JP4155123B2 - 半導体装置、これを用いた撮像装置および表示装置 - Google Patents
半導体装置、これを用いた撮像装置および表示装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力信号に基づいて3段階の出力信号を生成して出力する半導体装置と、この半導体装置を適用したCCDカメラのような撮像装置および液晶表示器のような表示装置とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、入力信号に基づいて3段階の出力信号を生成して出力する3値出力回路として、例えば特許文献1に示すものが知られている。
この3値出力回路は、同特許文献1の図3に示すように、入力信号に基づいて所定の出力信号を生成する制御回路と、この制御回路の出力信号をレベルシフトするレベルシフト回路と、制御回路の出力信号およびレベルシフト回路の出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路とを備えたものである。上記のレベルシフト回路は、同特許文献1の図4に示すように、1段から構成されている。
【0003】
【特許文献1】
特開平7−114361号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のレベルシフト回路は1段で構成されるが、3値出力回路として、レベルシフト回路と出力回路との間に、CMOSインバータを含むような場合が考えられる。この場合には、レベルシフト回路は、直列に2段構成にすることが考えられる。
【0005】
しかし、レベルシフト回路を直列に2段構成にすると、CMOSインバータを高速に動作できないという不具合が考えられ、その不具合の解消が望まれる。また、3値出力回路において、CMOSインバータを含む場合には、CMOSインバータのオンオフ動作時に生じる貫通電流を抑制して無駄な電力を低減して低消費電力化を図ることが望まれる。
【0006】
そこで、本発明の目的は、CMOSインバータなど含む場合に、高速化、低消費電力化などを実現できる半導体装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記の半導体装置の適用により、高速動作などが可能な撮像装置および表示装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、各発明は、以下のように構成した。
【0008】
第1の発明は、第1、第2および第3入力信号に基づいて所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づいて3段階の出力信号を生成して出力する出力回路と、を備え、前記第1レベル変換回路は、前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1入力信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、前記第2レベル変換回路は、前記第2入力信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、前記第3レベル変換回路は、前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、前記第3入力信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータと、を含むようにした。
【0009】
第2の発明は、第1、第2および第3入力信号に基づいて所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記第1レベル変換回路は、前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、前記第1入力信号を遅延させる第1遅延回路と、前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1遅延回路の出力信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、前記第2レベル変換回路は、前記第2入力信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、前記第3レベル変換回路は、前記第3入力信号を遅延させる第2遅延回路と、前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、前記第2遅延回路の出力信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータと、を含むようにした。
【0010】
第3の発明は、第1、第2および第3入力信号と、第1、第2および第3帰還信号とに基づき、所定の第1、第2および第3制御信号を生成して出力する制御回路と、第1、第2および第3入力信号と、第1、第2および第3制御信号とに基づき、所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づき、3段階の出力信号を出力する出力回路と、を備え、前記第1レベル変換回路は、前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1制御信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、前記第2レベル変換回路は、前記第2制御信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、前記第3レベル変換回路は、前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、前記第3制御信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータとを含み、かつ、前記第1乃至第3レベル変換回路の各出力信号を、前記第1乃至第3帰還信号として使用するようにした。
【0011】
第4の発明は、CCD固体撮像素子と、前記CCD固体撮像素子を駆動する撮像素子駆動回路とを少なくとも備え、前記撮像素子駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含む撮像装置において、第1乃至第3の発明のうちのいずれかを使用するようにした。
第5の発明は、液晶表示素子と、前記液晶表示素子を駆動する液晶駆動回路とを少なくとも備え、前記液晶駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含む撮像装置において、第1乃至第3の発明のうちのいずれかを使用するようにした。
第6の発明は、入力信号のレベルを変換するレベル変換回路及び前記レベル変換回路が出力する信号に基づいて3値の出力信号を出力する出力回路を含む半導体装置であって、前記レベル変換回路は、第1レベル変換回路と、第2レベル変換回路と、第3レベル変換回路と、を含み、前記第1レベル変換回路は、第1レベルシフタと、前記第1レベルシフタの出力信号が入力される第1トランジスタを含む第1インバータと、を含み、前記第2レベル変換回路は、第2レベルシフタと、第3レベルシフタと、前記第2レベルシフタの出力信号が入力される第2トランジスタ及び前記第3レベルシフタの出力信号が入力される第3トランジスタを含む第2インバータと、を含み、前記第3レベル変換回路は、第4レベルシフタと、前記第4レベルシフタの出力信号が入力される第4トランジスタを含む第3インバータと、を含む。
第7の発明は、第1〜第3の発明および第6の発明のうちのいずれかの半導体装置を含むようにした。
【0012】
このような構成からなる本発明によれば、CMOSインバータなど含む場合に、高速化、低消費電力化などを実現できる。
また、本発明によれば、高速動作などが可能な撮像装置や表示装置を提供することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
本発明の半導体装置の第1実施形態について、図1および図2を参照して説明する。
この第1実施形態は、図1に示すように、入力信号INP1,INP2に基づいて3つの出力信号を生成出力する制御回路1と、制御回路1からの3つの出力信号のレベル変換をそれぞれ行うレベル変換回路2と、レベル変換回路2でレベル変換された各変換信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路3と、を備えている。
【0014】
制御回路1は、図1に示すように、インバータ4、5と、ナンド回路6と、アンド回路7、8と、ノア回路9と、ナンド回路10、11と、バッファ回路12、13と、インバータ14、15とから構成される。この制御回路1は、入力信号INP1,INP2に基づき、出力回路3のMOSトランジスタQ7〜Q9を所定の順序で動作させるための制御信号を生成し、これをレベル変換回路2に出力するものである。
【0015】
ここで、制御回路1は、例えばグランド電位GND=0V〜電源電圧VDD=5Vの範囲の電圧により駆動されるものである。
さらに詳述すると、アンド回路8の入力側には、入力信号INP1,INP2が直接入力されるようになっている。ナンド回路6の入力側には、入力信号INP1,INP2がインバータ4、5で反転され、この各反転信号がそれぞれ入力されるようになっている。アンド回路7の入力側には、入力信号INP1がインバータ4で反転された反転信号と、入力信号INP2とが入力されるようになっている。
【0016】
ノア回路9の入力側には、ナンド回路6の出力信号と、後述の第2レベル変換回路22(CMOSインバータ223)の出力信号を帰還させた帰還信号とが入力されるようになっている。ナンド回路10の入力側には、アンド回路7の出力信号と、後述の第1レベル変換回路21(CMOSインバータ213)の出力信号を帰還させた帰還信号と、後述の第3レベル変換回路23(CMOSインバータ233)の出力信号を帰還させた帰還信号とが入力されるようになっている。ナンド回路11の入力側には、アンド回路8の出力信号と、第2レベル変換回路22(CMOSインバータ223)の出力信号を帰還させた帰還信号とが入力されるようになっている。
【0017】
ノア回路9の出力信号は第1レベル変換回路21に出力され、ナンド回路10の出力信号は第2レベル変換回路22に出力され、ナンド回路11の出力信号は第3レベル変換回路23に出力されるようになっている。
レベル変換回路2は、図1に示すように、ノア回路9の出力信号をレベル変換する第1レベル変換回路21と、ナンド回路10の出力信号をレベル変換する第2レベル変換回路22と、ナンド回路11の出力信号をレベル変換する第3レベル変換回路23と、を備えている。ここで、レベル変換回路2は、例えば電源電圧VL=−6V〜電源電圧VH=15Vの範囲の電圧により駆動されるものである。
【0018】
第1レベル変換回路21は、ノア回路9の出力信号のレベルを高圧側(正側)に変換する第1レベルシフタ211と、その出力信号のレベルを低圧側(負側)に変換する第2レベルシフタ212と、第1レベルシフタ211の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ2および第2レベルシフタ212の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ1からなるCMOSインバータ213とから構成される。
【0019】
第2レベル変換回路22は、ナンド回路10の出力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタ221と、その出力信号のレベルを低圧側に変換する第2レベルシフタ222と、第1レベルシフタ221の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ4および第2レベルシフタ222の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ3からなるCMOSインバータ223とから構成される。
【0020】
第3レベル変換回路23は、ナンド回路11の出力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタ231と、その出力信号のレベルを低圧側に変換する第2レベルシフタ232と、第1レベルシフタ231の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ6および第2レベルシフタ232の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ5からなるCMOSインバータ233とから構成される。
【0021】
出力回路3は、第1〜第3レベル変換回路21、22、23の各出力信号に基づいて駆動するP型のMOSトランジスタQ7、N型のMOSトランジスタQ8、およびN型のMOSトランジスタQ9を含み、例えば、高レベルVH=+15V、中レベルVM=0V、および低レベルVL=−6Vの3段階の出力電圧を所定の順序で出力するようになっている。
【0022】
次に、第1〜第3レベル変換回路21、22、23の具体的な構成について、図2を参照して説明する。なお、これらは同一構成であるので、ここでは第1レベル変換回路21について説明する。
第1レベルシフタ211は、図2に示すように、直列に接続されるインバータ2111、2112と、MOSトランジスタQ11,Q12からなるCMOSインバータ2113と、MOSトランジスタQ13と、MOSトランジスタQ14,Q15からなるCMOSインバータ2114と、MOSトランジスタQ16とから構成される。
【0023】
ここで、CMOSインバータ2113を構成するMOSトランジスタQ11,Q12は、MOSトランジスタQ11の能力がMOSトランジスタQ12の能力よりも大きくなっている。また、CMOSインバータ2114を構成するMOSトランジスタQ14,Q15は、MOSトランジスタQ14の能力がMOSトランジスタQ15の能力よりも大きくなっている。
【0024】
さらに詳述すると、CMOSインバータ2113とMOSトランジスタQ13とは直列接続され、その一端側に電源電圧VH(例えば+15V)が印加され、その他端側がグランドGND(0V)に接続されている。また、CMOSインバータ2114とMOSトランジスタQ16とは直列接続され、その一端側に電源電圧VHが印加され、その他端側がグランドGNDに接続されている。
【0025】
CMOSインバータ2113の入力側にはインバータ2112の出力信号が供給され、CMOSインバータ2113の出力電圧がMOSトランジスタQ16のゲートに印加されるようになっている。また、CMOSインバータ2114の入力側にはインバータ2111の出力信号が供給されている。さらに、CMOSインバータ2114の出力電圧は、MOSトランジスタQ13のゲートに印加されるとともに、第1レベルシフタ211の出力電圧としてCMOSインバータ213のMOSトランジスタQ2のゲートに印加されるようになっている。
【0026】
一方、第2レベルシフタ212は、図2に示すように、直列に接続されるインバータ2121、2122と、MOSトランジスタQ21,Q22からなるCMOSインバータ2123と、MOSトランジスタQ23と、MOSトランジスタQ24,Q25からなるCMOSインバータ2124と、MOSトランジスタQ26とから構成される。
【0027】
ここで、CMOSインバータ2123を構成するMOSトランジスタQ21,Q22は、MOSトランジスタQ21の能力がMOSトランジスタQ22の能力よりも大きくなっている。また、CMOSインバータ2124を構成するMOSトランジスタQ24,Q25は、MOSトランジスタQ24の能力がMOSトランジスタQ25の能力よりも大きくなっている。
【0028】
さらに詳述すると、CMOSインバータ2123とMOSトランジスタQ23とは直列接続され、その一端側に電源電圧VDD(例えば+5V)が印加され、その他端側に電源電圧VL(例えば−6V)が印加されている。また、CMOSインバータ2124とMOSトランジスタQ26とは直列接続され、その一端側に電源電圧VDDが印加され、その他端側に電源電圧VLが印加されている。
【0029】
CMOSインバータ2123の入力側にはインバータ2122の出力信号が供給され、CMOSインバータ2123の出力電圧がMOSトランジスタQ26のゲートに印加されるようになっている。また、CMOSインバータ2124の入力側にはインバータ2121の出力信号が供給されている。また、CMOSインバータ2124の出力電圧は、MOSトランジスタQ23のゲートに印加されるとともに、第2レベルシフタ212の出力電圧としてCMOSインバータ213のMOSトランジスタQ1のゲートに印加されるようになっている。
【0030】
次に、このような構成からなる第1実施形態の動作例について、図面を参照して説明する。
まず、図2および図3を参照して、第1レベル変換回路21の動作について説明する。ここで、図3(A)は第1レベルシフタ211のレベルシフト動作を示し、同(B)は第2レベルシフタ212のレベルシフト動作を示している。
【0031】
いま、第1レベル変換回路21に、Hレベル(例えば+5V)の信号が入力された場合について説明する。
この場合には、そのHレベルの信号は、第1レベルシフタ211のインバータ2111で反転されてLレベルとなり、このLレベルの信号がCMOSインバータ2114に入力される。また、インバータ2111で反転されたLレベルの信号は、インバータ2112で反転されてHレベルとなり、このHレベルの信号がCMOSインバータ2113に入力される。
【0032】
この結果、MOSトランジスタQ15がオンになるとともに、MOSトランジスタQ11がオンとなる。また、MOSトランジスタQ11のオンに伴い、MOSトランジスタQ16がオンとなる。さらに、MOSトランジスタQ16のオンによりMOSトランジスタQ13がオフとなり、回路は安定状態となる。したがって、A点の電位が電源電圧VHとなり、これがCMOSインバータ2114の出力電圧となる。その出力電圧は、MOSトランジスタQ2のゲートに印加される。
【0033】
一方、第2レベルシフタ212に入力されたHレベルの信号は、インバータ2121で反転されてLレベルとなり、このLレベルの信号がCMOSインバータ2124に入力される。また、インバータ2121で反転されたLレベルの信号は、インバータ2122で反転されてHレベルとなり、このHレベルの信号がCMOSインバータ2123に入力される。
【0034】
この結果、MOSトランジスタQ24がオンになるとともに、MOSトランジスタQ22がオンとなる。また、MOSトランジスタQ24のオンに伴い、MOSトランジスタQ23がオンとなる。さらに、MOSトランジスタQ23のオンによりMOSトランジスタQ26がオンとなり、回路が安定状態となる。したがって、B点の電位が電源電圧VDDとなり、これがCMOSインバータ2123の出力電圧となる。その出力電圧は、MOSトランジスタQ1のゲートに印加される。
【0035】
以上の動作により、第1レベル変換回路21に対してHレベルの信号が入力された場合には、第1レベルシフタ211の出力は電源電圧VHとなってMOSトランジスタQ2はオフになるとともに、第2レベルシフタ212の出力は電源電圧VDDとなってMOSトランジスタQ1はオンとなるので、CMOSインバータ213の出力は電源電圧VLとなる。
【0036】
次に、第1レベル変換回路21に、Lレベル(例えば0V)の信号が入力された場合について説明する。
この場合には、そのLレベルの信号は、第1レベルシフタ211のインバータ2111で反転されてHレベルとなり、このHレベルの信号がCMOSインバータ2114に入力される。また、インバータ2111で反転されたHレベルの信号は、インバータ2112で反転されてLレベルとなり、このLレベルの信号がCMOSインバータ2113に入力される。
【0037】
この結果、MOSトランジスタQ14がオンになるとともに、MOSトランジスタQ12がオンとなる。また、MOSトランジスタQ14のオンに伴い、MOSトランジスタQ13がオンとなる。さらに、MOSトランジスタQ13のオンによりMOSトランジスタQ16がオフとなり、回路が安定状態となる。したがって、A点の電位はグランド電位GND(0V)となり、これがCMOSインバータ2114の出力電圧となる。その出力電圧は、MOSトランジスタQ2のゲートに印加される。
【0038】
一方、第2レベルシフタ212に入力されたLレベルの信号は、インバータ2121で反転されてHレベルとなり、このHレベルの信号がCMOSインバータ2124に入力される。また、インバータ2121で反転されたHレベルの信号は、インバータ2122で反転されてLレベルとなり、このLレベルの信号がCMOSインバータ2123に入力される。
【0039】
この結果、MOSトランジスタQ25がオンになるとともに、MOSトランジスタQ21がオンとなる。また、MOSトランジスタQ21のオンに伴い、MOSトランジスタQ26がオンとなる。さらに、MOSトランジスタQ26のオンによりMOSトランジスタQ23がオフとなり、回路は安定状態となる。したがって、B点の電位は電源電圧VLとなり、これがCMOSインバータ2123の出力電圧となる。その出力電圧は、MOSトランジスタQ1のゲートに印加される。
【0040】
以上の動作により、第1レベル変換回路21に対してLレベルの信号が入力された場合には、第1レベルシフタ211の出力はグランド電位GNDとなってMOSトランジスタQ2はオンになるとともに、第2レベルシフタ212の出力は電源電圧VLとなってMOSトランジスタQ1はオフとなるので、CMOSインバータ213の出力は電源電圧VHとなる。
【0041】
次に、図1を参照して、制御回路1の動作について説明する。
まず、図1の制御回路1に入力される入力信号INP1,INP2が、いずれもLレベルの場合について説明する。この場合には、制御回路1において、ノア回路9、ナンド回路10、およびナンド回路11の各出力信号はHレベルとなり、このHレベルは、電源電圧VDDのレベルである。
【0042】
ノア回路9、ナンド回路10、およびナンド回路11から出力されるHレベルの信号は、対応する第1レベル変換回路21、第2レベル変換回路22、および第3レベル変換回路23を経ることにより、それぞれ電源電圧VLのレベルに変換される。
これにより、出力回路3のMOSトランジスタQ7〜Q9の各ゲートには、電源電圧VLのレベルからなる信号がそれぞれ入力される。従って、MOSトランジスタQ7がオンし、MOSトランジスタQ8,Q9がオフとなるので、出力回路3の出力電圧OUTは、電源電圧VH(+15V)となる。
【0043】
次に、制御回路1の入力信号INP1がLレベル、その入力信号INP2がHレベルの場合について説明する。この場合には、制御回路1において、ノア回路9の出力信号はLレベル、ナンド回路10の出力信号はLレベル、およびナンド回路11の出力信号はHレベルとなる。
ノア回路9のLレベルの出力信号は第1レベル変換回路21で処理されると、第1レベル変換回路21の出力信号のレベルは電源電圧VHとなる。また、ナンド回路10のLレベルおよびナンド回路11のHレベルの各出力信号は、第1レベル変換回路22、23で処理されると、第1レベル変換回路22、23の出力信号のレベルは電源電圧VHおよび電源電圧VLとなる。
【0044】
これにより、出力回路3のMOSトランジスタQ7のゲートには電源電圧VHのレベルからなる信号が入力され、出力回路3のMOSトランジスタQ8のゲートには電源電圧VHのレベルのからなる信号が入力され、MOSトランジスタQ9のゲートには電源電圧VLのレベルからなる信号が入力される。従って、MOSトランジスタQ8がオンし、MOSトランジスタQ7,Q9がオフとなるので、出力回路3の出力電圧OUTは、中間電圧VM(例えば、グランド電位GND=0V)となる。
【0045】
次に、図1の制御回路1に入力される入力信号INP1,INP2が、いずれもHレベルの場合について説明する。この場合には、制御回路1において、ノア回路9およびナンド回路11の出力信号はLレベル、ナンド回路10の出力信号はHレベルとなる。
ノア回路9およびナンド回路11のLレベルの出力信号は第1レベル変換回路21および第3レベル変換回路23で処理されると、その各出力信号のレベルは電源電圧VHとなる。また、ナンド回路10のHレベルの出力信号は、第2レベル変換回路22で処理されると、第2レベル変換回路22の出力信号のレベルは電源電圧VLとなる。
【0046】
これにより、出力回路3のMOSトランジスタQ7,Q9の各ゲートには電源電圧VHのレベルからなる信号が入力され、出力回路3のMOSトランジスタQ8のゲートには電源電圧VLのレベルからなる信号が入力される。従って、MOSトランジスタQ9がオンし、MOSトランジスタQ7,Q8がオフとなるので、出力回路3の出力電圧OUTは、低レベルの電源電圧VL(例えば、−6V)となる。
【0047】
以上の動作により、出力回路3は、高電圧VH、中間電圧VM、または低電圧VLのいずれかを出力電圧OUTとして出力する。また、出力電圧OUTは、VLとVMとの間で変化するとともに、VMとVHとの間で変化するようになっている。
以上説明したように、第1実施形態では、第1レベル変換回路21、第2レベル変換回路22および第3レベル変換回路23が、第1レベルシフタと第2レベルシフタとをそれぞれ備え、CMOSインバータを構成する2つのMOSトランジスタを個別に動作させるようにした。このため、レベル変換回路21〜23がCMOSインバータを含む場合でも、レベル変換回路21〜23を高速に動作させることができる。
【0048】
次に、本発明の半導体装置の第2実施形態について、図4を参照しながら説明する。
この第2実施形態は、図1に示す第1実施形態のレベル変換回路2を、図4に示すレベル変換回路2Aに置き換え、信号のレベル変換の高速化を図るとともに、レベル変換回路の面積(規模)の低減化(小型化)を図るようにしたものである。
【0049】
このために、第2実施形態は、図4に示すように、入力信号INP1,INP2に基づいて3つの出力信号を生成出力する制御回路1と、制御回路1からの3つの出力信号のレベル変換などを行うレベル変換回路2Aと、レベル変換回路2Aの出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路3と、を備えている。
【0050】
制御回路1は、図1に示す制御回路1と同一の構成であるので、同一構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
レベル変換回路2Aは、図4に示すように、ノア回路9の出力信号のレベル変換などを行う第1レベル変換回路21Aと、ナンド回路10の出力信号のレベル変換を行う第2レベル変換回路22Aと、ナンド回路11の出力信号のレベル変換などを行う第3レベル変換回路23Aと、を備えている。ここで、レベル変換回路2Aは、例えばVL=−6V〜VH=15Vの範囲の電源電圧で駆動されるものである。
【0051】
第1レベル変換回路21Aは、制御回路1のノア回路9の出力信号のレベルを高圧側に変換するレベルシフタ211と、レベルシフタ211の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ2およびノア回路9の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ1からなるCMOSインバータ213とから構成される。レベルシフタ211は、図2に示す第1レベルシフタ211と同様に構成される。
【0052】
ここで、第1レベル変換回路21Aが図1に示す第1レベル変換回路21とその構成が異なる点は、第1レベル変換回路21の第2レベルシフタ212を省略したことである。また、MOSトランジスタQ1のソースの供給電圧を、電源電圧VLから接地電圧GNDに置き換えた点である。
このような構成からなる第1レベル変換回路21Aでは、制御回路1からHレベルの信号が入力されると、その信号はレベルシフタ211により電源電圧VHのレベルに変換され、その電源電圧VHがMOSトランジスタQ2のゲートに入力される。また、制御回路1からのHレベルの信号は、MOSトランジスタQ1のゲートに直接入力される。このため、MOSトランジスタQ2はオフになるとともにMOSトランジスタQ1はオンとなるので、CMOSインバータ213の出力はグランド電圧GNDとなる。
【0053】
一方、制御回路1からLレベルの信号が入力されると、その信号はレベルシフタ211によりグランド電圧GNDのレベルに変換され、そのグランド電圧GNDがMOSトランジスタQ2のゲートに入力される。また、制御回路1からのLレベルの信号は、MOSトランジスタQ1のゲートに直接入力される。このため、MOSトランジスタQ2はオンになるとともにMOSトランジスタQ1はオフとなるので、CMOSインバータ213の出力は電源電圧VHとなる。
【0054】
このように、第1レベル変換回路21Aは、図1に示す第1レベル変換回路21と基本的に同様の動作が実現できる。従って、MOSトランジスタQ1を駆動するレベルシフタを省略することができる。
第2レベル変換回路22Aは、制御回路1のナンド回路10の出力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタ221と、その出力信号のレベルを低圧側に変換する第2レベルシフタ222と、第1レベルシフタ221の出力信号に基づいて駆動するP型のMOSトランジスタQ3および第2レベルシフタ222の出力信号に基づいて駆動するN型のMOSトランジスタQ4からなるCMOSインバータ223とから構成される。
【0055】
なお、第2レベル変換回路22Aは、図1に示す第2レベル変換回路22とその構成が同じである。
第3レベル変換回路23は、制御回路1のナンド回路11の出力信号のレベルを低圧側に変換するレベルシフタ232と、そのナンド回路11の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ6およびレベルシフタ232の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ5からなるCMOSインバータ233とから構成される。レベルシフタ232は、図2に示す第1レベルシフタ212と同様に構成される。
【0056】
ここで、第3レベル変換回路23Aが図1に示す第3レベル変換回路23とその構成が異なる点は、第3レベル変換回路23の第1レベルシフタ231を省略したことである。また、MOSトランジスタQ1のソースの供給電圧を、電源電圧VHから電源電圧VDDに置き換えた点である。
このような構成からなる第3レベル変換回路23Aでは、制御回路1からHレベルの信号が入力されると、その信号はレベルシフタ232により電源電圧VDDのレベルに変換され、その電源電圧VDDがMOSトランジスタQ5のゲートに入力される。また、制御回路1からのHレベルの信号は、MOSトランジスタQ6のゲートに直接入力される。このため、MOSトランジスタQ6はオフになるとともにMOSトランジスタQ5はオンとなるので、CMOSインバータ233の出力は電源電圧VLとなる。
【0057】
一方、制御回路1からLレベルの信号が入力されると、その信号はレベルシフタ232により電源電圧VLのレベルに変換され、その電源電圧VLがMOSトランジスタQ5のゲートに入力される。また、制御回路1からのLレベルの信号は、MOSトランジスタQ6のゲートに直接入力される。このため、MOSトランジスタQ6はオンになるとともにMOSトランジスタQ5はオフとなるので、CMOSインバータ213の出力は電源電圧VDDとなる。
【0058】
このように、第3レベル変換回路23Aは、図1に示す第3レベル変換回路23と基本的に同様の動作が実現できる。従って、MOSトランジスタQ6を駆動するレベルシフタを省略することができる。
以上説明したように、この第2実施形態によれば、第1レベル変換回路21Aと第3レベル変換回路23Aは、レベルシフタを省略できるので、レベル変換回路2Aを構成するための面積の低減化を実現できる。
【0059】
次に、本発明の半導体装置の第3実施形態について、図5を参照しながら説明する。
この第3実施形態は、図4に示す第2実施形態の制御回路1とレベル変換回路2Aを、図5に示す制御回路1Aとレベル変換回路2Bに置き換え、信号のレベル変換の高速化をさらに押し進めるとともに、レベル変換回路2Bを構成するレベルシフタのCMOSインバータの貫通電流の低減化を図るようにしたものである。
【0060】
このために、第3実施形態は、図5に示すように、入力信号INP1,INP2に基づいて6つの出力信号を生成出力する制御回路1Aと、制御回路1Aからの6つの出力信号のうちの所定の信号のレベル変換などを行うレベル変換回路2Bと、レベル変換回路2Bの出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路3とを備えている。
【0061】
制御回路1Aは、図4に示す制御回路1とその構成要素が同じであるので、同一の構成素子には同一符号を付してその説明は省略する。しかし、レベル変換回路2Aをレベル変換回路2Bに置き換えたことに伴い、制御回路1Aの出力信号が6つとなっている点と、レベルシフタ211、222、232に入力される信号がインバータ16〜18を介している点とが異なる。
【0062】
また、レベル変換回路2Bは、図4に示すレベル変換回路2Aとその構成要素が同じであるので、同一の構成素子には同一符号を付してその説明は省略する。しかし、レベル変換回路2Bの各構成要素には、制御回路1Aから出力されて入力される入力信号について異なる部分がある。従って、以下ではそれらの異なる点を中心に説明する。
【0063】
レベル変換回路2Bは、図4に示すレベル変換回路2Aの第1乃至第3レベル変換回路21A,22A,23Aに対応する、第1乃至第3レベル変換回路21B,22B,23Bを備えている。
すなわち、第1レベル変換回路21Bは、制御回路1Aのナンド回路6の出力信号を受けたインバータ16の出力信号のレベルを高圧側に変換するレベルシフタ211と、レベルシフタ211の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ2および制御回路1Aのノア回路9の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ1からなるCMOSインバータ213と、から構成される。
【0064】
第2レベル変換回路22Bは、制御回路1Aのナンド回路10の出力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタ221と、制御回路1Aのアンド回路7の出力信号を受けたインバータ17の出力信号のレベルを低圧側に変換する第2レベルシフタ222と、第1レベルシフタ221の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ4および第2レベルシフタ222の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ3からなるCMOSインバータ223と、から構成される。
【0065】
第3レベル変換回路23Bは、制御回路1Aのアンド回路8の出力信号を受けたインバータ18の出力信号のレベルを低圧側に変換するレベルシフタ232と、制御回路1Aのナンド回路11の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ6およびレベルシフタ232の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ5からなるCMOSインバータ233と、から構成される。
【0066】
このような構成からなる第3実施形態の構成を纏めると以下のようになる。
すなわち、第1レベル変換回路21Bでは、MOSトランジスタQ1の駆動信号として第2レベル変換回路22Bの出力信号を帰還させてノア回路9で処理させた帰還信号を使用するようにしたが、レベルシフタ211の入力信号はそのような帰還信号ではなくノア回路9の入力信号を直接使用するようにした。
【0067】
また、第2レベル変換回路22Bでは、第1レベルシフタ221の入力信号として第1レベル変換回路21Bおよび第3レベル変換回路23Bの両出力信号を帰還させてナンド回路10で処理させた帰還信号を使用するようにしたが、第2レベルシフタ222の入力信号はそのような帰還信号ではなく、ナンド回路10の入力信号を直接使用するようにした。
【0068】
さらに、第3レベル変換回路23Bでは、MOSトランジスタQ6の駆動信号として第2レベル変換回路22Bの出力信号を帰還させてナンド回路11で処理させた帰還信号を使用するようにしたが、レベルシフタ232の入力信号はそのような帰還信号ではなくナンド回路11の入力信号を直接使用するようにした。従って、このような構成からなるレベル変換回路2Bにおける第1乃至第3レベル変換回路21B,22B,23Bの各動作は、図4に示すレベル変換回路2Aにおける第1乃至第3レベル変換回路21A,22A,23Aの各動作と異なる。
そこで、レベル変換回路2Bにおける第1乃至第3レベル変換回路21B,22B,23Bの各動作例について説明する。
【0069】
まず、図5の制御回路1Aに入力される入力信号INP1,INP2が、いずれもHレベルの場合について説明する。
この場合には、制御回路1Aのナンド回路6の出力はHレベルとなる。このため、CMOSインバータ213では、N型のMOSトランジスタQ1のゲートに、ノア回路9の出力のLレベルの信号が入力されてMOSトランジスタQ1が先にオフとなる。その後、P型のMOSトランジスタQ2のゲートに、インバータ16の出力のLレベルの信号がレベルシフタ211で遅延されて入力され、MOSトランジスタQ2がオンとなる。この結果、CMOSインバータ213の貫通電流が抑えられる。
【0070】
また、この場合には、制御回路1Aのアンド回路7の出力はレベルとなる。このとき、第2レベル変換回路22Bの第1レベルシフタ221の出力信号、およびその第2レベルシフタ222の出力信号の立ち上がりと、制御回路1Aの入力信号INP1,INP2との立ち上がりとが、図9に示すような関係にあるとする。
【0071】
このような関係にあると、CMOSインバータ223では、P型のMOSトランジスタQ4のゲートに、第1レベルシフタ221の出力のHレベルの信号が先に入力されてMOSトランジスタQ4がオフとなる。その後、N型のMOSトランジスタQ3のゲートに、第2レベルシフタ222の出力のHレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ3がオンとなる。この結果、CMOSインバータ223の貫通電流が抑えられる。
【0072】
さらに、この場合には、制御回路1Aのアンド回路8の出力はHレベルとなる。このため、CMOSインバータ233では、N型のMOSトランジスタQ5のゲートに、アンド回路8の出力のHレベルをインバータ18で反転したレベルシフタ232の出力のLレベルの信号が入力されて、MOSトランジスタQ5が先にオフとなる。その後、P型のMOSトランジスタQ6のゲートにはLベルのレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ6がオンとなる。このMOSトランジスタQ6がオンとなる条件は、アンド回路7の出力のLレベルの信号がナンド回路10、イバータ17、レベルシフタ221、222、を介してCMOSインバータ223を反転させ、MOSトランジスタQ8のゲートがLレベルとなった後である。この結果、CMOSインバータ233の貫通電流が抑えられる。
【0073】
次に、図5の制御回路1Aに入力される入力信号INP1がLレベルで、その入力信号INP2がHレベルの場合について説明する。
この場合には、制御回路1Aのナンド回路6の出力はHレベルとなる。このため、CMOSインバータ213では、N型のMOSトランジスタQ1のゲートに、ノア回路9の出力のLレベルの信号が入力されてMOSトランジスタQ1が先にオフとなる。その後、P型のMOSトランジスタQ2のゲートに、インバータ16の出力のLレベルの信号がレベルシフタ211で遅延されて入力され、MOSトランジスタQ2がオンとなる。この結果、CMOSインバータ213の貫通電流が抑えられる。
【0074】
また、この場合には、制御回路1Aのアンド回路7の出力はHレベルとなる。このため、CMOSインバータ223では、N型のMOSトランジスタQ3のゲートに、第1レベルシフタ221の出力のLレベルの信号が先に入力されてMOSトランジスタQ3がオフとなる。その後、P型のMOSトランジスタQ4のゲートには、MOSトランジスタQ7の出力がHレベルまたはMOSトランジスタQ9の出力がLレベルとなって初めてLレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ4がオンとなる。この結果、CMOSインバータ223の貫通電流が抑えられる。
【0075】
さらに、この場合には、制御回路1Aのアンド回路8の出力はLレベルとなる。このため、CMOSインバータ233では、N型のMOSトランジスタQ5のゲートに、アンド回路8の出力のLレベルをインバータ18で反転したレベルシフタ232の出力のHレベルの信号が入力されて、MOSトランジスタQ5が先にオンとなる。その後、P型のMOSトランジスタQ6のゲートには、MOSトランジスタQ8の出力がLレベルとなって初めてHレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ6がオフとなる。この結果、CMOSインバータ233の貫通電流が抑えられる。
【0076】
さらに、図5の制御回路1Aに入力される入力信号INP1,INP2が、いずれもLレベルの場合について説明する。
この場合には、制御回路1Aのナンド回路6の出力はLレベルになる。このため、CMOSインバータ213では、P型のMOSトランジスタQ2のゲートに、レベルシフタ211の出力のHレベルの信号が入力されてMOSトランジスタQ2が先にオンとなる。その後、N型のMOSトランジスタQ1のゲートには、MOSトランジスタQ8のゲートがLレベルになって初めてLレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ1がオフとなる。この結果、CMOSインバータ213の貫通電流が抑えられる。
【0077】
また、この場合には、制御回路1Aのアンド回路7の出力はLレベルとなる。このとき、第2レベル変換回路22Bの第1レベルシフタ221の出力信号、およびその第2レベルシフタ222の出力信号の立ち上がりと、制御回路1Aの入力信号INP1,INP2との立ち上がりとが、図9に示すような関係にあるとする。
【0078】
このような関係にあると、CMOSインバータ223では、P型のMOSトランジスタQ4のゲートに、第1レベルシフタ221の出力のHレベルの信号が先に入力されてMOSトランジスタQ4がオフとなる。その後、N型のMOSトランジスタQ3のゲートに、第2レベルシフタ222の出力のHレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ3がオンとなる。この結果、CMOSインバータ223の貫通電流が抑えられる。
【0079】
さらに、この場合には、制御回路1Aのアンド回路8の出力はLレベルとなる。このため、CMOSインバータ233では、P型のMOSトランジスタQ6のゲートにHレベルの信号が入力されて、MOSトランジスタQ6が先にオフとなる。その後、N型のMOSトランジスタQ5のゲートには、レベルシフタ232を介してHレベルの信号が入力され、MOSトランジスタQ5がオンとなる。この結果、CMOSインバータ233の貫通電流が抑えられる。
【0080】
以上説明したように、この第3実施形態は、第1レベル変換回路21Bおよび第3レベル変換回路23Bでは、レベルシフタを使用しないMOSトランジスタQ1、Q6側は帰還信号を用いて動作させ、レベルシフタを使用するMOSトランジスタQ2,Q5側は帰還信号を使用せずに動作させるようにした。このため、第3実施形態では、第2実施形態に比べてレベル変換回路2BにおけるCMOSインバータの貫通電流の低減化が図れる。
【0081】
次に、本発明の半導体装置の第4実施形態について、図6を参照しながら説明する。
この第4実施形態は、図4に示す第2実施形態のレベル変換回路2Aを、図6に示すレベル変換回路2Cに置き換え、CMOSインバータに流れる貫通電流の抑制により低消費電力化を図るようにしたものである。
【0082】
このために、第4実施形態は、図6に示すように、入力信号INP1,INP2に基づいて3つの出力信号を生成出力する制御回路1と、制御回路1からの3つの出力信号のレベル変換などを行うレベル変換回路2Cと、レベル変換回路2Cの出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路3と、を備えている。
【0083】
制御回路1は、図1に示す制御回路1と同一の構成であるので、同一構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
レベル変換回路2Cは、図6に示すように、ノア回路9の出力信号のレベル変換や遅延などの信号処理を第1レベル変換回路21Cと、ナンド回路10の出力信号のレベル変換を行う第2レベル変換回路22Cと、ナンド回路11の出力信号のレベル変換や遅延などの信号処理を行う第3レベル変換回路23Cと、を備えている。
【0084】
第1レベル変換回路21Cは、制御回路1のノア回路9の出力信号のレベルを高圧側に変換するレベルシフタ211と、その出力信号を遅延させる遅延回路214と、レベルシフタ211の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ2および遅延回路214の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ1からなるCMOSインバータ213とから構成される。遅延回路214は、例えばインバータ回路を複数個、縦続接続して構成するようにした。
【0085】
ここで、第1レベル変換回路21Cが図4に示す第1レベル変換回路21Aとその構成が異なる点は、遅延回路214を追加した点である。
次に、このような構成からなる第1レベル変換回路21Cの動作例について、図7を参照して説明する。
いま、図7(A)に示すようなHレベルの入力信号がレベルシフタ211に入力されると、その入力信号はレベルシフタ211により電源電圧VHのレベルに変換され、その電源電圧VHがMOSトランジスタQ2のゲートに入力される。そのMOSトランジスタQ2のゲートの入力電圧の一例を、図7(B)に示す。また、図7(A)に示すHレベルの入力信号は、遅延回路214にも入力されて遅延時間T1だけ遅延され、その遅延信号がMOSトランジスタQ1のゲートに入力される。そのMOSトランジスタQ1のゲートの入力電圧の一例を、図7(C)に示す。このため、MOSトランジスタQ2はオフになるとともにMOSトランジスタQ1はオンとなるので、CMOSインバータ213の出力はグランド電圧GNDとなる。
【0086】
一方、レベルシフタ211にLレベルの信号が入力されると、その入力信号がレベルシフタ211でグランド電圧GNDのレベルに変換されて、MOSトランジスタQ2のゲートに入力される。また、そのLレベルの信号は、遅延回路214を経てMOSトランジスタQ1のゲートに入力される。このため、MOSトランジスタQ1はオフになるとともにMOSトランジスタQ2はオンとなるので、CMOSインバータ213の出力は電源電圧VHとなる。
【0087】
ここで、レベルシフタ211は、その出力信号がその入力信号の立ち上がりで立ち上がるが、その立ち下がりで直ちに立ち下がらずに遅延時間T2だけ遅れて立ち下がる特性を有し(図7(A)(B)参照)、その遅延時間T2を任意に設計することができる。また、遅延回路214は、その遅延時間T1を任意の値に設定できる。
【0088】
従って、遅延回路214の遅延時間T1とレベルシフタ211の遅延時間T2を図7に示すように任意の値に調整すれば、MOSトランジスタQ1,Q2のオンオフ時間を確保して、MOSトランジスタQ1,Q2に流れる貫通電流を抑制できる。
第2レベル変換回路22Cは、制御回路1のナンド回路10の出力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタ221と、その出力信号のレベルを低圧側に変換する第2レベルシフタ222と、第1レベルシフタ221の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ4および第2レベルシフタ222の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ3からなるCMOSインバータ223とから構成される。
【0089】
なお、第1レベル変換回路22Cは、図4に示す第1レベル変換回路22Aとその構成が同じであるので、その動作説明は省略する。
第3レベル変換回路23Cは、制御回路1のナンド回路11の出力信号のレベルを低圧側に変換するレベルシフタ232と、その出力信号を遅延させる遅延回路234と、遅延回路234の出力信号により駆動するP型のMOSトランジスタQ6およびレベルシフタ232の出力信号により駆動するN型のMOSトランジスタQ5からなるCMOSインバータ233とから構成される。遅延回路234は、例えばインバータ回路を複数個、縦続接続して構成するようにした。
【0090】
ここで、第3レベル変換回路23Cが図4に示す第1レベル変換回路23Aとその構成が異なる点は、遅延回路234を追加した点である。
次に、このような構成からなる第3レベル変換回路23Cの動作例について、図8を参照して説明する。
いま、図8(A)に示すようなHレベルの入力信号がレベルシフタ232に入力されると、その入力信号はレベルシフタ232により電源電圧VDDのレベルに変換され、その電源電圧VDDがMOSトランジスタQ5のゲートに入力される。そのMOSトランジスタQ5のゲートの入力電圧の一例を、図8(B)に示す。また、図8(A)に示すHレベルの入力信号は、遅延回路234にも入力されて遅延時間T3だけ遅延され、その遅延信号がMOSトランジスタQ6のゲートに入力される。そのMOSトランジスタQ6のゲートの入力電圧の一例を、図8(C)に示す。このため、MOSトランジスタQ6はオフになるとともにMOSトランジスタQ5はオンとなるので、CMOSインバータ233の出力は電源電圧VLとなる。
【0091】
一方、レベルシフタ232にLレベルの信号が入力されると、その入力信号がレベルシフタ232で電源電圧VLのレベルに変換されて、MOSトランジスタQ5のゲートに入力される。また、そのLレベルの信号は、遅延回路234を経てMOSトランジスタQ6のゲートに入力される。このため、MOSトランジスタQ6がオンになるとともにMOSトランジスタQ5がオフとなるので、CMOSインバータ233の出力は電源電圧VDDとなる。
【0092】
ここで、レベルシフタ232は、その出力信号がその入力信号の立ち上がりで直ちに立ち上がらずに遅延時間T4だけ遅れるとともに、その入力信号の立ち下がりで直ちに立ち下がる特性を有し(図8(A)(B)参照)、その遅延時間T4を任意に設計することができる。また、遅延回路234は、その遅延時間T3を任意の値に設定できる。
【0093】
従って、遅延回路234の遅延時間T3とレベルシフタ232の遅延時間T4を図8に示すように任意の値に調整すれば、MOSトランジスタQ5,Q6のオンオフ時間を確保して、MOSトランジスタQ5,Q6に流れる貫通電流を抑制できる。
以上説明したように、この第4実施形態では、第1レベル変換回路23Cおよび第3レベル変換回路23が、レベルシフタ211、232と遅延回路214、234とを組み合わせるようにした。このため、CMOSインバータ213、233のオンオフ動作の切り替え時に流れる貫通電流を抑制し、その貫通電流に伴う無駄な電力消費を低減化できる。
【0094】
以上説明した本発明の半導体装置の第1実施形態〜第4実施形態は、入力信号に応じて出力回路3から3段階(3値)の出力電圧を出力する3値出力回路として機能するものである。このため、上記の第1実施形態〜第4実施形態は、本発明の撮像装置、および表示装置に適用できるので、その適用例について以下に説明する。
まず、本発明の撮像装置に、上記の第1実施形態〜第4実施形態を適用した場合について説明する。
【0095】
この場合の撮像装置は、例えば、CCD固体撮像素子と、そのCCD固体撮像素子を駆動する撮像素子駆動回路と、を少なくとも備え、その撮像素子駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含むものである。そこで、その3値出力回路として、本発明の半導体装置の第1実施形態〜第4実施形態を適用するようにした。このような構成によれば、高速動作などが可能な撮像装置を提供することができる。
【0096】
次に、本発明の表示装置に、上記の第1実施形態〜第4実施形態を適用した場合について説明する。
この場合の表示装置は、例えば、液晶素子と、その液晶素子を駆動する液晶素子駆動回路と、を少なくとも備え、その液晶素子駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含むものである。そこで、その3値出力回路として、本発明の半導体装置の第1実施形態〜第4実施形態を適用するようにした。このような構成によれば、高速動作などが可能な表示装置を提供することができる。
【0097】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置によれば、CMOSインバータなど含む場合に、高速化、低消費電力化などを実現することができる。
また、本発明の撮像装置および表示装置によれば、高速動作などを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の第1実施形態の構成を示す回路図である。
【図2】図1のレベル変換回路の具体的な構成を示す回路図である。
【図3】図2のレベル変換回路の動作を説明する説明図である。
【図4】本発明の半導体装置の第2実施形態の構成を示す回路図である。
【図5】本発明の半導体装置の第3実施形態の構成を示す回路図である。
【図6】本発明の半導体装置の第4実施形態の構成を示す回路図である。
【図7】第4実施形態の第1レベル変換回路の動作を説明するための説明図である。
【図8】第4実施形態の第3レベル変換回路の動作を説明するための説明図である。
【図9】第3実施形態の動作を説明するための説明図である。
【符号の説明】
1は制御回路、2,2A,2B,2Cはレベル変換回路、3は出力回路、21,21A,21B,21Cは第1レベル変換回路、22,22A,22B,22Cは第2レベル変換回路、23,23A,23B,23Cは第3レベル変換回路、211,221,231は第1レベルシフタ、212,222,232は第2レベルシフタ、213,223,233はCMOSインバータ、214,234は遅延回路である。
Claims (7)
- 第1、第2および第3入力信号に基づいて所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、
前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づいて3段階の出力信号を生成して出力する出力回路と、を備え、
前記第1レベル変換回路は、
前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、
前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1入力信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、
前記第2レベル変換回路は、
前記第2入力信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、
前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、
前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、
前記第3レベル変換回路は、
前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、
前記第3入力信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 第1、第2および第3入力信号に基づいて所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、
前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づいて3段階の出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記第1レベル変換回路は、
前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、
前記第1入力信号を遅延させる第1遅延回路と、
前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1遅延回路の出力信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、
前記第2レベル変換回路は、
前記第2入力信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、
前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、
前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、
前記第3レベル変換回路は、
前記第3入力信号を遅延させる第2遅延回路と、
前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、
前記第2遅延回路の出力信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 第1、第2および第3入力信号と、第1、第2および第3帰還信号とに基づき、所定の第1、第2および第3制御信号を生成して出力する制御回路と、
第1、第2および第3入力信号と、第1、第2および第3制御信号とに基づき、所定の各出力信号を生成して出力する第1、第2および第3レベル変換回路と、
前記第1、第2および第3レベル変換回路の各出力信号に基づき、3段階の出力信号を出力する出力回路と、を備え、
前記第1レベル変換回路は、
前記第1入力信号のレベルを高圧側に変換する第1レベルシフタと、
前記第1レベルシフタの出力信号で駆動する第1トランジスタおよび前記第1制御信号で駆動する第2トランジスタを含む第1インバータとを含み、
前記第2レベル変換回路は、
前記第2制御信号のレベルを高圧側に変換する第2レベルシフタと、
前記第2入力信号のレベルを低圧側に変換する第3レベルシフタと、
前記第2レベルシフタの出力信号で駆動する第3トランジスタおよび前記第3レベルシフタの出力信号で駆動する第4トランジスタを含む第2インバータとを含み、
前記第3レベル変換回路は、
前記第3入力信号のレベルを低圧側に変換する第4レベルシフタと、
前記第3制御信号で駆動する第5トランジスタおよび前記第4レベルシフタの出力信号で駆動する第6トランジスタを含む第3インバータとを含み、
かつ、前記第1乃至第3レベル変換回路の各出力信号を、前記第1乃至第3帰還信号として使用するようにしたことを特徴とする半導体装置。 - CCD固体撮像素子と、前記CCD固体撮像素子を駆動する撮像素子駆動回路とを少なくとも備え、前記撮像素子駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含む撮像装置において、
前記3値出力回路は、請求項1乃至請求項3のうちのいずれかに記載の半導体装置からなることを特徴とする撮像装置。 - 液晶表示素子と、前記液晶表示素子を駆動する液晶駆動回路とを少なくとも備え、前記液晶駆動回路は3値の出力電圧を出力する3値出力回路を含む撮像装置において、
前記3値出力回路は、請求項1乃至請求項3のうちのいずれかに記載の半導体装置からなることを特徴とする表示装置。 - 入力信号のレベルを変換するレベル変換回路及び前記レベル変換回路が出力する信号に基づいて3値の出力信号を出力する出力回路を含む半導体装置であって、
前記レベル変換回路は、第1レベル変換回路と、第2レベル変換回路と、第3レベル変換回路と、を含み、
前記第1レベル変換回路は、
第1レベルシフタと、
前記第1レベルシフタの出力信号が入力される第1トランジスタを含む第1インバータと、を含み、
前記第2レベル変換回路は、
第2レベルシフタと、
第3レベルシフタと、
前記第2レベルシフタの出力信号が入力される第2トランジスタ及び前記第3レベルシフタの出力信号が入力される第3トランジスタを含む第2インバータと、を含み、
前記第3レベル変換回路は、
第4レベルシフタと、
前記第4レベルシフタの出力信号が入力される第4トランジスタを含む第3インバータと、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3、及び請求項6のうちのいずれかに記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
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