JP2003258301A - 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フェイスダウン実装に用いる輝度の向上した
窒化物半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 対向する一対の主面を有する基板を備
え、その基板の一方の主面上に１以上のｎ型窒化物半導
体層と、活性層と、１以上のｐ型窒化物半導体層とが積
層して形成され、その基板の他方の主面を光出射面にし
て配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であっ
て、基板は一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ −ｙ}Ｎ（０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる窒化物半導体から成
り、光出射面が光出射方向に突出した凸部を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般式Ｉｎ_ｘＡｌ
_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わ
される窒化物半導体から成る基板を用いる窒化物半導体
発光素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、屋内あるいは屋外でフルカラー発
光可能なＬＥＤディスプレイ、各種センサ、そしてイン
ジケータ等の電子機器への窒化物半導体発光素子の利用
が注目されている。窒化物半導体発光素子は、チップ抵
抗等の他の電子部品とともに配線パターンを有する実装
基板の上に実装されて使用されている。ここで、サファ
イヤ等の透光性基板を用いる窒化物半導体発光素子で
は、基板を光出射面とするように実装基板に実装するフ
ェイスダウン実装が可能である。フェイスダウン実装に
よれば、広範囲から視認できるので視野角を広くするこ
とができる、また、実装面積を小さく回路配線を短くで
きるので、高密度実装に適し、電子機器の小型化が可能
である等の特徴を有している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファ
イヤ基板を用いた窒化物半導体発光素子をフェイスダウ
ン実装したものは、輝度が十分ではなく、一層の輝度の
向上が必要とされている。

【０００４】そこで、本発明は、フェイスダウン実装に
用いる発光素子であって、輝度の向上した窒化物半導体
発光素子を提供することを目的とした。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の窒化物半導体発光素子は、対向する一対の
主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に１以
上のｎ型窒化物半導体層と、活性層と、１以上のｐ型窒
化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の
主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導
体発光素子であって、上記基板は一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧ
ａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされ
る窒化物半導体から成り、上記光出射面が光出射方向に
突出した凸部を有することを特徴とする。

【０００６】本発明によれば、基板の光出射面に凸部を
設けたので、発光素子からの出射光の取出し効率を向上
させることができる。すなわち、通常、発光素子は外部
環境からの保護のため、その周囲がエポキシ樹脂等の封
止樹脂により覆われており、発光素子を構成する窒化物
半導体の屈折率は封止樹脂の屈折率よりも大きい。ここ
で、基板の光出射面に凸部を設けると、光出射面が発光
層に平行な平面である場合に比べ、光出射面と封止樹脂
との界面における発光層からの入射光の入射角を小さく
することができる。そのため、光出射面と封止樹脂との
界面における全反射が抑制されるので、光の取出し効率
を向上させることができる。さらに、基板に一般式Ｉｎ
_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）
で表わされる窒化物半導体を用いたので、基板上に成長
させる窒化物半導体層との格子整合性を向上させ結晶欠
陥を低減させることにより光出力を向上させることがで
きる。また、窒化物半導体はサファイヤに比べ熱伝導率
が大きいので発光素子の放熱性を向上させることもでき
る。このように、光の取出し効率及び光出力を高めるこ
とにより、発光素子の輝度を向上させることが可能とな
る。

【０００７】また、本発明の発光素子は、凸部に曲面を
有するものを用いることができる。ここで、曲面には、
凸レンズ状、半円柱状、ドーム状、半球状等を用いるこ
とができる。

【０００８】また、本発明の発光素子は、凸部に階段面
を有するものを用いることもできる。さらに、階段面に
は、所望の段差で配列された１以上の段面から成るもの
を用いることができる。また、階段面には、２以上の段
面が同心円状に形成されて成るものを用いることができ
る。

【０００９】また、本発明の発光素子は、凸部の表面が
粗面であるものを用いることができる。粗面により発光
層からの光が散乱されて全反射が抑制され、光の取出し
効率を向上させることができる。

【００１０】また、本発明の発光素子は、Ｓｉをドープ
されたＧａＮから成る基板を用いることができる。

【００１１】本発明の窒化物半導体発光素子は、以下の
方法を用いて作製することができる。すなわち、本発明
の窒化物半導体発光素子の製造方法は、対向する一対の
主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に１以
上のｎ型窒化物半導体層と、活性層と、１以上のｐ型窒
化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の
主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導
体発光素子の製造方法であって、上記基板が一般式Ｉｎ
_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）
で表わされる窒化物半導体から成り、上記光出射面をエ
ッチングして光出射方向に突出した凸部を形成する工程
を含むことを特徴とする。

【００１２】また、本発明の製造方法は、凸部を形成す
る工程を、光出射面となる主面の上に、光出射面より小
面積の第１のマスク層を形成する工程と、光出射面をエ
ッチングして第１の段面を形成する工程とで構成するこ
とができる。

【００１３】また、本発明の製造方法は、さらに、光出
射面の残部に第１のマスク層よりも小面積の第２のマス
ク層を形成する工程と、光出射面の残部をエッチングし
て第２の段面を形成する工程とを含むことができる。さ
らに、当該第２のマスク層を形成する工程と、当該第２
の段面を形成する工程とを繰返して、所望の段差で複数
の段面が配列されて成る階段面を形成することができ
る。また、上記第１の段面及び第２の段面を同心円状に
形成することもできる。

【００１４】また、本発明の製造方法は、凸部を形成す
るにあたり、光出射面より小面積であって、曲面形状の
表面を有し、その曲面形状を光出射面に転写する転写層
を光出射面上に形成する工程と、転写層と光出射面に対
して反応性イオンエッチングを行って、曲面形状を光出
射面に転写する工程とを含む方法を用いることもでき
る。

【００１５】また、転写層を形成する工程は、上側のレ
ジスト層が下側のレジスト層を覆うように複数のレジス
ト層を積層する工程を含むことができる。また、複数の
レジスト層を同心円状に積層することもできる。

【００１６】また、転写層を形成する工程は、光出射面
上に１以上のレジスト層を形成する工程と、その１以上
のレジスト層を加熱により流動化せしめて曲面形状を転
写層に付与する工程とを含むこともできる。

【００１７】また、転写層の曲面形状には球面を用いる
ことができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 実施の形態１．図１は、本実施の形態に係る窒化物半導
体発光素子Ａの構造を示す模式図であり、（ａ）は側面
図、（ｂ）は上面図である。窒化物半導体発光素子Ａ
は、窒化物半導体から成る基板１と、その基板１の一方
の主面１ｂ上に順次形成されたｎ型窒化物半導体層２
と、活性層３と、ｐ型窒化物半導体層４とを有し、さら
に、ｐ型窒化物半導体層４の上にはほぼ全面にｐ電極
５、そして基板１の他方の主面１ａ（光出射面）の一端
部にｎ電極６が設けられている。基板１のｎ電極６を除
く光出射面１ａは光出射方向に突出した階段面２１から
成る凸部２０を有している。ここで、階段面２１は、所
定の段差で連続する段面２２、２３、２４とで構成され
ている。そして発光素子Ａは、図示しない実装基板とｐ
電極５を対向させるようにフェイスダウン実装され、さ
らに図示しない封止樹脂により光出射面１ａが覆われて
いる。

【００１９】光出射面１ａは凸部２０を有しているの
で、光出射面１ａが発光層３に平行な平面である場合に
比べ、光出射面１ａと封止樹脂との界面における発光層
３からの光の入射角が小さくなる。これにより光出射面
１ａと封止樹脂との界面での発光層３からの光が全反射
するのを抑制して、光の取出し効率を向上させることが
できる。

【００２０】また、基板には、一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ
_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる
窒化物半導体を用いることができる。基板に窒化物半導
体を用いることにより、基板上に成長させる窒化物半導
体との格子整合性を向上させ、かつ、熱膨張差を小さく
することができるので、結晶欠陥を低減させて光出力を
向上させることが可能となる。窒化物半導体としては、
好ましくはＧａＮ、より好ましくはＳｉをドープしたＧ
ａＮである。Ｓｉをドープし抵抗率を小さくしたＧａＮ
を基板に用いると、ｎ電極を光出射面上に形成すること
ができる。一般に、ｐ型窒化物半導体層は高抵抗である
ため、ｐ電極の電流がｐ型窒化物半導体層全面に拡散せ
ず電界の集中が起こるので、発光する部分がｐ電極の下
付近に限られるという問題がある。これに対し、ｎ電極
を光出射面上に形成することにより、ｐ電極をｐ型窒化
物半導体層のほぼ全面に形成することができるので、電
流を均一に拡散させて均一に発光させる効果も得られ
る。

【００２１】本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子
は、例えば、以下の方法を用いて作製することができ
る。窒化物半導体基板の作製 窒化ガリウム系化合物半導体から成る基板の作製は、ハ
イドライド気相成長法（以下、ＨＶＰＥ法と呼ぶ。）を
用いることができる。ＨＶＰＥ法は、ガリウム、アルミ
ニウム、インジウム等のＩＩＩ族元素と、塩化水素等の
ハロゲンガスとを反応させて、ＩＩＩ族元素の塩化物、
臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化物を生成させ、そのハ
ロゲン化物をアンモニアやヒドラジン等の窒素源と高温
で反応させて窒化物半導体を得る方法である。ＭＯＣＶ
Ｄ法（有機金属化学気相成長法）に比較して成長速度が
数倍以上速いので、短時間で基板として使用可能な厚さ
まで成長させることができる。例えば、サファイア基板
上にＨＶＰＥ法により窒化ガリウムの厚膜を形成した
後、サファイア基板を研磨して除去したものを窒化ガリ
ウム基板として用いることができる。

【００２２】窒化物半導体層の形成 本発明の窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体とし
ては特に限定されず、少なくとも１以上のｎ型窒化物半
導体、活性層、及び１以上のｐ型窒化物半導体が積層さ
れていれば良い。例えば、ｎ型窒化物半導体層として、
超格子構造を有するｎ型窒化物半導体層を有し、この超
格子構造のｎ型層にｎ電極を形成することのできるｎ型
窒化物半導体が形成されているものを挙げることができ
る。活性層としては、例えば、ＩｎＧａＮを含有して成
る多重量子井戸構造の活性層を挙げることができる。

【００２３】本発明に用いる窒化物半導体層を成長させ
る方法は、特に限定されないがＭＯＶＰＥ法（有機金属
気相成長法）、ＨＶＰＥ法、ＭＢＥ法（分子線エピタキ
シー法）、ＭＯＣＶＤ法等の、窒化物半導体を成長可能
な公知のいずれの方法を用いることができる。

【００２４】凸部の形成 凸部を設ける方法としては、光出射面のマスク層以外の
残部を取除くことができる方法であれば良く、例えば、
エッチングやダイシングが挙げられる。エッチングによ
り基板に凸部を形成する場合、フォトリソグラフィー技
術における種々の形状のマスクパターンを用い、ドット
状のフォトマスクを作製し、レジストパターンを基板上
に形成してエッチングすることにより形成できる。フォ
トマスクはエッチング後に除去する。

【００２５】基板のエッチングには、ドライエッチング
あるいはウエットエッチングを用いることができるが、
ドライエッチングが好ましい。平滑な面を形成すること
ができるからである。ドライエッチングには、例えば、
反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチン
グ、電子サイクロンエッチング、イオンビームエッチン
グがあるが、エッチングガスを適宜選択することにより
いずれのエッチング方法も用いることができる。また、
エッチングにより凸部を形成する場合、エッチング面
（凸部側面）は、エッチング面が基板に対してほぼ垂直
となる形状でも、順メサ形状又は逆メサ形状でも良い。

【００２６】窒化物半導体発光素子Ａは、例えば、以下
の方法で作製することができる。図２の（ａ）〜（ｌ）
は、図１の窒化物半導体発光素子Ａの作製工程の一例を
示す模式断面図である。窒化物半導体から成る基板１の
一方の主面１ｂ上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、
ｐ型窒化物半導体層４、そしてｐ型窒化物半導体層４の
ほぼ全面にｐ電極５を順次形成し、さらに光出射面とな
る基板１の他方の主面１ａ上のほぼ全面にレジスト層８
ａを形成する（図２（ａ））。次に、フォトリソグラフ
ィーにより主面１ａより小面積の所定パターンの第１の
マスク層８ｂを形成する（図２（ｂ））。主面１ａの露
出した残部をエッチングして第１段面２２を形成し（図
２（ｃ））、その後、第１のマスク層８ｂを除去する
（図２（ｄ））。

【００２７】次に、主面１ａ上のほぼ全面にレジスト層
９ａを形成する（図２（ｅ））。次に、フォトリソグラ
フィーにより第１のマスク層８ｂより小面積の所定パタ
ーンの第２のマスク層９ｂを形成する（図２（ｆ））。
主面１ａの露出した残部をエッチングし第の段面２２と
所定の段差で連続する第２の段面２３を形成し（図２
（ｇ））、その後、第２のマスク層９ｂを除去する（図
２（ｈ））。

【００２８】次に、主面１ａ上のほぼ全面にレジスト層
１０ａを形成する（図２（ｉ））。次に、フォトリソグ
ラフィーにより第２のマスク層９ｂより小面積の所定パ
ターンの第３のマスク層１０ｂを形成する（図２
（ｊ））。主面１ａの露出した残部をエッチングし第２
の断面２３と所定の段差で連続する第３の段面２４を形
成し（図２（ｋ））、その後、第３のマスク層１０ｂを
除去し、複数の段面が配列された階段面２１を形成する
（図２（ｌ））。さらに、図示しないｎ電極を光出射面
の凸部２１以外の領域に形成して窒化物半導体発光素子
Ａを得る。

【００２９】本実施の形態によれば、光出射面を階段面
を有する凸部で構成したので、光出射面が発光層に平行
な平面である場合に比べ、光出射面と封止樹脂との界面
における発光面からの光の入射角を小さくすることがで
きる。これにより、光出射面と封止樹脂との界面におけ
る発光層からの光の全反射が抑制され、光の取出し効率
を向上させることができる。また、基板に窒化物半導体
を用いているので、基板上に成長させる窒化物半導体と
の格子整合性を向上させ、かつ、熱膨張差を小さくする
ことができるので、結晶欠陥を低減させて光出力を向上
させることが可能となる。

【００３０】本実施の形態では、光出射面上に形成する
段面の数が３個の場合を示したが、これに限定されるも
のではなく、フォトリソグラフィーを繰返してエッチン
グすることにより複数の段面からなる階段面を有する凸
部を形成することができる。

【００３１】また、複数の段面を同心円状に形成するこ
とが好ましい。全方位に均等に光を放出することができ
るからである。また、凸部をエッチングにより形成した
ので、光出射面は粗面を有しており、発光層からの光の
全反射をより抑制する効果も有している。

【００３２】実施の形態２．図３は、本実施の形態に係
る窒化物半導体発光素子Ｂの構造を示す模式図であり、
（ａ）は側面図、（ｂ）は上面図である。窒化物半導体
発光素子Ｂは、光出射面１ａが光出射方向に突出した凸
レンズ状の曲面からなる凸部２０を有している以外は、
実施の形態１と同様の構成を有する。

【００３３】図４の（ａ）〜（ｄ）は、図３の窒化物半
導体発光素子Ｂの作製工程の一例を示す模式断面図であ
る。窒化物半導体から成る基板１の一方の主面１ｂ上に
ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層
４、そしてｐ型窒化物半導体層４のほぼ全面にｐ電極５
を順次形成する。次に、光出射面となる基板１の他方の
主面１ａ上にフォトリソグラフィーにより第１のレジス
ト層７ａを形成する（図４（ａ））。次に、第１のレジ
スト層７ａの全面を覆うように第２のレジスト層７ｂを
積層し（図４（ｂ））、さらに、第２のレジスト層７ｂ
の全面を覆い、かつ主面１ａの外縁部をエッチング可能
に露出させて第３のレジスト層７ｃを積層する（図４
（ｃ））。これにより、第１から第３のレジスト層から
成り、光出射面１ａより小面積で、曲面形状の表面を有
する転写層１１を形成することができる。

【００３４】次に、光出射面１ａ及び転写層１１に対し
て反応性イオンエッチングを行って、転写層１１の曲面
形状を光出射面１ａに転写する。ここで、転写層１１と
光出射面１ａに対し、選択比（光出射面に対する侵刻速
度／転写層に対する侵刻速度）を所定比率に制御して反
応性イオンエッチング（異方性エッチング）を行うこと
により光出射面に曲面形状を転写することができる。こ
こで、エッチングガスには塩素系ガス、例えば、Ｃ
ｌ_２、ＳｉＣｌ_４、Ｃｌ_２／ＳｉＣｌ_４の混合ガス、そ
してＣｌ_２／ＣＨ_４の混合ガス等を用いることができ
る。これにより、曲面形状から成る凸部２０′を形成す
る（図４（ｄ））。さらに、図示しないｎ電極を光出射
面の凸部２０′以外の領域に形成して窒化物半導体発光
素子Ａを得る。

【００３５】本実施の形態によれば、光出射面を曲面形
状を有する凸部で構成したので、発光層からの光の全反
射を実施の形態１よりも一層抑制することができ、光の
取出し効率をさらに向上させることが可能となる。ま
た、基板に窒化物半導体を用いているので、基板上に成
長させる窒化物半導体との格子整合性を向上させ、か
つ、熱膨張差を小さくすることができるので、結晶欠陥
を低減させて光出力を向上させることが可能となること
は言うまでもない。

【００３６】ここで、転写層を構成する複数のレジスト
層を同心円状に形成することが好ましい。全方位に均等
に光を放出することができるからである。また、凸部を
エッチングにより形成したので、光出射面は粗面を有し
ており、発光層からの光の全反射をより抑制する効果も
有している。また、曲面形状は光出射方向に凸であれば
特に限定されるものではなく、例えば凸レンズ状、球面
状、あるいはドーム状等を用いることができるが、球面
が好ましい。全方位により均等に光を放出することが可
能となるからである。

【００３７】上記の方法では、曲面形状を有する転写層
を形成するに際し、上側の層が下側の層の全面を覆うよ
うにして複数のレジスト層を積層して転写層とする方法
を用いたが、レジスト層を加熱流動化させる曲面形状を
付与する方法を用いることもできる。例えば、光出射面
上にフォトリソグラフィーにより凸形状のレジスト層を
形成し、そのレジスト層を加熱して流動化させ、所定の
曲面形状を有し光出射面より小面積の転写層を形成する
ことができる。上記の凸形状のレジスト層は所定の曲面
形状が得られれば、１層でも複数の層でも良い。この方
法の場合、フォトリソグラフィーを繰返す必要がないの
で、発光素子の作製プロセスを効率化することができ
る。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物半
導体発光素子は、基板に一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ
_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる
窒化物半導体を用いるようにしたので、基板上に成長さ
せる窒化物半導体層との格子整合性を向上させ結晶欠陥
を低減させることにより光出力を向上させることができ
る。さらに、基板の光出射面に凸部を有しているので、
光出射面と封止樹脂との界面における全反射を抑制して
光の取出し効率をさらに向上させることができる。以上
の効果により輝度の向上した窒化物半導体発光素子を提
供することができる。また、窒化物半導体基板はサファ
イヤ基板に比べ熱伝導率が大きいため、放熱性の向上し
た窒化物半導体発光素子を提供することができる。

【００３９】また、本発明の窒化物半導体発光素子の製
造方法は、窒化物半導体基板の光出射面をエッチングし
て光出射方向に突出した凸部を形成するようにしたの
で、光出力を向上させた窒化物半導体発光素子を容易に
作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る窒化物半導体発
光素子の構造を示す側面図（ａ）と上面図（ｂ）であ
る。

【図２】 本発明の実施の形態１に係る窒化物半導体発
光素子の作製工程を示す模式段面図である。

【図３】 本発明の実施の形態２に係る窒化物半導体発
光素子の構造を示す側面図（ａ）と上面図（ｂ）であ
る。

【図４】 本発明の実施の形態２に係る窒化物半導体発
光素子の作製工程を示す模式段面図である。

【符号の説明】

１ 基板、１ａ 主面（光出射面）、１ｂ 主面、２
ｎ型窒化物半導体層、３活性層、４ ｐ型窒化物半導体
層、５ ｐ電極、６ ｎ電極、７ａ 第１のレジスト
層、７ｂ 第２のレジスト層、７ｃ 第３のレジスト
層、８ａ，９ａ，１０ａ レジスト層、８ｂ 第１のマ
スク層、９ｂ 第２のマスク層、１０ｂ 第３のマスク
層、２０，２０′ 凸部、２１ 階段面、２２，２３，
２４ 段面、Ａ，Ｂ 窒化物半導体発光素子。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA14 AA33 AA40 CA13 CA40 CA64 CA74 CA77 CB14 DA04

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する一対の主面を有する基板を備
   え、該基板の一方の主面上に１以上のｎ型窒化物半導体
   層と、活性層と、１以上のｐ型窒化物半導体層とが積層
   して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして
   配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であって、 上記基板は一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦
   ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる窒化物半導体から成
   り、 上記光出射面が光出射方向に突出した凸部を有する窒化
   物半導体発光素子。
2. 【請求項２】 上記凸部が曲面を有する請求項１記載の
   窒化物半導体発光素子。
3. 【請求項３】 上記曲面が球面である請求項２記載の窒
   化物半導体発光素子。
4. 【請求項４】 上記凸部が階段面を有する請求項１記載
   の窒化物半導体発光素子。
5. 【請求項５】 上記階段面が所望の段差で配列された１
   以上の段面から成る請求項４記載の窒化物半導体発光素
   子。
6. 【請求項６】 ２以上の段面が同心円状に形成されて成
   る請求項５記載の窒化物半導体発光素子。
7. 【請求項７】 凸部が粗面を有する請求項１から６のい
   ずれか一つに記載の窒化物半導体発光素子。
8. 【請求項８】 上記基板はＳｉをドープされたＧａＮか
   ら成る請求項１から７のいずれか一つに記載の窒化物半
   導体発光素子。
9. 【請求項９】 対向する一対の主面を有する基板を備
   え、該基板の一方の主面上に１以上のｎ型窒化物半導体
   層と、活性層と、１以上のｐ型窒化物半導体層とが積層
   して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして
   配線基板に実装される窒化物半導体発光素子の製造方法
   であって、 上記基板が一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦
   ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表わされる窒化物半導体から成
   り、 上記光出射面をエッチングして光出射方向に突出した凸
   部を形成する工程を含む窒化物半導体発光素子の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 上記凸部を形成する工程が、 光出射面となる主面の上に光出射面より小面積の第１の
    マスク層を形成する工程と、光出射面をエッチングして
    第１の段面を形成する工程とを含む請求項９記載の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 上記光出射面の残部に第１のマスク層
    よりも小面積の第２のマスク層を形成する工程と、光出
    射面の残部をエッチングして第２の段面を形成する工程
    とを含む請求項１０記載の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の工程を繰返して、
    所望の段差で複数の段面が配列されて成る階段面を形成
    する請求項１１記載の製造方法。
13. 【請求項１３】 上記第１の段面及び第２の段面を同心
    円状に形成する請求項１１又は１２に記載の製造方法。
14. 【請求項１４】 上記凸部を形成する工程が、 上記光出射面より小面積であって、曲面形状の表面を有
    し、該曲面形状を光出射面に転写する転写層を上記光出
    射面上に形成する工程と、 上記転写層と光出射面に対して反応性イオンエッチング
    を行って、上記曲面形状を光出射面に転写する工程とを
    含む請求項９記載の製造方法。
15. 【請求項１５】 上記転写層を形成する工程は、上側の
    レジスト層が下側のレジスト層を覆うように複数のレジ
    スト層を積層する工程を含む請求項１４記載の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 上記複数のレジスト層を同心円状に積
    層する請求項１５記載の製造方法。
17. 【請求項１７】 上記転写層を形成する工程は、上記光
    出射面上にレジスト層を形成する工程と、該レジスト層
    を加熱により流動化せしめて上記曲面形状を転写層に付
    与する工程とを含む請求項１４から１６のいずれか一つ
    に記載の製造方法。
18. 【請求項１８】 上記曲面形状は球面である請求項１４
    から１７のいずれか一つに記載の製造方法。