JP4166761B2 - 半導体装置及びその製造方法並びに実装構造体 - Google Patents
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Description
電子回路が集積される能動面及びそれに対向する受動面を有する略直方体状の半導体チップと、前記能動面を覆うように前記半導体チップ下に配された絶縁部とを備える半導体装置であって、
前記能動面の4つの角部が曲線状を呈し、かつ、前記受動面上の4つの角部とそれら角部から延在する稜線部とが曲面状を呈しており、
前記半導体チップの周囲には第2の絶縁部が形成され、前記第2の絶縁部が前記受動面を露出させた状態で前記半導体チップの側面を覆っていることを特徴としている。
電子回路が集積される能動面及びそれに対向する受動面を有する半導体チップと、前記能動面を覆うように前記半導体チップ下に配された絶縁部とを備える半導体装置であって、
前記半導体チップは、段がつけられた凸状構造でその上段部の上面が前記受動面とされ、前記受動面上の4つの角部とそれら角部から延在する稜線部とが曲面状を呈しており、前記受動面を露出させた状態で上段部の側面が第2の絶縁部で覆われていることを特徴としている。
電子回路の集積面を能動面としかつ前記能動面の裏面を受動面としたウェハを切断・分割して製造される半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの受動面を研磨する裏面研磨工程と、
前記裏面研磨工程の後に、前記ウェハをその厚さ全体にわたって切断・分割して半導体チップを製造するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後に、前記半導体チップの前記能動面を除く部位を等方性エッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記受動面を露出させた状態で前記半導体チップの側面を樹脂で覆う樹脂被覆工程と、
を備えることを特徴としている。
電子回路の集積面を能動面としかつ前記能動面の裏面を受動面としたウェハを切断・分割して製造される半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの受動面を研磨する裏面研磨工程と、
前記裏面研磨工程の後に、前記ウェハを前記受動面からその厚さの中途部まで切断して前記ウェハに溝を形成するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後に、前記ウェハの前記受動面と前記溝とを等方性エッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記受動面を露出させた状態で前記溝に樹脂を注入して硬化させる注入・硬化工程と、
前記注入・硬化工程の後に、硬化後の樹脂とともに前記ウェハをその厚さ全体にわたって前記溝に沿いながら切断・分割して半導体チップを製造する第2のダイシング工程と、
を備えることを特徴としている。
始めに、本発明に係る「半導体装置」について説明する。
図1(a)は半導体装置100の構成を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)のI−I線に沿う断面図である。
図1(a)に示す通り、半導体装置100は、ウェハ1(シリコンウェハ)に電子回路(図示略)が形成された半導体チップ2と、所定の厚さを有した矩形状の絶縁部3とを有しており、絶縁部3を介して半導体チップ2と導通したバンプ11が絶縁部3の下部から突出した構成を有している。
第2の実施形態に係る半導体装置(200)は第1の実施形態に係る上記半導体装置100(半導体装置100の製造方法及び改良・設計変更事項を含む。)と下記の点で異なっており、それ以外は同様となっている。以下では、上記半導体装置100と異なる点を中心に説明してそれ以外の部分の説明を省略している。
半導体装置200は、上記半導体装置1の半導体チップ2に代えて半導体チップ20を有している。半導体チップ20(ウェハ1)は段がつけられた外形形状を有しており、段面視して凸状を呈している。半導体チップ20は上段部21と下段部22との2つの部位で構成されており、各部位の外形形状がやや異なっている。ただし、上段部21と下段部22とは一体で構成されている。
次に、本発明に係る「実装構造体」について説明する。
図5に示す通り、実装構造体300は被実装体301を有しており、当該被実装体301に対して上記「1.半導体装置」で説明した半導体装置100がフリップチップ実装された構造を有している。
1 ウェハ
2 半導体チップ
2a 角部
2b 稜線部
2c 能動面
2d 受動面
2e 側面
2f 角部
3 絶縁部
4 酸化膜
5 電極パッド
6 保護膜
7 下地金属膜
8 配線
9 再配線
10 ポスト
11 バンプ
13,14 第2の絶縁部
200 半導体装置
20 半導体チップ
21 上段部
21a 角部
21b 稜線部
21d 受動面
21e 側面
21f 角部
22 下段部
22a 能動面
300 実装構造体
301 被実装体
Claims (26)
- 電子回路が集積される能動面及びそれに対向する受動面を有する略直方体状の半導体チップと、前記能動面を覆うように前記半導体チップ下に配された絶縁部とを備える半導体装置であって、
前記能動面の4つの角部が曲線状を呈し、かつ、前記受動面上の4つの角部とそれら角部から延在する稜線部とが曲面状を呈しており、
前記半導体チップの周囲には第2の絶縁部が形成され、前記第2の絶縁部が前記受動面を露出させた状態で前記半導体チップの側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記能動面を除く部位が等方性エッチングされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記能動面が酸化膜で覆われており、
前記半導体チップのサイズと前記酸化膜のサイズとが同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記絶縁部のサイズが前記半導体チップのサイズより大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記絶縁部がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はシリコン樹脂のいずれか1種の樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記絶縁部を構成する樹脂には硬化剤、バインダーポリマー、顔料又はフィラーが添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記半導体チップ下には、前記絶縁部を介して前記半導体チップに導通する接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記接続端子がボール状を呈した半田バンプであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁部がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はシリコン樹脂のいずれか1種の樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁部を構成する樹脂には硬化剤、バインダーポリマー、顔料又はフィラーが添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 電子回路が集積される能動面及びそれに対向する受動面を有する半導体チップと、前記能動面を覆うように前記半導体チップ下に配された絶縁部とを備える半導体装置であって、
前記半導体チップは、段がつけられた凸状構造でその上段部の上面が前記受動面とされ、前記受動面上の4つの角部とそれら角部から延在する稜線部とが曲面状を呈しており、前記受動面を露出させた状態で上段部の側面が第2の絶縁部で覆われていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの上段部が等方性エッチングされていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11又は12に記載の半導体装置において、
前記能動面が酸化膜で覆われており、
前記半導体チップの下段部のサイズと前記酸化膜のサイズとが同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11〜13のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記絶縁部のサイズが前記半導体チップの上段部のサイズより大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11〜14のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記絶縁部がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はシリコン樹脂のいずれか1種の樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項15に記載の半導体装置において、
前記絶縁部を構成する樹脂には硬化剤、バインダーポリマー、顔料又はフィラーが添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11〜16のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの下段部下には、前記絶縁部を介して前記半導体チップに導通する接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項17に記載の半導体装置において、
前記接続端子がボール状を呈した半田バンプであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11〜18のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁部がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂又はシリコン樹脂のいずれか1種の樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項19に記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁部を構成する樹脂には硬化剤、バインダーポリマー、顔料又はフィラーが添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 電子回路の集積面を能動面としかつ前記能動面の裏面を受動面としたウェハを切断・分割して製造される半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの受動面を研磨する裏面研磨工程と、
前記裏面研磨工程の後に、前記ウェハをその厚さ全体にわたって切断・分割して半導体チップを製造するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後に、前記半導体チップの前記能動面を除く部位を等方性エッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記受動面を露出させた状態で前記半導体チップの側面を樹脂で覆う樹脂被覆工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 電子回路の集積面を能動面としかつ前記能動面の裏面を受動面としたウェハを切断・分割して製造される半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの受動面を研磨する裏面研磨工程と、
前記裏面研磨工程の後に、前記ウェハを前記受動面からその厚さの中途部まで切断して前記ウェハに溝を形成するダイシング工程と、
前記ダイシング工程の後に、前記ウェハの前記受動面と前記溝とを等方性エッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記受動面を露出させた状態で前記溝に樹脂を注入して硬化させる注入・硬化工程と、
前記注入・硬化工程の後に、硬化後の樹脂とともに前記ウェハをその厚さ全体にわたって前記溝に沿いながら切断・分割して半導体チップを製造する第2のダイシング工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の半導体装置が被実装体に実装されていることを特徴とする実装構造体。
- 請求項23に記載の実装構造体において、
前記半導体装置が前記被実装体に対しフリップチップ実装されていることを特徴とする実装構造体。 - 請求項23又は24に記載の実装構造体において、
前記被実装体が実装用基板であり、
前記実装用基板がセラミック、シリコン、ガリウム砒素、ガラスエポキシ、液晶ポリマー、ポリイミド又はポリエチレンテレフタレートで構成されていることを特徴とする実装構造体。 - 請求項23又は24に記載の実装構造体において、
前記被実装体が半導体デバイスであることを特徴とする実装構造体。
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