔽材の部材を形成する。この遮蔽材は、少なくとも、電磁スペクトルの所望の周波数範囲にわたって、電磁障害の伝達を禁止すべきである。この遮蔽材は、周波数スペクトルの選定範囲内の電磁波を強く吸収するのが望ましい。
【0064】
推奨される磁性粒子は、上述のナノスケール粒子を含んでいる。この粒子は、希望の周波数領域、望ましくは比較的高い周波数領域で電磁波を吸収するように選ばれる。単一バッチの粒子で得られる吸収より、より広い範囲での吸収が希望される場合には、複数の粒子の混合物を使用することができる。一般に、この材料中への粒子の含有量は、特定用途で十分な遮蔽を提供するように調整される。
【0065】
ナノスケール粒子の小さい粒径のために、これら粒子は、ゆるく結合した凝集体が壊れてフィルム中に密に充填することができる。電磁波は、粒子の間を伝播することはあまり有り得ないので、密に詰まった充填は、良好な遮蔽性をもたらす。この充填挙動は、十分なEMI遮蔽を提供するために、より少ない重量の遮蔽材を使用すればよいことになり得る。さらに遮蔽を実現するナノ粒子は、容器の角のような構造上の特異部分に、より良く適合し、電磁波の漏洩を起すことがない。このナノ粒子は、厚さが非常に薄い平滑なフィルムを形成する助けになる。
【0066】
バインダー504は、粒子を充填できて、そしてフィルムに成形できる多様な重合体の任意の物を含む重合体でよい。適当な重合体としては、ビニル重合体および非ビニル重合体がある。適当なビニル重合体は、例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレンのようなポリオレフィン類、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン(登録商標) )およびポリフッ化ビニリデンのようなフッ素樹脂、およびそれらの共重合体および混合物である。適当な非ビニル重合体としては、例えば、ポリメタクリル酸メチルのようなポリエステル類、およびポリウレタンがある。有用な重合体には、ドープされた、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンおよびポリフェニレンビニレンのような電気伝導性重合体も含まれる。数種の伝導性重合体は、大きい誘電定数をも有する。
【0067】
これら重合体は、可塑剤および酸化防止剤のような、加工性もしくは耐久性を改善するための様々な特性改質剤を含んでいてもよい。希望により、その機械的性質および/または電気伝導性を向上させるために、少量の他の微粒子状充填材を使用することができる。加えて、この重合体フィルムは、炭素繊維、カーボンブラック、黒鉛もしくは金属粒子のような伝導性粒子を含んでいることもある。
【0068】
或いはまた、インジウムおよび金のような軟質の金属がバインダーとして機能し得る。粒子は、これら軟質金属に埋込まれる。これら金属の融点が、磁性粒子の融点より低い場合には、磁性粒子は、この融解した金属と混合され、そして希望の形状に成形することができる。
【0069】
もう一つの代替の態様550では、遮蔽材は、図6に概略が示されているように、二つの層を含んでいる。第1層552における遮蔽用組成物は、重合体マトリックス556中に保持されている磁性粒子554を含んでいる。第1層552は、図5に示した粒子層500に似ている。第1層552は、場合により、電気伝導性成分を含んでいてもよい。第2の層558は、伝導性金属から形成されていてもよい。例えば、第2層558は、第1の磁性粒子層に隣接する金属層でよい。或いはまた、第2層558は、重合体フィルムでよい。層558が、伝導性重合体を含んでいても、いなくても、その伝導性層558は、炭素繊維、カーボンブラック、金属粒子もしくは黒鉛のような伝導性粒子を含んでいてもよい。
【0070】
この磁性粒子は、遮蔽材に成形するために、より大きい複合粒子に成形される。図7を参照して説明すると、複合粒子600は、磁性粒子604を含む伝導性のバインダー602を含んでいる。この伝導性のバインダー602は、伝導性重合体または金属でよい。この複合粒子は、普通、それでも比較的小さく、ミリメーターもしくは、それ以下程度の直径を有する。複合粒子600は、バインダーとブレンドされて、層に成形される。この層は、図5に示された粒子含有層に似ており、その磁性粒子が複合粒子で置換されている。或いはまた、複合粒子600は、液体と混ぜて溶液にし、遮蔽材を作るために、表面に散布もしくはスピンコートすることができる。
【0071】
上に説明した実施態様は、代表例であって、限定例ではない。特許請求の範囲中に、本発明の追加の実施態様が見られる。この技術分野の習熟者には理解されるであろうように、本発明の精神と範囲を逸脱することなしに、上に説明した方法と装置での多くの変更が、習熟した実施者によりなされ得るであろうし、本発明の範囲は、特許請求の範囲に説明されるようにのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
図1は、レーザ線経路の中心を通る面で切った、レーザ熱分解装置の一つの態様の概略断面図である。上の挿入図は、射出ノズルの底面図であり、下の挿入図は、捕集ノズルの上面図である。
図2は、レーザ熱分解装置の別の態様の反応チャンバーの透視概略図であり、チャンバーの材料は、その装置の内部を明らかにするために透明に描かれている。
図3は、3−3のラインに沿って切った図2の反応チャンバーの断面図である。
図4は、酸化バナジウム粒子を加熱するオーブンの概略断面図であり、その断面は、石英管の中心を通っている。
図5は、遮蔽材の分割透視図である。
図6は、二層遮蔽材の分割透視図である。
図7は、磁性粒子とバインダーを含む複合粒子の断面図である。
Claims (9)
- EMI遮蔽用組成物を含む電子装置用遮蔽材であって、該EMI遮蔽用組成物は磁性粒子とバインダーを含み、該磁性粒子は実質的に結晶性で、且つ5nmから100nmの平均直径を有し、該磁性粒子の少なくとも95%がその平均直径の60%より大きい直径を有し且つその平均直径の140%より小さい直径を有する、電子装置用遮蔽材。
- 該バインダーが電気導体を含む、請求項1に記載の遮蔽材。
- 該バインダーが電気伝導性の有機重合体を含む、請求項1に記載の遮蔽材。
- 該バインダーが金属を含む、請求項1に記載の遮蔽材。
- 遮蔽用組成物が層に成形されている、請求項1に記載の遮蔽材。
- 該遮蔽用組成物により形成されている層に隣接する伝導性の層をさらに含む、請求項5に記載の遮蔽材。
- 該遮蔽用組成物が複合粒子に成形されている、請求項1に記載の遮蔽材。
- 該粒子が5nmから50nmの平均直径を有する、請求項1に記載の遮蔽材。
- 電磁障害を遮蔽する方法であって、遮蔽されるべき電気部材と電磁障害の潜在源の間に請求項1に記載の遮蔽材を挿入する工程を含む、前記方法。
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Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811050A (en) * | 1994-06-06 | 1998-09-22 | Gabower; John F. | Electromagnetic interference shield for electronic devices |
US20030198800A1 (en) * | 1997-03-01 | 2003-10-23 | Peter Hoffman | Plastic element for the confinement of HF reflections |
US6939477B2 (en) | 1997-06-06 | 2005-09-06 | Ashland, Inc. | Temperature-controlled induction heating of polymeric materials |
US20090127253A1 (en) * | 1997-06-06 | 2009-05-21 | Philip Stark | Temperature-controlled induction heating of polymeric materials |
US6099798A (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-08 | Nanogram Corp. | Ultraviolet light block and photocatalytic materials |
US6849334B2 (en) * | 2001-08-17 | 2005-02-01 | Neophotonics Corporation | Optical materials and optical devices |
US6952504B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-10-04 | Neophotonics Corporation | Three dimensional engineering of planar optical structures |
US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
US20060147369A1 (en) * | 1997-07-21 | 2006-07-06 | Neophotonics Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
US7226966B2 (en) * | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
WO2002032588A1 (en) | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Neophotonics Corporation | Coating formation by reactive deposition |
US6387531B1 (en) * | 1998-07-27 | 2002-05-14 | Nanogram Corporation | Metal (silicon) oxide/carbon composite particles |
US20090075083A1 (en) * | 1997-07-21 | 2009-03-19 | Nanogram Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
US7384680B2 (en) * | 1997-07-21 | 2008-06-10 | Nanogram Corporation | Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures |
US6599631B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-07-29 | Nanogram Corporation | Polymer-inorganic particle composites |
JP2000286018A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Yazaki Corp | 電磁シールド付コネクタ並びにその製造方法及び装置 |
US6746508B1 (en) | 1999-10-22 | 2004-06-08 | Chrysalis Technologies Incorporated | Nanosized intermetallic powders |
US6368406B1 (en) | 2000-09-13 | 2002-04-09 | Chrysalis Technologies Incorporated | Nanocrystalline intermetallic powders made by laser evaporation |
US6768654B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-07-27 | Wavezero, Inc. | Multi-layered structures and methods for manufacturing the multi-layered structures |
US6379589B1 (en) | 2000-10-23 | 2002-04-30 | Fractal Systems Inc. | Super-wide band shielding materials |
US6785512B1 (en) | 2000-11-07 | 2004-08-31 | Al Messano | Radio frequency radiation-free environments |
US7366472B2 (en) * | 2000-11-07 | 2008-04-29 | Al Messano | Technology for creating a RF radiation-free environment |
US6764617B1 (en) | 2000-11-17 | 2004-07-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics & Space Administration | Ferromagnetic conducting lignosulfonic acid-doped polyaniline nanocomposites |
JP2002158483A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Sony Corp | 電波吸収体 |
JP2002158484A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Sony Corp | 電波吸収体 |
ATE338381T1 (de) * | 2001-03-22 | 2006-09-15 | Florian Meinhard Koenig | Drahtloses telefon mit emv-abschirmung |
US6765806B1 (en) * | 2001-06-12 | 2004-07-20 | Lsi Logic Corporation | Composition with EMC shielding characteristics |
JP4638626B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-02-23 | 北川工業株式会社 | 磁性体の成形方法、磁性体、およびプリント基板 |
CN1639866B (zh) * | 2001-12-14 | 2010-04-28 | 莱尔德技术公司 | 包括有损耗的介质的电磁干扰屏蔽件 |
KR20030055435A (ko) * | 2001-12-26 | 2003-07-04 | 주식회사 두람하이테크 | 전자기파 흡수체용 도료 및 이를 이용한 전자기파흡수체용 시트의 제조방법 |
US6980865B1 (en) * | 2002-01-22 | 2005-12-27 | Nanoset, Llc | Implantable shielded medical device |
CN100388873C (zh) * | 2003-03-25 | 2008-05-14 | 信越聚合物株式会社 | 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的物品及其制造方法 |
TW200426023A (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-01 | Li-Hsien Yen | Multilayer structure for absorbing electromagnatic wave and manufacturing method thereof |
US7521097B2 (en) * | 2003-06-06 | 2009-04-21 | Nanogram Corporation | Reactive deposition for electrochemical cell production |
JP4705377B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2011-06-22 | ソニー株式会社 | 配線基板 |
DE102004040444A1 (de) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Eckart Gmbh & Co. Kg | Elektrisch leitfähige Pigmente mit ferromagnetischem Kern, deren Herstellung und Verwendung |
US20060225534A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-10-12 | The Research Foundation Of State University Of New York | Production of nickel nanoparticles from a nickel precursor via laser pyrolysis |
CN101233266A (zh) * | 2004-10-13 | 2008-07-30 | 因特麦崔克斯股份有限公司 | 基于纳米粉末的组合库的制备 |
US7491431B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-02-17 | Nanogram Corporation | Dense coating formation by reactive deposition |
JP5017637B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-09-05 | 国立大学法人東北大学 | 磁性体含有絶縁体およびそれを用いた回路基板ならびに電子機器 |
US20060286378A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-12-21 | Shivkumar Chiruvolu | Nanostructured composite particles and corresponding processes |
US8022416B2 (en) * | 2005-10-19 | 2011-09-20 | General Electric Company | Functional blocks for assembly |
US20070231826A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-10-04 | General Electric Company | Article and assembly for magnetically directed self assembly |
US7926176B2 (en) * | 2005-10-19 | 2011-04-19 | General Electric Company | Methods for magnetically directed self assembly |
EP1941588A4 (en) * | 2005-10-27 | 2011-03-16 | Charles L Manto | SYSTEM AND METHOD FOR PROTECTION AGAINST ELECTROMAGNETIC AND RECEIVING RFI PULSES USING ENCLOSURES AND IN-LINE SHIELDED ENCLOSURES |
US20110120748A1 (en) * | 2006-01-17 | 2011-05-26 | Beru F1 Systems Limited | Wiring component |
US8569468B2 (en) | 2006-09-14 | 2013-10-29 | The Regents Of The University Of California | Nanoplasmonic molecular ruler for nuclease activity and DNA footprinting |
US20080135956A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-12 | General Electric Company | Articles and assembly for magnetically directed self assembly and methods of manufacture |
US7972691B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-07-05 | Nanogram Corporation | Composites of polymers and metal/metalloid oxide nanoparticles and methods for forming these composites |
WO2008090891A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | National University Corporation Tohoku University | 複合磁性体、その製造方法、それを用いた回路基板、及びそれを用いた電子機器 |
US8119233B2 (en) * | 2007-02-17 | 2012-02-21 | Nanogram Corporation | Functional composites, functional inks and applications thereof |
US7815820B2 (en) * | 2007-10-18 | 2010-10-19 | General Electric Company | Electromagnetic interference shielding polymer composites and methods of manufacture |
US8674212B2 (en) * | 2008-01-15 | 2014-03-18 | General Electric Company | Solar cell and magnetically self-assembled solar cell assembly |
US8734685B2 (en) | 2008-02-11 | 2014-05-27 | Director General, Defence Reserch & Development Organization | Electrically conducting syntactic foam and a process for preparing the same |
US8277690B2 (en) * | 2008-06-09 | 2012-10-02 | Council Of Scientific & Industrial Research | Conducting copolymer ferromagnetic composite and a process for the preparation thereof |
GB2463017A (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Jin-Hong Chang | Anti-electromagnetic interference material arrangement |
KR101388428B1 (ko) * | 2008-09-29 | 2014-04-23 | 아사히 유키자이 고교 가부시키가이샤 | 식물 소성물 및 전자파 차폐체 |
WO2010080684A2 (en) | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Nanogram Corporation | Composites of polysiloxane polymers and inorganic nanoparticles |
US8351220B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-01-08 | Florida State University Research Foundation | Electromagnetic interference shielding structure including carbon nanotube or nanofiber films and methods |
JP2012528485A (ja) * | 2009-05-28 | 2012-11-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電磁遮蔽物品 |
WO2011068819A2 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-09 | Laird Technologies, Inc. | Stretched articles suitable for use as emi absorbers |
US9167735B2 (en) * | 2010-06-23 | 2015-10-20 | Inktec Co., Ltd. | Method for manufacturing electromagnetic interference shielding film |
CN101892003A (zh) * | 2010-07-06 | 2010-11-24 | 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 | 一种用于地网的纳米导电防腐涂料 |
CN105132284B (zh) | 2011-05-13 | 2018-04-03 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于选择性转染细胞的光热衬底 |
WO2012173188A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | 戸田工業株式会社 | 電磁波干渉抑制体 |
DE102011116327A1 (de) | 2011-10-18 | 2013-04-18 | B+M Nottenkämper Gesellschaft für Bergbau und Mineralstoffe mbH & Co. KG | Material zur Absorption von elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zur Herstellung |
TWI485210B (zh) * | 2011-12-09 | 2015-05-21 | Ind Tech Res Inst | 具有導電性與鐵磁性之複合材料及其混成漿料 |
CN103304888B (zh) * | 2012-03-06 | 2017-08-04 | 上海杰事杰新材料(集团)股份有限公司 | 一种电磁屏蔽聚丙烯复合材料及其制备方法和用途 |
KR20150096655A (ko) * | 2012-12-19 | 2015-08-25 | 도다 고교 가부시끼가이샤 | 전자파 간섭 억제체 |
CN103087624B (zh) * | 2013-01-31 | 2016-05-18 | 南昌航空大学 | 一种紫外光固化聚苯胺/FeSO4吸波涂层及其制备方法 |
US10256460B2 (en) | 2013-03-11 | 2019-04-09 | Fluidic, Inc. | Integrable redox-active polymer batteries |
US11003870B2 (en) | 2014-01-10 | 2021-05-11 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Redox active polymer devices and methods of using and manufacturing the same |
US9990578B2 (en) | 2014-05-13 | 2018-06-05 | Arizon Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Redox active polymer devices and methods of using and manufacturing the same |
CN105063544A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-11-18 | 马鞍山蓝科再制造技术有限公司 | 一种纳米颗粒防电磁干扰的热障涂层及其制作方法 |
CN106003959A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 胡银坤 | 一种电磁屏蔽膜及其制备方法 |
CN109534481A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-03-29 | 安徽环境科技股份有限公司 | 一种含酚废水的处理方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3310423A (en) * | 1963-08-27 | 1967-03-21 | Metco Inc | Flame spraying employing laser heating |
US3406228A (en) * | 1964-06-17 | 1968-10-15 | Cabot Corp | Method of producing extremely finely-divided oxides |
BE790704A (fr) * | 1971-10-28 | 1973-02-15 | Degussa | Procede pour la fabrication d'oxydes finement |
US4048290A (en) * | 1976-01-28 | 1977-09-13 | Cabot Corporation | Process for the production of finely-divided metal and metalloid oxides |
US4371742A (en) * | 1977-12-20 | 1983-02-01 | Graham Magnetics, Inc. | EMI-Suppression from transmission lines |
DE3307974A1 (de) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Bergwerksverband Gmbh, 4300 Essen | Verfahren zur gewinnung von stickstoff |
US4468474A (en) * | 1983-05-16 | 1984-08-28 | Allied Corporation | Iron/silicon-based catalyst exhibiting high selectivity to C2 -C62 Fischer-Tropsch reactions |
US4554291A (en) * | 1983-05-16 | 1985-11-19 | Allied Corporation | Iron/silicon-based catalyst exhibiting high selectivity to C2 -C62 Fischer-Tropsch reactions |
EP0151490B1 (en) * | 1984-02-09 | 1991-01-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process for producing ultra-fine ceramic particles |
US4548798A (en) * | 1984-04-16 | 1985-10-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Laser synthesis of refractory oxide powders |
JPS61158613A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社デンソー | 高周波吸収セラミツクス |
JPS6252129A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-06 | Tokuyama Soda Co Ltd | 微小な金属酸化物粒子の製造方法 |
JPS6312198A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収電磁シ−ルド材料 |
DE3739002A1 (de) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Veba Oel Ag | Metallmischoxidpulver, deren mischungen, metalloxidpulver und deren verwendung bei der katalytischen dehydrierung von kohlenwasserstoffen |
US4963291A (en) * | 1988-06-13 | 1990-10-16 | Bercaw Robert M | Insulating electromagnetic shielding resin composition |
US5207878A (en) * | 1989-01-18 | 1993-05-04 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for the preparation of fine particulate metal-containing compound |
GB8913512D0 (en) * | 1989-06-13 | 1989-08-02 | Cookson Group Plc | Coated particulate metallic materials |
JP2638207B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1997-08-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
US5075034A (en) * | 1989-09-08 | 1991-12-24 | The Dexter Corporation | Induction curable two-component structural adhesive with improved process ability |
US5030332A (en) * | 1990-04-19 | 1991-07-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for making magnetic oxide precipitates |
FR2666443A1 (fr) * | 1990-08-31 | 1992-03-06 | Commissariat Energie Atomique | Materiau a base de polymere conducteur electronique comprenant des particules magnetiques et son procede de fabrication. |
DE4124458A1 (de) * | 1991-07-24 | 1993-01-28 | Degussa | Emi-abschirmpigmente, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung |
US5366664A (en) * | 1992-05-04 | 1994-11-22 | The Penn State Research Foundation | Electromagnetic shielding materials |
US5314727A (en) * | 1992-07-28 | 1994-05-24 | Minnesota Mining & Mfg. Co./Regents Of The University Of Minnesota | Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium |
US5417956A (en) * | 1992-08-18 | 1995-05-23 | Worcester Polytechnic Institute | Preparation of nanophase solid state materials |
US5358695A (en) * | 1993-01-21 | 1994-10-25 | Physical Sciences, Inc. | Process for producing nanoscale ceramic powders |
US5447708A (en) * | 1993-01-21 | 1995-09-05 | Physical Sciences, Inc. | Apparatus for producing nanoscale ceramic powders |
US5519585A (en) * | 1993-04-12 | 1996-05-21 | Dell Usa, L.P. | Sandwiched insulative/conductive layer EMI shield structure for printed circuit board |
CN1064777C (zh) * | 1993-06-24 | 2001-04-18 | 卡耐基米龙大学 | 金属、合金或金属碳化物的纳米颗粒及其制备方法 |
JP3029227B2 (ja) * | 1993-08-11 | 2000-04-04 | 北川工業株式会社 | 電磁波シールド材 |
JP2956875B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1999-10-04 | 矢崎総業株式会社 | 電磁遮蔽用成形材料 |
JP3367241B2 (ja) * | 1994-12-13 | 2003-01-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 低反射性・電磁シールド性透明導電膜とその形成用塗料 |
US5700398A (en) * | 1994-12-14 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Composition containing a polymer and conductive filler and use thereof |
KR0158081B1 (ko) * | 1995-07-14 | 1998-12-01 | 정명세 | 복합형 광대역 전자파 흡수체 |
US5714536A (en) * | 1996-01-11 | 1998-02-03 | Xerox Corporation | Magnetic nanocompass compositions and processes for making and using |
-
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