JP4148219B2 - 放射温度計 - Google Patents
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Description
算出するCPUとを備えている。
出力及び温度センサの出力から所定の算出式に基づき(例えば特許文献1参照)、測定対象の温度を算出している。
品の素子性能、回路構成に依存する誤差要因や環境温度の影響により測定精度あるいは測定信頼性を上げることが困難となっている。
く抑えざるを得ない。その結果、赤外線センサの出力及び温度センサの出力としての信号成分が小さくなり結果的に測定誤差を生じる要因となる。
れたデジタルデータと、に基づいて、前記赤外線センサのセンサ出力信号がとり得る値を予測し、前記予測されたセンサ出力信号の値と前記増幅器のオフセット電圧とに基づいて、バイアスが重畳され且つ増幅されたセンサ出力信号が前記A/Dコンバータの入力信号許容範囲に収まるように、前記バイアス発生源のバイアスを調整する。
らのずれによる変換誤差が補正されるので、測定精度の向上を図ることができる。
バータのオーバーフローを防止し、赤外線センサの出力としての信号成分を大きくすることができるので、実質的に高感度の放射体温計を提供することができる。
本発明の特徴を最も良く表す実施形態の説明に先立ち、図1及び図2を参照して、基本となる放射体温計について説明し、後述する本発明の実施形態の説明において適宜参照する。
この放射体温計の構成を示すブロック図を図1に示す。この放射体温計は、測定対象(例えば、耳孔内の鼓膜)から放射される赤外線を検出する赤外線センサ1と、この赤外線センサ1自身の温度を測定する温度センサ2と、赤外線センサ1の出力(センサ出力信号)及び温度センサ2の出力(センサ温度信号)を受けて、これらを増幅する増幅器3と、基準入力電圧としての基準電圧を発生する基準電圧発生部11と、増幅器3により増幅されたセンサ出力信号,センサ温度信号及び基準入力電圧をデジタルデータに変換するA/D
コンバータ4と、入力される切換信号に応じて上記増幅器3により増幅されたセンサ出力信号、センサ温度信号、基準入力電圧のいずれかをA/Dコンバータ4の入力回路に接続す
る信号選択回路10と、制御プログラムを実行してA/Dコンバータ4によってデジタルデ
ータに変換されたセンサ出力信号とセンサ温度信号とに基づき測定対象の温度を算出するCPU5(制御部に相当)と、CPU5が算出した測定対象の温度を表示するLCD6(液晶ディ
スプレイ)と、制御プログラムやデータを格納するメモリ7とを備える。
電圧の変化がセンサ温度信号に相当する。
する。
ンサ出力信号、センサ温度信号、基準電圧発生部11の発生する基準入力電圧のいずれか一つをA/Dコンバータ4の入力端子に接続する。
A/Dコンバータ4は、増幅器3によって増幅されたセンサ出力信号及びセンサ温度信号
をデジタルデータに変換する。本実施の形態では、A/Dコンバータ4として積分回路(積
分器に相当)、コンパレータ及びカウンタからなる2重積分型のA/Dコンバータを採用す
る(例えば、伊東規之著 日本理工出版会刊 「ディジタル回路」16.3節二重積分型ADコンバータ参照)。図9に2重積分型のA/Dコンバータの構成を示す。
ここで、V1:入力信号の電圧である。
V2:放電用リファレンス電圧である。
V3:A/Dコンバータ4の基準電位である。
T1:入力信号による積分回路の充電時間である。
T2:放電時間である。
時間T2の間オンとなるゲート信号により、基準クロックパルスを通過させてカウンタでカウントすることにより、そのカウンタ値からA/D変換後のデジタルデータを得ることがで
きる。
CPU5は、メモリ7に記憶された制御プログラムを実行し、デジタルデータに変換され
たセンサ出力信号及びセンサ温度信号から測定対象の温度を算出する。その際CPU5は、
上記信号選択回路10に切換信号を入力することで、信号選択回路10からA/Dコンバー
タ4に基準入力電圧を与えて、A/Dコンバータ4の変換直線性を予め測定しておき、その
結果に基づいて、上記測定対象の温度を補正する。以下このCPU5の処理について詳しく
説明する。
の基準入力電圧をA/D変換したときに得られるA/D変換出力(デジタルデータ)をADa、ADb
とすると、上記(式1)が成立する場合には、
T1a/T1b = ADa/ADb .....(式2)
が成立する。すなわち、同一の入力信号をA/D変換した場合でも、A/D変換出力はその積分回路の充電時間に比例したものとなる。これは等価的に、(式1)において同一の充電時間T1で、種々の入力信号電圧(V1-V3)をA/D変換した場合と同一の結果を表している。
流等の影響により、必ずしも(式2)は成立しない。これは等価的には同一の充電時間で種々の入力信号電圧をA/D変換した場合に必ずしも入力信号電圧に比例したA/D変換出力(デジタルデータ)が得られないこと、すなわち、2重積分型A/Dコンバータの変換直線性
における誤差を表している。そこで
X = T1a/T1b - ADa/ADb .....(式3)
を充電時間を変更して測定し、この誤差を予め求めておけば、実際のA/D変換出力(デジ
タルデータ)を補正することができる。
換して測定した出力(デジタルデータ)を縦軸にして、実測値101を複数個プロットした例を実線で図示された理論値100と共に示すグラフである。図3において、複数の実測値101が変換直線性に相当し、理論値100が理想の変換直線性に相当する。
軸にして、その時の理論値(理想の変換直線性)からの誤差を縦軸にしてプロットした結果得られる誤差曲線102を示すグラフである。この図4の実験式(誤差曲線)から求められる値で実際のA/D変換出力(デジタルデータ)を補正すれば、図3に示した変換直線
性の理論値100からの誤差を解消することができる。このような実験式は、最小2乗法により一般的に求めることができる。
うな誤差曲線102(実験式)の係数をメモリ7に保持し、この誤差曲線102を用いてA/D変換出力(デジタルデータ)を補正し、補正後のデジタルデータに基づき測定対象(
鼓膜)の温度を算出する。
次に、図1に示した放射体温計の全体の動作例を図2のフローチャートに従って説明する。
をA/Dコンバータ4の入力端子に接続させた後、積分回路を充電するための複数の充電時
間をA/Dコンバータ4に設定してA/D変換を複数回実行させ、図4に示した変換直線性の誤差曲線102を求める(S102)。その後、CPU5は待機状態に入る(S103)。
検知し、その検知をトリガとして、測定を開始する(S104)。
105)。
106)。
上記センサ温度信号及びセンサ出力信号のA/D変換補正値を求める(S107)。
信号及びセンサ出力信号のデジタルデータを補正した後、これらを用いて測定対象の温度を求め、LCD6に表示する(S108)。
や温度変化が生じても、その変化に応じて変換直線性の理論値からのずれによる誤差が補正されたA/D変換出力を用いて、測定対象の温度が求められる。従って、放射体温計によ
る温度測定の精度を高めることができる。
上記図1の構成では、基準電圧発生部11の出力(基準入力電圧)を直接信号選択回路10を通じてA/Dコンバータ4に接続しているが、これに代えて、基準電圧発生部11か
らの基準入力電圧が増幅器3を通じて信号選択回路10に入力されるようにしてもよい。そのようにすることで、増幅器3とA/Dコンバータ4を合わせた変換直線性の測定及び補
正が可能になる。
4で変換可能な場合には、これらの信号を直接A/Dコンバータ4でA/D変換するようにすれば、増幅器3を省略することができる。
を補正しているが、図3または図4で例示したような誤差の発生要因をA/Dコンバータ4
における積分回路内のコンデンサの漏れ電流と仮定し、その漏れ抵抗を求めることでデジタルデータを補正してもよい。
信号電圧が基準入力電圧Vi(一定)の場合に積分回路の出力電圧は次の(式4)で表される。
V0 = ViT1/CR ..... (式4)
ここでT1は積分回路の充電時間である。
V0 =(T1/C)(Vi/R-Δi1)
= ViT1/CR・(1- R/r1) .....(式5)
V0 = VrT2/CR ..... (式6)
ここでT2は積分回路の放電時間である。
V0 =(T2/C)(Vr/R-Δi2)
= VrT2/CR・(1- R/r2) .....(式7)
間T1で積分したときの積分回路出力V0の実測値と理論式(式4)によって算出した値と
の差から上記(式5)に従って漏れ抵抗r1を求め、さらに充電された電圧V0を放電用リファレンス電圧Vrで放電したときの放電時間T2の実測値と理論式(式6)との差から(式7)に従って漏れ抵抗r2を算出することができる。
出力を(式5)及び(式7)に従って補正することで、本実施の形態と同様の結果を得ることができる。これは、変換直線性の理論値からのずれの解釈をA/Dコンバータ4の積分
回路の漏れ抵抗として表現したものであって、本形態の一態様に含まれる。
ジタルデータ)の関係からA/Dコンバータ4としての変換直線性を予め測定しておき、そ
の変換直線性から実際の測定時のA/D変換出力を補正できればよい。すなわち、本発明は
、積分回路の充電時間を変更する手段のないA/Dコンバータを備える放射体温計であって
も、基準入力信号としての複数点の電圧を発生する基準電圧発生部11を準備すれば適用可能である。従って、サンプルホールド回路付きのA/Dコンバータ、カウンタクランプ型A/Dコンバータ、逐次比較型A/Dコンバータ等、A/D変換の方式によらず、赤外線センサ1と温度センサ2とA/Dコンバータ4とを備える方式の放射温度計に対しても適用は可能であ
る。
実測した変換直線性が理論値と大きく乖離する場合は、補正をやめて、その旨の表示を行うようにしてもよい。図5にそのような表示を行うプログラムのフローチャートを示す。図5は図2の処理にS120〜S122の処理を追加し、また、図2のS104以降の処理を省略したものである。
示したが、これに代えて、事前に明示的な指示(例えば専用の押ボタンによる指示)を検出して測定し、次の指示までその測定結果による誤差曲線を保持するようにしてもよい。また、タイマーにより、CPU5が実行する制御プログラムに割り込みを掛けて、定期的にA/D変換の変換直線性を測定するようにしてもよい。あるいは測定対象の温度(体温)の測定ごとに変換直線性を求めるようにしてもよい。
以下に本発明の特徴を最も良く表した実施形態について説明する。
本発明の実施の形態に係る放射体温計を図6〜図8によって説明する。図6は本発明の実施の形態に係る放射体温計の構成を示すブロック図であり、図7及び図8は、図6に示した2重積分型A/Dコンバータ4Aの積分回路の信号の変化を示す図である。
データの出力レベルの最適化を図るものである。図6では、増幅器3の出力を2重積分型A/Dコンバータ4AでA/D変換し、CPU5に渡す構成となっている。この2重積分型A/Dコンバータ4Aには、基準電圧発生部22により、放電用リファレンス電圧V3が印加される。
準電圧V2だけシフトした電位に置かれている。また、図1と同様に赤外線センサ1は基準電圧発生部11(バイアス発生源に相当)により、基準電圧V1だけシフトした電位(バイアスに相当)に置かれている。
1、21及び22の内部において、定電圧回路の参照電圧を決める固定抵抗の選択スイッチの役割を果たし、参照電圧の切り換えにより、基準電圧発生部11、21及び22の出力電圧を切り換えている。その他の構成及び作用については基本形態と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
本実施の形態では、赤外線センサ1としてサーモパイルを使用する。その場合の赤外線センサ1の出力は以下の関係式(式9)で表される。
ここで E:赤外線センサの出力(V)である。
Tx:測定対象の温度(°C)である。
Ta:赤外線センサ自身の温度(°C)である。
L:赤外線センサの感度である。
放射体温計では通常、Txは32°C〜42°C程度あり、一方、使用環境温度に依存するTaは、5°C〜40°C程度であり、TxとTaの差が小さいので、Eはマイクロボルトオーダ
ーである。
V = V1 + E .....(式10)
ここでV1:赤外線センサの基準電圧
となる。つまり、増幅器3への入力は、TxとTaの関係の応じて、基準電圧V1を中心にマイクロボルトオーダーで正または負の方向に変化した電圧となる。
ぞれのデジタルデータの差が赤外線センサ1の出力のデジタルデータとなる。
(例えば、伊東規之著 日本理工出版会刊 「ディジタル回路」16.3節二重積分型ADコンバータ参照)。
かつ
V1 + E + Vos> V2 >V3 .....(式12)
ただし、(式11)及び(式12)の不等号を全て逆にしたものでもよい。
V1:赤外線センサ1の基準電圧である。
V2:増幅器3及び2重積分型A/Dコンバータ4Aの基準電圧である。
V3:2重積分型A/Dコンバータ4Aの積分回路の放電用リファレンス電圧
である。
E:赤外線センサ1の出力(起電力)である。
Vos:増幅器3のオフセット電圧である。
に大、または常に小のいずれかでなければならず、さらに放電用リファレンス電圧V3は、基準電圧V2に対して入力信号と大小が逆でなければならないことを意味する。
程度あり、(式11)(式12)を成立させるためには、そのばらつきを考慮してV1とV2との差をオフセット電圧Vosよりはるかに大きく設定しなければならない。一方、V1とV2
との差を大きくすると増幅器3の基準電圧がV2であるので、入力信号のバイアスを大きくすることになる。そのため、増幅器3によって増幅された後、A/Dコンバータ4でオーバ
ーフローが発生しないようにするために、増幅器3のゲインを小さく設定せざるを得なくなる。
ーフローを発生させることなく、増幅器3のゲインをフルスケールまで大きくできるので、赤外線センサ1の出力である信号成分を有効に増幅してA/D変換することができる。そ
の結果、実質的に高感度かつ高精度(高分解能)の測定が可能になる。
と図8である。図7、図8は共に実線がV1-V2による充電時の積分回路出力及びその後のV3-V2による放電時の積分回路出力の変化を示す図である。また、各図7、図8中における点線は、実線のグラフに赤外線センサ1の出力Eを重畳させたV1+E-V2による充電時の積分回路出力及び、その後のV3-V2による放電時の積分回路出力の変化を示している。各図7
、図8中に点線が2本ずつ示されているのは、赤外線センサ1の出力Eが正負各々の場合
を考慮したものである。
タ4のビット数で決まる変換可能範囲(ダイナミックレンジ)を示している。図7の場合と比較して、図8の場合には斜線部34で示す領域だけA/D変換可能領域の余裕が生じて
いる。その結果、2重積分型A/Dコンバータ4Aにおいてオーバーフローの発生する可能
性が低減し、さらには、この斜線部34の範囲に相当する増幅器3のゲインを増加させることが可能となる。
の抵抗を設けておき、これらをアナログスイッチ(FETスイッチ、アナログマルチプレク
サ用IC等)を使用して、切り換えるようにする。
い領域で使用できるので、放射体温計を実効的に高感度にすることができる。
本実施の形態では、増幅器3のゲインは複数の帰還抵抗(固定抵抗)をアナログスイッチで切り換えることで実現したが、これに代えて帰還抵抗としてFET等の半導体素子を使
用し、そのバイアス及びゲート電圧の変化による抵抗変化を利用した等価的な可変抵抗素子を使用してもよい。
れは、実施の形態1で示したように、積分回路の充電時間を増加させると実質的に、A/D
コンバータとしてのゲインを増加させることになるからである。
対象である入力信号を一定期間(充電時間)積分回路で積分し、これを既知の放電用リファレンス電圧で放電し、その放電に要した時間をカウンタのクロック数で計測してデジタルデータを得るものである。
下するので、これは最終的には、必要なゲインと必要なレスポンスとのトレードオフになる。
。
電時間選択信号により、スリーステートバッファの出力をハイインピーダンス状態にして、充電時間の計測に寄与しないようにしてもよい。
ンサ2の出力をも含めて調整することができる。
外線センサ1自身の温度Taによって定まり、放射体温計の場合には測定対象の温度(人間の体温)Txは32°C〜42°Cと、その範囲が限定されるため、赤外線センサ1自身の温度Taが定まれば、赤外線センサ1の出力Eのフルスケールの出力は、(式9)から予測可
能となる。したがって赤外線センサ1自身の温度Taに基づく出力Eの予測値とオフセット
電圧Vosとの関係から(式11)及び(式12)を満足し、かつ、V1-V2が極力小さくなるように基準電圧V1を決定すればよい。さらに、増幅器3のオフセット電圧Vosと(式9)
から予測される赤外線センサ1の出力Eが(式12)を満足し、かつ、V2を基準にした増
幅器3の入力、すなわち、V1 + E + Vos-V2が増幅後にA/Dコンバータ4でオーバーフローを発生させない範囲で極力大きな値となるように調整すれば、実質的に放射体温計を高感度かつ高分解能にすることができる。その場合のゲインの調整は、上記に述べた、増幅器3のゲインを調整する方法、または2重積分型A/Dコンバータ4Aの積分回路の充電時間
を増加させる方法のいずれでもよい。
重積分型A/Dコンバータ4Aの動作をそのままCPU5が実行するプログラムで実現してもよい。その場合には、上記充電時間の変更は、プログラム中の入力信号の加算回数(加算区間)の変更で済むので、上記増幅器3のゲインを変更する場合やハードウェアとしての2重積分型A/Dコンバータ4Aの充電時間を増加する方法と比較して簡易に実現できる。
御プログラムを起動し、定期的に増幅器3のオフセット電圧や温度センサ2のセンサ温度信号の測定を行わさせ、測定結果をメモリ7に蓄積しておき、放射体温計使用時には、その蓄積された過去の測定結果をも反映させて、基準電圧11、増幅器3のゲイン、積分回路の充電時間等を決定してもよい。
2 温度センサ
3 増幅器
4 A/Dコンバータ
4A 2重積分型A/Dコンバータ
5 CPU
10 信号選択回路
11 基準電圧
21 回路基準電圧
22 放電用リファレンス電圧
Claims (2)
- 測定対象から放射される赤外線の量に応じたセンサ出力信号を出力する赤外線センサと、このセンサ出力信号にバイアスを重畳するためのバイアス発生源と、前記赤外線センサ自身の温度に応じたセンサ温度信号を出力する温度センサと、前記バイアスが重畳されたセンサ出力信号を増幅する増幅器と、前記増幅されたセンサ出力信号及び前記センサ温度信号をデジタルデータに変換するA/Dコンバータと、このA/Dコンバータによって得られたデジタルデータに基づき測定対象の温度を算出する制御部とを備え、
前記制御部は、
予め設定された測定対象の温度範囲と、前記センサ温度信号から変換されたデジタルデータと、に基づいて、前記赤外線センサのセンサ出力信号がとり得る値を予測し、
前記予測されたセンサ出力信号の値と前記増幅器のオフセット電圧とに基づいて、バイアスが重畳され且つ増幅されたセンサ出力信号が前記A/Dコンバータの入力信号許容範囲に収まるように、前記バイアス発生源のバイアスを調整する
ことを特徴とする放射温度計。 - 前記制御部は、
前記調整後のバイアスが重畳され且つ増幅されたセンサ出力信号と、前記A/Dコンバータの入力許容範囲の最大値と、の間にA/D変換可能な余裕がある場合に、
前記調整後のバイアスが重畳され且つ増幅されたセンサ出力信号が前記入力許容範囲の最大値を超えない範囲で、前記増幅器のゲインを増加させる
ことを特徴とする請求項1に記載の放射温度計。
Priority Applications (1)
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JP2004377741A JP4148219B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 放射温度計 |
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