JP4158219B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4158219B2 JP4158219B2 JP04751398A JP4751398A JP4158219B2 JP 4158219 B2 JP4158219 B2 JP 4158219B2 JP 04751398 A JP04751398 A JP 04751398A JP 4751398 A JP4751398 A JP 4751398A JP 4158219 B2 JP4158219 B2 JP 4158219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- semiconductor device
- manufacturing
- sacrificial oxide
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、LOCOS酸化膜により周囲と区画された論理回路用のMOS素子を含んで構成される半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】
この種の半導体装置としては、例えば、負荷駆動用の高圧用素子とこれに制御信号を与えるための論理演算素子などが1チップに一体に形成されるICチップなどがある。図7は対象となるICチップ1の一部を模式的な断面で示しているもので、高圧用素子としてLDMOS(lateral double-diffused MOS)トランジスタを備えると共に、論理回路素子としてCMOSタイプのMOSトランジスタを備えた構成の部分についてその製造工程の一部を模式的な断面図で示すものである。
【0003】
図7(a)に示す構成では、ICチップ1は、シリコン基板2上に絶縁膜3を介して単結晶シリコン薄膜部分を形成したいわゆるSOI基板に形成されたもので、この単結晶シリコン薄膜部分は、LDMOS形成領域4および論理回路用MOS形成領域5が絶縁膜を埋め込んだトレンチ6により分離形成されている。
【0004】
LDMOS形成領域4および論理回路用MOS形成領域5のそれぞれは、下層側に極めて低不純物濃度(真性半導体に近い不純物濃度)のi層7aが設けられると共に、その上層側には低不純物濃度のn型層7bが設けられている。表面には所定形状にパターニングしたLOCOS酸化膜8が設けられている。LDMOS形成領域4にはLOCOS酸化膜8の開口部のソース領域に対応してp型ウェル領域9が所定深さまで形成されている。論理回路用MOS形成領域5にはLOCOS酸化膜8の開口部に対応してp型ウェル領域10およびn型ウェル領域11が形成されている。
【0005】
また、LDMOS形成領域4のゲート形成領域には、その表面にゲート酸化膜12が形成されると共にゲート電極としてポリシリコンゲート13がパターニングされている。同図(a)に示す状態では、上述した状態のものにパッド酸化を行なって全体に酸化膜14を形成し、LDMOS形成領域4のチャンネルウェル領域に対応してフォトリソグラフィ処理によりフォトレジストをパターニングしてp型不純物をイオン注入により所定深さまで導入した状態を示している。
【0006】
この後、イオン注入により導入したp型不純物を拡散させるためにドライブ拡散工程を実施すると、同図(b)に示すように、チャンネルウェル領域15が形成される。次に、論理回路用MOS形成領域5のp型ウェル領域10およびn型ウェル領域11のそれぞれのLOCOS酸化膜8の開口部の酸化膜をエッチングにより除去してゲート酸化膜16を形成し(同図(c)参照)、ゲート電極用のポリシリコン膜を形成してこれをパターニングしてゲート電極17を形成する(同図(d)参照)。
【0007】
以下、LDMOS形成領域4のチャンネルウェル領域15にはn型のソース領域およびp型のチャンネルコンタクト領域を形成し、論理回路用MOS形成領域5のp型ウェル領域10およびn型ウェル領域11のそれぞれには、図示はしないが、n型のソース,ドレイン領域およびp型のソース,ドレイン領域が形成され、もってLDMOSトランジスタおよびMOSトランジスタが形成されるようになっている。
【0008】
ところで、上述のように、高圧用素子としてのLDMOSトランジスタおよび論理回路素子としてのMOSトランジスタなどを同一チップ内に設ける構成のICチップ1の製造工程においては、高圧用素子の形成に特有の製造工程や論理回路素子の形成に特有の製造工程が実施されることになるが、特に、高圧用素子の形成に特有の製造工程を実施することは、これに対して繊細な構造を有する論理回路用のMOSトランジスタの構造的あるいは電気的特性に変動を与える要素が含まれる場合がある。
【0009】
すなわち、同図(c)に示した図の工程では、MOSトランジスタの形成に特有の膜厚を有するゲート酸化膜16を形成する工程の前に、LDMOSトランジスタの形成に特有のチャンネルウェル領域15を形成するためのドライブ拡散工程が実施されることになるが、ドライブ拡散工程では、表面の酸化が促進されないように、一般に、窒素雰囲気中で高温熱処理を所定時間だけ実施することが行なわれる。
【0010】
ところが、このように高温で窒素雰囲気中で熱処理を行なうことが、MOSトランジスタのp型ウェル領域10やn型ウェル領域11の表面部分で特にLOCOS酸化膜8の近傍部分においては、表層部のシリコン(図8中×印で示す部分)が窒化物に変化することが推定される。これは、LOCOS酸化膜8の形成時に発生したシリコン表面で発生している応力などにより窒化が促進されると考えられる現象である。
【0011】
そして、このことは、その後のゲート酸化膜16を形成したときに、窒化物となったシリコン部分がすぐには熱酸化膜とならずに、図7(c),(d)中丸印で囲った部分Aで次のような不具合となる。すなわち、図8に拡大して示しているように、LOCOS酸化膜8との境界部分のシリコン表面に窒化された領域B(図中×印で示す)が形成されるため、これが内側の部分のように均一に酸化されず、ゲート酸化膜16が縁部で部分的に窪んだ状態(図中Cで示す)に形成されることになる。この結果、このように不均一に形成されたゲート酸化膜16を利用したMOSトランジスタは、ゲート酸化膜16が局所的に薄くなっている部分Cで絶縁耐圧が低下することになり、所望の耐圧特性が得られなくなる不具合がある。
【0012】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、LOCOS酸化膜により周囲と区画された論理回路用のMOS素子を含んで構成される半導体装置において、論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜の形成工程よりも以前に窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程が存在する場合でも、論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜を均一に形成することができるようにした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば、LOCOS酸化膜により周囲と区画された論理回路用のMOS素子を含んで構成される半導体装置の製造方法において、論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜の形成工程よりも以前に窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程が存在する場合に、その熱拡散工程の終了後で前記ゲート酸化膜の形成工程の実施に先だって、犠牲酸化膜形成工程を実施してゲート酸化膜を形成する部分の半導体基板の表面に所定膜厚の犠牲酸化膜を熱酸化法により形成し、続いて、犠牲酸化膜剥離工程を実施して犠牲酸化膜をエッチング処理して剥離することにより前記窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程で生成される窒化物を除去するので、窒素雰囲気中で熱拡散工程を実施したときに、論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜の形成領域の半導体表面部分をゲート酸化膜が形成し易い状態にして均一なゲート酸化膜を形成することができるようになる。
【0014】
この場合において、論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜の形成工程に先だって窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程では、その温度や時間などの加熱条件によっては、ゲート酸化膜を形成する領域の表層の半導体が窒化物になるなどの変化を来すことに起因して熱酸化によるゲート酸化膜が均一に形成できなくなる場合が生ずる。この表層半導体層の変質は、特に、LOCOS酸化膜との境界領域部分において発生し易いことがわかっており、このような構造を採用している半導体装置においてゲート酸化膜を均一に形成することができるようになり、安定した特性の論理回路用のMOS素子を得ることができるようになる。
【0015】
請求項2の発明によれば、犠牲酸化膜形成工程においては、形成する犠牲酸化膜の膜厚を次のような基準で設定する。すなわち、後の工程で形成するゲート酸化膜として要求されている絶縁耐圧が所定レベル以上となることと、その絶縁耐圧の値が犠牲酸化膜の膜厚に対して安定領域にあるいこととの両者を満たすように設定される。
【0016】
この場合、安定領域とは、ゲート酸化膜の絶縁耐圧の値が犠牲酸化膜を形成したときの膜厚に対する依存性が少なくなる程度の犠牲酸化膜の膜厚の領域である。換言すれば、犠牲酸化膜をその安定領域の膜厚程度まで形成して犠牲酸化膜剥離工程にて剥離することで、熱拡散工程で発生した表層半導体部分の変質領域をほとんど取り去ることができるので、この後に形成するゲート酸化膜を良好な特性のものとすることができる。
【0017】
請求項3の発明によれば、上述の場合において、犠牲酸化膜形成工程において形成する犠牲酸化膜の膜厚として、熱拡散工程で採用される処理温度および処理時間に応じて異なる前述の安定領域の範囲に合わせて設定するので、必要且つ最小限の犠牲酸化を行なうことで確実に適正なゲート酸化膜を得ることができるようになる。
【0018】
請求項4の発明によれば、犠牲酸化膜形成工程および犠牲酸化膜剥離工程を複数回に分けて実施し、各犠牲酸化膜形成工程において形成する犠牲酸化膜の膜厚の合計が所定膜厚となるように設定しているので、必ずしも1回で犠牲酸化膜として必要な膜厚を形成しなくとも複数回の犠牲酸化膜形成工程を経ることにより最終的に合計の膜厚が必要な膜厚となることで、熱拡散工程で発生した表層半導体部分の変質領域をほとんど犠牲酸化膜に変化させた上で取り去ることができるようになり、この後に形成するゲート酸化膜を良好な特性のものとすることができる。
【0019】
請求項5の発明によれば、犠牲酸化膜除去工程として、ゲート酸化膜を形成する対象領域を含んで必要な領域について選択的に実施するので、ゲート酸化膜を形成する領域の変質した半導体層を確実に除去しながら、犠牲酸化膜の除去が必ずしも必要ではない領域については、半導体表面を露出させないように犠牲酸化膜を除去しない状態として実施することができる。
【0020】
請求項6の発明によれば、犠牲酸化膜剥離工程を、複数回実施するうちの少なくとも1回は全領域の犠牲酸化膜について剥離するようにしたので、窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程において受けた半導体層の除去を全面に行ないながら、特性上で特に大きく影響を受けるゲート酸化膜領域部分についてはさらに必要な犠牲酸化膜の厚さに相当する分だけ除去することができ、より、実情に対応した製造工程とすることができる。
【0021】
請求項7の発明によれば、半導体装置を論理回路用のMOS素子に高圧用素子を一体に設ける構成とし、その高圧用素子の形成工程において熱拡散工程としてウェル領域をドライブ拡散するためのドライブ拡散工程が設けられているので、このドライブ拡散工程において発生するゲート酸化膜形成領域のLOCOS酸化膜近傍の部分への悪影響を取り除いて良質なゲート酸化膜を形成することができるようになる。
【0022】
請求項8の発明によれば、高圧用素子として横方向二重拡散型MOS(LDMOS)トランジスタを形成するので、上述したように、そのウェル領域を形成する場合のドライブ拡散工程において発生するゲート酸化膜形成領域のLOCOS酸化膜近傍の部分への悪影響を取り除いて良質なゲート酸化膜を形成することができるようになる。
【0023】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明を高圧用素子としてのLDMOS型トランジスタおよび論理回路用MOS素子としてのCMOS回路を備えた構成の集積回路素子を製造する場合の製造方法に適用した場合の第1の実施形態について図1ないし図4を参照して説明する。
【0024】
図2は、集積回路素子21の一部を模式的な断面構造で示すもので、高圧用素子であるnチャンネル型のLDMOSトランジスタ22および論理回路用MOS素子としてのnチャンネル型MOSトランジスタ23,pチャンネル型MOSトランジスタ24で構成されるCMOS論理回路部25を示しており、これらLDMOSトランジスタ22とCMOS論理回路部25との間には素子を形成しないバッファ領域26が設けられている。
【0025】
次に、内部構造について説明する。集積回路素子21は、シリコン基板27上にシリコン酸化膜などの絶縁膜28を介して単結晶シリコン薄膜部分を形成したいわゆるSOI基板に形成されたもので、この単結晶シリコン薄膜部分に形成されるLDMOSトランジスタ22,CMOS回路部25およびバッファ領域26のそれぞれの境界部分には絶縁膜28の表面まで達するトレンチを形成して内部にシリコン酸化物としての絶縁膜29を埋め込んだトレンチ分離されている。
【0026】
LDMOSトランジスタ22およびCMOS回路部25が形成される単結晶シリコン薄膜部分は、下層側に極めて低不純物濃度(真性半導体に近い不純物濃度)のi層30aが設けられると共に、その上層側には低不純物濃度のn型層30bが設けられている。表面には所定のパターニングにより形成したLOCOS酸化膜31が形成されている。LDMOSトランジスタ22の形成領域にはLOCOS酸化膜31の開口部のソース領域に対応してp型ウェル領域32が所定深さまで形成され、そのp型ウェル領域32と重なるようにして所定領域に形成されるp型チャンネル領域33が形成されている。
【0027】
また、このp型チャンネル領域33内にはn型ソース領域34およびウェルの電位をとる領域35が形成されている。一方、低濃度n型層30bの表面の所定部位にはドレインコンタクト領域36が形成されている。p型チャンネル領域33の表面部分には所定膜厚の高耐圧用のゲート酸化膜37が設けられると共にポリシリコンをパターニングして形成したゲート電極38が形成されている。ゲート電極38および他の部分を全体に覆うように形成された保護膜39の一部を開口させて、アルミニウム膜をパターニングして形成したソース電極40およびドレイン電極41が設けられている。
【0028】
以上のようにnチャンネル型のLDMOSトランジスタ22が構成されており、これにより、基板の表面側にn型ソース領域34とドレインコンタクト領域36とが配置形成される横型構造とされており、ゲート電極38にゲートバイアスを印加することでソース電極40とドレイン電極41との間の通電を制御することができる。また、周知のようにこの構造では、二重拡散構造を採用するので、チャンネル長の形成精度が高くなると共に、素子の高耐圧化を図りやすく駆動用のトランジスタとして利用することができるものである。
【0029】
また、CMOS回路部25にはLOCOS酸化膜31の開口部に対応して、nチャンネル型MOSトランジスタ23を形成するためのp型ウェル領域42およびpチャンネル型MOSトランジスタ24を形成するためのn型ウェル領域43が形成されている。
【0030】
これらp型ウェル領域42およびn型ウェル領域43のそれぞれの表面にはゲート酸化膜44が形成され、ポリシリコンをパターニングして形成したゲート電極45が形成される。そして、このゲート電極45に対応してp型ウェル領域42およびn型ウェル領域43のそれぞれの表面部にはソース領域およびドレイン領域となる拡散領域46が形成され、それぞれにアルミニウムをパターニングすることにより電極47が形成されている。なお、図示の状態では、p型ウェル領域42のソース領域およびドレイン領域は形成方向の都合で現れない状態となっている。
【0031】
以上のようにCMOS回路部25の一部が構成されており、これにより、nチャンネル型MOSトランジスタ23およびpチャンネル型MOSトランジスタ24によりCMOS論理回路が形成される。また、このCMOS回路部25による演算出力は、例えばLDMOSトランジスタ22の駆動信号として利用されるようになっている。
【0032】
次に、上記構成の集積回路素子21の製造工程について、本発明の要旨と関係する部分について図3および図4を参照して説明する。すなわち、LDMOSトランジスタ22の製造工程においてp型チャンネル領域33を形成する過程で発生する技術的課題を解決する製造工程を設けたところを中心として述べる。
【0033】
図3(a)は、前述した図2の構成の集積回路素子21を製造する途中の状態を示している。具体的には、SOI基板として、シリコン基板27上に絶縁膜28を介してi層30aに相当する単結晶シリコン薄膜を形成したものを用い、これに、周知のドライエッチング処理などの方法により所定パターンのトレンチを形成して絶縁膜29を埋め込んだ状態とし、この後、n型不純物を表面から全面に導入拡散して低濃度n型層30bを所定深さまで形成している。
【0034】
続いて、フォトリソグラフィ処理により表面の酸化膜にパターンを形成してp型不純物を導入してp型ウェル領域32および42を形成すると共にn型不純物を導入してn型ウェル領域43を形成している。次いで、フォトリソグラフィ処理により窒化膜を所定パターンに形成してLOCOS酸化をしてLOCOS酸化膜31を形成する。窒化膜を除去して同図(a)に示す状態となる。なお、この後、必要に応じて、仮酸化を行なって仮酸化膜をシリコン表面に形成した後、この仮酸化膜を除去して図示の状態とする。
【0035】
次に、熱酸化により全面に酸化膜を形成し、続けてその表面にポリシリコン膜を積層形成し、これをフォトリソグラフィ処理によってフォトレジスト48を所定形状にパターニングし、ポリシリコン膜および酸化膜をエッチング除去して、ゲート酸化膜37およびゲート電極38を形成する(同図(b)参照)。
【0036】
フォトレジスト48を除去した後、全面にパッド酸化処理を行なってパッド酸化膜49を積層形成し、この状態でフォトリソグラフィ処理によってp型チャンネル領域33となる部分を開口するようにフォトレジストをパターニングし、この後、所定条件でイオン注入を行なう(同図(c)参照)。
【0037】
次に、熱拡散工程としてのチャンネルウェルドライブ拡散工程を行なう。これは、例えば、窒素雰囲気中で1000℃以上の温度にて行なうもので、好ましくは1150℃あるいは1050℃などの温度で、イオン注入により導入された不純物が所定の深さまで拡散されるように時間を設定して行なわれる。これにより、図4(a)に示すように、p型チャンネル領域33が形成される。
【0038】
なお、このチャンネルウェルドライブ拡散工程を実施することにより、パッド酸化膜49を介してシリコンの表面に窒素が侵入し、窒化物を生成する。これは、特にLOCOS酸化膜31を形成した部分に近い領域のシリコンの表面においてLOCOS酸化膜31から受ける応力歪みに起因して起こる現象と考えられ、これによって前述したように、ゲート酸化膜の形成に支承を来しているものである。この場合、窒化物が形成されている量は、チャンネルウェルドライブ拡散工程の条件によって異なることが予想される。
【0039】
この後、全面に形成されていたパッド酸化膜49をエッチングにより除去し、犠牲酸化膜形成工程にて、熱酸化を行なうことにより所定膜厚の犠牲酸化膜50を表面に全面に渡って形成する(同図(a)参照)。続いて、犠牲酸化膜剥離工程を実施して基板の全面に形成されている犠牲酸化膜50をエッチングにより除去する。これにより、CMOS回路部25のp型ウェル領域42およびn型ウェル領域43のそれぞれの表層の窒化されたシリコンが強制的に酸化されて犠牲酸化膜50とした上で剥離されるので、窒素化合物に変質していないシリコンの表面を露出させた状態とすることができる。
【0040】
なお、上述の犠牲酸化膜形成工程においては、犠牲酸化量つまり犠牲酸化膜50形成する膜厚は、図1に示しているように、この後形成するCMOS回路部25のゲート酸化膜44の特性と大きく関係しており、例えば、発明者らが実測した結果では、40nm程度以上形成することでゲート酸化膜44の絶縁耐圧が所定レベル(例えば7MV/cm)で且つプロセス変動の少ない安定領域に入ることが分かった。したがって、工程の余裕度を考慮して、例えば、50nm程度ないし60nm程度の膜厚の犠牲酸化膜50を形成することが好ましい。なお、図中、異なる特性は、LOCOS酸化膜31により囲まれた領域の周囲長さが長い場合(三角印)と短い場合(丸印)とを示している。
【0041】
さて、上述のようにして犠牲酸化膜50を剥離すると、次に、CMOS回路部25のゲート酸化膜44を形成すべく、ゲート酸化工程を実施する。これは、所望の膜厚のゲート酸化膜44を形成するように熱酸化処理を行なうものである。次いで、全面にポリシリコンを所定膜厚だけ形成し、フォトリソグラフィ処理によってパターニングすることで、nチャンネル型MOSトランジスタ23およびpチャンネル型MOSトランジスタ24のゲート電極45を形成する(同図(b)参照)。
【0042】
以下、周知の製造工程を実施することにより、p型およびn型の不純物を導入してソースコンタクト領域34,ウェルの電位をとる領域35,ソース領域46,ドレイン領域46を形成し、保護膜39を積層形成して所定部位に開口部を形成し、さらにアルミニウム膜を蒸着形成してパターニングすることにより電極40,41,47を形成して集積回路素子21を形成する。
【0043】
このような本実施形態によれば、LDMOSトランジスタ22のp型チャンネル領域33を形成する際に行なうチャンネルウェルドライブ拡散工程を実施した後に、CMOS回路部25のゲート酸化膜44を形成する工程を実施する前に、犠牲酸化膜形成工程および犠牲酸化膜除去工程を所定条件で実施することにより、ゲート酸化膜44の形成領域のシリコン表面に形成された窒化物を犠牲酸化膜50に変化させた上で除去することができるようになり、ゲート酸化膜44を均一で絶縁耐圧を安定したものとすることができるようになる。
【0044】
この場合において、図1にも示したように、犠牲酸化膜50の膜厚を40nm以上に設定することで、ゲート酸化膜44の絶縁耐圧特性が所定レベル以上で且つ安定領域となることを見出だし、工程の安定性を考慮して50nm〜60nm程度に形成するようにしたので、不必要に犠牲酸化膜50を形成して剥離することによる他の酸化膜への悪影響を極力防止しながら、安定した電気的特性が得られるゲート酸化膜44を確実に形成することができる。
【0045】
(第2の実施形態)
図5および図6は、本発明の第2の実施形態を示すもので、以下、第1の実施形態と異なる部分について説明する。なお、この第2の実施形態においては、犠牲酸化膜形成工程および犠牲酸化膜剥離工程を複数回である2回に分けて実施するようにしたもので、2回目の犠牲酸化膜剥離工程ではLDMOSトランジスタ22側の犠牲酸化膜を残したままとし、CMOS回路部25の犠牲酸化膜のみを剥離するようにしたところが異なるところである。
【0046】
図5(a)は、チャンネルウェルドライブ拡散工程が終了した後に、第1回目の犠牲酸化膜形成工程を実施して所定膜厚の犠牲酸化膜51を全面に形成した状態を示している。このとき犠牲酸化膜51の形成膜厚は、第1の実施形態において説明した膜厚である50〜60nmよりも薄く設定されており、例えば25nm程度の膜厚だけ形成する。続いて、この犠牲酸化膜51をエッチングにより剥離してp型チャンネル領域33,ドレインコンタクト領域36,p型ウェル領域42,n型ウェル領域43のシリコン面を露出させるようにする(同図(b)参照)。
【0047】
これにより、シリコン面が露出される部分では、チャンネルウェルドライブ拡散工程で窒化されたシリコンがある程度酸化されて犠牲酸化膜51として剥離される。この場合、高圧用素子としてのLDMOSトランジスタ22においては、シリコンが窒化されることによる悪影響を大きく受けることはないので、犠牲酸化膜51の膜厚が25nm程度であっても十分にその効果を得ることができるが、CMOS回路部25では、ゲート酸化膜44を形成する領域であることから、電気的特性に対してより敏感に影響を受ける。
【0048】
次に、第2回目の犠牲酸化膜形成工程を実施して残りの膜厚分(例えば25nm程度)だけ犠牲酸化膜52を全面に形成する(同図(c)参照)。この後、フォトリソグラフィ処理によりフォトレジスト53を塗布してCMOS回路部25の表面を露出させた状態にパターニングし、第2回目の犠牲酸化膜剥離工程を実施してCMOS回路部25の表面に形成されている犠牲酸化膜52を剥離する(図6(a)参照)。
【0049】
これにより、前述したチャンネルウェルドライブ拡散工程により発生したシリコンの窒化物を確実に除去することができ、CMOS回路部25に形成するゲート酸化膜44を均一に設けることができ、電気的特性を安定したものとすることができるようになる。また、このとき、LDMOSトランジスタ22の表面をフォトレジスト53により覆っているので、犠牲酸化膜52のエッチング処理によるLOCOS酸化膜31あるいは高耐圧用のゲート酸化膜37などが悪影響を受けるのを極力低減でき、耐圧特性などの電気的諸特性の劣化を防止することができる。
【0050】
この後、フォトレジスト53を剥離し、CMOS回路部25のゲート酸化膜44を形成すると共にポリシリコンによるゲート電極45を形成し(同図(b)参照)、以下、前述と同様にして工程を進めることにより集積回路素子21を形成する。
【0051】
このような第2の実施形態によれば、犠牲酸化膜形成工程および犠牲酸化膜剥離工程を2回に分けて実施すると共に、第2回目の犠牲酸化膜剥離工程においては、LDMOSトランジスタ22側に形成された犠牲酸化膜52を剥離しないようにしているので、チャンネルウェルドライブ拡散工程を実施することに起因してゲート酸化膜44の特性が劣化するのを確実に防止しながら、犠牲酸化膜剥離工程の実施時に発生しやすいLDMOSトランジスタ22の特性劣化も防止することができるようになる。
【0052】
これは、犠牲酸化膜51を厚く形成すると、犠牲酸化膜剥離工程でのエッチングに要する時間が長くなり、LOCOS酸化膜31の周辺にエッチングが及んでダメージが与えられ、ひいてはこれがLDMOSトランジスタ22の耐圧低下につながる。このとき、犠牲酸化膜51のエッチング量が多くなると、さらに高耐圧用のゲート酸化膜37が端部から浸食されてしまう場合があり、このような状態となると、この後のゲート電極38を形成する際のポリシリコン膜が浸食された部分まで入り込んで最終状態まで残ることがある。すると、この浸食部に残存したポリシリコンの悪影響を受けて耐圧が低下してしまう不具合を引き起こす。そこで、この実施形態においては、このような事情を考慮して犠牲酸化膜51のエッチング時間を少なくすることができることから、上述したような効果を得ることができるのである。。
【0053】
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形また拡張できる。
高圧用素子は、nチャンネル型のLDMOSトランジスタ22に限らず、pチャンネル型のLDMOSトランジスタでも良いし、両者を一体に設けらる構成の半導体装置にも適用できるし、さらには、縦形のMOSトランジスタを用いる場合でも適用できる。加えて、MOSトランジスタのみならず、バイポーラトランジスタや、ダイオードあるいはサイリスタなどの他の高圧用の用途に使用される高圧用素子でも良い。
【0054】
論理回路用のMOS素子は、CMOS回路部25を構成するnチャンネル型MOSトランジスタ23やpチャンネル型MOSトランジスタ24に限らず、nチャンネル型MOSトランジスタのみを用いる構成の場合やpチャンネル型MOSトランジスタのみを用いる構成の場合についても適用することができる。
【0055】
第1の実施形態において、犠牲酸化膜剥離工程は、LDMOSトランジスタ22側の犠牲酸化膜50をフォトレジストで覆ってCMOS回路部25側の犠牲酸化膜50のみを除去するようにしても良い。この場合は、LDMOSトランジスタ22の表面に犠牲酸化膜50が残るが、その犠牲酸化膜50が残ることに起因して発生する電気的特性の劣化などの悪影響が少なく許容できる場合には、このようにしても差支えない。
【0056】
犠牲酸化膜形成工程および犠牲酸化膜剥離工程を必要に応じて3回以上に分けて行なうこともできる。
第2の実施形態において、2回の犠牲酸化膜形成工程では、適宜の膜厚に犠牲酸化膜を形成することができる。この場合において、合計の犠牲酸化膜の膜厚が50〜60nm程度形成されることが条件となる。
チャンネルウェルドライブ拡散工程の実施条件が異なる場合に対応して、図1に相当するデータを得ることにより、犠牲酸化膜として必要な膜厚をゲート酸化膜の絶縁耐圧が安定領域に入る条件を求めて設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す犠牲酸化量とゲート酸化膜の絶縁耐圧との相関関係を示す図
【図2】対象となるICチップの要部の模式的断面図
【図3】製造工程を示す模式的断面図(その1)
【図4】製造工程を示す模式的断面図(その2)
【図5】本発明の第2の実施形態の製造工程を示す模式的断面図(その1)
【図6】製造工程を示す模式的断面図(その2)
【図7】従来例の製造工程を示す模式的断面図
【図8】図7中でゲート酸化膜の膜厚が不均一となる部分を拡大して示す図
【符号の説明】
21は集積回路素子、22はLDMOSトランジスタ(高圧用素子)、23はnチャンネル型MOSトランジスタ(論理回路用MOS素子)、24はpチャンネル型MOSトランジスタ(論理回路用MOS素子)、25はCMOS回路部、26はバッファ領域、27はシリコン基板、28は絶縁膜、29は絶縁膜、30aはi層、30bはn型層、31はLOCOS酸化膜、32はp型ウェル領域、33はp型チャンネル領域、34はn型ソース領域、36はドレインコンタクト領域、37はゲート酸化膜、38はゲート電極、39は保護膜、42はp型ウェル領域、43はn型ウェル領域、44はゲート酸化膜、45はゲート電極、50,51,52は犠牲酸化膜である。
Claims (8)
- LOCOS酸化膜により周囲と区画された論理回路用のMOS素子を含んで構成される半導体装置の製造方法において、
前記LOCOS酸化膜形成工程よりも後であって、且つ前記論理回路用のMOS素子のゲート酸化膜の形成工程よりも以前に窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程が存在する場合に、その熱拡散工程の終了後で前記ゲート酸化膜の形成工程の実施に先だって行なう工程として、
前記ゲート酸化膜を形成する部分の半導体基板の表面に所定膜厚の犠牲酸化膜を熱酸化により形成する犠牲酸化膜形成工程と、
この犠牲酸化膜をエッチング処理して剥離することにより前記窒素雰囲気中で行なう熱拡散工程で生成される窒化物を除去する犠牲酸化膜剥離工程とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記犠牲酸化膜形成工程は、前記犠牲酸化膜の膜厚として、後の工程で形成するゲート酸化膜の絶縁耐圧が所定レベル以上となり且つその絶縁耐圧が犠牲酸化膜の膜厚依存性が少なくなる安定領域の膜厚に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記犠牲酸化膜形成工程は、前記犠牲酸化膜の膜厚として、前記熱拡散工程における処理温度および処理時間に応じて前記安定領域の膜厚となるように設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記犠牲酸化膜形成工程および前記犠牲酸化膜剥離工程を複数回に分けて実施し、各犠牲酸化膜形成工程において形成する犠牲酸化膜の膜厚の合計が所定膜厚となるように設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記犠牲酸化膜除去工程は、前記ゲート酸化膜を形成する対象領域を含んで必要な領域について選択的に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記犠牲酸化膜剥離工程は、複数回実施するうちの少なくとも最初の1回は全領域の犠牲酸化膜について剥離するように実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置には、高圧用素子が形成され、その高圧用素子の形成工程において前記熱拡散工程としてウェル領域をドライブ拡散するためのドライブ拡散工程が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置に形成される高圧用素子は横方向二重拡散型MOS(LDMOS)トランジスタであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04751398A JP4158219B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04751398A JP4158219B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251309A JPH11251309A (ja) | 1999-09-17 |
JP4158219B2 true JP4158219B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=12777203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04751398A Expired - Fee Related JP4158219B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4158219B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100535062B1 (ko) | 2001-06-04 | 2005-12-07 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 고내압 반도체장치 |
US7439141B2 (en) * | 2001-12-27 | 2008-10-21 | Spansion, Llc | Shallow trench isolation approach for improved STI corner rounding |
US7205630B2 (en) * | 2004-07-12 | 2007-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for a semiconductor device having low and high voltage transistors |
US7381594B2 (en) * | 2005-11-30 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | CMOS compatible shallow-trench efuse structure and method |
CN103187279B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-07-06 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP04751398A patent/JP4158219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11251309A (ja) | 1999-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5420000B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4158219B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2778550B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JP2002252334A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0361338B2 (ja) | ||
JPH04162528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4638115B2 (ja) | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 | |
JPS59130465A (ja) | Mis半導体装置の製造方法 | |
JPS6152578B2 (ja) | ||
JP3107582B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001176983A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3439415B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05198794A (ja) | Mis型電界効果トランジスタ | |
KR101128698B1 (ko) | 고전압 트랜지스터 및 이를 구비한 반도체 소자의 제조방법 | |
JPH07297275A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20030038725A (ko) | 상이한 두께의 게이트 산화물을 갖는 mos 트랜지스터를구비한 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JPH04233758A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP3566938B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1126766A (ja) | Mos型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH04246862A (ja) | 半導体集積回路及び半導体集積回路製造方法 | |
JP3061892B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04369261A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07201773A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04139759A (ja) | Mos型半導体装置の製造方法 | |
JPH08111511A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040506 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |