JP4154391B2

JP4154391B2 - 半導体装置

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Publication number: JP4154391B2
Application number: JP2004567536A
Authority: JP
Inventors: 英明吉村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2003-01-30
Filing date: 2003-01-30
Publication date: 2008-09-24
Anticipated expiration: 2023-01-30
Also published as: US20050151234A1; JPWO2004068581A1; WO2004068581A1; US7304389B2

Description

本発明は半導体装置に係り、特に半導体素子を搭載する樹脂基板を設けた半導体装置に関する。

例えば、ＢＧＡ(Ball Grid Array)パッケージやＬＧＡ(Land Grid Array)パッケージは、樹脂基板の上面に半導体素子を搭載すると共に、下面にはんだボール或いはランド等の外部接続端子を設けた構成とされている（特許文献１〜３）。

図１及び図２は、従来の一例である半導体装置１０を示している。図１は半導体装置１０の正面図であり、図２は半導体装置１０の平面図である。尚、図示の便宜上、図１においてスティフナ１４は断面で示している。

図１及び図２に示す半導体装置１０は、ＢＧＡパッケージ構造を有している。この半導体装置１０は、樹脂基板１２の上面中央に半導体素子１１を搭載しており、また樹脂基板１２の下面には外部接続端子となる複数のはんだボール１３が配設されている。同図に示す例では、半導体素子１１は樹脂基板１２に対してフリップチップ接合されている。

樹脂基板１２は多層配線基板として構成されており、有機樹脂材よりなる基材内に配線層及びこの配線層を層間接続するビア等が形成されている。半導体素子１１とはんだボール１３は、樹脂基板１２内に形成された配線層及びビアにより電気的に接続された構成とされている。

ところで、上記構成とされた半導体装置１０は、実装基板に実装される際、ＢＧＡソケットに装着される態様で実装されることがある。この実装の際、樹脂基板１２に反り等の変形が発生していると、全てのはんだボール１３がソケットの電極に接続できないおそれがある。このため、樹脂基板１２には高いコプラナリティ（平面度）が要求される。

また、上記のように半導体素子１１は樹脂基板１２にフリップチップ接合されるが、この際にも、樹脂基板１２に反り等の変形が発生していると、半導体素子１１に形成した複数のバンプ（図示せず）が、樹脂基板１２に接続されないおそれがある。

上記のような問題点を解決するため、樹脂基板１２にスティフナ１４を配設することが行なわれている。スティフナ１４は、図２に示すように、平面視した状態で樹脂基板１２と略同等の面積を有しており、またその中央には半導体素子１１を樹脂基板１２に搭載するための開口部１６が形成されている。

このスティフナ１４は金属材により形成された板状部材であり、樹脂製接着剤１５を用いて樹脂基板１２に接着される。よって、樹脂基板１２はスティフナ１４に支持され、これにより平面度を維持する構成とされていた。
特開２０００−３４９１７８号公報特開平１１−１２６８３５号公報特開平１１−１８６４３８号公報

しかしながら、近年の半導体素子１１の高密度化に伴う多ピン化により、外部接続端子（はんだボール１３）も増加する傾向にある。また、この外部接続端子の増加により、パッケージ（樹脂基板１２）も大型化する傾向にある。このように半導体装置１０が大型化すると、これに伴いスティフナ１４も大型化し、樹脂基板１２とスティフナ１４との接着面積が増加する。

一方、樹脂基板１２は有機樹脂材よりなるため、必然的にある程度の吸湿が発生する。また、樹脂製接着剤１５も有機樹脂によりなるため、同様にある程度の吸湿が発生する。この吸湿した水分は、例えばはんだボール１３を実装基板に実装するときに実施される加熱処理により蒸気化しガス化する。この吸湿した水分がガス化する際、大きな体積膨張が発生する。

以前のように、外部接続端子が少なく、よって樹脂基板１２及びスティフナ１４の形状が小さい場合には、上記のように発生したガスはスティフナ１４の外周縁側或いは開口部１６側に逃げることができた。しかしながら、上記のように半導体装置１０が大型化に伴いスティフナ１４が大型化し、樹脂基板１２とスティフナ１４との接着面積が増加すると、発生したガスの逃げ道が無くなる。

よって、吸湿した水分が加熱されてガス化する過程において、樹脂基板１２内に層間剥離や断線等の損傷が発生したり、また樹脂基板１２とスティフナ１４との接合部分に剥離が発生したりし、半導体装置１０の信頼性が低下してしまうという問題点があった。

本発明は、上述した従来技術の問題点を解決する、半導体装置を提供することを総括的な目的としている。

本発明のより詳細な目的は、バッケージが大型化し、これに伴い支持板（スティフナ）が大型化しても、吸湿成分のガス化による損傷の発生を防止しうる半導体装置を実現することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子と、該半導体素子を搭載する樹脂基板と、該樹脂基板を支持する支持板とを設けてなる半導体装置において、前記支持板を貫通するガス放出孔を形成し、前記樹脂基板内に、該樹脂基板内部で発生したガスを樹脂基板外部に放出する基板内ガス放出孔を形成し、かつ、該基板内ガス放出孔と、前記ガス放出孔とが対向するよう構成し、該基板内ガス放出孔と前記ガス放出孔とを介して前記樹脂基板で発生するガスを放出する構成としたものである。

上記発明によれば、樹脂基板内部で発生したガスは、支持板を貫通するガス放出孔及び基板内ガス放出孔を介して外部に放出される。このため、この樹脂基板の内部で発生したガスにより樹脂基板が損傷したり、また樹脂基板と支持板とが剥離したりすることを防止でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。

また、上記発明に係る半導体装置において、更に、前記半導体素子と熱的に接続され、該半導体素子で発生する熱を放熱する放熱部材を設け、かつ、該放熱部材を前記ガス放出孔の開口部に対し離間させた構成とすることができる。

この発明によれば、半導体素子で発生した熱は放熱部材により放熱されるため、熱により半導体素子に動作不良が発生することを防止できる。また、樹脂基板内部で発生したガスは、支持板に形成されたガス放出孔から放出されるが、この際に放熱部材は、ガス放出孔の開口部に対し離間した構成であるため、放熱部材によりガスの放出が邪魔されるようなことはない。よって、熱による半導体素子の動作不良を防止しつつ、かつ、ガスによる樹脂基板の損傷及び樹脂基板と支持板との剥離を防止することができる。

また、上記発明に係る半導体装置において、更に、前記樹脂基板及び前記支持板を覆うキャップを設け、かつ、該キャップに、前記ガス放出孔から放出されたガスを前記キャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔を形成した構成とすることができる。

この発明によれば、樹脂基板及び支持板は、これを覆うキャップにより保護されるため、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、樹脂基板内部で発生したガスは、支持板に形成されたガス放出孔から放出されるが、樹脂基板及び支持板を覆うキャップにはガス放出孔から放出されたガスをキャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔が形成されている。このため、キャップ内にガスが溜まり、キャップが半導体装置から離脱することを防止することができる。

また、上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子と、該半導体素子を搭載する基板と、該基板に樹脂製接着材を用いて固定され、該基板を支持する支持板とを設けてなる半導体装置において、前記支持板を貫通するガス放出孔を形成し、前記基板内に、該基板内部で発生したガスを基板外部に放出する基板内ガス放出孔を形成し、かつ、該基板内ガス放出孔と、前記ガス放出孔とが対向するよう構成し、該基板内ガス放出孔と前記ガス放出孔とを介して前記基板及び前記樹脂製接着材で発生するガスを放出する構成としたものである。

上記発明によれば、樹脂製接着材で発生したガスは、支持板を貫通するガス放出孔と基板内ガス放出孔を介して外部に放出される。このため、この樹脂製接着材で発生したガスにより基板と支持板とが剥離することを防止でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。

この発明によれば、半導体素子で発生した熱は放熱部材により放熱されるため、熱により半導体素子に動作不良が発生することを防止できる。また、樹脂製接着材で発生したガスは、支持板に形成されたガス放出孔から放出されるが、この際に放熱部材は、ガス放出孔の開口部に対し離間した構成であるため、放熱部材によりガスの放出が邪魔されるようなことはない。よって、熱による半導体素子の動作不良を防止しつつ、かつ、ガスにより基板と支持板とが剥離することを防止することができる。

また、上記発明に係る半導体装置において、更に、前記基板及び前記支持板を覆うキャップを設け、かつ、該キャップに、前記ガス放出孔から放出されたガスを前記キャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔を形成した構成とすることができる。

この発明によれば、基板及び支持板は、これを覆うキャップにより保護されるため、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、樹脂製接着材で発生したガスは、支持板に形成されたガス放出孔から放出されるが、基板及び支持板を覆うキャップにはガス放出孔から放出されたガスをキャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔が形成されている。このため、キャップ内にガスが溜まり、キャップが半導体装置から離脱することを防止することができる。

また、上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子と、該半導体素子を搭載する樹脂基板とからなる半導体装置に設けられ、該樹脂基板を支持する支持板において、前記樹脂基板で発生するガスを放出するための貫通孔が形成された構成としたものである。

上記発明によれば、樹脂基板内部で発生したガスは、支持板に形成された貫通孔を介して外部に放出される。このため、この樹脂基板の内部で発生したガスにより樹脂基板が損傷したり、また樹脂基板と支持板とが剥離したりすることを防止でき、半導体装置の信頼性を高めることができる。

次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。

図３乃至図５は、本発明の第１実施例である半導体装置２０Ａ及びスティフナ２４（支持板）を示している。図３は半導体装置２０Ａの正面図であり、図４は半導体装置２０Ａ平面図であり、更に図５は半導体装置２０Ａの要部を拡大して示す断面図である。尚、図示の便宜上、図３においてスティフナ２４は断面で示している。

本実施例に係る半導体装置２０Ａは、ＢＧＡパッケージ構造を有している。こ半導体装置２０Ａは、大略すると半導体素子２１，樹脂基板２２，はんだボール２３，及びスティフナ２４等により構成されている。

半導体素子２１は回路形成面に複数のバンプ（図示せず）が形成されており、このバンプを用いて樹脂基板２２の中央位置にフリップチップ接合されている。また、外部接続端子となる複数のはんだボール２３は、樹脂基板２２の下面に接合されている。

樹脂基板２２は多層配線基板として構成されており、有機樹脂材よりなる基材内に配線層及びこの配線層を層間接続するビア等が形成されている。図５は、樹脂基板２２を拡大して示している。

同図に示すように、樹脂基板２２は大略するとコア基板部２８とビルドアップ配線部２９，３０とにより構成されている。コア基板部２８はビルドアップ配線部２９，３０のベースとなる基板であり、例えばエポキシ系或いはＢＴレジン等の樹脂層を多層化した多層基板よりなる。

このコア基板部２８の所定位置には、コア基板部２８を挟んで形成されるビルドアップ配線部２９とビルドアップ配線部３０とを電気的に接続するためのスルーホール３１が形成されている。また、ビルドアップ配線部２９，３０は、このコア基板部２８上に薄膜形成技術を用いて多層形成されたものであり、配線層３２と絶縁層となる樹脂層が交互に積層された構成となっている。

更に、配線層３２は、所定位置においてビア（図示せず）により層間接続された構成とされている。前記の半導体素子２１とはんだボール２３は、この樹脂基板２２内に形成されたスルーホール３１，配線層３２，及びビアにより電気的に接続されている。

ところで、樹脂基板２２は樹脂を主成分とするものであるため、必然的に吸湿してしまう。具体的には、エポキシ系，ＢＴレジン等の樹脂の場合、その吸湿性は０．２〜０.３％程度である。この吸湿成分がガス化することに起因して、半導体装置２０Ａに損傷が発生することは前記したとおりである。

このため、本実施例で用いている樹脂基板２２は、所定位置に第２のガス放出孔３３が形成された構成とされている。この第２のガス放出孔３３は、ビルドアップ配線部２９，３０を形成するときに同時形成する。このように、樹脂基板２２に第２のガス放出孔３３を形成することにより、樹脂基板２２の表面に対し深い位置に存在する吸湿成分がガス化しても、発生したガスはこの第２のガス放出孔３３を介して樹脂基板２２の外部に放出可能となる。

前記したように、半導体装置２０Ａが実装基板（図示せず）に実装される際の実装信頼性を高める点、及び半導体素子２１を樹脂基板２２にフリップチップ接合する際の接合信頼性を高める点から、樹脂基板２２には高いコプラナリティ（平面度）が要求される。このため、本実施例に係る半導体装置２０Ａは、樹脂基板２２上にスティフナ２４を設けた構成としている。

スティフナ２４は板状の部材であり、樹脂基板２２を支持する支持板として機能するものである。スティフナ２４は、図４に示すように、平面視した状態で樹脂基板２２と略同等の面積を有しており、またその中央には半導体素子２１を樹脂基板２２に搭載するための開口部２６が形成されている。尚、前記した半導体素子２１は、接合信頼性を高めるため、スティフナ２４を樹脂基板２２に固定した後に樹脂基板２２にフリップチップ接合される。

このスティフナ２４の材料は、樹脂基板２２に熱膨張係数が近く、かつ剛性（ヤング率）の高い材料が選定されている。具体的には、スティフナ２４の材料としての、銅（Ｃｕ），ステンレス（ＳＵＳ），アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。上記構成とされたスティフナ２４は、例えばエポキシ系等の樹脂系の接着剤２５（以下、樹脂製接着剤２５という）により、樹脂基板２２に接着されている。

ところで、本実施例で用いている半導体素子２１は高密度化されたものであり、よって多数の外部接続端子（はんだボール２３）を有している。よって、これに伴い樹脂基板２２及びスティフナ２４も大型化し、半導体素子の高密度化が図られていない従前の半導体装置に比べ、樹脂基板２２とスティフナ２４との接着面積も増加している。

よって、従来のようにスティフナ１４（図１，２参照）を単なる板材で形成した場合には、樹脂基板１２及び樹脂製接着剤１５で吸湿した水分がガス化した際にガスの逃げ道が無いため、樹脂基板１２内に層間剥離や断線等の損傷が発生したり、また樹脂基板１２とスティフナ１４との接合部分に剥離が発生したりするおそれが有ったことは前述した通りである。

これに対して本実施例に係る半導体装置２０Ａは、スティフナ２４に第１のガス放出孔２７を形成した構成としている。第１のガス放出孔２７は、スティフナ２４を貫通して形成されている。この第１のガス放出孔２７は、例えばドリル加工等の周知の機械加工或いはレーザ加工等により形成することが可能であり、比較的低コストで形成することができる。

また、第１のガス放出孔２７の形成位置は、樹脂基板２２に形成された第２のガス放出孔３３と対向するよう構成されている。具体的には、第１のガス放出孔２７の中心軸と、第２のガス放出孔３３の中心軸は一致するよう構成されている。

更に、第１のガス放出孔２７の直径寸法は、第２のガス放出孔３３の直径寸法より大きく設定されている。この第１のガス放出孔２７の直径寸法と、第２のガス放出孔３３の直径寸法との差は、スティフナ２４を樹脂基板２２に取り付ける際の取り付け誤差の値よりも大きくなるよう設定されている。

上記のようにスティフナ２４に第１のガス放出孔２７を形成することにより、樹脂基板２２或いは樹脂製接着剤２５に吸湿されていた水分がガス化したとしても、このガスはスティフナ２４に形成された第１のガス放出孔２７を介して外部に放出される。このため、樹脂基板２２或いは樹脂製接着剤２５で発生したガスにより樹脂基板２２が損傷したり、また樹脂基板２２とスティフナ２４とが剥離したりすることを防止でき、半導体装置２０Ａの信頼性を高めることができる。

また本実施例では、上記のようにスティフナ２４に形成された第１のガス放出孔２７と、樹脂基板２２に形成された第２のガス放出孔３３とが対向するよう構成されている。これにより、樹脂基板２２の内部に発生したガスは、この第２のガス放出孔３３を介して樹脂基板２２の外部に放出される。

また、第２のガス放出孔３３と第１のガス放出孔２７が対向配置されているため、第２のガス放出孔３３により基板表面に放出されたガスは、そのまま第１のガス放出孔２７を通りスティフナ２４（半導体装置２０Ａ）の外部に放出される。よって、第２のガス放出孔３３から放出されたガスが、樹脂基板２２とスティフナ２４との間に溜まることはなく、樹脂基板２２とスティフナ２４がガスにより剥離することを防止できる。

尚、樹脂基板２２とスティフナ２４との間には、樹脂製接着剤２５が存在する。しかしながら、この樹脂製接着剤２５は薄く、また樹脂であるため所定のガス通過性（ガスを通過させる性質）を有している。このため、樹脂製接着剤２５が第２のガス放出孔３３から第１のガス放出孔２７に向うガスの流れを阻止することはなく、上記の如く樹脂基板２２で発生したガスは第１のガス放出孔２７から装置外部に放出される。

続いて、本発明の第２実施例について説明する。

図６は、第２実施例である半導体装置２０Ｂを示している。尚、図６において、先の第１実施例の説明に用いた図３乃至図５に示した構成と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する者とする。また、後述する第３実施例の説明に用いる図７についても同様とする。

本実施例に係る半導体装置２０Ｂは、第１実施例に係る半導体装置２０Ａに対し、更にヒートスプレッダ３５を設けたことを特徴としている。このヒートスプレッダ３５は、熱伝導性が良好な銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）等により形成されている。

このヒートスプレッダ３５は、半導体素子２１で発生する熱を放熱するためのものであり、よって半導体素子２１と熱的に接続された構成とされている。具体的には、ヒートスプレッダ３５は下方に突出する突出部３５ａを有しており、この突出部３５ａが熱伝導性接着剤３７を介して半導体素子２１に接着された構成とされている。

このため本実施では、ヒートスプレッダ３５は半導体素子２１に対し、熱的に接続されると共に機械的にも接合された構成となっている。この接合の際、本実施例では、ヒートスプレッダ３５がスティフナ２４（図では、断面として示している）から離間するよう構成されている。これにより、ヒートスプレッダ３５は、スティフナ２４に形成された第１のガス放出孔２７の開口部に対し離間した構成となる。

上記した本実施例に係る半導体装置２０Ｂによれば、半導体素子２１で発生した熱は放熱部材として機能するヒートスプレッダ３５により放熱されるため、熱により半導体素子２１に動作不良が発生することを防止できる。

また、第１実施例で説明したと同様に樹脂基板２２及び樹脂製接着剤２５で発生するガスは、スティフナ２４に形成された第１のガス放出孔２７から放出される。この際、本実施例ではヒートスプレッダ３５が第１のガス放出孔２７の開口部に対し離間した構成であるため、ヒートスプレッダ３５によりガスの放出が邪魔されるようなことはない。

また、スティフナ２４の外周位置には、スティフナ２４とヒートスプレッダ３５との間に間隙部３６が形成されるため、第１のガス放出孔２７から放出されたガスは、この間隙部３６を介して半導体装置２０Ｂの外部に放出される。よって、本実施例に係る半導体装置２０Ａによれば、熱による半導体素子２１の動作不良を防止しつつ、かつ、ガスによる樹脂基板２２の損傷及び樹脂基板２２とスティフナ２４との剥離を防止することができる。

尚、間隙部３６の高さ（第１のガス放出孔２７の開口部とヒートスプレッダ３５との離間距離）は、突出部３５ａの高さを調整することにより任意に設定することができる。この間隙部３６の高さは、第１のガス放出孔２７から放出されるガスを確実に外部に放出できる範囲の高さで、最も小さく設定されている。これにより、半導体装置２０Ｂの低背化を図っている。

続いて、本発明の第３実施例について説明する。

図７は、第３実施例である半導体装置２０Ｃを示している。本実施例に係る半導体装置２０Ｃは、第１実施例に係る半導体装置２０Ａに対し、更にキャップ４０（図では断面として示している）を設けたことを特徴としている。

このキャップ４０は、前記した第２実施例におけるヒートスプレッダ３５と同様に、半導体素子２１で発生した熱を放熱する機能を有している。また、キャップ４０は、この半導体素子２１の放熱機能に加え、樹脂基板２２及びスティフナ２４を保護する機能をも有している。

このため、キャップ４０の中央位置において下方に突出した突出部４０ａは、熱伝導性接着剤３７を介して半導体素子２１に接着されており、熱的に接続された構成とされている。また、キャップ４０の外周部において下方に突出した袴部４０ｂは、接着剤３８によりスティフナ２４に固定された構成とされている。このように、突出部４０ａが半導体素子２１に熱的に接続することにより、半導体素子２１で発生した熱はキャップ４０で放熱される。

また、袴部４０ｂがスティフナ２４に接着されることにより、樹脂基板２２及びスティフナ２４の上部はキャップ４０で覆われることになる。これにより、樹脂基板２２及びスティフナ２４は、キャップ４０により保護されるため、半導体装置２０Ｃの信頼性を高めることができる。

また、キャップ４０が取り付けられた状態で、第１のガス放出孔２７の開口部とキャップ４０との間には、間隙４３が形成されるよう構成されている。そしてキャップ４０には、この間隙４３と連通する第３のガス放出孔４１（キャップ用ガス放出孔）が形成されている。

よって、樹脂基板２２及び樹脂製接着剤２５で発生したガスは、スティフナ２４に形成された第１のガス放出孔２７から間隙４３に放出された後、キャップ４０に形成された第３のガス放出孔４１を介して半導体装置２０Ｃの外部に放出される。このため、半導体装置２０Ｃにキャップ４０を設けても、キャップ４０内にガスが溜まり、このガス圧によりキャップ４０が半導体装置２０Ｃ（スティフナ２４）から離脱するようなことはない。

尚、上記した各実施例では、ＢＧＡパッケージ構造の半導体装置２０Ａ〜２０Ｃを例に挙げて説明したが、スティフナ（支持板）を用いる構成であれば、ＬＧＡパッケージ構造等の他のパッケージ構造についても本発明は適用できるものである。

また、本実施例では、基板（樹脂基板２２）及び樹脂製接着剤２５の双方からガスが発生する構成について説明したが、本発明の適用は必ずしも基板及び接着剤の双方が樹脂である必要はない。例えば、基板としてセラミック基板のように吸湿が起こり難い基板を用いても、このセラミック基板と支持板とを樹脂製接着剤で接着した場合でも、本願発明は上記した効果を実現することができる。

図１は、従来の一例である半導体装置の正面図である。図２は、従来の一例である半導体装置の平面図である。図３は、本発明の第１実施例である半導体装置の正面図である。図４は、本発明の第１実施例である半導体装置の平面図である。図５は、本発明の第１実施例である半導体装置の断面図である。図６は、本発明の第２実施例である半導体装置の正面図である。図７は、本発明の第３実施例である半導体装置の正面図である。

Claims

半導体素子と、
該半導体素子を搭載する樹脂基板と、
該樹脂基板を支持する支持板とを設けてなる半導体装置において、
前記支持板を貫通するガス放出孔を形成し、
前記樹脂基板内に、該樹脂基板内部で発生したガスを樹脂基板外部に放出する基板内ガス放出孔を形成し、
かつ、該基板内ガス放出孔と、前記ガス放出孔とが対向するよう構成し、
該基板内ガス放出孔と前記ガス放出孔とを介して前記樹脂基板で発生するガスを放出する構成とした半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、
更に、前記半導体素子と熱的に接続され、該半導体素子で発生する熱を放熱する放熱部材を設け、
かつ、該放熱部材を前記ガス放出孔の開口部に対し離間させた構成の半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、
更に、前記樹脂基板及び前記支持板を覆うキャップを設け、
かつ、該キャップに、前記ガス放出孔から放出されたガスを前記キャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔を形成した構成の半導体装置。
半導体素子と、
該半導体素子を搭載する基板と、
該基板に樹脂製接着材を用いて固定され、該基板を支持する支持板とを設けてなる半導体装置において、
前記支持板を貫通するガス放出孔を形成し、
前記基板内に、該基板内部で発生したガスを基板外部に放出する基板内ガス放出孔を形成し、
かつ、該基板内ガス放出孔と、前記ガス放出孔とが対向するよう構成し、
該基板内ガス放出孔と前記ガス放出孔とを介して前記基板及び前記樹脂製接着材で発生するガスを放出する構成とした半導体装置。
請求項４記載の半導体装置において、
更に、前記半導体素子と熱的に接続され、該半導体素子で発生する熱を放熱する放熱部材を設け、
かつ、該放熱部材を前記ガス放出孔の開口部に対し離間させた構成の半導体装置。
請求項４記載の半導体装置において、
更に、前記基板及び前記支持板を覆うキャップを設け、
かつ、該キャップに、前記ガス放出孔から放出されたガスを前記キャップの外部に放出するキャップ用ガス放出孔を形成した構成の半導体装置。