JP2004014996A - 光半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面に電極1をもつ半導体単結晶からなる基板2と、隙間を置いて互いに整列し、前記基板上にストライプ状又はランド状に設けられた複数の整合層3と、該整合層の上に配置された絶縁層4と、前記隙間及び前記絶縁層を覆うように設けられたコンタクト層5と、該コンタクト層の上部又は上方に設けられた発光層6、クラッド層7、コンタクト層8、上部電極9を具備したものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、青色LED(400nm)の光半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3に従来の青色LEDの断面図を示す。このような実施形態の先行技術は特開平11−214744号公報に開示されている。
【0003】
GaNは融点が高く(1700℃)、窒素の分解蒸気圧が高いためバルク基板の生産が難しく格子定数や熱膨張係数の似たような基板が存在しないため、格子不整合が14%と大きいサファイア(Al2O3)基板が使用されている。このため貫通転位対策としてGaN等のバッファー層を形成しても109〜1010cm−2の貫通転位密度であった。この転位部分には不純物が集まり易い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
その結果発光層に不純物が進入し光出力が劣化する欠点があった。GaN基板を用いた場合は、格子不整合はないが高価であり、使用できる基板は小型サイズとなって生産性に問題があった。
【0005】
本発明は、サファイア、GaN等の高価な基板と異なり安価な基板を使用し、格子不整合の少なく、結晶性の良い、且つ高出力で、チップサイズが小さく、1ワイヤーボンドで組立可能な青色LEDを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、裏面に電極をもつ半導体単結晶からなる基板と、隙間を置いて互いに整列し、前記基板上にストライプ状又はランド状に設けられた複数の整合層と、該整合層の上に配置された絶縁層と、前記隙間及び前記絶縁層を覆うように設けられたコンタクト層と、該コンタクト層の上部又は上方に設けられた発光層、クラッド層、コンタクト層、上部電極を具備したものである。
【0007】
また、前記整合層にAl単結晶又はAlAs単結晶、絶縁層にSiO2又はSi3N4を用いたものである。
【0008】
そして半導体単結晶としてGaAs又はSi基板を用いたものである。
【0009】
さらに、前記絶縁層の隙間を覆うように、該隙間の上方に位置し前記発光層下部のコンタクト層内、又はコンタクト層と発光層の間に設けられたクラッド層内に設けられた下部に整合層を持つマスク層を備えたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明の光半導体素子の断面図、図2は他の実施例を示す断面図である。
【0011】
裏面にN電極(1)をもつn−GaAsの基板(2)にAl単結晶よりなる隙間を置いて互いに整列し、前記基板上にストライプ状又はランド状に設けられた複数の整合層(3)(3)…と、その上に配置されたSiO2又はSi3N4よりなる絶縁層(4)(4)…と、前記隙間及び前記絶縁層(4)(4)…を覆うように設けられたn−GaNよりなるコンタクト層(5)と、InGaNよりなる発光層(6)と、発光層の上に設けたp−GaAlNのクラッド層(7)と、p−GaNコンタクト層(8)と、P電極(9)により構成される。
【0012】
ストライプ状又はランド状のAl単結晶よりなる整合層(3)(3)…の上に同一巾にてSiO2よりなる絶縁層(4)(4)…をn−GaAsの基板(2)上に形成することにより、転位がn−GaAsの基板(2)から上方へ伝幡するのは整合層(3)(3)…、絶縁層(4)(4)…の隙間からとなり図3にくらべ1/3となる。
【0013】
整合層の隙間部はn−GaNのコンタクト層(5)が整合層(3)のAl単結晶を種結晶とし、n−GaAsの基板(2)上面の開口部において、横方向に成長し、転位密度は1/3(開口部面積比による改善)×1/20(開口部横方向成長による改善)×1/20〜33(絶縁層横方向成長による改善)≒1/103となる。
【0014】
n−GaAsの基板(2)とn−GaNのコンタクト層(5)の格子不整合による結晶性を109cm−2とすると、109cm−2×1/103=106cm−2に改善される。図1においては、n−GaNのコンタクト層(5)内にSiO2よりなるマスク層によってマスク層上は106cm−2×1/20〜33≒5×104cm−2となり、マスク開口部は106cm−2であるため、平均5×105cm−2に改善される。
【0015】
GaAsの基板は、4元素の基板としても使用されるが、その問題点としては、上部発光層からの光を吸収するため、出力が減少する点である。4元素では、GaAsの基板上に屈折率の異なる複数層を積層してなるブラッグ反射層を形成して発光層からGaAsの基板に向かう光を反射させて輝度を高めているが、400nmにおいては約50%の反射率しかない。図1において整合層に使用しているAl単結晶は400nmにおいて約90%の反射率がある。このため発光層からGaAs基板へ向かう光を図1においては約60%の反射を行う。
【0016】
GaAs基板は、図3のサファイア基板、GaN基板にくらべ安価であり、ウエハーサイズも大きく、作業性も良い。図1において、チップ形状が段差構造でないため、チップサイズを小さくできる。n−GaAsの基板(2)の裏面にN電極(1)を持つため、図1は図3が組立時に2ワイヤーが必要なのに対し1ワイヤーでよく作業性が良い。
【0017】
Al単結晶をMOCVDを用いてn−GaAsの基板全面に成長させ、その後スパッタリング等の周知の成膜技術により上記整合層上に全表面にSiO2の絶縁層を形成する。その後、周知のエッチング技術を利用して絶縁層、整合層の一部をストライプ状又はランド状に取り除くことにより行う。マスク層もスパッタリング等の周知の成膜技術を用いて、n−GaNのコンタクト層にSiO2を全面形成しエッチングによりストライプ状又はランド状に形成する。n−GaNのコンタクト層、InGaNの発光層(6)、p−GaAlNのクラッド層(7)、p−GaNのコンタクト層(8)は、MOCVDを用いて順次成長させて形成できる。
【0018】
尚、整合層を構成するAl単結晶の蒸気温度は低いためこの点を考慮して、上記コンタクト層は、上記開口部が埋め込まれるまでは500℃程度の低温で成長させることが望ましい。上記開口部が埋め込まれた後は成長温度を1000℃程度に上昇させても既にN型コンタクト層は成長しているため結晶性の観点からAl単結晶が蒸発しても結晶成長に影響を及ぼすことはない。整合層上部は同じ幅にて絶縁層で覆われ保護された構造となっている。
【0019】
次に図2の他の実施例を説明する。図1の説明で記載したマスク層下部にAl単結晶による整合層(10)(10)…を設けることにより、この整合層を種結晶として横方向成長することによりマスク層上部は106cm−2×1/20(整合層による横方向成長)×1/20〜33(マスク層上横方向成長による改善)≒3×103cm−2、マスク層開口部は106cm−2×1/20(整合層による横方向成長)≒5×104cm−2平均3×104cm−2の結晶性に改善され高出力化、低VF化による出力の向上とマスク層部も整合層により反射層として働き上方へ90%反射する。整合層とも合わせ上方へ80%以上反射するためブラッグ反射層より効率が良い。
【0020】
尚、基板としては、GaAs以外にSi、GaPも使用可能である。発光層はInGaNの単一量子井戸構造でもよく、多量子井戸構造としてもよい。P、Nクラッド層を歪み超格子構造として貫通転位の表面への伝幡を抑制してもよい。
【0021】
【発明の効果】
以上の様に本発明は、GaAsの基板を使用することにより、サファイア基板、GaN基板にくらべウエハーサイズが大きく、汎用品が使用できるため安価となり、作業性も良い。
【0022】
また、整合層、絶縁層を用いることにより3×104cm−2まで結晶性を改善でき格子不整合を少なく改善できる。
【0023】
そして、結晶性が良く、高出力、低VF化が可能である。さらに、GaAsの基板の裏面にN電極をもつため、段差構造がなくチップサイズを小さくできる。
【0024】
加えて1ワイヤーボンドで組立可能な青色LEDを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体素子の断面図である。
【図2】同じく他の実施例を示す断面図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 N電極
2 基板(GaAs)
3 整合層
4 絶縁層
5 コンタクト層
6 発光層
7 クラッド層
8 コンタクト層
9 P電極
Claims (4)
- 裏面に電極をもつ半導体単結晶からなる基板と、隙間を置いて互いに整列し、前記基板上にストライプ状又はランド状に設けられた複数の整合層と、該整合層の上に配置された絶縁層と、前記隙間及び前記絶縁層を覆うように設けられたコンタクト層と、該コンタクト層の上部又は上方に設けられた発光層、クラッド層、コンタクト層、上部電極を具備したことを特徴とする光半導体素子。
- 前記整合層にAl単結晶又はAlAs単結晶、絶縁層にSiO2又はSi3N4を用いたことを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。
- 半導体単結晶としてGaAs又はSi基板を用いたことを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記絶縁層の隙間を覆うように、該隙間の上方に位置し前記発光層下部のコンタクト層内、又はコンタクト層と発光層の間に設けられたクラッド層内に設けられた下部に整合層を持つマスク層を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。
Priority Applications (1)
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JP2002170080A JP2004014996A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 光半導体素子 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007142345A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2008172040A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器 |
WO2012002710A2 (ko) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 주식회사 포인트엔지니어링 | 광소자 디바이스 |
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2002
- 2002-06-11 JP JP2002170080A patent/JP2004014996A/ja active Pending
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WO2012002710A3 (ko) * | 2010-06-30 | 2012-04-12 | 주식회사 포인트엔지니어링 | 광소자 디바이스 |
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