JP2001521980A - 蛍光物質 - Google Patents
蛍光物質Info
- Publication number
- JP2001521980A JP2001521980A JP2000519052A JP2000519052A JP2001521980A JP 2001521980 A JP2001521980 A JP 2001521980A JP 2000519052 A JP2000519052 A JP 2000519052A JP 2000519052 A JP2000519052 A JP 2000519052A JP 2001521980 A JP2001521980 A JP 2001521980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- average diameter
- phosphor particles
- phosphor
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0805—Chalcogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0805—Chalcogenides
- C09K11/0811—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7701—Chalogenides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
粒子を使用して作られた装置に関する。本発明は、更に蛍光物質粒子を製造する
方法に関する。
物質をしばしば使用する。蛍光性物質は、陰極線管、平坦パネルディスプレー等
を製造するための基質に適用することができる。ディスプレー装置の改良は、例
えば電子速度を減少しそしてディスプレーの解像度を増加するために、蛍光性物
質に厳しい要求を課す。電子速度は、電力需要量を減少するために減少される。
特に平板パネルディスプレーは、一般的に低速電子に反応する蛍光物質を必要と
する。
波長の光を放射する、選択的に励起できる物質又は物質の組み合わせの使用を必
要とする。種々の物質が蛍光物質として使用されてきた。所望の波長の光を放射
する物質を得るために、活性化剤が蛍光物質に添加されてきた。別の方法として
、所望の放射を得るために複数の蛍光物質を混合できる。更に蛍光物質は、充分
な発光を示さなければならない。
ば、約100nm以下の平均直径の粒子は、粒子直径の関数である放射周波数に
より変更されたバンドギャップを有する。従って、狭い直径分布を持つこれら粒
子の集合体は、選択された放射周波数を得るために、粒子組成を不必要に変更す
ることなく使用することができる。粒子の小さいサイズは、また加工上の利益と
同様に、高い発光性、低速電子への反応性という結果が得られる。レーザー熱分
解は、狭い粒子サイズ分布を持つ、高純度のナノスケールの粒子の製造の効率的
な方法を提供する。
放射を得るために、選択された平均直径を有する蛍光物質粒子を含むディスプレ
ー装置、及び約100nm以下の平均直径を有する蛍光物質粒子を特徴とする。
蛍光物質粒子は、ZnO、ZnS、TiO2及びY2O3のような金属化合物を含 むことができる。蛍光物質粒子は、好ましくは約5nmないし約50nmの平均
直径、そして粒子の少なくとも約95パーセントが平均直径の約60パーセント
以上及び平均直径の約140パーセント以下の直径を有するような直径分布を有
する。ある態様においては、蛍光物質の励起は低速電子によって達成される。
写真製版による適用のための組成物、励起に続く電磁スペクトルの選択された部
分の光放射を得るために選択された平均直径及び直径分布を有する蛍光物質粒子
、並びに約100nm以下の平均直径を有する蛍光物質粒子を特徴とする。硬化
性ポリマーは、UV放射又は電子ビーム放射による硬化性であることができる。
蛍光物質粒子は好ましくは約5nmないし約50nmの平均直径を有する。
亜鉛前駆物質、酸化剤及び放射線吸収ガスを含む分子流を反応室中で熱分解する
工程を含み、このとき熱分解がレーザービームから吸収した熱によって行われる
、という方法を特徴とする。 酸化亜鉛粒子は、好ましくは約150nm以下の平均直径、そして更に好ましく
は約5nmないし約50nmの平均直径を有する。本方法の実行において、レー
ザービームは好ましくはCO2レーザーによって発生されそして分子流は好まし くは一次元に細長い。適当な亜鉛前駆物質はZnCl2を含む。
亜鉛前駆物質、硫黄源及び放射線吸収ガスを含む分子流を反応室中で熱分解する
工程を含み、このとき熱分解がレーザービームから吸収した熱によって行われる
、という方法を特徴とする。
求の範囲から明白である。
。特に、およそ100nm又はそれ以下の粒子は、ディスプレーを製造するため
の優れた加工特性を有し、そしてそれらは良好な発光性を有している。有意には
、これらの物質のバンドギャップは、およそ100nm又はそれ以下の直径では
サイズ依存である。従って、選択された直径分布の狭い粒子は、一つの色(波長
)の蛍光物質として使用することができて、一方同一又は異なった物質の同様に
選択された平均直径及び狭いサイズ分布の粒子は、異なった色の蛍光物質として
使用することができる。更に、小さいサイズの粒子は、高解像度のディスプレー
の製造に利益があることができる。
激による放射が減衰するまでに有意な時間がある。特に、人間が認識することが
できるように充分な放射の持続性がなければならない。適当な粒子は、一般的に
半導体であり、そしてこれらの放射周波数は、バンドギャップによって決定され
る。好ましくは、僅かなエネルギーしか熱として浪費されないように、発光状態
は、励起エネルギーに適度に接近したエネルギーを有する。
nS、TiO2及びY2O3粒子を効率よく製造する優れた方法である。適当な小 さいサイズの粒子の製造のための、好結果の得られるレーザー熱分解の適用の基
本的な特徴は、金属前駆物質の化合物、放射線吸収剤及び酸素又は硫黄源として
働く適宜な反応物を含む分子流の製造である。分子流は強力なレーザービームに
よって熱分解される。レーザー放射の吸収から得られる強力な熱は、酸素又は硫
黄雰囲気中の金属化合物前駆物質の反応を誘導する。分子流がレーザービームを
去る時に、粒子は急速にクエンチされる。
製造のための価値ある道具であることが認められた。更に、レーザー熱分解によ
り製造された金属酸化物及び硫化物粒子は、所望の金属化合物粒子の製造の経路
を拡大する更なる加工に都合の良い物質である。従って、レーザー熱分解を単独
で又は追加の方法と組み合わせて使用することにより、幅広い種類の金属酸化物
及び硫化物粒子を製造することができる。ある場合には、別の製造経路で同等の
粒子の製造を行うことができる。
ー熱分解の反応条件は、所望の特性の粒子を製造するために比較的正確に制御す
ることができる。ある型の粒子を製造する適当な反応条件は、一般的に特定の装
置の設計に依存する。然しながら、反応条件及び得られる粒子間の関係について
、ある一般的な所見は得ることができる。
、反応物ガスの流量又は速度を増加させると、より小さい粒子サイズが得られる
傾向がある。また、粒子の成長動力学も、得られる粒子のサイズに有意な影響を
有する。言い換えれば、異なった結晶型の金属化合物は、比較的同様の条件下で
他の結晶型とは異なったサイズの粒子を形成する傾向を有する。レーザー電力も
また粒子のサイズに影響し、レーザー電力を増加すると低融点の物質のより大き
い粒子の形成に、そして高融点物質のより小さい粒子の形成に好都合である。
望の量の前駆物質蒸気を得るために充分な蒸気圧を持つ金属化合物を含む。前駆
物質化合物を保持する容器は、必要に応じて、金属化合物前駆物質の蒸気圧を増
加するために加熱することができる。好ましいチタン前駆物質は、例えば、Ti
Cl4及びTi[OCH(CH3)2]4(四−I−プロポキシ化チタン)を含む。
好ましいイットリウム前駆物質は、Y5O(OC3H7)13(イソプロポキシ化酸 化イットリウム)を含む。好ましい亜鉛前駆物質は、例えば、ZnCl2を含む 。ZnCl2蒸気は、固体ZnCl2を加熱及び、所望により、溶融することによ
り発生させることができる。例えば、ZnCl2は、約500℃の温度で約5m mHgの蒸気圧を有する。ZnCl2前駆物質を使用する場合、反応室及びノズ ルは、前駆物質が凝縮することを避けるために好ましくは加熱される。
る反応物化合物は、反応域に入る前に金属前駆物質化合物と有意に反応してはな
らない。
レーザーは、電磁スペクトルの赤外線部分で操作される。CO2レーザーは特に 好ましいレーザー光線源である。分子流に含まれる赤外線吸収剤は、例えば、C 2 H4、NH3、SF6、SiH4及びO3を含む。O3は、赤外線吸収剤及び酸素源 の両者として働く。赤外線吸収剤のような放射線吸収剤は、放射ビームからエネ
ルギーを吸収し、そして熱分解を起こすためにエネルギーを熱として他の反応物
に分配する。
強力な発熱反応により一般的に発生されるエネルギーの何倍もの速度の、驚異的
な速度で温度を増加させる。工程は一般的に非平衡状態を含むので、温度は、吸
収域でのエネルギーに基づいて概略表記することができる。レーザー熱分解法は
、エネルギー源が反応を惹起するが、反応は発熱反応により放出されるエネルギ
ーによって継続する燃焼反応器中の方法とは、質的に異なる。
を減少させるために使用することができる。適当な遮蔽ガスは、例えば、Ar、
He及びN2を含む。
でいる。反応物供給系に接続された反応物入り口は、反応室を通して分子流を発
生する。レーザービーム経路は、反応域で分子流と交差する。分子流は反応域後
も出口まで継続し、ここで分子流は反応室を出て収集系に進む。一般的に、レー
ザーは反応室の外部に設置され、そしてレーザービームは適当な窓を通して反応
室に入る。
室104、収集系106及びレーザー108を含んでいる。反応物供給系102
は、金属化合物前駆物質の供給源120を含む。液体前駆物質に対しては、前駆
物質の移動を促進するために、担体ガス源122からの担体ガスを液体前駆物質
を含む前駆物質源120に導入することができる。供給源122からの担体ガス
は、好ましくは赤外線吸収ガス又は不活性ガスのいずれかであり、そして好まし
くは液体の金属化合物前駆物質を通して泡状で流す。反応域での前駆物質蒸気の
量は、担体ガスの流量に概略比例する。
126から直接供給することができる。酸素又は硫黄源として使用する反応物は
、ガスボンベ若しくは他の適当な容器であっても良い反応物源128から供給さ
れる。金属化合物前駆物質源120からのガスは、反応物源128、赤外線吸収
剤源124及び不活性ガス源126からのガスと配管130の単管部分でガスを
一緒にすることにより混合される。ガスは、反応室104から充分な距離一緒に
され、反応室104に入る前にガスが充分に混合されるようにする。配管130
中の混合ガスは、ダクト132を通り、反応物を反応室に導く注入ノズルの一部
を形成する方形のチャネル134に入る。
量流量制御器136によって制御される。質量流量制御器136は、好ましくは
制御された流量を各々対応する制御源から与えられる。適当な質量流量制御器は
、例えば、Edwards High Vacuum Internation
al,Wilmington,MAからのEdwards Mass Flow
Controller,Model 825 seriesを含む。
0に接続されている。質量流量制御器144が、不活性ガスダクト140への不
活性ガスの流れを調節する。不活性ガス源126もまた所望によりダクト140
の不活性ガス源として機能できる。
ル202で主室200に接続されている。注入ノズル202の末端は、不活性遮
蔽ガスの通路のための環状開口部204及び反応室中の分子流を形成する反応物
ガスの通路のための方形のスリット206を有する。環状開口部204は、例え
ば約38mm(約1.5インチ)の直径及び直径方向に沿った約1.6mm(約
1/16インチ)の幅を有する。環状開口部204を通る遮蔽ガスの流れは、反
応室104全体での反応物ガス及び生成物粒子の分散の防止を補助する。
部分208、210は、それぞれZnSeの窓212、214を含む。窓212
、214は約25mm(約1インチ)の直径である。窓212,214は、好ま
しくはノズル開口部の中心のちょうど下の点にビームの焦点を合わせるような、
反応室の中心とレンズの表面間の距離と等しい焦点距離を持つ平面焦点レンズで
ある。窓212,214は、好ましくは抗反射被覆を有する。適当なZnSeレ
ンズはJanos Technology,Townshend,Vermon
tから入手可能である。管状部分208、210は、窓212、214が反応物
又は生成物により汚染されることがより少ないように主室200から離れた窓2
12、214の設置を提供する。窓212、214は、例えば主室200の端か
ら約3cm離れている。
のO−リングによって管状部分208、210と密封されている。管状入り口2
16、218は、窓212、214の汚染を減少するための管状部分208、2
10への遮蔽ガスの流れを提供する。管状入り口216、218は、不活性ガス
源138又は別の不活性ガス源に接続されている。いずれの場合も、好ましくは
入り口216、218への流れは質量流量制御器220によって制御される。
222を発生するように調整される。窓212、214は、主室200を通り反
応域224で反応物の流れと交差するレーザー光線の経路を規定する。窓214
を出た後、レーザービーム222は、ビーム緩衝器としても働く電力計226に
当たる。適当な電力計は、Coherent Inc.,Santa Clar
a,CAから入手可能である。レーザー108は、アーク灯のような強力な慣用
された光源と置き換えることができる。好ましくは、レーザー108は、赤外線
レーザー、特にPRC Corp.,Landing,NJから入手可能な18
00ワット最大出力レーザーのような、CW CO2レーザーである。
分子流は反応域224を通過し、ここで金属前駆物質化合物を含めた反応が起こ
る。反応域224中でのガスの加熱は、特定の条件にもよるが概略105℃/秒 というように、非常に急速である。反応は、反応域224を去ると急速にクエン
チされ、そして分子流中に粒子228が形成される。工程の非平衡的性質は、高
度に均一なサイズ分布及び構造の均質性を持った粒子の製造を可能にする。
ル202から約2cmの間隔を持っている。注入ノズル202と収集ノズル23
0間の小さい間隔は、反応物及び生成物による反応室104の汚染を減少するこ
とを援助する。収集ノズル230は、円形の開口部232を有する。円形開口部
232から収集系106に送る。
に約5Torrないし約1000Torrの範囲である。
管状部分の一つは図1の断面図の平面に向かって突き出しており、そして第2の
付加的管状部分は図1の断面図の平面から突き出している。上から見た場合、4
個の管状部分が反応室の中心の周りに概略対称的に分布している。これらの付加
的管状部分は、反応室内部を観察する窓を有している。このような装置の構成に
おいて、2個の付加的管状部分は粒子の製造の促進には使用されていない。
とができる。粒子の小さいサイズのために、生成物粒子は、曲線の周囲のガスの
流れに従う。収集系106は、ガス流中に生成物粒子を収集するフィルター25
2を含む。材料が不活性でそして粒子を捕獲するために充分な細かさの篩である
限り、テフロン、ガラス繊維等の各種の材料を使用することができる。フィルタ
ーのための好ましい材料は、例えばACE Glass Inc.,Vinel
and,NJ.からのガラス繊維フィルターを含む。
種々の異なったポンプを使用できる。ポンプ254として使用するための適当な
ポンプは、例えば、Busch, Inc.,Virginia Beach,
VAからの約0.7m3/分(毎分約25立方フィート(cfm))のポンプ容 量を持つBusch Model B0024ポンプ及びLeybold Va
cuum Products,Export,PAからの約5.5m3/分(約 195cfm)のポンプ容量を持つLeybold Model SV300ポ
ンプを含む。ポンプの吐出を大気中に放出する前に、残留するいかなる反応性化
学薬品をも除去するためにスクラバー256を通して流すことが望ましい。換気
上の目的及び安全上の考慮から、装置100全体をヒュームフード中に置くこと
ができる。一般的にレーザーは、その大きなサイズからヒュームフードの外側に
残される。
ーザーを制御し、そして反応室の圧力を監視する。コンピューターを反応物及び
/又は遮蔽ガスの流量の制御に使用することができる。ポンプの流量は、ポンプ
254とフィルター252間に挿入された手動のニードル弁又は自動の絞り弁の
いずれかによって制御される。フィルター252に粒子が集積することによって
反応室圧力が増加した時に、ポンプ流量及び対応する反応室圧力を維持するため
に手動弁又は絞り弁を調節することができる。
の圧力を維持できなくなるほど、フィルター252に充分な粒子が収集されるま
で継続することができる。反応室104の圧力を所望の値に維持できなくなった
時、反応を停止しそしてフィルター252を取り外す。この態様において、1回
の実行で反応室の圧力を維持できなくなる前に、約3−75グラムの粒子を収集
することができる。1回の実行は、製造する粒子の型及び特定のフィルターにも
よるが、一般的に約10分ないし約3時間継続する。従って顕微鏡的量の粒子、
即ち、肉眼で見える量を製造することは簡単である。
ザーは一般的に約0.5パーセントの電力安定性を有する。手動制御及び絞り弁
のいずれでも、反応室圧力は約1パーセント以内に制御できる。
代案の構成において、反応物は反応室の底部から供給され、そして生成物粒子は
反応室の頂部から収集される。この代案の構成は、周囲のガスに浮揚する傾向の
ある粒子生成物の僅かに高い収集が得られる傾向がある。この構成においては、
収集フィルターが反応室の上部に直接設置されないように、収集系に曲線部分を
含むことが好ましい。
として援用される“化学反応による効率的な粒子の製造”の表題の本発明と同一
の譲受人の出願になる米国特許出願公開08/808,850を参照されたい。
この代案の設計は、レーザー熱分解による商業規模の量の粒子の製造を容易にす
ることを意図している。反応室に反応物質を注入するための各種の構成が記載さ
れている。
そして資源を効率的に使用するために設計された反応室を含む。このような目的
を達成するために、反応室は分子流の外側の不用な空間を減少するように、概ね
細長い反応物入り口の形状に適合させる。ガスは、不用な空間に集積し、散乱又
は反応に関与しない分子による吸収により無駄な放射の量を増加させる。更に、
不用空間内の減少したガス流量のために、粒子は不用空間に集積することができ
て反応室の汚染を引き起こす。
ャネル302は、ブロック304内に設置されている。ブロック304の面30
6は、導通路308の一部を形成する。導通路308のもう一つの部分は、末端
310において主室312の内部表面と合わさる。導通路308は、遮蔽ガス入
り口314で終わる。ブロック304は、反応及び所望の条件によって、細長い
反応物入り口316と遮蔽ガス入り口314の間の関係を変更するために、位置
の変更又は交換をすることができる。遮蔽ガス入り口314からの遮蔽ガスは、
反応物入り口316で発生する分子流の周りの被覆を形成する。
うに設計される。1800ワットのCO2レーザーを使用する場合、金属酸化物 又は金属硫化物粒子の製造のための反応物入り口の妥当な寸法は、約5mmない
し約1メートルである。
312は、粒子産物、未反応のいずれものガス及び不活性ガスを除去するために
、分子流に沿った出口318を含む。管状部分320、322が、主室312か
ら突き出している。管状部分320、322は、反応室300を通るレーザービ
ーム経路328を規定する窓324、326を保持している。管状部分320、
322は、遮蔽ガスを管状部分320、322に導入するための遮蔽ガス入り口
330、332を含むことができる。
を停止せずに大量の粒子を収集するか、又は好ましくは、収集系内の別の粒子収
集器間で切り替えを行うことにより連続製造運転するように設計することができ
る。収集系は、流れの経路の中に、図1に示した収集系の曲線部分と同様な曲線
部品を含むことができる。反応物注入部品及び収集系の構成は、粒子を装置の頂
部で収集するように反転することができる。
ができる。例えば、酸化物のナノスケール粒子は、酸素含有量及び/又は金属酸
化物の結晶構造を変更するために、酸化雰囲気又は不活性雰囲気のオーブン中で
加熱することができる。ナノスケールの金属酸化物のオーブン中での加工につい
ては、本命細書中に参考文献として援用される“熱による酸化バナジウム粒子の
加工”の表題の本発明と同一の譲受人の出願になる、そして同時係属中の米国特
許出願公開08/897,903に更に開示されている。
ことに多分使用することができる。温和な条件、即ち粒子の融点より充分低い温
度の使用は、粒子をより大きい粒子に有意に焼結することなしに、化学量論又は
金属酸化物の結晶構造の変更をもたらすことができることが見出された。
0の例を図4に示す。装置400は、その中に粒子が置かれる管402を含む。
管402は、反応性ガス源404及び不活性ガス源406に接続されている。所
望の雰囲気を作り出す反応物ガス、不活性ガス又はその混合物が管402に入れ
られる。
す適当な反応物ガスは、例えばO2、O3、CO、CO2及びこれらの組み合わせ を含む。反応物ガスは、Ar、He、及びN2のような不活性ガスで希釈できる 。管402中のガスは、所望により全て不活性ガスであることができる。反応物
ガスは、加熱される粒子の化学量論的な変化とならないかもしれない。
望により加工工程を通して温度を系統的に変化できるが、管の関係する部分を比
較的一定の温度に維持する。オーブン408の温度は、一般的に熱伝対410に
よって測定される。粒子は、管402中にガラス瓶412に入れて置くことがで
きる。ガラス瓶412は、ガス流による粒子の損失を防止する。ガラス瓶412
は、一般的に開口端をガス流の源の方向に向けて置かれる。
活性ガスの濃度、ガスの圧力又は流量、温度及び加工時間を含む正確な条件は、
選択することができる。温度は一般的に温和である、即ち、物質の融点より有意
に低い。温和な条件の使用により、より大きな粒子サイズを得ることとなる粒子
間の焼結を避けられる。僅かに高い温度のオーブン408で、僅かに大きい平均
粒子直径を得るために、金属酸化物粒子のある程度制御された焼結を行うことが
できる。
約1000℃そして更に好ましくは約80℃ないし約500℃の範囲である。粒
子は、好ましくは約1時間ないし約100時間加熱される。所望の物質を得るた
めに適当な条件を得るためには、ある程度の経験による調節が必要となるかもし
れない。
0nmそして更に好ましくは約5nmないし約100nm、そして更になお好ま
しくは約5nmないし約50nmの平均直径を有する。粒子は一般的に概略球形
の全体的外観を有している。詳細な検査では、粒子は一般的に基礎をなす結晶格
子に対応する小面を有する。いずれにせよ粒子は物理的3次元に概略等しい成長
を示す傾向があり、全体として球状の外観を与える。非対称粒子の直径の測定は
、粒子の主軸に沿った長さの測定値の平均に基づいている。主軸に沿った測定の
それぞれが、好ましくは、少なくとも粒子の約95パーセント、そして更に好ま
しくは少なくとも粒子の98パーセントにおいて約1ミクロン以下である。
より緩い塊を形成する傾向がある。それにもかかわらず、粒子のナノメートルス
ケール(即ち一次粒子)は、粒子の透過型電子顕微鏡写真で明確に認識される。
結晶性粒子については、粒子サイズは一般的に結晶サイズに対応する。粒子は、
一般的に顕微鏡写真で観察されたようなナノメートルスケールの粒子に対応する
表面積を有する。
特の特性を示す。特に関連することは、更に以下に記載するが、粒子が変更され
たバンド構造を有することである。粒子の表面積の大きいことは、一般的に粒子
の高い発光効率につながる。
電子顕微鏡写真の検査から決定されたように、粒子は、一般的に少なくとも粒子
の約95パーセントが平均直径の約40パーセント以上、及び平均直径の約16
0パーセント以下の直径を有するようなサイズ分布を有する。好ましくは、粒子
は、少なくとも粒子の約95パーセントが平均直径の約60パーセント以上、及
び平均直径の約140パーセント以下の直径を有するような直径分布を有する。
狭いサイズ分布は、以下に記載するような各種の適用において活用することがで
きる。一部の適用においては、所望の粒子直径分布及び組成を得るために、それ
ぞれが狭い直径分布を有する粒子の数種の集合体を混合することが望ましいかも
しれない。
増加は、概略1/(粒子サイズ)2に比例する。特に小さい粒子サイズにおいて は、個々の分子軌道関数が更に顕著な役割を果たすので、状態密度はバンド記述
が不完全になるかもしれないほど充分低くなるかもしれない。定性的な傾向は、
電子的特性の分子軌道関数の記述を考慮に入れる必要性に関係なく、保持される
べきである。
りが減少するために狭くなる。結果は平均粒子直径に依存する、最大の放射を持
つより鋭い放射スペクトルである。従って、非常に小さい粒子直径の使用は、粒
子を第2の金属で活性化する必要なく、放射特性の調節を可能にするかもしれな
い。
子が層内部に深く侵入できないかもしれないので、低速度電子との使用において
利益がある。粒子の小さいサイズは、また例えばパターンの素子間に鋭い縁を持
った、写真製版を使用する小さいパターンの形成の助けとなる。小さく鋭く分離
された素子の製造は、高解像度のディスプレー装置の形成に重要である。
上記の方法により製造した金属酸化物及び硫化物粒子は、結晶形成過程が格子か
ら不純物を排除する傾向があるために反応ガスより高い純度を有することが期待
される。更に、レーザー熱分解によって製造された金属酸化物及び硫化物粒子は
、一般的に高度の結晶化度及び僅かな表面の歪みを有する。
ザー熱分解は一般的に単一相の結晶粒子の製造に、効率よく使用することができ
る。一次粒子は、一般的に物質の単一結晶からなる。粒子の単一相、単一結晶の
特性は、均質性及び狭いサイズ分布と共に利益を伴なって使用することができる
。ある条件下では、アモルファスな粒子がレーザー熱分解によって形成されるか
もしれない。一部のアモルファス粒子は、結晶性粒子を形成するために、温和な
条件下で加熱することができる。
方晶系結晶格子を有する。Y2O3は、立方晶系結晶格子を有する。
3種類の結晶相があることで知られている。アナターゼ及びルチル相は、四面体
結晶格子を有し、そして板チタン石は、斜方晶系結晶構造を有する。レーザー熱
分解の条件は、TiO2の単一の選択された相の形成に有利であるように変更す ることができる。更に、小さい金属酸化物粒子を温和な条件下で加熱することは
、物質の相又は組成を変更するのに有用かもしれない。
続き光を、好ましくは可視光線を放出する。蛍光物質を励起するには種々の方法
を使用することができ、そして特定の蛍光物質は一つ又はそれ以上の励起方法に
反応しても良い。発光の特定の形式は、それぞれ電子、光及び電場による励起を
含む陰極線発光、光発光及び電場発光を含む。陰極線発光蛍光物質として適当な
物質の多くは、電場発光蛍光物質としてもまた適当である。
の電位によって加速された電子による、低速電子励起に適している。粒子の小さ
いサイズは、粒子を低速電子励起に適させる。更に、粒子は、低電子速度励起に
より高い発光を作り出す。蛍光物質粒子は、低速電子、高速電子又は電場に基づ
いた各種のディスプレー装置のいずれもの製造に使用することができる。
陽極502を含む。蛍光物質層は、蛍光物質を励起するために使用する電子の供
給源である、適当な形状を持つ陰極506に面する。陰極506から陽極502
への電子の流れを制御するために、格子状陰極508を陽極502及び陰極50
6間に置くことができる。
Tsは、一般的に比較的より高い電子速度を使用する。先に記したような蛍光物
質粒子は、蛍光物質層の厚みを減少しそして一定の光度に対する蛍光物質の量を
減少する、異なった色の粒子を供給する都合の良い方法として、なお利益を伴な
って使用することができる。CRTsは、陽極及び陰極が比較的大きな距離を持
って離れていること、そして陰極から陽極への電子を誘導するために格子状電極
ではなく操作電極を一般的に使用していることを除いて、図5に示したような一
般的な構造を有している。
スプレーは、例えば液晶又は電場放出装置に基づくことができる。液晶ディスプ
レーは種々の光源のいずれにも基づくことができる。蛍光物質は、液晶ディスプ
レーの照明を作り出すために有用でありえる。図6において、液晶素子530は
、液晶層536を囲む少なくとも部分的に光透過性の基質532、534を含む
。照明は、陽極540上の蛍光物質層538によって与えられる。陰極542は
、蛍光物質層538を励起する電子の供給源を提供する。別の態様は、例えば、
本命細書中に参考文献として援用される米国特許第5,504,599号に記載
されている。
できる。図7において、電場発光ディスプレー550は、第1電極として機能す
る電導性基質552を有する。電導性基質552は、例えばアルミニウム、黒鉛
等から製造できる。第2の電極554は、透明であり、そして例えば錫酸化イン
ジウムから形成できる。誘電性層556を電極552、554間に第1の電極5
52に近づけて置いても良い。誘電性層556は、シアノエチルセルロース又は
シアノエチルデンプンのような誘電性結合剤558を含む。誘電性層556は、
またチタン酸バリウムのような強誘電性物質560を含むことができる。誘電性
層556は、直流励起電場発光装置には(交流励起と対照的に)必要ないかもし
れない。蛍光物質層562は、透明電極554及び誘電性層556の間に置かれ
る。蛍光物質層562は、誘電性結合剤566中の電場発光粒子564を含む。
イッチの照明のような他のディスプレーへの適用にも使用することができる。更
に、液晶/電場発光を組み合わせたディスプレーも設計されている。本命細書中
に参考文献として援用される、Fuh等、Japan J.Applied P
hys.33:L870−L872(1994)を参照されたい。
比較的小さな距離を置いて設置された陰極584を含む。各々の電極対は、個々
にアドレスで呼び出し可能な画素を形成する。蛍光物質層586が各々の陽極5
82及び陰極584間に設置されている。蛍光物層586は、先に記載したよう
な蛍光性のナノ粒子を含んでいる。選択された放射周波数の蛍光性の粒子を特定
のアドレスで呼び出し可能な場所に置くことができる。蛍光物質層586は、陰
極584から陽極582に移動する低速電子によって励起される。蛍光物質層5
86に向かう電子のオン/オフスイッチとして働くと同様に、電子ビームを加速
しそして焦点を合わせるために格子状電極588を使用することができる。電気
的な絶縁層が陽極582と格子状電極588間に置かれる。素子は、一般的に写
真製版又はスパッタリング及び化学蒸着のような集積回路製造のための同等の技
術により製造される。図8に示したように、蛍光物質586により放射された光
が透過出来るように、陽極は少なくとも部分的に透明でなければならない。
2号は、所望の光の伝播方向に沿って稜(面ではなく)を持って置かれた蛍光物
質層を有する電場放射装置を組み込んだディスプレーを開示している。この特許
に開示された構造体は、所望の周波数を放射する蛍光物質を使用するのではなく
、所望の色の放射ためにカラーフィルターを組み込んでいる。先に記載した粒子
に基づけば、選択された蛍光物質粒子は好ましくは、異なった色の光を出すこと
に使用され、それによってカラーフィルターの必要を排除するであろう。
に適合させることができる。
ナノ粒子は、基質への適用のために硬化性ポリマーのような結合剤と混合するこ
とができる。硬化性結合剤及び蛍光物質ナノ粒子を含む組成物は、集積回路盤の
形成に使用されるような基質をかたどる写真製版又は他の適当な技術によって、
基質に適用することが出来る。組成物が一旦基質の適当な位置に置かれたならば
、物質をポリマーを硬化するための適当な条件に晒すことが出来る。ポリマーは
、電子ビーム放射、UV放射又は他の適当な技術によって硬化することができる
。
明の更なる態様は特許請求の範囲にある。当業者によって了解されるように、上
記の方法及び装置に対する多くの変更は、特許請求の範囲に規定されたことのみ
に制限される本発明の思想及び範囲からはずれることなく、当業者によって行う
ことができるであろう。
面図である。上部の挿入図は、注入ノズルの底面図であり、そして下部挿入図は
、収集ノズルの平面図である。 図2は、レーザー熱分解装置の別の態様の反応室の概略透視図であり、装置の
内部を明示するために、反応室の材料は透明なものとして描写されている。 図3は、図2の反応室の線3−3に沿う断面図である。 図4は、粒子を加熱するためのオーブンの概略断面図であり、断面は石英管の
中心に沿うものである。 図5は、蛍光物質の層を組み込んだディスプレー装置の態様の断面図である。 図6は、蛍光物質を照明のために組み込んだ液晶ディスプレー装置の態様の断
面図である。 図7は、電場発光ディスプレーの断面図である。 図8は、電場放出によるディスプレーを組み込んだ平坦パネルディスプレーの
態様の断面図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 励起に続いて起こる電磁スペクトルの所望する部分の光放射
を得るために選択された平均直径を有する蛍光物質粒子を含むディスプレー装置
であって、そして前記蛍光物質粒子が約100nm以下の平均直径を有する、前
記ディスプレー装置。 - 【請求項2】 前記蛍光物質粒子がZnO、ZnS、TiO2及びY2O3か らなる群から選択される金属化合物を含む、請求項1記載のディスプレー装置。
- 【請求項3】 前記金属化合物がZnOである、請求項2記載のディスプレ
ー装置。 - 【請求項4】 前記蛍光物質粒子が約5nmないし約50nmの平均直径を
有する、請求項1記載のディスプレー装置。 - 【請求項5】 前記蛍光物質粒子が、粒子の少なくとも約95パーセントが
平均直径の約60パーセント以上、及び平均直径の約140パーセント以下の直
径を有するような直径分布を有する、請求項1記載のディスプレー装置。 - 【請求項6】 前記光放射が低速電子励起に続いて起こる、請求項1記載の
ディスプレー装置。 - 【請求項7】 蛍光物質粒子及び硬化性ポリマーを含む写真製版による適用
のための組成物であって、前記蛍光物質粒子が励起に続いて起こる電磁スペクト
ルの選択された部分の光放射を得るために選択される平均直径及び直径分布を有
し、そして前記蛍光物質粒子が約100nm以下の平均直径を有する、前記組成
物。 - 【請求項8】 前記硬化性ポリマーがUV放射による硬化性である、請求項
7記載の組成物。 - 【請求項9】 前記硬化性ポリマーが電子ビーム放射による硬化性である、
請求項7記載の組成物。 - 【請求項10】 前記蛍光物質粒子が約5nmないし約50nmの平均直径
を有する、請求項7記載の組成物。 - 【請求項11】 前記蛍光物質がZnOを含む、請求項7記載の組成物。
- 【請求項12】 前記光放射が低速電子励起に続いて起こる、請求項7記載
の組成物。 - 【請求項13】 酸化亜鉛粒子を製造する方法であって、亜鉛前駆物質、酸
化剤及び放射線吸収ガスを含む分子流を反応室中で熱分解する工程を含み、前記
熱分解がレーザービームから吸収した熱によって行われる、前記製造方法。 - 【請求項14】 前記酸化亜鉛粒子が約150nm以下の平均直径を有する
、請求項13記載の方法。 - 【請求項15】 前記酸化亜鉛粒子が約5nmないし約50nmの平均直径
を有する、請求項13記載の方法。 - 【請求項16】 前記レーザービームがCO2レーザーによって発生される 、請求項13記載の方法。
- 【請求項17】 前記亜鉛前駆物質がZnCl2からなる群から選択される 、請求項13記載の方法。
- 【請求項18】 前記分子流が一次元に細長い、請求項13記載の方法。
- 【請求項19】 硫化亜鉛粒子を製造する方法であって、亜鉛前駆物質、硫
黄源及び放射線吸収ガスを含む分子流を反応室中で熱分解する工程を含み、前記
熱分解がレーザービームからの熱の吸収によって行われる、前記製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/962,362 | 1997-10-31 | ||
US08/962,362 US7132783B1 (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Phosphor particles having specific distribution of average diameters |
PCT/US1998/023134 WO1999023191A1 (en) | 1997-10-31 | 1998-10-29 | Phosphors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001521980A true JP2001521980A (ja) | 2001-11-13 |
JP2001521980A5 JP2001521980A5 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=25505749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000519052A Pending JP2001521980A (ja) | 1997-10-31 | 1998-10-29 | 蛍光物質 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7132783B1 (ja) |
EP (1) | EP1027400B1 (ja) |
JP (1) | JP2001521980A (ja) |
CN (1) | CN1277627A (ja) |
DE (1) | DE69828434T2 (ja) |
TW (1) | TW580511B (ja) |
WO (1) | WO1999023191A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515536A (ja) * | 2008-03-21 | 2011-05-19 | ナノグラム・コーポレイション | 金属シリコン窒化物または金属シリコンオキシ窒化物のサブミクロン蛍光体粒子およびこれらの粒子を合成する方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7226966B2 (en) | 2001-08-03 | 2007-06-05 | Nanogram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
US7423512B1 (en) * | 1997-10-31 | 2008-09-09 | Nanogram Corporation | Zinc oxide particles |
US6692660B2 (en) | 2001-04-26 | 2004-02-17 | Nanogram Corporation | High luminescence phosphor particles and related particle compositions |
US6849334B2 (en) * | 2001-08-17 | 2005-02-01 | Neophotonics Corporation | Optical materials and optical devices |
EP1166286A4 (en) * | 1999-03-10 | 2005-08-10 | Neophotonics Corp | ZINC OXIDE PARTICLES |
DE19936868A1 (de) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von oxidischen Nanokristallen |
EP1886802A3 (en) * | 2001-08-03 | 2008-07-30 | NanoGram Corporation | Structures incorporating polymer-inorganic particle blends |
US20080128931A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | National Chiao Tung University | Method for preparing nanocomposite ZnO-SiO2 fluorescent film by sputtering |
US8106578B2 (en) * | 2006-12-12 | 2012-01-31 | Oryon Technologies, Llc | Highly transmissive electroluminescent lamp having a light emissive layer composition incorporating phosphor nano-particles and dielectric nano-particles |
DE102007006861B3 (de) * | 2007-02-12 | 2008-05-29 | Universität Karlsruhe (Th) | Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung |
US7883387B2 (en) * | 2007-09-11 | 2011-02-08 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | Pulsed high-voltage silicon quantum dot fluorescent lamp |
US7896723B2 (en) * | 2007-10-24 | 2011-03-01 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method for making a silicon quantum dot fluorescent lamp |
US9087801B2 (en) * | 2010-04-29 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Power efficient organic light emitting diode display |
DE102014202718A1 (de) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
CN104194782A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-10 | 浙江师范大学 | 一种荧光粉的制备方法 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2603554A (en) | 1948-06-01 | 1952-07-15 | American Zinc Lead & Smelting | Production of zinc oxide |
US2610154A (en) | 1950-11-04 | 1952-09-09 | Gen Electric | Luminescent zinc sulfide phosphors and method of preparing same |
US2898191A (en) | 1953-01-02 | 1959-08-04 | Merck & Co Inc | Process for preparing zinc oxide |
US2854413A (en) | 1953-08-13 | 1958-09-30 | Du Pont | Phosphors |
US2863084A (en) | 1955-06-27 | 1958-12-02 | Westinghouse Electric Corp | Cathode-ray device |
US2968627A (en) | 1958-02-12 | 1961-01-17 | Westinghouse Electric Corp | Electroluminescent phosphor and method |
US3040202A (en) | 1958-07-03 | 1962-06-19 | Westinghouse Electric Corp | Electroluminescent cell and method |
US3131025A (en) | 1959-10-29 | 1964-04-28 | Eastman Kodak Co | Zinc sulfide optical element |
US3406228A (en) | 1964-06-17 | 1968-10-15 | Cabot Corp | Method of producing extremely finely-divided oxides |
US3260879A (en) | 1965-05-26 | 1966-07-12 | Canrad Prec Ind Inc | Electroluminescent zinc sulfide of optimum luminosity per gram |
US3691088A (en) | 1970-10-30 | 1972-09-12 | Sylvania Electric Prod | Process for preparing phosphors |
US3776754A (en) | 1971-07-22 | 1973-12-04 | Gaf Corp | Production of luminescent screens |
JPS554794B2 (ja) | 1973-07-31 | 1980-01-31 | ||
US4119562A (en) | 1975-05-12 | 1978-10-10 | Dai Nippon Toryo Co. Ltd. | Fluorescent compositions |
JPS5827832B2 (ja) | 1977-05-04 | 1983-06-11 | 化成オプトニクス株式会社 | 顔料付螢光体 |
DE2906505C2 (de) | 1978-02-20 | 1985-10-24 | Japan Electric Industry Development Association, Tokio/Tokyo | Fluoreszenzmischung und deren Verwendung in einem Fluoreszenzschirm einer durch langsame Elektronen angeregten Fluoreszenz-Anzeigevorrichtung |
JPS61127783A (ja) | 1984-11-28 | 1986-06-16 | Futaba Corp | 低速電子線励起螢光体およびその製造方法 |
US4808398A (en) | 1985-02-14 | 1989-02-28 | The Dow Chemical Company | Narrow size distribution zinc oxide |
USH429H (en) | 1987-04-13 | 1988-02-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low temperature synthesis of metal sulfides |
US5225820A (en) * | 1988-06-29 | 1993-07-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Microtip trichromatic fluorescent screen |
DE68906740T2 (de) | 1988-08-29 | 1993-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallische Zusammensetzung enthaltend Zinkoxyd-Whisker. |
US5167990A (en) | 1988-12-08 | 1992-12-01 | Kasei Optonix, Ltd. | Method for treating the surface of a phosphor |
US4921767A (en) | 1988-12-21 | 1990-05-01 | Rca Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray-tube |
JPH02309592A (ja) | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Central Glass Co Ltd | El素子およびその製造法 |
US5250281A (en) | 1989-07-11 | 1993-10-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for manufacturing a voltage non-linear resistor and a zinc oxide material to be used therefor |
US5156885A (en) | 1990-04-25 | 1992-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for encapsulating electroluminescent phosphor particles |
US5152973A (en) | 1990-05-08 | 1992-10-06 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Synthesis of submicron powders under reduced oxygen pressure |
JP3047110B2 (ja) | 1990-06-15 | 2000-05-29 | 株式会社東北テクノアーチ | 金属酸化物微粒子の製造方法 |
JPH04178489A (ja) | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
US5264031A (en) | 1991-12-23 | 1993-11-23 | Kerr-Mcgee Chemical Corporation | Particulate opacifying extender for polymer coatings |
US5390276A (en) | 1992-10-08 | 1995-02-14 | Briteview Technologies | Backlighting assembly utilizing microprisms and especially suitable for use with a liquid crystal display |
JPH06160850A (ja) | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
DE4242949A1 (de) | 1992-12-18 | 1994-06-23 | Bayer Ag | Feinteiliges, hochreines, neutrales Zinkoxidpulver, Verfahren zu dessen Herstellung und seine Verwendung |
US6241819B1 (en) * | 1993-04-20 | 2001-06-05 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing quantum sized doped semiconductor particles |
US5442254A (en) * | 1993-05-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Fluorescent device with quantum contained particle screen |
DE4324594A1 (de) | 1993-07-22 | 1995-01-26 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung von ZnS-Partikeln |
US5460701A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-24 | Nanophase Technologies Corporation | Method of making nanostructured materials |
JP3410777B2 (ja) * | 1993-09-13 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 超微粒子無機蛍光体標識特異的結合物質およびこれを用いた検出方法 |
US5455489A (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-03 | Bhargava; Rameshwar N. | Displays comprising doped nanocrystal phosphors |
US5422907A (en) * | 1994-05-20 | 1995-06-06 | Bhargava; Rameshwar N. | Pumped solid-state lasers comprising doped nanocrystal phosphors |
DE69528460T2 (de) | 1994-06-06 | 2003-01-23 | Nippon Catalytic Chem Ind | Feine zinkoxid-teilchen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
US5446286A (en) * | 1994-08-11 | 1995-08-29 | Bhargava; Rameshwar N. | Ultra-fast detectors using doped nanocrystal insulators |
US5712527A (en) | 1994-09-18 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Multi-chromic lateral field emission devices with associated displays and methods of fabrication |
US5578899A (en) | 1994-11-21 | 1996-11-26 | Silicon Video Corporation | Field emission device with internal structure for aligning phosphor pixels with corresponding field emitters |
US5637258A (en) | 1996-03-18 | 1997-06-10 | Nanocrystals Technology L.P. | Method for producing rare earth activited metal oxide nanocrystals |
US5643496A (en) | 1996-04-04 | 1997-07-01 | Osram Sylvania Inc. | Small size electroluminescent phosphor |
US6015326A (en) * | 1996-09-03 | 2000-01-18 | Advanced Vision Technologies,Inc. | Fabrication process for electron field-emission display |
WO1998010459A1 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-12 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Oxide based phosphors and processes therefor |
US5965192A (en) * | 1996-09-03 | 1999-10-12 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Processes for oxide based phosphors |
JP2001513828A (ja) | 1997-02-24 | 2001-09-04 | スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 酸素含有蛍光粉体、該蛍光粉体の製造方法、該蛍光粉体を利用してなる装置 |
US6057561A (en) * | 1997-03-07 | 2000-05-02 | Japan Science And Technology Corporation | Optical semiconductor element |
US6099798A (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-08 | Nanogram Corp. | Ultraviolet light block and photocatalytic materials |
-
1997
- 1997-10-31 US US08/962,362 patent/US7132783B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-29 EP EP98956398A patent/EP1027400B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-29 WO PCT/US1998/023134 patent/WO1999023191A1/en active IP Right Grant
- 1998-10-29 JP JP2000519052A patent/JP2001521980A/ja active Pending
- 1998-10-29 DE DE69828434T patent/DE69828434T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-29 CN CN98810602.7A patent/CN1277627A/zh active Pending
- 1998-10-31 TW TW087118133A patent/TW580511B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-25 US US11/339,010 patent/US20060132020A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515536A (ja) * | 2008-03-21 | 2011-05-19 | ナノグラム・コーポレイション | 金属シリコン窒化物または金属シリコンオキシ窒化物のサブミクロン蛍光体粒子およびこれらの粒子を合成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7132783B1 (en) | 2006-11-07 |
US20060132020A1 (en) | 2006-06-22 |
EP1027400B1 (en) | 2004-12-29 |
WO1999023191A1 (en) | 1999-05-14 |
CN1277627A (zh) | 2000-12-20 |
EP1027400A1 (en) | 2000-08-16 |
TW580511B (en) | 2004-03-21 |
DE69828434T2 (de) | 2006-01-05 |
DE69828434D1 (de) | 2005-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060132020A1 (en) | Phosphors | |
US7507382B2 (en) | Multiple reactant nozzles for a flowing reactor | |
US6200674B1 (en) | Tin oxide particles | |
US7101520B2 (en) | High luminescence phosphor particles and methods for producing the particles | |
US8048523B2 (en) | Cerium oxide nanoparticles | |
KR20100128336A (ko) | 금속 규소 질화물 또는 금속 규소 산질화물 서브미크론 인광체 입자 및 이들 인광체의 합성 방법 | |
JP2009530443A (ja) | 高結晶性ナノスケールのリン光体粒子及びその粒子を含む複合材料 | |
Zhong et al. | Y2O3: Eu3+ hexagonal microprisms: Fast microwave synthesis and photoluminescence properties | |
Tripathi et al. | Structural, optical and photoluminescence study of nanocrystalline SnO 2 thin films deposited by spray pyrolysis | |
Garcı́a-Hipólito et al. | Cathodoluminescent and photoluminescent properties of terbium doped ZrO2 films prepared by pneumatic spray pyrolysis technique | |
Ou et al. | Cathodoluminescence property of ZnO nanophosphors prepared by laser ablation | |
Chakrabarti et al. | Excitonic and defect related transitions in ZnO–SiO2 nanocomposites synthesized by sol‐gel technique | |
US7423512B1 (en) | Zinc oxide particles | |
JPH03281594A (ja) | 発光材料及び表示装置 | |
KR100371053B1 (ko) | 콜로이드 분무열분해법에 의한 복합형광체의 제조방법 | |
KR101133815B1 (ko) | 질화 붕소 박막 이미터와 그 제조방법, 및 그 질화 붕소박막 이미터를 사용하는 전자방출 방법 | |
KR100323403B1 (ko) | 분무열분해법에 의한 푸른색 발광 산화물 형광체의 제조방법 | |
JP2572023B2 (ja) | 発光部材 | |
Mishra et al. | Influence of Cerium Concentration On Electroluminescence Property of SrZrO3: Ce3+ Phosphor | |
Jaafar et al. | Structural, Optical and Morphological properties of Zn2SiO4: Eu3+ Nanoparticles Fabricated via Thermal Treatment method | |
Milewski | Growth, characterization, and deposition of luminescent nanoparticles | |
JPH09241632A (ja) | 蛍光体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051025 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080319 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080618 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080625 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080904 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081001 |