JP4155273B2 - 高品質シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示す単結晶育成装置を用いて、6″φの単結晶を製造する。ルツボ内に結晶用原料としてシリコンの多結晶60kgを充填し、さらに電気抵抗率が10ΩcmになるようにP型ドーパントとしてボロンを添加する。そして、チャンバー内を10TorrのAr雰囲気にした後、ヒーターのパワーを調整して全ての結晶用原料を溶融する。ルツボ内の溶融液が安定した後、種結晶の下端を溶融液に浸漬し、ルツボおよび引上げ軸を回転させつつ単結晶を引き上げる。
実施例2では、実施例1で行った育成速度の変更実験の結果に基づき、直径6″φ結晶のR−OSFの面内位置がr=1/3Rになる引上げ速度で育成を行い、R−OSF、無欠陥領域およびFPD密度が育成条件によってどのように変化するかを調査した。このため、結晶面内への空孔の取り込み量が均一になるように、実施例1の場合と同じホットゾーンで育成を行った。
図1に示す単結晶育成装置を用いて、8″φの単結晶を製造した。ルツボ内に結晶用原料としてシリコンの多結晶120kgを充填し、さらに電気抵抗率が10ΩcmになるようにP型ドーパントとしてボロンを添加する。そして、チャンバー内を10TorrのAr雰囲気にした後、ヒーターのパワーを調整して全ての結晶用原料を溶融する。ルツボ内の溶融液が安定した後、種結晶の下端を溶融液に浸漬し、ルツボおよび引上げ軸を回転させつつ単結晶を引き上げる。
実施例4では、実施例3行った育成速度の変更実験の結果に基づき、直径8″φ結晶のR−OSFの面内位置がr=1/3Rになる引上げ速度で育成を行い、R−OSF、無欠陥領域、およびFPD密度が育成条件によってどのように変化するかを調査する。このため、結晶面内への空孔の取り込み量が均一になるように、実施例3の場合と同様のホットゾーンで育成を行った。
1b:外層保持容器、 1c:支持軸
2:ヒーター、 3:溶融液
4:引上げ軸、 5:種結晶
6:単結晶、 7:輻射遮蔽体
Claims (4)
- チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、予めホットゾーン構造毎に育成速度の変更試験を行い、その結果から定められる引上げ速度を用いて引上げを行う製造方法であって、
As−grown状態の前記シリコン単結晶から加工したウェーハをCu溶液に浸けて、Cuを付着させ、900℃×20minのCuデコレーション熱処理を行ない、X線トポグラフにて観察する場合に、結晶面内に現れるリング状の酸化誘起積層欠陥の幅が育成された結晶の半径の8%を超えるとともに、前記リング状の酸化誘起積層欠陥の内径が育成された結晶の直径の33%を超え、かつ80%以下の範囲に含まれ、赤外散乱体欠陥は存在するが転位クラスターは存在しない結晶領域で引き上げることを特徴とする高品質シリコン単結晶の製造方法。 - チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、予めホットゾーン構造毎に育成速度の変更試験を行い、その結果から定められる引上げ速度を用いて引上げを行う製造方法であって、
As−grown状態の前記シリコン単結晶から加工したウェーハを熱処理炉内に650℃で投入して、投入後8℃/min以下で昇温して900℃×20時間および1000℃×10時間の熱処理後、X線トポグラフによる酸素析出の分布観察を行う場合に、結晶面内に現れるリング状の酸化誘起積層欠陥の幅が育成された結晶の半径の8%を超えるとともに、前記リング状の酸化誘起積層欠陥の内径が育成された結晶の直径の33%を超え、かつ80%以下の範囲に含まれ、赤外散乱体欠陥は存在するが転位クラスターは存在しない結晶領域で引き上げることを特徴とする高品質シリコン単結晶の製造方法。 - チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、予めホットゾーン構造毎に育成速度の変更試験を行い、その結果から定められる引上げ速度を用いて引上げを行う製造方法であって、
As−grown状態の前記シリコン単結晶から加工したウェーハをCu溶液に浸けて、Cuを付着させ、900℃×20minのCuデコレーション熱処理を行ない、X線トポグラフにて観察する場合に、結晶面内に現れるリング状の酸化誘起積層欠陥の幅が育成された結晶の半径の8%を超えて、かつ前記リング状の酸化誘起積層欠陥の内径が育成された結晶の直径の0〜33%の範囲に含まれ、赤外散乱体欠陥および転位クラスターが存在しない結晶領域で引き上げることを特徴とする高品質シリコン単結晶の製造方法。 - チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、予めホットゾーン構造毎に育成速度の変更試験を行い、その結果から定められる引上げ速度を用いて引上げを行う製造方法であって、
As−grown状態の前記シリコン単結晶から加工したウェーハを熱処理炉内に650℃で投入して、投入後8℃/min以下で昇温して900℃×20時間および1000℃×10時間の熱処理後、X線トポグラフによる酸素析出の分布観察を行う場合に、結晶面内に現れるリング状の酸化誘起積層欠陥の幅が育成された結晶の半径の8%を超えて、かつ前記リング状の酸化誘起積層欠陥の内径が育成された結晶の直径の0〜33%の範囲に含まれ、赤外散乱体欠陥および転位クラスターが存在しない結晶領域で引き上げることを特徴とする高品質シリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005063539A JP4155273B2 (ja) | 1997-08-26 | 2005-03-08 | 高品質シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22971697 | 1997-08-26 | ||
JP2005063539A JP4155273B2 (ja) | 1997-08-26 | 2005-03-08 | 高品質シリコン単結晶の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35883397A Division JP3724535B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-12-26 | 高品質シリコン単結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005194186A JP2005194186A (ja) | 2005-07-21 |
JP4155273B2 true JP4155273B2 (ja) | 2008-09-24 |
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ID=34828737
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005063539A Expired - Lifetime JP4155273B2 (ja) | 1997-08-26 | 2005-03-08 | 高品質シリコン単結晶の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4155273B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8771415B2 (en) | 2008-10-27 | 2014-07-08 | Sumco Corporation | Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal ingot, and silicon wafer |
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2005
- 2005-03-08 JP JP2005063539A patent/JP4155273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005194186A (ja) | 2005-07-21 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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