JP4151282B2 - 窒化物系半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成る基板を用いる窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
今日、屋内あるいは屋外でフルカラー発光可能なLEDディスプレイ、各種センサ、そしてインジケータ等の電子機器への窒化物半導体発光素子の利用が注目されている。窒化物半導体発光素子は、チップ抵抗等の他の電子部品とともに配線パターンを有する実装基板の上に実装されて使用されている。ここで、サファイヤ等の透光性基板を用いる窒化物半導体発光素子では、基板を光出射面とするように実装基板に実装するフェイスダウン実装が可能である。フェイスダウン実装によれば、広範囲から視認できるので視野角を広くすることができる、また、実装面積を小さく回路配線を短くできるので、高密度実装に適し、電子機器の小型化が可能である等の特徴を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、サファイヤ基板を用いた窒化物半導体発光素子をフェイスダウン実装したものは、輝度が十分ではなく、一層の輝度の向上が必要とされている。
【0004】
そこで、本発明は、フェイスダウン実装に用いる発光素子であって、輝度の向上した窒化物半導体発光素子を提供することを目的とした。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に1以上のn型窒化物半導体層と、活性層と、1以上のp型窒化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であって、上記基板は一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成り、上記p型窒化物半導体層の上にはそのほぼ全面にp電極、上記光出射面にはその一端部にn電極がそれぞれ設けられており、上記活性層のほぼ全面が発光領域であり、上記光出射面が光出射方向に突出した凸部を有し、該凸部が粗面を有することを特徴とする。
【0006】
本発明によれば、基板の光出射面に凸部を設けたので、発光素子からの出射光の取出し効率を向上させることができる。すなわち、通常、発光素子は外部環境からの保護のため、その周囲がエポキシ樹脂等の封止樹脂により覆われており、発光素子を構成する窒化物半導体の屈折率は封止樹脂の屈折率よりも大きい。ここで、基板の光出射面に凸部を設けると、光出射面が発光層に平行な平面である場合に比べ、光出射面と封止樹脂との界面における発光層からの入射光の入射角を小さくすることができる。そのため、光出射面と封止樹脂との界面における全反射が抑制されるので、光の取出し効率を向上させることができる。
さらに、基板に一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体を用いたので、基板上に成長させる窒化物半導体層との格子整合性を向上させ結晶欠陥を低減させることにより光出力を向上させることができる。また、窒化物半導体はサファイヤに比べ熱伝導率が大きいので発光素子の放熱性を向上させることもできる。
このように、光の取出し効率及び光出力を高めることにより、発光素子の輝度を向上させることが可能となる。
【0007】
また、本発明の発光素子は、凸部に曲面を有するものを用いることができる。ここで、曲面には、凸レンズ状、半円柱状、ドーム状、半球状等を用いることができる。
【0008】
また、本発明の発光素子は、凸部に階段面を有するものを用いることもできる。さらに、階段面には、所望の段差で配列された1以上の段面から成るものを用いることができる。また、階段面には、2以上の段面が同心円状に形成されて成るものを用いることができる。
【0009】
また、本発明の発光素子は、凸部の表面が粗面であるものを用いることができる。粗面により発光層からの光が散乱されて全反射が抑制され、光の取出し効率を向上させることができる。
【0010】
また、本発明の発光素子は、SiをドープされたGaNから成る基板を用いることができる。
【0011】
本発明の窒化物半導体発光素子は、以下の方法を用いて作製することができる。すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、対向する一対の主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に1以上のn型窒化物半導体層と、活性層と、1以上のp型窒化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記基板が一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成り、上記p型窒化物半導体層上のほぼ全面にp電極を形成し、上記活性層のほぼ全面を発光領域とする工程と、上記光出射面をエッチングして光出射方向に突出した凸部を形成する工程と、上記光出射面の一端部にn電極を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0012】
また、本発明の製造方法は、凸部を形成する工程を、光出射面となる主面の上に、光出射面より小面積の第1のマスク層を形成する工程と、光出射面をエッチングして第1の段面を形成する工程とで構成することができる。
【0013】
また、本発明の製造方法は、さらに、光出射面の残部に第1のマスク層よりも小面積の第2のマスク層を形成する工程と、光出射面の残部をエッチングして第2の段面を形成する工程とを含むことができる。さらに、当該第2のマスク層を形成する工程と、当該第2の段面を形成する工程とを繰返して、所望の段差で複数の段面が配列されて成る階段面を形成することができる。また、上記第1の段面及び第2の段面を同心円状に形成することもできる。
【0014】
また、本発明の製造方法は、凸部を形成するにあたり、光出射面より小面積であって、曲面形状の表面を有し、その曲面形状を光出射面に転写する転写層を光出射面上に形成する工程と、転写層と光出射面に対して反応性イオンエッチングを行って、曲面形状を光出射面に転写する工程とを含む方法を用いることもできる。
【0015】
また、転写層を形成する工程は、上側のレジスト層が下側のレジスト層を覆うように複数のレジスト層を積層する工程を含むことができる。また、複数のレジスト層を同心円状に積層することもできる。
【0016】
また、転写層を形成する工程は、光出射面上に1以上のレジスト層を形成する工程と、その1以上のレジスト層を加熱により流動化せしめて曲面形状を転写層に付与する工程とを含むこともできる。
【0017】
また、転写層の曲面形状には球面を用いることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子Aの構造を示す模式図であり、(a)は側面図、(b)は上面図である。窒化物半導体発光素子Aは、窒化物半導体から成る基板1と、その基板1の一方の主面1b上に順次形成されたn型窒化物半導体層2と、活性層3と、p型窒化物半導体層4とを有し、さらに、p型窒化物半導体層4の上にはほぼ全面にp電極5、そして基板1の他方の主面1a(光出射面)の一端部にn電極6が設けられている。基板1のn電極6を除く光出射面1aは光出射方向に突出した階段面21から成る凸部20を有している。ここで、階段面21は、所定の段差で連続する段面22、23、24とで構成されている。そして発光素子Aは、図示しない実装基板とp電極5を対向させるようにフェイスダウン実装され、さらに図示しない封止樹脂により光出射面1aが覆われている。
【0019】
光出射面1aは凸部20を有しているので、光出射面1aが発光層3に平行な平面である場合に比べ、光出射面1aと封止樹脂との界面における発光層3からの光の入射角が小さくなる。これにより光出射面1aと封止樹脂との界面での発光層3からの光が全反射するのを抑制して、光の取出し効率を向上させることができる。
【0020】
また、基板には、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体を用いることができる。基板に窒化物半導体を用いることにより、基板上に成長させる窒化物半導体との格子整合性を向上させ、かつ、熱膨張差を小さくすることができるので、結晶欠陥を低減させて光出力を向上させることが可能となる。窒化物半導体としては、好ましくはGaN、より好ましくはSiをドープしたGaNである。Siをドープし抵抗率を小さくしたGaNを基板に用いると、n電極を光出射面上に形成することができる。一般に、p型窒化物半導体層は高抵抗であるため、p電極の電流がp型窒化物半導体層全面に拡散せず電界の集中が起こるので、発光する部分がp電極の下付近に限られるという問題がある。これに対し、n電極を光出射面上に形成することにより、p電極をp型窒化物半導体層のほぼ全面に形成することができるので、電流を均一に拡散させて均一に発光させる効果も得られる。
【0021】
本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子は、例えば、以下の方法を用いて作製することができる。
窒化物半導体基板の作製
窒化ガリウム系化合物半導体から成る基板の作製は、ハイドライド気相成長法(以下、HVPE法と呼ぶ。)を用いることができる。HVPE法は、ガリウム、アルミニウム、インジウム等のIII族元素と、塩化水素等のハロゲンガスとを反応させて、III族元素の塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物を生成させ、そのハロゲン化物をアンモニアやヒドラジン等の窒素源と高温で反応させて窒化物半導体を得る方法である。MOCVD法(有機金属化学気相成長法)に比較して成長速度が数倍以上速いので、短時間で基板として使用可能な厚さまで成長させることができる。
例えば、サファイア基板上にHVPE法により窒化ガリウムの厚膜を形成した後、サファイア基板を研磨して除去したものを窒化ガリウム基板として用いることができる。
【0022】
窒化物半導体層の形成
本発明の窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体としては特に限定されず、少なくとも1以上のn型窒化物半導体、活性層、及び1以上のp型窒化物半導体が積層されていれば良い。例えば、n型窒化物半導体層として、超格子構造を有するn型窒化物半導体層を有し、この超格子構造のn型層にn電極を形成することのできるn型窒化物半導体が形成されているものを挙げることができる。活性層としては、例えば、InGaNを含有して成る多重量子井戸構造の活性層を挙げることができる。
【0023】
本発明に用いる窒化物半導体層を成長させる方法は、特に限定されないがMOVPE法(有機金属気相成長法)、HVPE法、MBE法(分子線エピタキシー法)、MOCVD法等の、窒化物半導体を成長可能な公知のいずれの方法を用いることができる。
【0024】
凸部の形成
凸部を設ける方法としては、光出射面のマスク層以外の残部を取除くことができる方法であれば良く、例えば、エッチングやダイシングが挙げられる。エッチングにより基板に凸部を形成する場合、フォトリソグラフィー技術における種々の形状のマスクパターンを用い、ドット状のフォトマスクを作製し、レジストパターンを基板上に形成してエッチングすることにより形成できる。フォトマスクはエッチング後に除去する。
【0025】
基板のエッチングには、ドライエッチングあるいはウエットエッチングを用いることができるが、ドライエッチングが好ましい。平滑な面を形成することができるからである。ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング、電子サイクロンエッチング、イオンビームエッチングがあるが、エッチングガスを適宜選択することによりいずれのエッチング方法も用いることができる。また、エッチングにより凸部を形成する場合、エッチング面(凸部側面)は、エッチング面が基板に対してほぼ垂直となる形状でも、順メサ形状又は逆メサ形状でも良い。
【0026】
窒化物半導体発光素子Aは、例えば、以下の方法で作製することができる。
図2の(a)〜(l)は、図1の窒化物半導体発光素子Aの作製工程の一例を示す模式断面図である。窒化物半導体から成る基板1の一方の主面1b上にn型窒化物半導体層2、活性層3、p型窒化物半導体層4、そしてp型窒化物半導体層4のほぼ全面にp電極5を順次形成し、さらに光出射面となる基板1の他方の主面1a上のほぼ全面にレジスト層8aを形成する(図2(a))。次に、フォトリソグラフィーにより主面1aより小面積の所定パターンの第1のマスク層8bを形成する(図2(b))。主面1aの露出した残部をエッチングして第1段面22を形成し(図2(c))、その後、第1のマスク層8bを除去する(図2(d))。
【0027】
次に、主面1a上のほぼ全面にレジスト層9aを形成する(図2(e))。次に、フォトリソグラフィーにより第1のマスク層8bより小面積の所定パターンの第2のマスク層9bを形成する(図2(f))。主面1aの露出した残部をエッチングし第の段面22と所定の段差で連続する第2の段面23を形成し(図2(g))、その後、第2のマスク層9bを除去する(図2(h))。
【0028】
次に、主面1a上のほぼ全面にレジスト層10aを形成する(図2(i))。次に、フォトリソグラフィーにより第2のマスク層9bより小面積の所定パターンの第3のマスク層10bを形成する(図2(j))。主面1aの露出した残部をエッチングし第2の断面23と所定の段差で連続する第3の段面24を形成し(図2(k))、その後、第3のマスク層10bを除去し、複数の段面が配列された階段面21を形成する(図2(l))。
さらに、図示しないn電極を光出射面の凸部21以外の領域に形成して窒化物半導体発光素子Aを得る。
【0029】
本実施の形態によれば、光出射面を階段面を有する凸部で構成したので、光出射面が発光層に平行な平面である場合に比べ、光出射面と封止樹脂との界面における発光面からの光の入射角を小さくすることができる。これにより、光出射面と封止樹脂との界面における発光層からの光の全反射が抑制され、光の取出し効率を向上させることができる。また、基板に窒化物半導体を用いているので、基板上に成長させる窒化物半導体との格子整合性を向上させ、かつ、熱膨張差を小さくすることができるので、結晶欠陥を低減させて光出力を向上させることが可能となる。
【0030】
本実施の形態では、光出射面上に形成する段面の数が3個の場合を示したが、これに限定されるものではなく、フォトリソグラフィーを繰返してエッチングすることにより複数の段面からなる階段面を有する凸部を形成することができる。
【0031】
また、複数の段面を同心円状に形成することが好ましい。全方位に均等に光を放出することができるからである。また、凸部をエッチングにより形成したので、光出射面は粗面を有しており、発光層からの光の全反射をより抑制する効果も有している。
【0032】
実施の形態2.
図3は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子Bの構造を示す模式図であり、(a)は側面図、(b)は上面図である。窒化物半導体発光素子Bは、光出射面1aが光出射方向に突出した凸レンズ状の曲面からなる凸部20を有している以外は、実施の形態1と同様の構成を有する。
【0033】
図4の(a)〜(d)は、図3の窒化物半導体発光素子Bの作製工程の一例を示す模式断面図である。窒化物半導体から成る基板1の一方の主面1b上にn型窒化物半導体層2、活性層3、p型窒化物半導体層4、そしてp型窒化物半導体層4のほぼ全面にp電極5を順次形成する。次に、光出射面となる基板1の他方の主面1a上にフォトリソグラフィーにより第1のレジスト層7aを形成する(図4(a))。次に、第1のレジスト層7aの全面を覆うように第2のレジスト層7bを積層し(図4(b))、さらに、第2のレジスト層7bの全面を覆い、かつ主面1aの外縁部をエッチング可能に露出させて第3のレジスト層7cを積層する(図4(c))。これにより、第1から第3のレジスト層から成り、光出射面1aより小面積で、曲面形状の表面を有する転写層11を形成することができる。
【0034】
次に、光出射面1a及び転写層11に対して反応性イオンエッチングを行って、転写層11の曲面形状を光出射面1aに転写する。ここで、転写層11と光出射面1aに対し、選択比(光出射面に対する侵刻速度/転写層に対する侵刻速度)を所定比率に制御して反応性イオンエッチング(異方性エッチング)を行うことにより光出射面に曲面形状を転写することができる。ここで、エッチングガスには塩素系ガス、例えば、Cl2、SiCl4、Cl2/SiCl4の混合ガス、そしてCl2/CH4の混合ガス等を用いることができる。これにより、曲面形状から成る凸部20′を形成する(図4(d))。さらに、図示しないn電極を光出射面の凸部20′以外の領域に形成して窒化物半導体発光素子Aを得る。
【0035】
本実施の形態によれば、光出射面を曲面形状を有する凸部で構成したので、発光層からの光の全反射を実施の形態1よりも一層抑制することができ、光の取出し効率をさらに向上させることが可能となる。また、基板に窒化物半導体を用いているので、基板上に成長させる窒化物半導体との格子整合性を向上させ、かつ、熱膨張差を小さくすることができるので、結晶欠陥を低減させて光出力を向上させることが可能となることは言うまでもない。
【0036】
ここで、転写層を構成する複数のレジスト層を同心円状に形成することが好ましい。全方位に均等に光を放出することができるからである。また、凸部をエッチングにより形成したので、光出射面は粗面を有しており、発光層からの光の全反射をより抑制する効果も有している。また、曲面形状は光出射方向に凸であれば特に限定されるものではなく、例えば凸レンズ状、球面状、あるいはドーム状等を用いることができるが、球面が好ましい。全方位により均等に光を放出することが可能となるからである。
【0037】
上記の方法では、曲面形状を有する転写層を形成するに際し、上側の層が下側の層の全面を覆うようにして複数のレジスト層を積層して転写層とする方法を用いたが、レジスト層を加熱流動化させる曲面形状を付与する方法を用いることもできる。例えば、光出射面上にフォトリソグラフィーにより凸形状のレジスト層を形成し、そのレジスト層を加熱して流動化させ、所定の曲面形状を有し光出射面より小面積の転写層を形成することができる。上記の凸形状のレジスト層は所定の曲面形状が得られれば、1層でも複数の層でも良い。この方法の場合、フォトリソグラフィーを繰返す必要がないので、発光素子の作製プロセスを効率化することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の窒化物半導体発光素子は、基板に一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体を用いるようにしたので、基板上に成長させる窒化物半導体層との格子整合性を向上させ結晶欠陥を低減させることにより光出力を向上させることができる。さらに、基板の光出射面に凸部を有しているので、光出射面と封止樹脂との界面における全反射を抑制して光の取出し効率をさらに向上させることができる。以上の効果により輝度の向上した窒化物半導体発光素子を提供することができる。また、窒化物半導体基板はサファイヤ基板に比べ熱伝導率が大きいため、放熱性の向上した窒化物半導体発光素子を提供することができる。
【0039】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体基板の光出射面をエッチングして光出射方向に突出した凸部を形成するようにしたので、光出力を向上させた窒化物半導体発光素子を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す側面図(a)と上面図(b)である。
【図2】 本発明の実施の形態1に係る窒化物半導体発光素子の作製工程を示す模式段面図である。
【図3】 本発明の実施の形態2に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す側面図(a)と上面図(b)である。
【図4】 本発明の実施の形態2に係る窒化物半導体発光素子の作製工程を示す模式段面図である。
【符号の説明】
1 基板、1a 主面(光出射面)、1b 主面、2 n型窒化物半導体層、3活性層、4 p型窒化物半導体層、5 p電極、6 n電極、7a 第1のレジスト層、7b 第2のレジスト層、7c 第3のレジスト層、8a,9a,10a レジスト層、8b 第1のマスク層、9b 第2のマスク層、10b 第3のマスク層、20,20′ 凸部、21 階段面、22,23,24 段面、A,B 窒化物半導体発光素子。
Claims (7)
- 対向する一対の主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に1以上のn型窒化物半導体層と、活性層と、1以上のp型窒化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であって、
上記基板は一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成り、
上記p型窒化物半導体層の上にはそのほぼ全面にp電極、上記光出射面にはその一端部にn電極がそれぞれ設けられており、
上記活性層のほぼ全面が発光領域であり、
上記光出射面が光出射方向に突出した凸部を有し、該凸部が粗面を有する窒化物半導体発光素子。 - 上記凸部が曲面を有する請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 上記曲面が球面である請求項2記載の窒化物半導体発光素子。
- 上記凸部が階段面を有する請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 上記階段面が所望の段差で配列された1以上の段面から成る請求項4記載の窒化物半導体発光素子。
- 2以上の段面が同心円状に形成されて成る請求項5記載の窒化物半導体発光素子。
- 上記基板はSiをドープされたGaNから成る請求項1から6のいずれか一つに記載の窒化物半導体発光素子。
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