JPH03134937A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPH03134937A JPH03134937A JP27167589A JP27167589A JPH03134937A JP H03134937 A JPH03134937 A JP H03134937A JP 27167589 A JP27167589 A JP 27167589A JP 27167589 A JP27167589 A JP 27167589A JP H03134937 A JPH03134937 A JP H03134937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion source
- plasma
- current
- power supply
- filament
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン源に係り、特に、ミル用のロールの表面
処理、ガラスの表面処理等で要求される大形のものに好
適なイオン源に関する。
処理、ガラスの表面処理等で要求される大形のものに好
適なイオン源に関する。
従来の大口径イオン源はカウフマン型を用い最大でも２
５０φ程度であり、ミル用ロール等で要求される幅２ｍ
にもなるイオン源には対応できなかった。
５０φ程度であり、ミル用ロール等で要求される幅２ｍ
にもなるイオン源には対応できなかった。
又最近」二記のカウフマン形イオン源に代り、バケット
形イオン源を用いた５８０φのシリンダ装置用の大形イ
オン形を本発明者らにより発表されたがそのまま２ｍの
ような大形には使えない。
形イオン源を用いた５８０φのシリンダ装置用の大形イ
オン形を本発明者らにより発表されたがそのまま２ｍの
ような大形には使えない。
尚、大口径のバケツ１−形イオン源に関しては、例えば
［日立評論Ｖ ＯＬ 、 ６８ Ｎｏ、 ６ （１９
８６−６）」のＰ４９〜５２に記載されている。
［日立評論Ｖ ＯＬ 、 ６８ Ｎｏ、 ６ （１９
８６−６）」のＰ４９〜５２に記載されている。
」二記従来技術は大形イオン源を作るため、そのままス
ケールアップしたのでは、プラズマ室での均一プラズマ
を得る点で問題があり、大形イオン源の均一ビームを引
出すことに問題があった。
ケールアップしたのでは、プラズマ室での均一プラズマ
を得る点で問題があり、大形イオン源の均一ビームを引
出すことに問題があった。
本発明は大形イオン源のプラズマ室において、均一プラ
ズマを得、均一ビーム引出し可能な、大形イオン源の提
供を目的とする。
ズマを得、均一ビーム引出し可能な、大形イオン源の提
供を目的とする。
上記目的を達成するために、従来１ケあるいは全体引出
電流を大きくとるため複数個付けられていたプラズマ生
成源を、カスプ磁場を外部に有するプラズマ生成室にプ
ラズマ均一用として複数個のプラズマ生成源を配置し、
各々独立に制御することにより、従来のカウフマン形イ
オン源では実現不可能だった大形で均一 ビームを引出
せるイオン源髪可能とした。
電流を大きくとるため複数個付けられていたプラズマ生
成源を、カスプ磁場を外部に有するプラズマ生成室にプ
ラズマ均一用として複数個のプラズマ生成源を配置し、
各々独立に制御することにより、従来のカウフマン形イ
オン源では実現不可能だった大形で均一 ビームを引出
せるイオン源髪可能とした。
さらに引出し電極を分割絶縁することにより、その部分
のビーム電流密度が判り、その部分のプラズマ生成源に
制御［１安が得られるようにした。
のビーム電流密度が判り、その部分のプラズマ生成源に
制御［１安が得られるようにした。
そしてその信号をフィードバック信号として用いること
により条件が変っても均一ビー１１出力が自動で行なえ
るようにした。
により条件が変っても均一ビー１１出力が自動で行なえ
るようにした。
またアーク電源を独立化することにより、よりプラズマ
密度の調整感度を１−げたものである、。
密度の調整感度を１−げたものである、。
プラズマ生成源として、磁場と電子源が用いられるがカ
スプ磁場を用いたプラズマ生成室ではこの電子の発生量
を加減することにより、プラズマの密度調整が可能であ
り、これを複数個付けることにより、部分部分のプラズ
マ密度を調整し、均一化することにより均一ビームが引
出せるようになる。
スプ磁場を用いたプラズマ生成室ではこの電子の発生量
を加減することにより、プラズマの密度調整が可能であ
り、これを複数個付けることにより、部分部分のプラズ
マ密度を調整し、均一化することにより均一ビームが引
出せるようになる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。該図
において、１はプラズマ生成室であり、２はプラズマ生
成源となるフイラメンＩ・、３はフイラソフト電流の可
変可能な電源、４は永久磁石、５は永久磁石４によって
出来るカスプ磁場、６はアーク電源、７は加速電源、８
は電流検出器、９は分割絶縁された引出し電極、１０は
増幅器、１１は設定電流値である。
において、１はプラズマ生成室であり、２はプラズマ生
成源となるフイラメンＩ・、３はフイラソフト電流の可
変可能な電源、４は永久磁石、５は永久磁石４によって
出来るカスプ磁場、６はアーク電源、７は加速電源、８
は電流検出器、９は分割絶縁された引出し電極、１０は
増幅器、１１は設定電流値である。
この構成により、電流検出器８で検出されたビーム電流
を設定電流値１１と比較し、増幅器］０により電源３を
制御し、フィラメント２の電流を変えると、フィラメン
ト２からの電子の放出量がそのフィラメント２のみ増減
し、その近辺のプラズマ密度の調整が可能となる。これ
を複数個を−・個のイオン源に備えることにより１のプ
ラズマ生成室内のプラズマ密度を均一にすることが可能
となり、大形で均一ビーム出力を有するイオン源の製作
により、プラズマ生成室１内の全体のプラズマ密度が均
一となり、引出されるビーム分布も均一とすることがで
きる。
を設定電流値１１と比較し、増幅器］０により電源３を
制御し、フィラメント２の電流を変えると、フィラメン
ト２からの電子の放出量がそのフィラメント２のみ増減
し、その近辺のプラズマ密度の調整が可能となる。これ
を複数個を−・個のイオン源に備えることにより１のプ
ラズマ生成室内のプラズマ密度を均一にすることが可能
となり、大形で均一ビーム出力を有するイオン源の製作
により、プラズマ生成室１内の全体のプラズマ密度が均
一となり、引出されるビーム分布も均一とすることがで
きる。
第２図は本発明の変形例であり、プラズマ１にフィラメ
ント数に対応したプラズマ密度検出器１２を設け、この
プラズマ密度検出器１２の出力全体が同一となるよう電
源３を制御し、フィラメント２のエミッション電流を制
御する。こうすることによりプラズマ生成室１内のプラ
ズマ密度分布を均一にし均一ビーム出力を得ることがで
きる。
ント数に対応したプラズマ密度検出器１２を設け、この
プラズマ密度検出器１２の出力全体が同一となるよう電
源３を制御し、フィラメント２のエミッション電流を制
御する。こうすることによりプラズマ生成室１内のプラ
ズマ密度分布を均一にし均一ビーム出力を得ることがで
きる。
第３図は引出し電極１４を分割し、その電極電流は、は
ぼビーム電流と等価となる。従ってこの電極電流を検出
器１６で検出し、この電流が同一となるよう電源３を制
御するようにしたものである。
ぼビーム電流と等価となる。従ってこの電極電流を検出
器１６で検出し、この電流が同一となるよう電源３を制
御するようにしたものである。
第４図はプラズマ室１とはポテンシャルの異なる。複数
のアーク電極１５と、それに対応したアーク電源６を有
し、より調整感度を上げたものである。
のアーク電極１５と、それに対応したアーク電源６を有
し、より調整感度を上げたものである。
第５図の実施例は、第３図の加速電極電流の電流検出器
１３に代り外部電流モニタにより、フイラメン１−２の
電源と制御するようにしたものである。
１３に代り外部電流モニタにより、フイラメン１−２の
電源と制御するようにしたものである。
本発明によれば均一ビーム出力を有する大形のイオン源
が製作可能となる。
が製作可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、加速電極
を分割し、その電流をフィードバックとして用いた例を
示すイオン源の概略構成図、第２図は第１図にさらにア
ーク電極の分割取付だ例を示す概略図、第３図は第１図
のイオン源のビーム電流検出を外部モニタに代えた例を
示す概略構成図、第４図、及び第５図はそれぞれ本発明
の更に他の実施例を示すイオン源の概略構成図である。 １ ・プラズマ生成室、２・・・フィラメント、３・・
フィシメン１−電源、８・・エミッション電流検出器、
１２・・・プラズマ密度検出器、１３・・電流検出器、
１４ ・分割絶縁引出し電極、１５ ・アーク電極、１
６・・外部電流モニタ。
を分割し、その電流をフィードバックとして用いた例を
示すイオン源の概略構成図、第２図は第１図にさらにア
ーク電極の分割取付だ例を示す概略図、第３図は第１図
のイオン源のビーム電流検出を外部モニタに代えた例を
示す概略構成図、第４図、及び第５図はそれぞれ本発明
の更に他の実施例を示すイオン源の概略構成図である。 １ ・プラズマ生成室、２・・・フィラメント、３・・
フィシメン１−電源、８・・エミッション電流検出器、
１２・・・プラズマ密度検出器、１３・・電流検出器、
１４ ・分割絶縁引出し電極、１５ ・アーク電極、１
６・・外部電流モニタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマ生成室と、該プラズマ生成室で生成された
プラズマを引出す引出し電極と、前記プラズマ生成室の
外壁部にカスプ磁場形成する磁場発生手段とを有するイ
オン源において、前記プラズマ生成室にフィラメントを
複数個設け、このフィラメント電流を各々独立に制御可
能な制御手段を備えていることを特徴とするイオン源。 ２、前記フィラメントのエミッション電流を各々決めら
れた値に保つようにしたことを特徴とする請求項１記載
のイオン源。 ３、請求項１記載のイオン源に複数個のプラズマ計測装
置を取りつけ、この出力に連動してフィラメント電流を
可変可能としたことを特徴とするイオン源。 ４、前記引出し電極を分割絶縁し、各々の引出し電極電
流に応じ、各々のフィラメント電流を可変可能としたこ
とを特徴とする請求項１記載のイオン源。 ５、外部に配置された複数個のビーム電流モニタにより
対応するフィラメント電流を制御可能にしたことを特徴
とする請求項１記載のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27167589A JPH03134937A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27167589A JPH03134937A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03134937A true JPH03134937A (ja) | 1991-06-07 |
Family
ID=17503312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27167589A Pending JPH03134937A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03134937A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554222A (en) * | 1992-06-01 | 1996-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ionization deposition apparatus |
| JP2000058296A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
| US6555831B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-04-29 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion implanting apparatus |
| JP2006147269A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nissin Electric Co Ltd | イオン照射装置 |
| JP2008112673A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
| JP2008293724A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Ihi Corp | イオン注入装置及びそのイオンビームの均一性調整方法 |
| JP2009129615A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Tdk Corp | イオン源 |
| JP2013125640A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | イオンミリング装置 |
| CN108054071A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-05-18 | 日新离子机器株式会社 | 离子源及离子注入装置 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27167589A patent/JPH03134937A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554222A (en) * | 1992-06-01 | 1996-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ionization deposition apparatus |
| JP2000058296A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
| US6555831B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-04-29 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion implanting apparatus |
| KR100553780B1 (ko) * | 1999-04-30 | 2006-02-20 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 이온주입장치 |
| JP2006147269A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nissin Electric Co Ltd | イオン照射装置 |
| JP2008112673A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
| JP2008293724A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Ihi Corp | イオン注入装置及びそのイオンビームの均一性調整方法 |
| JP2009129615A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Tdk Corp | イオン源 |
| JP2013125640A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | イオンミリング装置 |
| CN108054071A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-05-18 | 日新离子机器株式会社 | 离子源及离子注入装置 |
| JP2019067488A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源およびイオン注入装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Haas et al. | In vessel pressure measurement in nuclear fusion experiments with ASDEX gauges | |
| JPS6020440A (ja) | イオンビ−ム加工装置 | |
| JPH03134937A (ja) | イオン源 | |
| US4111783A (en) | Triode sputtering system | |
| Tsai et al. | Plasma studies on a duoPIGatron ion source | |
| RU2167466C1 (ru) | Плазменный источник ионов и способ его работы | |
| US3530057A (en) | Sputtering | |
| US2210127A (en) | Cold cathode tube | |
| GB1270496A (en) | Ion source for slow-ion sputtering | |
| GB1313145A (en) | Apparatus for keeping the path of a working beam free of particles free of impurity | |
| JP7186884B2 (ja) | イオンガン及びイオンミリング装置 | |
| US3801719A (en) | Emitter block assembly | |
| JPS6134832A (ja) | 大口径イオン源 | |
| US6323586B1 (en) | Closed drift hollow cathode | |
| Ehlers et al. | Increasing the efficiency of a multicusp ion source | |
| JPS62272440A (ja) | イオン注入装置のイオン源 | |
| JPH024979B2 (ja) | ||
| Matsubara et al. | Development of oxygen ion source with microwave plasma cathode | |
| Hakamata et al. | Bucket type ion source using a microwave plasma cathode | |
| JP3060647B2 (ja) | フリーマンイオン源 | |
| JPS5611332A (en) | Hot-cathode ionization vacuum gauge | |
| JP3293285B2 (ja) | イオン源 | |
| JPS59111230A (ja) | イオン発生装置 | |
| JPH06128733A (ja) | イオンビーム装置 | |
| JPH05101788A (ja) | フリーマン型イオン源 |