JP4179337B2 - イオン源およびその運転方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 43
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 43
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0815—Methods of ionisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
- H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
- H01J2237/24542—Beam profile
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
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- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
4 イオンビーム
6 プラズマ生成容器
8 イオン引出し口
10 プラズマ
14 磁石
16 磁界
20 傍熱型カソード
22 カソード部材
24 フィラメント
32 フィラメントカソード
38 磁界
44 ターゲット
Claims (4)
- イオンビームを発生させるイオン源であって、当該イオンビームの進行方向と交差する面内におけるX方向の寸法が当該X方向と直交するY方向の寸法よりも大きい形状をしているイオンビームを発生させるイオン源において、
アノードを兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記X方向に伸びたイオン引出し口を有するプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器内に前記X方向に沿う磁界を発生させる磁石と、
前記プラズマ生成容器の前記X方向の両側に配置されていて、プラズマ生成容器内におけるプラズマ生成および当該プラズマ全体の密度の増減に用いられる傍熱型カソードと、
前記プラズマ生成容器内に前記X方向に沿って並設されていて、プラズマ生成容器内におけるプラズマ生成および当該プラズマの密度分布の制御に用いられる複数のフィラメントカソードとを備えることを特徴とするイオン源。 - イオンビームを発生させるイオン源であって、当該イオンビームの進行方向と交差する面内におけるX方向の寸法が当該X方向と直交するY方向の寸法よりも大きい形状をしているイオンビームを発生させるイオン源において、
アノードを兼ねていて内部でプラズマを生成するための容器であって、前記X方向に伸びたイオン引出し口を有するプラズマ生成容器と、
前記プラズマ生成容器内に前記X方向に沿う磁界を発生させる磁石と、
前記プラズマ生成容器の前記X方向の一方側に配置されていて、プラズマ生成容器内におけるプラズマ生成および当該プラズマ全体の密度の増減に用いられる傍熱型カソードと、
前記プラズマ生成容器内であって、前記X方向の他方側に前記傍熱型カソードに対向させて配置されていて、プラズマ生成容器内の電子を反射させる反射電極と、
前記プラズマ生成容器内に前記X方向に沿って並設されていて、プラズマ生成容器内におけるプラズマ生成および当該プラズマの密度分布の制御に用いられる複数のフィラメントカソードとを備えることを特徴とするイオン源。 - 前記各フィラメントカソードは、前記X方向に実質的に直交する面内において二つの脚部および両脚部間を接続する接続部を有するように曲げ戻された形状をしており、当該各フィラメントカソードには、それを流れる電流が作る磁界が、前記磁石が作る磁界を増強する向きになる直流電流が供給される請求項1または2記載のイオン源。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載のイオン源において、
前記傍熱型カソードを用いて、前記プラズマ生成容器内で生成するプラズマ全体の密度を増減させ、
前記複数のフィラメントカソードを用いて、前記プラズマ生成容器内で生成するプラズマの密度分布を制御することを特徴とするイオン源の運転方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006137839A JP4179337B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | イオン源およびその運転方法 |
US12/097,779 US7718978B2 (en) | 2006-05-17 | 2007-05-17 | Ion source and method for operating same |
PCT/JP2007/060164 WO2007132922A1 (ja) | 2006-05-17 | 2007-05-17 | イオン源およびその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006137839A JP4179337B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | イオン源およびその運転方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007311118A JP2007311118A (ja) | 2007-11-29 |
JP4179337B2 true JP4179337B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=38694008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006137839A Expired - Fee Related JP4179337B2 (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | イオン源およびその運転方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7718978B2 (ja) |
JP (1) | JP4179337B2 (ja) |
WO (1) | WO2007132922A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4915671B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2012-04-11 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源、イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP5040723B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2012-10-03 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
CN101960554B (zh) * | 2008-03-25 | 2012-12-26 | 三井造船株式会社 | 离子源 |
JP4365441B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-18 | 三井造船株式会社 | イオン注入装置、イオン注入方法及びプログラム |
JP4428467B1 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-10 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
JP2010153095A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Showa Shinku:Kk | イオンガン |
US8907307B2 (en) * | 2011-03-11 | 2014-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for maskless patterned implantation |
US9216396B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-12-22 | Gas Technology Institute | Non-catalytic recuperative reformer |
US9520263B2 (en) * | 2013-02-11 | 2016-12-13 | Novaray Medical Inc. | Method and apparatus for generation of a uniform-profile particle beam |
US8994272B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-03-31 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion source having at least one electron gun comprising a gas inlet and a plasma region defined by an anode and a ground element thereof |
US9142386B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam line |
US9865422B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generator with at least one non-metallic component |
US9502213B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam line |
JP6350234B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-07-04 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置及びこれに用いられるプログラム |
WO2016092368A2 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generator with at least one non-metallic component |
US11154903B2 (en) * | 2016-05-13 | 2021-10-26 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Apparatus and method for surface coating by means of grid control and plasma-initiated gas-phase polymerization |
TWI794240B (zh) * | 2017-06-22 | 2023-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的處理工具及電漿反應器 |
US11355321B2 (en) * | 2017-06-22 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode assembly for moving substrate |
JP2019067488A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源およびイオン注入装置 |
CN108231529B (zh) * | 2018-03-09 | 2024-04-05 | 晓睿真空设备(嘉兴)有限公司 | 低压磁控阴极离子源 |
US10923311B1 (en) * | 2019-11-11 | 2021-02-16 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Cathode for ion source comprising a tapered sidewall |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211275A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-08-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | イオン源 |
JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
JP3899161B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-03-28 | 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー | イオン発生装置 |
JP3736196B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2006-01-18 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
JP3758667B1 (ja) | 2005-05-17 | 2006-03-22 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
US7800083B2 (en) * | 2007-11-06 | 2010-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma electron flood for ion beam implanter |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137839A patent/JP4179337B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-17 WO PCT/JP2007/060164 patent/WO2007132922A1/ja active Application Filing
- 2007-05-17 US US12/097,779 patent/US7718978B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007311118A (ja) | 2007-11-29 |
US7718978B2 (en) | 2010-05-18 |
US20090001290A1 (en) | 2009-01-01 |
WO2007132922A1 (ja) | 2007-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |