JPS62272440A - イオン注入装置のイオン源 - Google Patents
イオン注入装置のイオン源Info
- Publication number
- JPS62272440A JPS62272440A JP11480586A JP11480586A JPS62272440A JP S62272440 A JPS62272440 A JP S62272440A JP 11480586 A JP11480586 A JP 11480586A JP 11480586 A JP11480586 A JP 11480586A JP S62272440 A JPS62272440 A JP S62272440A
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- JP
- Japan
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- filament
- plasma generation
- generation chamber
- ion
- insulator
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- Pending
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3 発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板に不純物イオンな打込むための
イオン注入装置釦用いられるイオン源に関するものであ
る。
イオン注入装置釦用いられるイオン源に関するものであ
る。
第一図は、例えば、特開昭t’/−302!0号公報に
示された従来のイオン注入装置のイオン源を示し、図に
おいて、導電性を有する真空筐体(1)の後端には、開
口部を閉寒するようK、導電性を有する支持板(2)が
絶縁物(3)を介して支持されている。支持板−)を貫
通して一体く設けられたガス導入管(lI)の後端がガ
ス導入口(5)である。一方、ガス導入管(lI)の真
空筐体(1)内に位置する先端部には、プラズマ生成室
(6)が一体内に設けられている。プラズマ生成室(6
)には、フィラメント(り)が絶縁物(&)を介して保
持されている。このフィラメント(り)の両端に結合さ
れているフィラメント電極(り)の端部は、支持板(コ
)Kl持された絶縁物(10)を貫通して外部に導出さ
れている。プラズマ生成室(6)の前面には、真空筐体
(1)と一体にした引出し電極系(lI)が設けられて
いる。引出し電極系(//)およびプラズマ生成室(6
)の部分において、真空筐体(1)の外側に外部磁石(
/2)が設けられている。真空筐体(1)(引出し電極
系Cl/) )と支持板(コ)(プラズマ生成室(4)
)間、支持板(−)(プラズマ生成室(6))の一方の
フィラメント電極(デ)、および/対のフィラメント電
極(り)間にそれぞれ電源(lJ) 、 (lu) 。
示された従来のイオン注入装置のイオン源を示し、図に
おいて、導電性を有する真空筐体(1)の後端には、開
口部を閉寒するようK、導電性を有する支持板(2)が
絶縁物(3)を介して支持されている。支持板−)を貫
通して一体く設けられたガス導入管(lI)の後端がガ
ス導入口(5)である。一方、ガス導入管(lI)の真
空筐体(1)内に位置する先端部には、プラズマ生成室
(6)が一体内に設けられている。プラズマ生成室(6
)には、フィラメント(り)が絶縁物(&)を介して保
持されている。このフィラメント(り)の両端に結合さ
れているフィラメント電極(り)の端部は、支持板(コ
)Kl持された絶縁物(10)を貫通して外部に導出さ
れている。プラズマ生成室(6)の前面には、真空筐体
(1)と一体にした引出し電極系(lI)が設けられて
いる。引出し電極系(//)およびプラズマ生成室(6
)の部分において、真空筐体(1)の外側に外部磁石(
/2)が設けられている。真空筐体(1)(引出し電極
系Cl/) )と支持板(コ)(プラズマ生成室(4)
)間、支持板(−)(プラズマ生成室(6))の一方の
フィラメント電極(デ)、および/対のフィラメント電
極(り)間にそれぞれ電源(lJ) 、 (lu) 。
(15)が接続されている。
以上の構成において、アルゴンイオン(Ar イオン
)を発生させる方法について説明する。その場合は、ガ
ス導入管(<’)のガス導入口(り)から、Ar(アル
ゴン)ガスを導入し、ガス圧を/×10−’〜10−“
切rrK調製する。これと同時K、プラズマ生成室(6
)を引出し電極系(it) K対し2りk”V −AD
kVの電位罠する。次K、プラズマ生成室(6)とフィ
ラメント(7)の間を、プラズマが発生する程度、たと
えばタ0−200V程度の電界にし、さらにフイラメン
)+7)Kフィラメント電極(9)を介して100〜:
100に程度の電流を流す。フィラメント(り)は加熱
することKよって熱電子を放出し、熱電子はAr ガス
忙作用してAr、Ar などの種々のイオンを発生
させる。発生した正電荷のイオンは、電位の低い引出し
電極系(//)の方向に引かれ、図中矢印の方向にイオ
ンビームが発生する。
)を発生させる方法について説明する。その場合は、ガ
ス導入管(<’)のガス導入口(り)から、Ar(アル
ゴン)ガスを導入し、ガス圧を/×10−’〜10−“
切rrK調製する。これと同時K、プラズマ生成室(6
)を引出し電極系(it) K対し2りk”V −AD
kVの電位罠する。次K、プラズマ生成室(6)とフィ
ラメント(7)の間を、プラズマが発生する程度、たと
えばタ0−200V程度の電界にし、さらにフイラメン
)+7)Kフィラメント電極(9)を介して100〜:
100に程度の電流を流す。フィラメント(り)は加熱
することKよって熱電子を放出し、熱電子はAr ガス
忙作用してAr、Ar などの種々のイオンを発生
させる。発生した正電荷のイオンは、電位の低い引出し
電極系(//)の方向に引かれ、図中矢印の方向にイオ
ンビームが発生する。
また、ターゲラ) (/4)を用いれば、ガス導入によ
って生成されたプラズマや、フィラメント(り)から放
出される熱電子の衝突忙よって、ターゲラ) (/4)
の構成原子がスパッタリングされ、導入ガス以外にもタ
ーゲットを構成する原子をイオン化することもできる。
って生成されたプラズマや、フィラメント(り)から放
出される熱電子の衝突忙よって、ターゲラ) (/4)
の構成原子がスパッタリングされ、導入ガス以外にもタ
ーゲットを構成する原子をイオン化することもできる。
従来のイオン注入装置のイオン源は、以上のように構成
されていたので、プラズマ生成室にフィラメントが固定
されておシ、イオン櫨の違いKよってフィラメント位置
を変えたい場合でも、これを変えることができないとい
5問題点がめった。
されていたので、プラズマ生成室にフィラメントが固定
されておシ、イオン櫨の違いKよってフィラメント位置
を変えたい場合でも、これを変えることができないとい
5問題点がめった。
この発明は上記のような問題点を解消するためKなされ
たもので、プラズマ生成室内のフィラメント位置をプラ
ズマ生成室の真空度を変えることなく変位することがで
きるイオン注入装置のイオン源を得ることを目的とする
。
たもので、プラズマ生成室内のフィラメント位置をプラ
ズマ生成室の真空度を変えることなく変位することがで
きるイオン注入装置のイオン源を得ることを目的とする
。
この発明に係るイオン注入装置のイオン源は、フィラメ
ントな保持する絶縁物と、プラズマ生成室のフィラメン
ト貫通穴との間に隙間を形成してなる。
ントな保持する絶縁物と、プラズマ生成室のフィラメン
ト貫通穴との間に隙間を形成してなる。
この発明において、フィラメントは、フィラメント電極
またはプラズマ生成室のいずれかを前後に変位すること
Kよ)、フィラメントはプラズマ生成室内で前後に変位
し、イオン糧の違いに対して最適なフィラメント位置が
設定される。
またはプラズマ生成室のいずれかを前後に変位すること
Kよ)、フィラメントはプラズマ生成室内で前後に変位
し、イオン糧の違いに対して最適なフィラメント位置が
設定される。
第1図はこの発明の一実施例を示し、フィラメント(り
)の両端部はフィラメントインサー)(/り)K挿入支
持されておシ、フィラメントインサート(/り)はクリ
ップ(lt)で絶縁物(r) K固定されている。フィ
ラメント電極(デ)の後端部には、フィラメント電極(
デ)の変位に対し真空を保持する。リング(lデ)が設
けられておシ、0リング(/9)はキャップ(コO)に
よシ押えられている。また、絶縁物(t)とプラズマ生
成室(6)K設けた穴との間には、隙間(コl)が形成
されている。
)の両端部はフィラメントインサー)(/り)K挿入支
持されておシ、フィラメントインサート(/り)はクリ
ップ(lt)で絶縁物(r) K固定されている。フィ
ラメント電極(デ)の後端部には、フィラメント電極(
デ)の変位に対し真空を保持する。リング(lデ)が設
けられておシ、0リング(/9)はキャップ(コO)に
よシ押えられている。また、絶縁物(t)とプラズマ生
成室(6)K設けた穴との間には、隙間(コl)が形成
されている。
その他、第2図におけると同一符号は同様な部分を示し
ている。
ている。
以上の構成によシ、フィラメント電極・(9)を前後に
変位させると、フィラメント電極(?)K結合されたフ
ィラメント(ワ)は、このフィラメント(り)K取付け
られた絶縁物(j)とプラズマ生成室(6)の穴の隙間
(−7)の分だけ前後に変位することができる。このと
き、絶縁物CI)とフィラメントインサート(/り)の
断面形状が互いに逆のτ牢屋をしているため、上下から
、プラズマ生成室(6)の穴の隙間(コl)をふさぎ、
プラズマ生成室(6)の真空度を一定に保持する。
変位させると、フィラメント電極(?)K結合されたフ
ィラメント(ワ)は、このフィラメント(り)K取付け
られた絶縁物(j)とプラズマ生成室(6)の穴の隙間
(−7)の分だけ前後に変位することができる。このと
き、絶縁物CI)とフィラメントインサート(/り)の
断面形状が互いに逆のτ牢屋をしているため、上下から
、プラズマ生成室(6)の穴の隙間(コl)をふさぎ、
プラズマ生成室(6)の真空度を一定に保持する。
なお、上記実施例ではフィラメント電極(チ)を変位し
てフィラメント(り)の位置を変えたものを示したが、
プラズマ生成室(6)を変位できるよう圧してもよい。
てフィラメント(り)の位置を変えたものを示したが、
プラズマ生成室(6)を変位できるよう圧してもよい。
以上のように、この発明によれば、プラズマ生成室のフ
ィラメント貫通穴と絶縁物との間に隙間ができるようK
してフィラメントを前後方向に相対変位可能としたので
、イオン種の違いに対応して、プラズマ生成室内のフィ
ラメントの位置を精度よく変えることができる。
ィラメント貫通穴と絶縁物との間に隙間ができるようK
してフィラメントを前後方向に相対変位可能としたので
、イオン種の違いに対応して、プラズマ生成室内のフィ
ラメントの位置を精度よく変えることができる。
第1図はこの発明の一実施例の側断面図、第2図は従来
のイオン注入装置のイオン源の側断面図である。 (1)・・真空筐体、(6)・・プラズマ生成室、(り
)・・フィラメント、(f)・・絶縁物、(デ)・・フ
ィラメント電極、(17)・・フィラメントインサート
、(11)・・クリップ、(2/)・・隙間。 なお、各図中、同一符号は同−又は和尚部分を示す。 罠1図
のイオン注入装置のイオン源の側断面図である。 (1)・・真空筐体、(6)・・プラズマ生成室、(り
)・・フィラメント、(f)・・絶縁物、(デ)・・フ
ィラメント電極、(17)・・フィラメントインサート
、(11)・・クリップ、(2/)・・隙間。 なお、各図中、同一符号は同−又は和尚部分を示す。 罠1図
Claims (3)
- (1)真空筐体と、この真空筐体内に配置されたプラズ
マ生成室と、このプラズマ生成室に配置されたフイラメ
ントの両端に結合された1対のフイラメント電極と、前
記プラズマ生成室に形成されたフイラメント貫通穴に隙
間を形成して遊嵌され前記フイラメントを支持する絶縁
物とを備えてなるイオン注入装置のイオン源。 - (2)フイラメント電極がフイラメントとともに前後変
位可能な特許請求の範囲第1項記載のイオン注入装置の
イオン源。 - (3)プラズマ生成室がフイラメントに対して変位可能
な特許請求の範囲第1項記載のイオン注入装置のイオン
源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11480586A JPS62272440A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | イオン注入装置のイオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11480586A JPS62272440A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | イオン注入装置のイオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62272440A true JPS62272440A (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14647130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11480586A Pending JPS62272440A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | イオン注入装置のイオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62272440A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189838A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
JPH01294331A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-11-28 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
JP2013125640A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | イオンミリング装置 |
JP2016076322A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
JP2016164894A (ja) * | 2016-06-14 | 2016-09-08 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源の運転方法 |
JP2019186104A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP11480586A patent/JPS62272440A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189838A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
JPH01294331A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-11-28 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
JP2013125640A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | イオンミリング装置 |
JP2016076322A (ja) * | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
JP2016164894A (ja) * | 2016-06-14 | 2016-09-08 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源の運転方法 |
JP2019186104A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 |
CN110379697A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 日新离子机器株式会社 | 离子源、离子束照射装置及离子源的运转方法 |
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