JP2019067488A - イオン源およびイオン注入装置 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 31
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】複数のカソードを備えたイオン源で、各カソードで生成されるプラズマの密度をモニターする。【解決手段】イオン源1は、チャンバ2内部でプラズマを生成し、同プラズマからイオンビーム4を引き出すイオン源1であって、一方向に長い略矩形状のチャンバ2と、チャンバ2の長手方向に並べられた複数のカソードFと、チャンバ2と各カソードFとの間に接続されたアーク電源Vaと、アーク電源Vaに流れる電流を測定する電流計と、を有し、アーク電源Vaのチャンバ2との接続箇所が、各カソードFが配置される場所に対応している。【選択図】図1
Description
本発明は、複数のカソードを備えたイオン源と同イオン源を備えたイオン注入装置に関する。
イオン注入装置の構成例のひとつに、一方向で基板寸法よりも長い寸法のイオンビームをイオン源から引き出し、イオンビームの長手方向と交差する方向に基板を往復走査して、基板全面へのイオン注入処理を行う構成が知られている。
この種のイオン注入装置で使用されているイオン源としては、特許文献1に記載の複数のフィラメントを備えたイオン源が知られている。
このイオン源では、イオン源から引出されるイオンビームのビーム電流密度分布がイオンビームの長手方向で均一となるように、各フィラメントに流れるフィラメント電流が、基板下流に配置されたビーム電流測定器での測定結果に応じて制御される。
基板に注入される特定イオン種のビーム電流密度分布の均一化を図るという点では、特許文献1に記載の手法は効果的ではあるが、イオン源を長期安定稼働させる上では不十分なところがある。
イオン注入装置においては、基板に照射されるイオンビームの長さ方向での均一性が重要であり、そのためには一般的にはイオン源から引き出されるイオンビームの長さ方向の密度分布も略均一であることが望ましい。
同様にプラズマ生成部内の長さ方向のプラズマ密度分布も略均一である必要がある。均一なプラズマを生成するために、各フィラメントから放出する電子量を調整するが、その量は、フィラメント温度、プラズマとフィラメント間の電位差、エミッション領域(面積)等に依存する。通常はフィラメント電流を変化させることにより、フィラメント温度を変化させ、放出量を調整している。
あるプラズマ密度分布からフィラメント電流を調整することにより、基板に照射されるイオンビームの長さ方向での均一性を調整することを考えると、均一性をある値以下にするフィラメント電流の組み合わせは一般的には多数ある。すなわち、確かに基板上でのビーム均一性は良いが、引出ビームやプラズマ内分布が必ずしも良いとは限らないフィラメント電流の組み合わせであるケースも多々ある。
そこで、それらの多数の組み合わせに対して制限を加えて、プラズマ自身もなるべく均一であるようなものを選択する自由度があるが、確実にプラズマ密度の均一化を達成するにはこれをモニターするための何らかの手段が必要となる。
本発明では、複数のカソードを備えたイオン源で、各カソードで生成されるプラズマ密度をモニターすることのできるイオン源および同イオン源を備えたイオン注入装置を提供する。
イオン源は、チャンバ内部でプラズマを生成し、同プラズマからイオンビームを引き出すイオン源であって、
一方向に長い略矩形状のチャンバと、
前記チャンバの長手方向に並べられた複数のカソードと、
前記チャンバと各カソードとの間に接続されたアーク電源と、
前記アーク電源に流れる電流を測定する電流計と、を有し、
前記アーク電源の前記チャンバとの接続箇所が、各カソードが配置される場所に対応している。
一方向に長い略矩形状のチャンバと、
前記チャンバの長手方向に並べられた複数のカソードと、
前記チャンバと各カソードとの間に接続されたアーク電源と、
前記アーク電源に流れる電流を測定する電流計と、を有し、
前記アーク電源の前記チャンバとの接続箇所が、各カソードが配置される場所に対応している。
アーク電源を流れる電流は、プラズマ密度と相関関係にある。よって、各カソードの配置に対応して、各アーク電源をチャンバに接続しておき、この電源を流れる電流をモニターしておけば、各カソードで生成されたプラズマの密度を間接的に把握することが可能となる。
一方、各カソードで生成されるプラズマ同士の影響を小さくし、チャンバ全体に生成されるプラズマ密度を大きくした上で、大電流のイオンビームを得るには、
前記カソードは、複数列に配置されていて、各列に配置されるカソード位置が互いに異なっていることが望ましい。
前記カソードは、複数列に配置されていて、各列に配置されるカソード位置が互いに異なっていることが望ましい。
各カソードで生成されるプラズマに含まれる特定イオンの比率を一定に保つという点では、
前記アーク電源に流れる電流をモニターし、モニター値が第一の所定範囲に収まるように、イオン源のパラメータを調整する制御装置を備えていることが望ましい。
前記アーク電源に流れる電流をモニターし、モニター値が第一の所定範囲に収まるように、イオン源のパラメータを調整する制御装置を備えていることが望ましい。
また、ビーム電流密度分布の調整機能を備えたイオン注入装置としては、
前記イオン源から引出されたイオンビームのビーム電流を測定するプロファイラーを有し、
前記制御装置が、前記プロファイラーでの測定結果に応じて、前記アーク電源に流れる電流値が第二の所定範囲に収まるよう、前記アーク電源の電圧値または前記カソードに流す電流値、あるいはその両方を調整する構成であることが望ましい。
前記イオン源から引出されたイオンビームのビーム電流を測定するプロファイラーを有し、
前記制御装置が、前記プロファイラーでの測定結果に応じて、前記アーク電源に流れる電流値が第二の所定範囲に収まるよう、前記アーク電源の電圧値または前記カソードに流す電流値、あるいはその両方を調整する構成であることが望ましい。
アーク電源を流れる電流は、プラズマ密度と相関関係にある。よって、各カソード配置に対応して、各アーク電源をチャンバに接続しておき、この電源を流れる電流をモニターしておけば、各カソードで生成されるプラズマ密度を間接的に把握することが可能となる。
図1には、イオン注入装置IMの模式図が描かれている。このイオン注入装置IMは、特許文献1と同じく、X方向で基板5の寸法よりも長い寸法のイオンビーム4に対して、図示しない走査機構を用いてZ方向に基板5を往復走査することで、基板全面にイオン注入処理を施すイオン注入装置である。
イオン源1は、チャンバ2に並べられた複数のフィラメントFを有している。各フィラメントFの両端間には、フィラメント電源Vfが接続されている。このフィラメント電源VfでフィラメントFが熱せられることで、フィラメントFから熱電子が放出される。
チャンバ2に接続された図示されないガス導入部を通して、チャンバ2にはイオン化ガスが導入されている。このイオン化ガスが、フィラメントFからの熱電子によって電離されることで、プラズマが生成される。
互いに電位の異なる4枚の電極で構成された引出電極系3によって、チャンバ内のプラズマからイオンビーム4の引出しが行われる。
このイオン源1では、チャンバ2はX方向に長い略直方体形状である。引出電極系3と対向するチャンバ壁面にはプラズマからイオンビームを引き出すための略長方形状の開口が形成されている。
このイオン源1では、チャンバ2はX方向に長い略直方体形状である。引出電極系3と対向するチャンバ壁面にはプラズマからイオンビームを引き出すための略長方形状の開口が形成されている。
引出電極系3を構成する各電極のイオンビーム引出し面は、Z方向よりもX方向の寸法が長い長方形状をしている。図1の構成例では、イオンビーム引出孔として、引出し面には複数の丸孔が形成されているが、これらの孔は複数の長孔であってもよい。
本発明では、チャンバ2と各フィラメントFとの間には個別にアーク電源Vaが接続されている。つまり、1つのフィラメントFに対して1つのアーク電源Vaが対応している。この点が、特許文献1に記載の構成と大きく異なっている。
アーク電源Vaを流れる電流は、プラズマ密度と相関関係にある。上記構成により、各フィラメントで生成されたプラズマの密度を間接的にモニターすることが可能となる。
イオン源1の運転時、チャンバ2の壁面を通してアーク電源Vaに流れる電流を電流計で測定する。この測定結果は、各制御装置Cに送信される。
例えば、あるフィラメントFに対応したアーク電源Vaに流れる電流の値が他と比べて著しく大きい場合には、この状態でイオン源を運転し続ければ、電流の値が大きいフィラメントFの消耗が早く進むので、制御装置Cが、アーク電源Vaやフィラメント電源Vf、あるいはその両方のパラメータを再調整するように構成されている。
例えば、あるフィラメントFに対応したアーク電源Vaに流れる電流の値が他と比べて著しく大きい場合には、この状態でイオン源を運転し続ければ、電流の値が大きいフィラメントFの消耗が早く進むので、制御装置Cが、アーク電源Vaやフィラメント電源Vf、あるいはその両方のパラメータを再調整するように構成されている。
また、ビーム電流密度分布の均一化調整前に、各アーク電源Vaを流れる電流が同じ値になるように、制御装置Cが各部のパラメータを調整するようにしておいてもよい。
理想的には、各フィラメントFに対応したアーク電源Vaの電流のモニター値が同じであれば、周囲に生成されるプラズマの特性は概略等しくなる。すなわち、各フィラメントFで生成されるプラズマ中に含まれる特定イオンの比率は同じものになる。この場合、イオン源1から引出されたイオンビーム4の特定イオン種のビーム電流分布密度はほぼ同じような値になるので、後に続く均一化調整が簡単に済むことが期待できる。
また、各フィラメントからのエミッション電流が等しいということは、概略各フィラメント周囲のプラズマが均一であることを示しており、そのような状態では、フィラメントの消耗度合もほぼ等しくなることが期待できる。
理想的には、各フィラメントFに対応したアーク電源Vaの電流のモニター値が同じであれば、周囲に生成されるプラズマの特性は概略等しくなる。すなわち、各フィラメントFで生成されるプラズマ中に含まれる特定イオンの比率は同じものになる。この場合、イオン源1から引出されたイオンビーム4の特定イオン種のビーム電流分布密度はほぼ同じような値になるので、後に続く均一化調整が簡単に済むことが期待できる。
また、各フィラメントからのエミッション電流が等しいということは、概略各フィラメント周囲のプラズマが均一であることを示しており、そのような状態では、フィラメントの消耗度合もほぼ等しくなることが期待できる。
さらに、アーク電源Vaを流れる電流値の合わせこみについては、例えば、予め定められた基準値にあうように各アーク電源Vaやフィラメント電源Vf、あるいはその両方を調整してもよい。一方、一つのアーク電源Vaに流れる電流値や複数のアーク電源Vaに流れる電流値の平均値を、合わせこみを行う際の基準値にして、他のアーク電源Vaに流れる電流値の合わせこみを行うようにしてもよい。
基板位置でのビーム電流密度分布を測定して、測定結果に応じてイオン源のパラメータを調整する場合には、特許文献1と同じく、基板5の下流側近傍にプロファイラーPを設けておく。プロファイラーPは、一例としては、イオンビーム4の長さ方向でのビーム電流密度分布を測定するために、同方向において複数に測定領域が分割された多点ファラデーカップで構成されている。
イオンビームが照射される位置に基板5がないときに、このプロファイラーPにはイオンビーム4が照射されて、ビーム電流密度分布の測定が行われる。イオンビームが照射される位置に基板5がないときとは、基板5への注入処理前後で基板5が図示されない搬送機構で注入室に搬送される前後か、基板5への注入処理中で基板5がイオンビーム4を横切って往復走査される前後のタイミングのことをいう。
イオン源1の運転開始前に、各アーク電源Vaを流れる電流値が、第一の所定範囲に収まるように合わせこみをしておく。その後、ビーム電流密度分布測定器Pで、ビーム電流密度分布を測定し、測定結果をもってフィラメント電源Vfを調整する。
各フィラメントFのフィラメント電流の調整を行いながら、各アーク電源Vaに流れる電流値が先に合せこんだ第一の所定範囲内にあることを確認しておく。
仮に第一の所定範囲から外れる場合には、アーク電源Vaを流れる電流値の基準値を再設定するか、対応するアーク電源Vaを流れる電流値がもっとも大きいフィラメントFの寿命がつきかけている可能性があるので、これを交換するようにしてもいい。
仮に第一の所定範囲から外れる場合には、アーク電源Vaを流れる電流値の基準値を再設定するか、対応するアーク電源Vaを流れる電流値がもっとも大きいフィラメントFの寿命がつきかけている可能性があるので、これを交換するようにしてもいい。
また、上述したビーム電流密度分布の調整過程において設定されるアーク電源Vaを流れる電流値の範囲は、第一の所定範囲とは異なる第二の所定範囲としてもよい。
複数のフィラメントFを密に配置した場合、各フィラメントFで生成されたプラズマ同士が影響しあい、各フィラメントで生成されたプラズマ密度をモニターすることが難しくなる。
そこで、各フィラメントFで生成されるプラズマ密度を正確にモニターするには、フィラメントFは図2に示すように等間隔に配置しておき、各フィラメントFで生成されるプラズマP1〜P4の密度を個別にモニターできるように構成されていることが望ましい。
そこで、各フィラメントFで生成されるプラズマ密度を正確にモニターするには、フィラメントFは図2に示すように等間隔に配置しておき、各フィラメントFで生成されるプラズマP1〜P4の密度を個別にモニターできるように構成されていることが望ましい。
一方、各フィラメントで生成されるプラズマ同士の影響を小さくしつつ、チャンバ全体で生成されるプラズマ密度を大きくして、大電流のイオンビームを得るには、
複数のフィラメントは、複数列に配置されていて、各列に配置されるカソード位置が互いになっていることが望ましい。
複数のフィラメントは、複数列に配置されていて、各列に配置されるカソード位置が互いになっていることが望ましい。
具体的な構成としては、図3に示すフィラメント配置が考えられる。
図3(A)の構成では、フィラメントFは複数列(L1、L2)に配置されている。列L1に配置された各フィラメントFの中心位置を示す補助線C1と列L2に配置された各フィラメントFの中心位置とを比較すればわかるように、各列に配置されるフィラメント位置が互いに異なっている。
図3(A)の構成では、フィラメントFは複数列(L1、L2)に配置されている。列L1に配置された各フィラメントFの中心位置を示す補助線C1と列L2に配置された各フィラメントFの中心位置とを比較すればわかるように、各列に配置されるフィラメント位置が互いに異なっている。
また、チャンバ2の形状は、図3(A)に記載の直方体である必要はなく、図3(B)に描かれているように、チャンバ2の2つの角部を平坦にしておき、これらの平坦面にフィラメントFを取り付けるようにしてもよい。
上記実施形態では、フィラメントFを用いる構成であったが、フィラメントFに代わる熱電子放出手段として、傍熱型カソードとフィラメントからなる構成やホローカソードを用いる構成であってもよい。つまり、熱電子を放出するカソードであれば、公知技術として知られているいかなる構成を用いることもできる。
また、上記実施形態では、個別の制御装置Cを用いて各電源のパラメータを調整する構成であったが、これらを集約して1つの制御装置で各部の調整を行うようにしてもいい。さらに、制御装置に代えて、アーク電流やビーム電流密度分布の測定値をディスプレイに表示する等しておき、この表示をもとにして装置の操作者が手動で各電源のパラメータを調整してもよい。
上記実施形態では、イオン注入装置として非質量分析型の装置を例に説明したが、本発明は質量分析型の装置にも適用できる。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
1 イオン源
2 チャンバ
F フィラメント(カソード)
Va アーク電源
Vf フィラメント電源
2 チャンバ
F フィラメント(カソード)
Va アーク電源
Vf フィラメント電源
Claims (4)
- チャンバ内部でプラズマを生成し、同プラズマからイオンビームを引き出すイオン源であって、
一方向に長い略矩形状のチャンバと、
前記チャンバの長手方向に並べられた複数のカソードと、
前記チャンバと各カソードとの間に接続されたアーク電源と、
前記アーク電源に流れる電流を測定する電流計と、を有し、
前記アーク電源の前記チャンバとの接続箇所が、各カソードが配置される場所に対応しているイオン源。 - 前記カソードは、複数列に配置されていて、各列に配置されるカソード位置が互いに異なっている請求項1記載のイオン源。
- 前記アーク電源に流れる電流をモニターし、モニター値が第一の所定範囲に収まるように、イオン源のパラメータを調整する制御装置を備えた請求項1または2記載のイオン源。
- 請求項3に記載のイオン源から引出されたイオンビームのビーム電流を測定するプロファイラーを有し、
前記制御装置が、前記プロファイラーでの測定結果に応じて、前記アーク電源に流れる電流値が第二の所定範囲に収まるよう、前記アーク電源の電圧値または前記カソードに流す電流値、あるいはその両方を調整するイオン注入装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188145A JP2019067488A (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | イオン源およびイオン注入装置 |
CN201711320176.5A CN108054071B (zh) | 2017-09-28 | 2017-12-12 | 离子源及离子注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188145A JP2019067488A (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | イオン源およびイオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019067488A true JP2019067488A (ja) | 2019-04-25 |
Family
ID=62124366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017188145A Pending JP2019067488A (ja) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | イオン源およびイオン注入装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019067488A (ja) |
CN (1) | CN108054071B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109786199A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-21 | 无锡诚承电子科技有限公司 | 一种多阴极长寿命型离子源 |
CN115233179B (zh) * | 2022-07-30 | 2024-04-26 | 常州夸克涂层科技有限公司 | 一种真空镀膜设备的灯丝离子源控制方法及装置 |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2014201285A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | General Plasma, Inc. | Linear duoplasmatron |
CN105405732B (zh) * | 2015-11-10 | 2017-10-03 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于离子束刻蚀机的条形离子源 |
CN206022303U (zh) * | 2016-08-17 | 2017-03-15 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种大功率离子源弧电源反馈控制系统 |
-
2017
- 2017-09-28 JP JP2017188145A patent/JP2019067488A/ja active Pending
- 2017-12-12 CN CN201711320176.5A patent/CN108054071B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107093542A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子源、离子源注入设备及离子分布调整方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108054071B (zh) | 2020-04-28 |
CN108054071A (zh) | 2018-05-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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